DE1514929C3 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltungselementen in einem Halbleitersubstrat mit Halbleiterbereichen von niedrigem spezifischen Widerstand - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltungselementen in einem Halbleitersubstrat mit Halbleiterbereichen von niedrigem spezifischen WiderstandInfo
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US43563465A | 1965-02-26 | 1965-02-26 | |
| US43563365A | 1965-02-26 | 1965-02-26 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1514929A1 DE1514929A1 (de) | 1972-02-03 |
| DE1514929B2 DE1514929B2 (de) | 1972-12-21 |
| DE1514929C3 true DE1514929C3 (de) | 1974-01-31 |
Family
ID=27030617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1514929A Expired DE1514929C3 (de) | 1965-02-26 | 1966-02-18 | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschaltungselementen in einem Halbleitersubstrat mit Halbleiterbereichen von niedrigem spezifischen Widerstand |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5431954B1 (show.php) |
| DE (1) | DE1514929C3 (show.php) |
| GB (1) | GB1131229A (show.php) |
| SE (1) | SE319559B (show.php) |
-
1966
- 1966-02-11 GB GB6166/66A patent/GB1131229A/en not_active Expired
- 1966-02-18 DE DE1514929A patent/DE1514929C3/de not_active Expired
- 1966-02-25 SE SE2525/66A patent/SE319559B/xx unknown
-
1968
- 1968-01-19 JP JP308068A patent/JPS5431954B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1514929B2 (de) | 1972-12-21 |
| JPS5431954B1 (show.php) | 1979-10-11 |
| SE319559B (show.php) | 1970-01-19 |
| DE1514929A1 (de) | 1972-02-03 |
| GB1131229A (en) | 1968-10-23 |
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