DE1588767B2 - Schaltungsanordnung mit einem feldeffekttransistor als stell glied in einem regelkreis - Google Patents

Schaltungsanordnung mit einem feldeffekttransistor als stell glied in einem regelkreis

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    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
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    • H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied in einem Regelkreis, bei dem der Körper (Substrat) des Feldeffekttransistors an den Abgriff eines zwischen Anode und Kathode angeordneten, gegen den Kanalwiderstand des Feldeffekttransistors hochohmigen Spannungsteilers angeordnet ist und dessen Gitter die Steuergleichspannung über einen hochohmigen Widerstand zugeführt ist.
Feldeffekttransistoren werden zum Steuern und Regeln der Verstärkung von TF-Verstärkern oder Umsetzern verwendet, wobei man den gitterseitig steuerbaren Kanalwiderstand der Anoden-Kathoden-Strecke z. B. in das Gegenkopplungsnetzwerk des Verstärkers oder Umsetzers einfügt. Durch die Nichtlinearität dieses Kanalwiderstandes entsteht dabei ein Klirrfaktor zweiter Ordnung, der insbesondere in Trägerfrequenzgeräten vermieden werden muß, wenn die für diese Geräte verlangten hohen Anforderungen eingehalten werden sollen.
Eine Schaltungsanordnung, bei der wegen des unsymmetrischen Betriebes ein derart großer Klirrfaktor zweiter Ordnung auftritt, ist in F i g. 1 gezeigt. Hier wird der Körper des Feldeffekttransistors 5 auf das Potential der Kathode gelegt, während die Anode über den Kondensator 6 an den einen Pol der Gegenkopplungsleitung geführt ist. Das Gitter des Feldeffekttransistors wird von der Gleichspannungsquelle 3 über den ohmschen Widerstand 4 angesteuert.
Außerdem ist es bereits aus der Zeitschrift »Radio und Femsehen«, 16 (1967), Heft 2, S. 39 bis 42, insbesondere Bild 5, bekannt, einen Feldeffekttransistor mit seinem Substrat an einen hochohmigen Spannungsteiler anzuschließen und die Basis-Elektrode über einen ohmschen Widerstand anzusteuern. Bei dieser Anordnung wird der Klirrfaktor zweiter Ordnung bereits verringert, jedoch reicht diese Verringerung bei einer qualitativ hohen Regelung, wie sie für Trägerfrequenzgeräte benötigt wird, meist nicht aus.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung mit sehr kleinem Klirrfaktor zweiter Ordnung zu schaffen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird die eingangs genannte Schaltungsanordnung nach einem ersten Vorschlag der Erfindung derart ausgebildet, daß das Gitter über einen Kondensator mit dem Körper verbunden ist.
Gemäß einem zweiten Vorschlag der Erfindung läßt sich die Schaltungsanordnung auch so ausbilden, daß das Gitter über zwei gleich große Kondensatoren jeweils mit Kathode und Anode verbunden ist.
Der Spannungsteiler läßt sich dabei vorteilhaft als kapazitiver Spannungsteiler ausbilden, wobei im letztgenannten Falle der Abgriff des kapazitiven Spannungsteilers über einen ohmschen Widerstand mit dem Fußpunkt der Gleichspannungsquelle verbunden ist.
Zum Zwecke des Abgleiche läßt sich der Spannungsteiler auch einstellbar machen.
Durch diese Maßnahmen wird erreicht, daß gegenüber der eingangs genannten bekannten Schaltung der Klirrfaktor zweiter Ordnung noch weiter verringert und die dadurch verursachte Nichtlinearität vermieden wird. Dadurch läßt sich die Schaltungsanordnung nach der Erfindung besonders gut für den Einsatz in Trägerfrequenzsystemen verwenden. Diese Vorteile lassen sich ohne großen zusätzlichen Aufwand an Schaltmitteln in einfacher Weise erreichen.
An Hand der Ausführungsbeispiele nach den Fig. 2 bis 4 wird die Erfindung näher erläutert.
Fig. 2 zeigt eine Anordnung, bei der die Symmetrierung mit Hilfe eines Kondensators 1, der zwischen Gitter und Abgriff des zwischen Kathode und Anode des Feldeffekttransistors 5 liegenden Spannungsteilers 7, 8 verbessert wird. Die Ansteuerung des Gitters erfolgt durch die Gleichspannungsquelle 3, über den hochohmigen Widerstand 4.
Eine andere Möglichkeit zur Symmetrierung ist in Fig. 3 gezeigt. Hier ist, wie in Fig. 2, der Körper mit dem Spannungsteilerabgriff verbunden. Kathode und Anode des Feldeffekttransistors 5 sind jedoch über zwei gleiche Kondensatoren 2, 9 mit dem Gitter gekoppelt. Zum Zwecke eines guten Abgleichs können diese Kondensatoren einstellbar gemacht werden.
Bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 4 wird an Stelle des ohmschen Spannungsteilers nach Fi g. 2 ein kapazitiver Spannungsteiler 10, 11 gesetzt, wobei der Abgriff dieses Spannungsteilers über den ohmschen Widerstand 12 mit dem Fußpunkt der Gleichspannungsquelle 3 verbunden ist.
Das Diagramm nach F i g. 5 zeigt die Klirrdämp- ' fung zweiter Ordnung, abhängig vom eingangsseitigen Spannungspegel bei verschiedenen Kanalwiderständen R0 von Feldeffekttransistoren. Dabei wurden die ersten drei Kurven mit einer Schaltungsanordnung nach Fig. 2 und die darunter folgenden Kurven mit einer bekannten Schaltungsanordnung nach Fig. 1 erreicht.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied in einem Regelkreis, bei dem der Körper (Substrat) des Feldeffekttransistors an den Abgriff eines zwischen Anode und Kathode angeordneten, gegen den Kanalwiderstand des Feldeffekttransistors hochohmigen Spannungsteilers angeordnet ist und dessen Gitter die Steuergleichspannung über einen hochohmigen Widerstand zugeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Gitter über einen Kondensator (1) mit dem Körper verbunden ist.
2. Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied in einem Regelkreis, bei dem der Körper (Substrat) des Feldeffekttransistors an den Abgriff eines zwischen Anode und Kathode angeordneten, gegen den Kanalwiderstand des Feldeffekttransistors hochohmigen Spannungsteilers angeordnet ist und dessen Gitter die Steuergleichspannung über einen hochohmigen Widerstand zugeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Gitter über zwei gleich große Kondensatoren (9, 2) jeweils mit Kathode und Anode verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler ein kapazitiver Spannungsteiler (10, 11) ist, dessen Abgriff über einen ohmschen Widerstand (12) mit dem Fußpunkt der Gleichspannungsquelle (3) verbunden ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (7, 8, Fig. 2; 10, 11, F i g. 4) einstellbar ist.
DE19671588767 1967-09-19 1967-09-19 Schaltungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor als Stellglied in einem Regelkreis Expired DE1588767C3 (de)

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SE355451B (de) 1973-04-16
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