AT219662B - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden

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AT219662B
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   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 wieAluminium bestehenden Elektrode gemeinsam durch stromloses Vernickeln mit einer Nickelschicht über- zogen wird. 



   Wenn sich zwischen dem Halbleiterkörper und der aus Aluminium bestehenden Elektrode ein pn- Übergang befindet, so wird diese Schicht durch die Nickelschicht kurzgeschlossen. In an sich bekannter ) Weise kann mindestens ein Teil. der sich auf dem Aluminium befindenden Nickelschicht maskiert wer- den, worauf der übrige Teil dieser Schicht, wenigstens sofern sie den Übergang abdeckt, weggeätzt wird. 



   Es kann empfehlenswert sein, den zu maskierenden Teil der Nickelschicht mit einer Schicht eines
Lots, z. B. Zinn, zu versehen. 



  Die Erfindung wird an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert, die in einer Zeichnung ver- anschaulicht sind. 



   Die Figuren zeigen schematisch verschiedene Stufen der Herstellung einer   Halbleiter Vorrichtung.   



   Das erste Beispiel bezieht sich auf die Anbringung einer ohmschen Elektrode auf einem Halbleiter- körper aus Silicium. 



  Auf dem Körper 1 (s. Fig. 1) aus Silicium des p-Typs mit einem spezifischen Widerstand von
5 Ohm. cm wird eine aus Aluminium bestehende Elektrode 2 bei 7800 C in einer Wasserstoffatmosphäre festgeschmolzen. Der Übergang zwischen diesen Teilen ist ohmscher Art. Nachdem die Teile in einem
Gemisch aus starker Salpetersäure und   starker Fluorwasserstoffsäure   reingeätzt und sorgfältig in Wasser ge- waschen worden sind, werden sie in ein Vernickelbad 3 (s.

   Fig. 2) eingeführt, das zusammengesetzt ist, wie durch Brenner und Riddell angegeben : 
 EMI2.1 
 
<tb> 
<tb> Nickelchlorid <SEP> NiCIz <SEP> 6 <SEP> aq <SEP> 30 <SEP> g
<tb> Natriumhypophosphit <SEP> NaH <SEP> PO2 <SEP> 10 <SEP> g
<tb> Ammoniumchlorid <SEP> NH4 <SEP> Cl <SEP> 50 <SEP> g
<tb> Natriumcitrat <SEP> NasC6 <SEP> H501 <SEP> 5,5 <SEP> aq <SEP> 100 <SEP> g
<tb> Wasser <SEP> bis <SEP> 1000 <SEP> g
<tb> PH <SEP> 8-9 <SEP> 
<tb> 
 
Nach einem Aufenthalt von 15 min in diesem Bad, das eine Temperatur von 900 C hat, sind das Silicium und das Aluminium mit einer Nickelschicht 4 (Fig. 3) überzogen. 



   Auf entsprechende Weise kann eine Kobaltschicht in einem Bad angebracht werden, das aus : 
 EMI2.2 
 
<tb> 
<tb> Kobaltchlorid <SEP> Cocu2 <SEP> 6 <SEP> aq <SEP> 30 <SEP> g
<tb> Natriumhypophosphit <SEP> NaH2 <SEP> PO, <SEP> 1 <SEP> aq <SEP> 20 <SEP> g
<tb> Rochellesalz <SEP> NaKCH <SEP> 4 <SEP> aq <SEP> 200 <SEP> g
<tb> Ammoniumchlorid <SEP> NHCl <SEP> 50 <SEP> g
<tb> Wasser <SEP> bis <SEP> 1000 <SEP> g
<tb> PH <SEP> 9-10
<tb> 
 
 EMI2.3 
 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 
 EMI3.1 


AT695960A 1959-09-16 1960-09-13 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit aus Aluminium bestehenden Elektroden AT219662B (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1213921B (de) * 1964-08-25 1966-04-07 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1273070B (de) * 1966-04-02 1968-07-18 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1286641B (de) * 1966-08-26 1969-01-09 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1213921B (de) * 1964-08-25 1966-04-07 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1273070B (de) * 1966-04-02 1968-07-18 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1286641B (de) * 1966-08-26 1969-01-09 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Kontaktierung einer Halbleiteranordnung

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