DE1564547A1 - Halbleiter-Mikroschaltungsbaustein - Google Patents

Halbleiter-Mikroschaltungsbaustein

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DE1564547A1 DE1966R0044690 DER0044690A DE1564547A1 DE 1564547 A1 DE1564547 A1 DE 1564547A1 DE 1966R0044690 DE1966R0044690 DE 1966R0044690 DE R0044690 A DER0044690 A DE R0044690A DE 1564547 A1 DE1564547 A1 DE 1564547A1
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Description

c ο 'π. λ, 156*547
6383-66/Kö/E
RCA 56442
Convention date: December 2, 1965
Radio Corporation of America New York N.Y., V.St.A.
Halbleiter-Mikrosohaltungsbaustein
Die Erfindung betrifft monolithische Halbleiter-Mikroschaltungen oder sogenannte "integrierte" monolithische Schaltungen.
Derartige Schaltungen können aus aktiven Schaltungskomponenten wie Transistoren und Dioden sowie passiven Schaltungskomponenten wie Kondensatoren und Widerständen aufgebaut sein. Beispielsweise wird ein in solchen Schaltungen häufig verwendeter Widerstandstyp in der Weise hergestellt, daß Verunreinigungen, die den einen Leitungstyp hervorrufen, in einen Teil eines einkristallinen Halbleiterkörpers des anderen Leitungstyps eindiffundiert werden.
Monolithische Halbleiter-Mikroschaltungen werden gewöhnlich in einen Halbleiterkörper mit einer verhältnismäßig dicken Substratschicht des einen Leitungstyps, die
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lediglich als Unterlage oder Träger dienen kann, eingebaut. Dabei werden die Schaltungskomponenten teilweise in einer überlagernden Schicht des anderen Leitungstyps gewöhnlich in der Weise gebildet, daß man entsprechende Verunreinigungen eindiffundiert, um denjenigen Leitungstyp herzustellen, der für die Bildung von pn-Übergängen sowie p- und n-Gebieten erforderlich ist, so daß die gewünschten Bauelemente wie Trans istoren oder Dioden, Widerstände oder Kondensatoren entstehen.
Eines der Hauptprobleme bei der Herstellung derartiger Schaltungen besteht darin, eine unerwünschte Wechselwirkung zwischen den verschiedenen Schaltungskomponenten ganz oder zumindest weitgehend zu verhindern. In diesem Zusammenhang ist es bekannt (USA-Patentschrift 3 II7 2βθ), einzelnen Schaltungskomponenten beispielsweise dadurch voneinander zu isolieren, daß man Isolationszonen oder -gebiete einbaut, deren Leitungstyp dem der überlagernden Schicht entgegengesetzt ist, so daß zwischen diesen Gebieten und der Schicht pn-Übergänge gebildet werden, die eine Übertragung von ungewollten Strömen zwischen verschiedenen Teilen der Schaltung durch die Halbleiterschicht oder das Substrat verhindern. Wenn jedoch Teile der Schaltungskomponenten den gleichen Leitungstyp haben wie das Isolationsgebiet, ergibt sich eih parasitärer pnp- oder npn-Effekt, auf Grund dessen parasitäre Ströme auftreten, wodurch die Arbeitsweise der Schaltung beeinträchtigt wird.
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Eine solche unerwünschte Wirkung kann sich in Verbindung mit diffundierten Widerständen ergeben, wenn diese von der übrigen Halbleiterschicht, die andere Schaltungskomponenteftenthält, durch ein umgebendes Gebiet isoliert sind, das den gleichen Leitungstyp wie der Widerstand selbst, jedoch den entgegengesetzten Leitungstyp wie die Halbleiterschicht, in welcher der Widerstand gebildet ist, hat.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen monolithischen Halbleiter-Mikroschaltungsbaustein mit Isolationsgebieten von solcher Ausbildung zu schaffen, daß unerwünschte parasitäre Effekte verhindert oder minimalisiert werden.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß ein Halbleiter-Mirkoschaltungsbaustein, bei dem in einem Halbleiterkörper eine Schaltungskomponente mit einem ersten Gebiet des einen Leitungstyps von einem zweiten Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben und dieses zweite Gebiet vom übrigen Halbleiterkörper in seitlicher Richtung durch ein umgebendes, stark dotiertes Gebiet des einen Leitungstyps isoliert ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine in Berührung mit dem zweiten Gebiet angeordnete, stark dotierte Zone des anderen Leitungstyps das zweite Gebiet ganz oder teilweise von den benachbarten Körperbereichen des einen Leitungstyps trennt.
