DE1519893A1 - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabfoermigen Koerpers - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabfoermigen Koerpers

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DE1519893A1 DE19661519893 DE1519893A DE1519893A1 DE 1519893 A1 DE1519893 A1 DE 1519893A1 DE 19661519893 DE19661519893 DE 19661519893 DE 1519893 A DE1519893 A DE 1519893A DE 1519893 A1 DE1519893 A1 DE 1519893A1
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Description

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines stabförmigeη Körpers
Zusatz zu Patent Anmeldung S 100 722 IVc/i2c - unsere
PLA 65/1824) .
Das Hauptpatent betrifft eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines in einer geschlossenen Kammer senkrecht gehalterteii stabförmigen Körpers aus kristallinem Material, inabesondere Halbleitermaterial, wie z.B. Silizium, der an seinen Enden in zwei seitlich gegeneinander achsparallel verschiebbaren Halterungen eingespannt ist, von denen eine an einer lotrechten Welle befestigt ist. Nach dem Hauptpatent ist die Welle exzentrisch in einem um eine lotrechte Achse in einem Lagerblock drehbaren Zylinder gelagert.
009816/1378
Zi/Fa
PLA 6
Die Erfindung betrifft eine Verbesserung der Vorrichtung nach dem Hauptpatent, die sich insbesondere zum tiegelfreien Zonenschmelzen eignet, bei dem während des Einkristallziehens die beiden Stabhai te'rungen achsparallel gegeneinander seitlich hin- und herbewegt werden. Die Erfindung besteht darin, daß der drehbare Zylinder seinerseits in einem in dem Lagerblock drehbaren Exzenter gelagert ist.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung, die eine größere Freiheit in der Wahl der Amplitude der Hin- und Herbewegung ermöglicht, wird nicht nur ein einheitlicher spezifischer Widerstand über σ en Stabquerschnitt erreicht, sondern es können auch Einkristalle ait noch besserer Kristallqualität hergestellt werden als mit der Vorrichtung nach dem-Hauptpatent. Es hat sich nämlich gezeigt, daß es zur Erzielung eines einheitlichen spezifischen Widerstandes über den Stabquerschnitt nicht nötig ist, den der Schmelze zugeführten Stabteil und den wieder auskristallisierenden Stabteil zwischen der konzentrischen Anordnung und einer exzentrischen Anordnung gegeneinander hin- und her zu bewegen, sondern daß es genügt, die beiden Stabteile zwischen zwei exzentriechen Anordnungen mit kleinerer Amplitude hin- und her zu bewegen. Dadurch wird aber das Auskristallisieren des Halbleitermaterials durch Erschütterungen in geringerem Maße gestört.
Anhand der Zeichnung werden im folgenden nähere Einzelheiten und "weitere Vorteile der Erfindung beschrisben.
In Figur 1 sind als Beispiel die für die Erfindung wesentlichen Teile einer Zanensenm^lÄanlage im Längasahnitt; dargestellt.
00981 β/. Ϊ7β .2. Ζ1/Ρβ
PLA 66/1359
Die Figuren 2 und 3 zeigen das Ausführungsbeispiel schematisch, im Querschnitt. '
In einem Lagerblock 4 » der an eine Zonenschmelzkammer 3 mittels eines Dichtungsringes 2 vakuumdicht angeflanscht ist, ist ein erster Exzenter 5 gelagert, welcher mittels eines Stirnrades 9 und einer Jchnecke 10 gedreht werden kann. Ein Simmering 20 sorgt für eine vakuumdichte Lagerung. In diesem ersten Exzenter ist ein zylindrischer zweiter Exzenter 6 gelagert, der von einem Motor über einen dehnbaren und elastischen Riemen 11 und eine Riemenscheibe 12 angetrieben wird und dessen Lager ebenfalls mit einem Simmering 17 vakuumdicht gemacht ist. Durch diesen zweiten Exzenter 6 ist eine Welle 7 vakuumdicht geführt, auf der eine nicht dargestellte Halterung eines Halbleiterstabes sitzt. Sie ist ebenfalls von einem Motor über einen dehnbaren elastischen Riemen 13 und eine Riemenscheibe 14- angetrieben. Die beiden Exzenter 5 und 6 und die Welle 7 sind in Gleitlagern gelagert. Die Simmeringe und die Lager werden durch eine Scheibe 12 gegen herabfallende Partikel, insbesondere Halbleiterflitter, geschützt. Am unteren Ende der Welle 7 ist eine Schwungmasse 15 angebracht, die für einen ruhigen und einen schwingungsarmen Lauf der Welle 7 sorgt. In der hohlen Welle 7 befindet sich ein Röhrchen 16, durch das Kühlflüssigkeit zugeführt wird. Die übrigen Teile der Zonenschmelzanlage, wie z.B. eine Heizeinrichtung, mit der über eine begrenzte Länge des Stabes eine Schmelzzone erzeugt wird, sind als bekannt angenommen und daher weder dargestellt noch beschrieben.
