DE1521163A1 - Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflaechen - Google Patents

Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflaechen

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DE1521163A1
DE1521163A1 DE19661521163 DE1521163A DE1521163A1 DE 1521163 A1 DE1521163 A1 DE 1521163A1 DE 19661521163 DE19661521163 DE 19661521163 DE 1521163 A DE1521163 A DE 1521163A DE 1521163 A1 DE1521163 A1 DE 1521163A1
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Germany
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silicon
nickel
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nickel plating
hydrofluoric acid
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Horst Riess
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BBC Brown Boveri France SA
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BBC Brown Boveri France SA
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description

  • "Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflächen11 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflächen. Es ist bekannt, daß ein Halbleiterelement nur mit einem gestörten Oberflächen-Kristallbereich, z.B. nach einem Läppprozeß, mit einer gut haftenden Nickelschicht versehen werden kann. Die Vernickelung von Siliziumoberflächen, die mit einer z.B. 50 Gew.-%igen Flußsäurelösung blank geätzt wurden, ist äußerst mangelhaft. Will man einen Siliziumkörperg dessen Oberfläche teilweise mit einer Oxydschicht bedeckt ist, vernickeln, so ist das Ätzverfahren nicht anwendbarg da die lange Flußsäureeinwirkung zu einem Ablösen der Oxydschicht führt. Dies ist insbesondere dann une.rwünscht, wenn die Oxydschicht als Maske für die stromlose Vernickelung dienen soll, da sich, wie in der Erfindung erkannt wurde, das Nickel nur auf dem Teil der Siliziumoberfläche niederschlägt, der nicht mit einer Oxydschicht bedeckt ist. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflächen mit ungestörten Oberflächen-Kristallbereichen zu schaffen, also mit z.B. ätz-polierten Oberflächen. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch-gelöst, daß der Siliziumkörper mit konzentrierter Salpetersäure behandelt, daran anschließend für kurze Zeit in Flußsäurelösung getaucht und schließlich in einem an sich bekannten Nickelbad vernickelt wird. Weitere Merkmale des erfindungsgemäßen Verfahrens können der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens entnommen werden..
  • Ausgegangen wird von einem Siliziumkörper, der teilweise mit einer Oxydschicht bedeckt ist. Dieser Siliziumkörper wird 60 sec. lang bei Raumtemperatur mit einer 65 Gew.-%igen Salpetersäure behandelt. Die Ätzdauer von 60 sec. ist nicht kritisch. Gleich gute Ergebnisse werden erzielt, wenn man den Siliziumkörper im Bereich von 50 bis 70 sec. ätzt. Anschließend wird der Siliziumkörper für kurze Zeit in eine Flußsäurelösung getaucht, die etwa 50 Gew.-% Fluorwasserstoff enthält. Bei diesem Schritt ist es wesentlich, daß auf der Siliziumoberfläche eine bräunliche Schicht entsteht, was nach 1 bis 2 sec. der Fall ist. Dann wird der Siliziumkörper aus der Flußsäurelösung herausgenommen, kurz gewässert und in ein an sich bekanntes Nickelbad (aus Nickelchlorid, Natriumhypophosphitg Ammoniumhydrogeneitrat, Ammoniumehlorid, Ammoniak und dest. Wasser) getaucht und so vernickelt. Dabei scheidet sich das Nickel nur an dem nicht mit einer Oxydschicht bedeckten Teil der Siliziumoberfläche ab.

Claims (2)

  1. Patentansprüche Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper mit konzentrierter Salpetersäure behandelt, daran anschließend für kurze Zeit in Flußsäurelösung getaucht und schließlich in einem an sich bekannten Nickelbad vernickelt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anßpruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als konzentrierte Salpetersäure solche mit 65 Gew.-% verwendet wird. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper 50 - 70 sec. mit der konzentrierten Salpetersäurebehandelt wird. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flußsäurelösung etwa 50 Gew.-% Fluorwasserstoff enthält. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Siliziumkörper bis zum Erscheinen einer bräunlichen Schichtg das sind 1 - 2 see.9 in Flußsäure getaucht wird. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es insbesondere bei Siliziumkörpern angewendet wird$ deren Oberfläche teilweise mit einer Oxydschicht bedeckt ist.
DE19661521163 1966-03-23 1966-03-23 Verfahren zur stromlosen Vernickelung von Siliziumoberflaechen Pending DE1521163A1 (de)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE973310C (de) * 1950-09-15 1960-01-14 Ind Schaeffler O H G Vollwandiger zylindrischer Nadel-Fensterkaefig, welcher die Nadeln einzeln in Kammern aufnimmt und der gemeinsam mit den Nadeln ein einbaufertiges Bauelement bildet
DE2301745A1 (de) * 1973-01-13 1974-07-18 Fischer Brodbeck Gmbh Verfahren zur herstellung eines kugelfuehrungskaefigs
FR2516549A1 (fr) * 1981-11-13 1983-05-20 Mobil Tyco Solar Energy Corp Procede de nickelage de semiconducteurs au silicium et procede pour la fabrication de cellules solaires comportant ces semiconducteurs nickeles
DE3608478A1 (de) * 1986-03-14 1987-09-17 Skf Linearsysteme Gmbh Kaefig fuer ein linear- oder drehbewegungen ausfuehrendes waelzlager und zugehoeriges waelzlager
DE4142433C1 (en) * 1991-12-20 1993-05-27 Ibo Gesellschaft Fuer Beschaffung Und Absatz Von Industrieguetern Mbh, 8011 Kirchheim, De Combined roller and ball bearing with inner and outer races - is of thin race type with rollers and balls of same dia. and on same race tracks

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