Gemäß einer speziellen Ausführungsform der Erfindung ist ein Teil oder Baustein einer monolithischen HaIb-
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leiter-Mirkoschaltung vorgesehen, bei den in einem Halbleiterkörper ein durch ein erstes Gebiet des einen Leitungs-
tys gebildeter Widerstand von einem zweiten Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben ist. Dieses zweite Gebiet ist vom übrigen Halbleiterkörper durch eine umgebende, stark dotierte Isolationszone des dem zweiten Gebiet entgegengesetzten Leitungstyps und durch eine weitere, zwischen dem zweiten Gebiet und der Isolationszone angebrachte Zone isoliert, um das Auftreten von parasitären oder Kriechströmen zu verhindern. Die letzterwähnte Zone besteht aus einem stark dotierten Gebiet des gleichen Leitungstyps wie das zweite Gebiet.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen Grundriß eines Teils einer Mikroschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie II-II in Fig. 1;
Fig. 3a - 3g der Fig. 2 ähnliche Schnitte, die aufeinanderfolgende Verfahrensschritte bei der Herstellung der Anordnung nach Fig. 1 und 2 veranschaulichen;
Fig. 4 einen Grundriß der Anordnung in dem in Fig. 3e veranschaulichten Verfahrensstadium, jedoch mit entfernten Maskierungsschichten; und
Fig. 5 einen Grundriß der Anordnung in einem Verfahrensstadium zwischen den in Fig. 3f und 3g veranschaulichten Schritten.
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Pig. 1 va& 2 zeigen einen Teil einer integrierten monolithischen Halbleiterschaltung gemäß einer Ausführungs« form der Erfindung mit einer Schaltungskomponente in Form eines diffundierten Widerstandes, der mit verschiedenen an*, deren Schaltungskomponenten wie Transistoren, Dioden, Kondensatoren und anderen Widerständen verschaltet sein kann. Der gezeigte Schaltungsteil oder -baustein besteht aus einem zusammengesetzten Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat 2 vom p-Leitungstyp, auf dem verschiedene Komponenten der Schaltung ausgebildet sind. Für die Bildung eines auf dem Substrat 2 vorzusehenden Transistors oder anderweitigen Bauelementes ist angrenzend an das Substrat 2 eine Halbleiterschicht 4 vom Leitungstyp n+ angebracht. Angrenzend an die Schicht 4 ist eine Halbleiterschicht 6 vom n-Leitungstyp vorgesehen. Innerhalb der umleitenden Schicht 6 befindet sich ein p-leitendes Gebiet 8, das in diesem Falle als ohmscher Widerstand in der Schaltung arbeitet. Zum Verschalten werden an den Enden der freiliegenden Fläche des Gebietes 8 metallische Anschlüsse 28 (Fig. 3g) angebracht und die gesamte freiliegende Fläche der Anordnung mit Ausnahme der Stellen, wo sich die WiderstandsansohlUsse befinden, mit einer Isolierschicht 26 (Fig. j5g) überzogen.
Normalerweise ist der Widerstand 8 von der übrigen Schaltung durch ein p-leitendes Gebiet 10 isoliert, welches das Gebiet 8 umgibt und bis in das p-leitende Substrat 2
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hineinreicht. Obwohl diese Isolationsanordnung bequem ist und sich wirtschaftlich herstellen läßt, hat sie offensichtliche Nachteile. Und zwar ergibt sich bei dieser Anordnung ein parasitärer Transistor, der das Auftreten von unerwünschten parasitären Strömen zur Folge hat. Dieser parasitärer Transistor wird durch das p-leitende Widerstandsgebiet 8, die η-leitende Schicht 6 und das diese Schicht umgebende pleitende Isolationsgebiet 10 gebildet. Dieser Transistor, der einen verhältnismäßig großen Betawert haben kann, beeinträchtigt die Arbeitsweise der Schaltung oft erheblich.
Erfindungsgemäß wird in die Schicht 6 angrenzend an das Isolationsgebiet 10 ein Gebiet 12 verhältnismäßig niedrigen spezifischen Widerstandes so eingebaut, daß es den ohmschen Widerstand 8 umgibt und das η-leitende Gebiet 6 einfaßt. Das Gebiet 12 befindet sich zwischen dem Widerstand 8 und dem Isolationsgebiet 10. Bei der gezeigten Ausführungsform hat das zusätzliche Gebiet 12 den Leitungstyp n+. Es hat auf jeden Fall denselben Leitungstyp wie das Gebiet 6, so daß, wenn der Widerstand η-leitend und das umgebende Gebiet 6 p-leitend sind, das zusätzliche Gebiet 12 den Leitungstyp P+ hat.
Der parasitäre Transistor wird nunmehr durch den p-leitenden Widerstand 8, die n-leitende Schicht 6, das n+ -leitende Gebiet 12 und p-leitende Isolationsgebiet 10 gebildet. Das n+ -leitende Gebiet 12 in der Basis dieses parasitären Transistors erniedrigt den Emitter-Wirkungsgrad
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und verringert den Betawert des parasitären Transistors auf Werte, die ohne weiteres in Kauf genommen werden können.
Die Isolation der Schaltungskomponente 8 wird durch die n+ -leitende Schicht 4, die den Widerstand 8 vom p-leitenden Substrat 2 trennt, vervollständigt. Ohne die n+ leitende Schicht 4 wäre ein zweiter parasitärer pnp-Transistor,, gebildet durch die Gebiete 8, 6 und 2, vorhanden, der den Betrieb der Schaltung ebenfalls beeinträchtigen könnte,» Durch die Schicht 4 wird jedoch dieser parasitäre Transistor in einen pnn+p-Transistor umgewandelt. Dieser Transistor hat auf das Arbeiten der Schaltung keinen großen Einfluß, da die n+-Schieht 4 den Basiswiderstand verkleinert, so daß der Emitter-Wirkungsgrad des pnp-Transistors erniedrigt und dadurch der Betawert dieses Transistors klein gehalten wird.
Falls angängig, kann die Scheibe oder das Substrat nach Fig. 1 und 2 auch vom n-Leitungstyp sein. Die Isolationszone 10 sollte in diesem Falle vollständig durch die Scheibe hindurchreichen, um die Schaltungskomponente 8 und das diese umgebende Gebiet 6 gänzlich zu isiieren. Die Schicht 4 kann dann nur in denjenigen Gebieten der Scheibe ausgebildet sein, wo sie erforderlich ist. Die Isolationszone 12 sollte ebenfalls ganz durch die Scheibe hindurchreichen, um zwischen der Zone 10 und dem die Schaltungskomponente 8 umgebenden n-leitenden Scheibengebiet 6 vollständig vorhanden zu sein.
Die in Fig. 1 und 2 gezeigte Anordnung kann wie folgt hergestellt werden:
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Beispiel
Monolithische Silizium-Schaltungsbausteine enthalten im allgemeinen ein einkristallines Siliziumsubstrat, das als Systemträger oder Unterlage für die Schaltung dient, jedoch im Betrieb der Schaltung keine funktionelle Rolle zu spielen braucht. Im vorliegenden Falle ist das Substrat (Fig. 35a) eine einkristalline p-Silizlumscheibe mit einer Dicke von 0,202 mm (8 Mil). Der spezifische Widerstand beträgt 50 Ohmzentimeter, und als Dotierungsstoff dient Bor. Die Dicke der Scheibe ist nicht kritisch; sie muß jedoch so groß sein, daß die Scheibe bei der Handhabung nicht gleich zerbricht. Im Hinblick auf die Kosten sollte die Scheibe nicht unnötig dick sein.
Auf das p-leitende Substrat 2 wird eine n+-leitende Schicht 4 aufgewachsen (Fig. Jb). Diese Schicht kann 2-8 Mikron dick sein und einen spezifischen Widerstand von ungefähr 0,02 Ohmzentimeter haben. Geeignete Dotierungsstoffe für diese Schicht sind Antimon und Arsen. Die n+-Schicht bildet Jeweils Teile von Schaltungskomponenten und erniedrigt außerdem die Kollektor-Emitterspannung (Vce) etwaiger in anderen Teilen der Schaltung vorhandener npn-Transistoren.
Als nächstes wird auf die n*-Schicht 4 eine n~ leitende Schicht 6 aus Silizium epitaktisch aufgewachsen (Fig. 3$). Diese Schicht kann 6-ΛΒ Mikron dick sein und einen spezifischen Widerstand von 20-30 Ohmzentimeter haben. Diese
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Schicht dient als Isolation für den p-leitenden Widerstand 8 sowie als Kollektor für einen etwaigen in anderen Teilen der Schaltung vorhandenen npn-Transistor.