Im folgenden sei anhand der Figuren 2 und 3» die schematiach einen Schnitt durch den Lagerblock 4, die Exzenter 5 und 6 und
009816/1378 - 3 - Z1/Fa
die Welle 7 zeigen, die Wirkungsweise der Vorrichtung beim
Zonenschraelzverfahren erläutert. Zu Beginn des Verfahrens,
etwa beim Anschmelzen eines dünnen stabförmigen Keimkristalls, '3er an der rotierenden Welle 7 angebracht ist, an einen dickeren Vorratsstab, sind die obere und die untere Halterung in
derselben lotrechten Achse angeordnet, die im Schnittpunkt
der Geraden 21 und 22 liegt. Durch Bewegen der Stabhalterungen und/oder der Heizeinrichtung in axialer Richtung und durch Abstimmen ihrer relativen Geschwindigkeiten wird die Schmelzzone über den Stab geführt und der Querschnitt des wieder auskristallisierenden Stabteiles auf einen gewünschten Solldurchmesser gebracht. Gleichzeitig wird die untere Stabhaiterung
dadurch seitlich verschoben, daß der erste Exzenter 5 durch Betätigen der Schnecke 9 in dem Lagerblock 4 gedreht wird. Durch die seitliche Verschiebung relativ zur Heizeinrichtung und zum Vorratsstab wird die ochmelzzone zum Rand des bereits wieder
erstarrten Gtabteiles hingeführt. Die seitliche Verschiebung
darf höchstens so groß sein, daß aus der Schmelze kein flüssiges Material abtropfen kann. BeispielsweL se beträgt sie bei einem
Durchmesser des auskristallisierenden Stabteiles von 35 nun etwa 10 mm.
In Figur 3 ist der Zeitpunkt des Verfahrens dargestellt, bei dem die gewünschte Exzentrizität des auskristallisierenden Stabteils zu dem Vorratsstab erreicht ist und von dem an der Exzenter 5
nicht mehr gedreht wird. Danach wird der Exzenter 6 in Drehung versetzt, wie durch einen Pfeil angedeutet, wodurch der untere Stabteil seitlich hin-und herbewegt wird. Die Amplitude dieser
- 4 - Zi/Pa
009816/1378
PLA 66/1359
Bewegung beträgt in dem Ausführungsbeispiel 4 mm, d.h. die Exzentrizität schwankt periodisch zwischen 6 und 10 mm. Durch Einsetzen verschiedener Exzenter kann die Amplitude der Hin- und Herbewegung variiert werden.
Die in den Boden der Zonenschme1zkammer eingebaute Vorrichtung kann auch in deren Deckfläche eingebaut werden, so daß die obere Halterung seitlich verschiebbar ist. Ferner kann es unter Umständen zweckmäßig sein, durch Einbau von zwei Vorrichtungen bei Halterungen verschiebbar zu machen.
Die aus der vorstehenden Beschreibung - oder und die aus der zugehörenden Zeichnung - entnehmbaren Merkmale sind, soweit nicht vorbekannt, im einzelnen, ebenso wie ihre hier erstmals offenbarten Kombinationen untereinander als wertvolle erfinderische Verbesserungen anzusehen.
5 Patentansprüche
3 Figuren
009816/1378
- 5 - Zi/Pa

Claims (5)

Patentansprüche
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines in einer geschlossenen Kammer senkrecht gehalterten stabförmigen Körpers aus kristallinem Material, insbesondere Halblei termaterial, wie z.B. Jilizium, der an seinen Enden in zwei seitlich gegeneinander achsparallel verschiebbaren Halterungen eingespannt ist, von denen eine an einer lotrechten Welle (7) befestigt ist, die exzentrisch in einem um eine lotrechte Achse in einem Lagerblock (4) drehbaren Zylinder (6) gelagert
ist, nach Patent (Anmeldung S 100 722 IVc/i2c - unsere
PLA 65/1824), dadurch gekennzeichnet, daß der drehbare Zylinder (6) seinerseits in einem in dem Lagerblock (4) drehbaren Exzenter (5) gelagert ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lagerung des Exzenters (5) in dem Lagerblock (4) vakuumdicht ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lagerung des Zylinders (6) in dem Exzenter (5) vakuumdicht ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Welle (7)'gekühlt ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an dem Zylinder (6) eine von einem Motor über einen dehnbaren elastischer. Riemen ,(11) angetriebene Riemenscheibe (12)
angebracht ist.
009816/1378 Zi/Fa
Leerseite
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Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8340 Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent