DE1597840B2 - Verfahren zur verbesserung der photoleitfaehigkeit im vakuum auf einem schichttraeger abgelagerter cadmiumsulfid schichten - Google Patents
Verfahren zur verbesserung der photoleitfaehigkeit im vakuum auf einem schichttraeger abgelagerter cadmiumsulfid schichtenInfo
- Publication number
- DE1597840B2 DE1597840B2 DE19671597840 DE1597840A DE1597840B2 DE 1597840 B2 DE1597840 B2 DE 1597840B2 DE 19671597840 DE19671597840 DE 19671597840 DE 1597840 A DE1597840 A DE 1597840A DE 1597840 B2 DE1597840 B2 DE 1597840B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cadmium
- cadmium sulfide
- layers
- copper
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60895767A | 1967-01-13 | 1967-01-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1597840A1 DE1597840A1 (de) | 1970-09-17 |
DE1597840B2 true DE1597840B2 (de) | 1972-01-20 |
Family
ID=24438800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671597840 Pending DE1597840B2 (de) | 1967-01-13 | 1967-12-15 | Verfahren zur verbesserung der photoleitfaehigkeit im vakuum auf einem schichttraeger abgelagerter cadmiumsulfid schichten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3519480A (fr) |
BE (1) | BE709334A (fr) |
DE (1) | DE1597840B2 (fr) |
FR (1) | FR1551455A (fr) |
GB (1) | GB1194482A (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3117975A1 (de) * | 1980-05-08 | 1982-04-29 | Savin Corp., 10595 Valhalla, N.Y. | "elektrofotographischer fotoleiter" |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3895943A (en) * | 1967-06-08 | 1975-07-22 | Canon Camera Co | Method for the preparation of CdS or CdSe powder for electrophotography |
JPS4910709B1 (fr) * | 1968-03-08 | 1974-03-12 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE543274A (fr) * | 1954-12-03 | |||
US2995474A (en) * | 1959-10-02 | 1961-08-08 | Eastman Kodak Co | Photoconductive cadmium sulfide and method of preparation thereof |
US3202609A (en) * | 1962-01-31 | 1965-08-24 | Ibm | High mobility photoconductor sintered shapes and process for their preparation |
US3238150A (en) * | 1962-09-12 | 1966-03-01 | Xerox Corp | Photoconductive cadmium sulfide powder and method for the preparation thereof |
GB1018395A (en) * | 1963-05-21 | 1966-01-26 | Ass Elect Ind | Recrystallization of sulphides of cadmium and zin'c in thin films |
US3379527A (en) * | 1963-09-18 | 1968-04-23 | Xerox Corp | Photoconductive insulators comprising activated sulfides, selenides, and sulfoselenides of cadmium |
US3361591A (en) * | 1964-04-15 | 1968-01-02 | Hughes Aircraft Co | Production of thin films of cadmium sulfide, cadmium telluride or cadmium selenide |
US3391021A (en) * | 1964-07-21 | 1968-07-02 | Gen Instrument Corp | Method of improving the photoconducting characteristics of layers of photoconductive material |
GB1051085A (fr) * | 1964-07-31 | 1900-01-01 |
-
1967
- 1967-01-13 US US608957A patent/US3519480A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-15 DE DE19671597840 patent/DE1597840B2/de active Pending
-
1968
- 1968-01-12 FR FR1551455D patent/FR1551455A/fr not_active Expired
- 1968-01-12 GB GB0876/68A patent/GB1194482A/en not_active Expired
- 1968-01-12 BE BE709334D patent/BE709334A/xx not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3117975A1 (de) * | 1980-05-08 | 1982-04-29 | Savin Corp., 10595 Valhalla, N.Y. | "elektrofotographischer fotoleiter" |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3519480A (en) | 1970-07-07 |
GB1194482A (en) | 1970-06-10 |
FR1551455A (fr) | 1968-12-27 |
DE1597840A1 (de) | 1970-09-17 |
BE709334A (fr) | 1968-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1421903B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoempfindlichen halb leiterschicht auf einem waermebestaendigen nicht leitenden traeger | |
DE1032404B (de) | Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten | |
DE1806643B2 (de) | Verfahren zum Dotieren von Halb leitermaterial durch Ionenimplantation mit anschließender Gluhbehandlung | |
DE2839057A1 (de) | Transparente leitende schichten und verfahren zur herstellung von transparenten leitenden schichten | |
DE2216720B2 (de) | Festkörperbildspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1619977C3 (de) | Zweifach dotiertes Galliumarsenid | |
DE1597840B2 (de) | Verfahren zur verbesserung der photoleitfaehigkeit im vakuum auf einem schichttraeger abgelagerter cadmiumsulfid schichten | |
DE1597840C (de) | Verfahren zur Verbesserung der Photo leitfähigkeit im Vakuum auf einem Schicht trager abgelagerter Cadmiumsulfid Schichten | |
DE2250184A1 (de) | Optisches relais, das ein photoleitendes element enthaelt | |
DE2248054A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE3000305C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE1614351B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von CdS-Photowiderständen | |
DE1098316B (de) | Verfahren zum Herstellen einkristalliner UEberzuege aus dotierten Halbleitergrundstoffen durch Aufdampfen im Vakuum | |
DE683330C (de) | Verfahren zur Herstellung von als lichtelektrisch empfindliches Organ bei Sperrschichtzellen dienenden Metallverbindungen | |
DE1772288A1 (de) | Fotoleitende Legierungsschicht | |
DE1621328B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Schicht | |
DE2420257A1 (de) | Halbleiterstruktur mit einer das halbleitersubstrat abdeckenden passivierungsanordnung | |
DE1908101C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1254428B (de) | Verfahren zum Herstellen lichtempfindlicher Bleiselenidschichten durch Aufdampfen imVakuum | |
DE3610277C2 (fr) | ||
DE2061655B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2425286B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrophotographischen aufzeichnungsmaterials | |
DE2328603A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines photoleitenden elements | |
DE2141212C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus Verbindungen der Gruppen II bis VI | |
DE2053902C (de) | Verfahren zur Herstellung eines im ultravioletten Strahlenbereich empfindlichen photoleitfähigen Materials |