Um das p-leitende Isolationsgebiet 10 herzustellen, wird mit Hilfe des Photomaskier- oder Photoabdeckverfahrens ein bestimmter Oberflächenbereich gebildet, auf den in Form eines Streifens der entsprechende Dotierungsstoff für das Eindiffundieren aufgebracht wird. Als erstes wird dabei nach irgendeinem üblichen Verfahren auf die gesamte freie Oberfläche der η-Schicht β ein Belag aus Siliziumdioxyd 14 aufgebracht (Fig. 3d). Auf die Oxydschicht 14 wird eine Schicht 16 eines lichtempfindlichen Ktzschutzmittels aufge« bracht. Diese Schicht wird in üblicher Weise unter Verwen« dung einer transparenten Schablone, oder Vorlage belichtet d ansQ.hlielerjd entw.lok.elt« um den unbelichteten Teil des weg.z,uwja.sQhea« so d.a.§ zuJageMt, Öffnungen 17 die, ©xj^goMcM 3& xmoh
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entfernt und auf die Oberfläche der n-Schicht 6 ein neuer Belag 20 (Fig. 3e) aus Siliziumdioxyd und darauf eine Schicht 22 aus lichtempfindlichem Ätzschutzmittel aufgebracht. Mit Hilfe der gleichen Verfahrensweise, wie sie für die Herstellung der öffnungen 17 verwendet wurde, werden jetzt neue öffnungen 23 gebildet, die bis hinunter zur Oberfläche der Schicht 6 reichen. Auf den Boden der Öffnungen 23 wird n-Dotierungsstoff in Form eines Streifens 24 aufgebracht, woraufhin der Oxydbelag 20 und der Ätzschutzbelag 22 wieder entfernt werden. Für den n-Dotierungsstoff kann man beispielsweise POCl, verwenden. Es können/Strelfen 18 eine Breite von 0,0127 mm (0,5 Mil) und der Streifen 24 eine Breite von 0,0076 mm (Q,3 Mil) haben, obwohl diese Abmessungen nicht kritisch sind.
Wie in Fig. 4 gezeigt, sind die Streifen l8 und 24 rechtwinklig, also in Form von Reehteekrahmen ausgebildet und konzentrisch so angeordnet, daß der Streifen 24 einen Bereich der Oberfläche der Schient β einfaßt,
Di© Anordnung wird nunmehr in ©inen Diffusionsofen ©ing@braoh.fc* wo die Verunreinigungen oder Dotierungsstoffe Streifen. 18 und. £4 atindeate&s ungeführt 16 Stunden lang ei&er Ttatperatiir von 11β5 0G i» äea SilisitiiBkörper ei»- werö«R, Dadiaroh ie«röen «las p· leitende Isola-10 vxkü aas n* -Qebiet IS gebildet» Da ate Versowohl in vertikaler Richtung als auch etwas
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seitwärts diffundieren, werden die Streifen 18 und 24 im Verlaufe des Diffusionsvorganges breiter. Auch die n+ -Schicht 4 dehnt sich in ihrer Breite aus.
Schließlich wird der ohmsche Widerstand 8 hergestellt, indem unter Verwendung von Siliziumdioxyd und lichtempfindlichem Ätzschutzmittel in der oben beschriebenen Weise eine öffnung von bestimmter Flächenform gebildet und eine Borverbindung, beispielsweise Bornitrid in Form eines Streifens von der in Fig. 5 für die Oberseite des Widerstandsgebietes gezeigten Gestalt aufgebracht wir.d. Das Bor wird 3-4 Stunden lang bei 1100 0C in den Siliziumkörper eindiffundiert.·
Am Ende der Diffusionsvorgänge ist das Widerstandsgebiet 8 vollständig ausgebildet und sind die Isolationsgebiete 10 und 12 in ihrer Tiefe und Breite erweitert, so daß sie ineinander übergehen oder aneinander stoßen, wie in Fig. 3g gezeigt. Der Widerstand kann an andere Teile der Schaltung (nicht gezeigt) angeschlossen werden, indem man auf die Scheibenfläche eine Oxydschicht 26 aufbringt und anschließend metallische Anschlüsse 28 anbringt, die über der Oxydschicht zu den betreffenden anderen Schaltungskomponenten führen.
