AT219662B - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden ElektrodenInfo
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<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden EMI1.1 <Desc/Clms Page number 2> wieAluminium bestehenden Elektrode gemeinsam durch stromloses Vernickeln mit einer Nickelschicht über- zogen wird. Wenn sich zwischen dem Halbleiterkörper und der aus Aluminium bestehenden Elektrode ein pn- Übergang befindet, so wird diese Schicht durch die Nickelschicht kurzgeschlossen. In an sich bekannter ) Weise kann mindestens ein Teil. der sich auf dem Aluminium befindenden Nickelschicht maskiert wer- den, worauf der übrige Teil dieser Schicht, wenigstens sofern sie den Übergang abdeckt, weggeätzt wird. Es kann empfehlenswert sein, den zu maskierenden Teil der Nickelschicht mit einer Schicht eines Lots, z. B. Zinn, zu versehen. Die Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert, die in einer Zeichnung ver- anschaulicht sind. Die Figuren zeigen schematisch verschiedene Stufen der Herstellung einer Halbleiter Vorrichtung. Das erste Beispiel bezieht sich auf die Anbringung einer ohmschen Elektrode auf einem Halbleiter- körper aus Silicium. Auf dem Körper 1 (s. Fig. 1) aus Silicium des p-Typs mit einem spezifischen Widerstand von 5 Ohm. cm wird eine aus Aluminium bestehende Elektrode 2 bei 7800 C in einer Wasserstoffatmosphäre festgeschmolzen. Der Übergang zwischen diesen Teilen ist ohmscher Art. Nachdem die Teile in einem Gemisch aus starker Salpetersäure und starker Fluorwasserstoffsäure reingeätzt und sorgfältig in Wasser ge- waschen worden sind, werden sie in ein Vernickelbad 3 (s. Fig. 2) eingeführt, das zusammengesetzt ist, wie durch Brenner und Riddell angegeben : EMI2.1 <tb> <tb> Nickelchlorid <SEP> NiCIz <SEP> 6 <SEP> aq <SEP> 30 <SEP> g <tb> Natriumhypophosphit <SEP> NaH <SEP> PO2 <SEP> 10 <SEP> g <tb> Ammoniumchlorid <SEP> NH4 <SEP> Cl <SEP> 50 <SEP> g <tb> Natriumcitrat <SEP> NasC6 <SEP> H501 <SEP> 5,5 <SEP> aq <SEP> 100 <SEP> g <tb> Wasser <SEP> bis <SEP> 1000 <SEP> g <tb> PH <SEP> 8-9 <SEP> <tb> Nach einem Aufenthalt von 15 min in diesem Bad, das eine Temperatur von 900 C hat, sind das Silicium und das Aluminium mit einer Nickelschicht 4 (Fig. 3) überzogen. Auf entsprechende Weise kann eine Kobaltschicht in einem Bad angebracht werden, das aus : EMI2.2 <tb> <tb> Kobaltchlorid <SEP> Cocu2 <SEP> 6 <SEP> aq <SEP> 30 <SEP> g <tb> Natriumhypophosphit <SEP> NaH2 <SEP> PO, <SEP> 1 <SEP> aq <SEP> 20 <SEP> g <tb> Rochellesalz <SEP> NaKCH <SEP> 4 <SEP> aq <SEP> 200 <SEP> g <tb> Ammoniumchlorid <SEP> NHCl <SEP> 50 <SEP> g <tb> Wasser <SEP> bis <SEP> 1000 <SEP> g <tb> PH <SEP> 9-10 <tb> EMI2.3 <Desc/Clms Page number 3> EMI3.1
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL219662X | 1959-09-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT219662B true AT219662B (de) | 1962-02-12 |
Family
ID=19779283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT695960A AT219662B (de) | 1959-09-16 | 1960-09-13 | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT219662B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1213921B (de) * | 1964-08-25 | 1966-04-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| DE1273070B (de) * | 1966-04-02 | 1968-07-18 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| DE1286641B (de) * | 1966-08-26 | 1969-01-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung |
-
1960
- 1960-09-13 AT AT695960A patent/AT219662B/de active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1213921B (de) * | 1964-08-25 | 1966-04-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| DE1273070B (de) * | 1966-04-02 | 1968-07-18 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
| DE1286641B (de) * | 1966-08-26 | 1969-01-09 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung |
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