Obwohl die n+ -Schicht 4 hier als eine vollständige, epitaktisch auf das Substrat 2 aufgewachsene Schicht besehrieben und gezeigt ist, kann sie stattdessen auch aus einer in das Substrat 2 eindiffundierten "Tasche" "· bestehen * Die n+-
S-chichtfkann "auch gänzlich entfallen, wenn mandie-ri-Schicht
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entsprechend dicker macht, so daß auf diese Welse der Emitter-Kollektorabstand vergrößert und dadurch der Transistor. Betawert verringert wird.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1. Halbleiter-Mikroschaltungsbaustein mit einem Halbleiterkörper (2) und einer Schaltungskomponente, bestehend aus einem im Halbleiterkörper gebildeten ersten Gebiet (8) des einen Leitungstyps, das innerhalb des Halb« leiterkörpers von einem zweiten Gebiet (6) des anderen Leitungstyps umgeben ist, wobei das zweite Gebiet in seitlicher Richtung vom übrigen Halbleiterkörper durch eine umgebende, stark dotierte Isolationszone (10) des einen Leitungstyps isoliert ist, dadurch gekennzeich-η e t, daß in Berührung mit dem zweiten Gebiet ein weiteres, stark dotiertes Gebiet (12, 4) des anderen Leitungstyps angeordnet ist, derart, daß es das zweite Gebiet ganz oder teilweise von den benachbarten Halbleiterkörpergebieten des einen Leitungstyps trennt.
    2. Anordnung nach Anspruch 1, bei welcher der Halbleiterkörper den anderen Leitungstyp hat und das zweite Gebiet bildet, dadurch gekennzeichn e t, daß das weitere Gebiet (12, 4) um das zweite Gebiet herum angeordnet ist und dieses einfaßt.
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    J). Anordnung nach Anspruch 1, bei welcher der Halbleiterkörper den einen Leitungstyp hat, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Gebiet aus einer Schicht besteht, die in den Halbleiterkörper zwischen dem zweiten Gebiet und einem Teil des Halbleiterkörpers hineinreicht.
    4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch ge-1' kennzeichnet, daß die Isolationszone durch die durch das weitere Gebiet gebildete Schicht hindurchreicht und mit dem Halbleiterkörperteil verbunden ist.
    5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch ge- ^ kennze lehnet, daß das weitere Gebiet von der dadurch gebildeten Schicht soweit reicht, daß es die Isolationszone berührt und das zweite Gebiet vollständig von der Isolationszone trennt.
    6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Gebiet als schmales n+ «Gebiet (12) die Sehaltungskomponente seitlich umgibt.
    7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Sehaltungskomponente ein ohmscher Widerstand ist, der durch ein langgestrecktes diffun«
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    -15-diertes Gebiet vom p-Leitungstyp gebildet wird.
    8. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß das zweite Gebiet eine epitaktische Schicht ist, die von einer weiteren Schicht unterlagert wird, die denselben Leitungstyp wie das zweite Gebiet, Jedoch eine größere Leitfähigkeit hat.
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    Oi IP.
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SE (1) SE333196B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0452662A1 (de) * 1990-04-20 1991-10-23 International Business Machines Corporation Isolierter Halbleiter-Makroschaltkreis
DE19906384A1 (de) * 1999-02-16 2000-08-24 Siemens Ag IGBT mit PN-Isolation

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR155459A (de) * 1967-01-23
US3519898A (en) * 1967-01-31 1970-07-07 Nippon Electric Co High power semiconductor device having a plurality of emitter regions
US3772097A (en) * 1967-05-09 1973-11-13 Motorola Inc Epitaxial method for the fabrication of a distributed semiconductor power supply containing a decoupling capacitor
US3538397A (en) * 1967-05-09 1970-11-03 Motorola Inc Distributed semiconductor power supplies and decoupling capacitor therefor
US3653988A (en) * 1968-02-05 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Method of forming monolithic semiconductor integrated circuit devices
US3573509A (en) * 1968-09-09 1971-04-06 Texas Instruments Inc Device for reducing bipolar effects in mos integrated circuits
US3946425A (en) * 1969-03-12 1976-03-23 Hitachi, Ltd. Multi-emitter transistor having heavily doped N+ regions surrounding base region of transistors
US3769105A (en) * 1970-01-26 1973-10-30 Ibm Process for making an integrated circuit with a damping resistor in combination with a buried decoupling capacitor
US3619735A (en) * 1970-01-26 1971-11-09 Ibm Integrated circuit with buried decoupling capacitor
DE2705990A1 (de) * 1977-02-12 1978-08-17 Engl Walter L Prof Dr Rer Nat Integrierte schaltung mit einem thyristor e2
DE2706031A1 (de) * 1977-02-12 1978-08-17 Engl Walter L Prof Dr Rer Nat Integrierte schaltung mit einem thyristor
JPS596514B2 (ja) * 1977-03-08 1984-02-13 日本電信電話株式会社 Ｐｎ接合分離法による低漏話モノリシツクｐｎｐｎスイツチマトリクス
US4228450A (en) * 1977-10-25 1980-10-14 International Business Machines Corporation Buried high sheet resistance structure for high density integrated circuits with reach through contacts
US4316319A (en) * 1977-10-25 1982-02-23 International Business Machines Corporation Method for making a high sheet resistance structure for high density integrated circuits
JPS5534619U (de) * 1978-08-25 1980-03-06
DE2846637A1 (de) * 1978-10-11 1980-04-30 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterbauelement mit mindestens einem planaren pn-uebergang und zonen- guard-ringen
JPS6097659A (ja) * 1983-11-01 1985-05-31 Matsushita Electronics Corp 半導体集積回路
US4567542A (en) * 1984-04-23 1986-01-28 Nec Corporation Multilayer ceramic substrate with interlayered capacitor
US4755697A (en) * 1985-07-17 1988-07-05 International Rectifier Corporation Bidirectional output semiconductor field effect transistor
US5034337A (en) * 1989-02-10 1991-07-23 Texas Instruments Incorporated Method of making an integrated circuit that combines multi-epitaxial power transistors with logic/analog devices
US5428297A (en) * 1993-06-15 1995-06-27 Grace; James W. Precision integrated resistors
US5608259A (en) * 1994-03-02 1997-03-04 Deshazo; Thomas R. Reverse current flow prevention in a diffused resistor
JP3344138B2 (ja) * 1995-01-30 2002-11-11 株式会社日立製作所 半導体複合センサ
US8384157B2 (en) * 2006-05-10 2013-02-26 International Rectifier Corporation High ohmic integrated resistor with improved linearity
US11887945B2 (en) * 2020-09-30 2024-01-30 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device with isolation and/or protection structures

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1209312A (fr) * 1958-12-17 1960-03-01 Hughes Aircraft Co Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs du type à jonction
GB945747A (de) * 1959-02-06 Texas Instruments Inc
GB1047388A (de) * 1962-10-05
US3258606A (en) * 1962-10-16 1966-06-28 Integrated circuits using thermal effects
US3229119A (en) * 1963-05-17 1966-01-11 Sylvania Electric Prod Transistor logic circuits
US3265905A (en) * 1964-02-06 1966-08-09 Us Army Integrated semiconductor resistance element
US3341755A (en) * 1964-03-20 1967-09-12 Westinghouse Electric Corp Switching transistor structure and method of making the same
GB1050805A (de) * 1964-06-23 1900-01-01
US3312882A (en) * 1964-06-25 1967-04-04 Westinghouse Electric Corp Transistor structure and method of making, suitable for integration and exhibiting good power handling capability and frequency response
US3327182A (en) * 1965-06-14 1967-06-20 Westinghouse Electric Corp Semiconductor integrated circuit structure and method of making the same
US3370995A (en) * 1965-08-02 1968-02-27 Texas Instruments Inc Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0452662A1 (de) * 1990-04-20 1991-10-23 International Business Machines Corporation Isolierter Halbleiter-Makroschaltkreis
DE19906384A1 (de) * 1999-02-16 2000-08-24 Siemens Ag IGBT mit PN-Isolation
US6914270B2 (en) 1999-02-16 2005-07-05 Infineon Technologies Ag IGBT with PN insulation and production method

Also Published As

Publication number Publication date
GB1165029A (en) 1969-09-24
US3430110A (en) 1969-02-25
FR1504868A (fr) 1967-12-08
DE1564547B2 (de) 1975-02-20
ES333917A1 (es) 1967-11-01
NL6616936A (de) 1967-06-05
BR6684160D0 (pt) 1973-05-15
SE333196B (sv) 1971-03-08

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