DE1514875A1

DE1514875A1 - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE1514875A1
Application number: DE19651514875
Authority: DE
Inventors: Reinhold Kaiser; Langer Dipl-Ing Karl-Heinz
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1965-09-18
Filing date: 1965-09-18
Publication date: 1969-11-06
Also published as: DE1514875B2

Description

1111albleiteranordnung11 Hochfrequenztransis'toren haben bekanntlich sehr kleine Kontaktflächen, die sich nur sehr schwer kontaktieren lassen. Dies gilt besonders für die Kontaktierung der Emitt erzone. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung aufzuzeigen, deren Emitterkontaktierungsfläche ohne wesentliche Beeinträchtigung der Hochfrequenzeigenschaften des Halbleitersystems relativ groß ist. Zur Lösung der gestellten Aufgabe wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß ein Bereich der Emitterzone eine kleinere Leitfähigkeit aufweist als die übrige Emitterzone und daß sich dieser Bereich vom parallel zur emitterseitigen Halbleiteroberfläche verlaufenden Emitter-Basispn-Übergang bis zu der die Emitterzone bedeckenden'Emitterelektrode-erstreckt.
Der wesentliche Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die EmiLt erkontaktierungsfläche bei einer solchen Anordnung grÖßer als die elektrisch wirksame Emitterfläche ist. Die Einitterzone wird beispielsweise so ausgebildet, daß der Bereich mit der kleineren Leitfähigkeit in der Mitte der Emitterzone liegt, während der übrige Teil der Emitterzone seitlichan die Basiszone grenzt. In diesem-,Falle emittiert die Emitterzone im wesentlichen nur am Rande. Die durch die Erfindung angestrebte Wirkung kann bei die- ser Anordnung noch verstärkt werden, wenn der unter der schwach dotierten Emitterzone liegende Bereich der Basiszone erfindungsgemäß eine größere Leitfähigkeit aufweist als die übrige Basiszone.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Die Figur 1 zeigt einen Planartransistor mit einem Halbleiterkörper 1 vom Leitungstyp der'Kollektorzonei der im folgenden als Kollektorkörper bezeichnet wird. Nach der Herstellung eines Diffusionsfensters 2 in der auf dem Kollektorkörper befindlichen Oxydschicht 3 wird die Basiszone 4 durch dieses Diffusionsfenster in den Kollektorkörper eindiffundiert. Nach der Basisdiffusion wird der Kollektorkörper auf der Emitterseite nach der Figur 2 erneut oxydiert und in die dabei entstehende Oxydschicht 5 ein Diffusionsfenster 6 eingebracht, welches zur Eindiffusion desjenigen Bereichs der Emitterzone dient, der die kleinere Leitfähigiceit aufweist; dieser Bereich ist in der Figur 2 mit der Bezugsziffer 7 bezeichnet. Nach der Herstellung des Emitterbereichen 7 wird der übrige Teil (8) der Emitterzonet der gegenüber dem Bereich 7 die größere Leitfähigkeit aufweist, nach erneuter Oxydation durch Eindiffusion von Störstellen in das Diffusi - onsfenster 9 gemäß der- Figur 3 hergestellt. Die durch die Erfindung angestrebte Wirkung kann noc-h erhöht werden, wann der in-der Figur 3 zwischen den gestrichelten Linien lo liegende Bereich 11 der Basiszone eine größere Leitfähigkeit aufweist als die übrige Dasiazone.
Der fertige Planartraiisistor ist in der Figur 4 dargestellt. Der Vorteil der Erfindung besteht darin, daß im wesentlichen nur der äußere Teil 12 des parallel zur emitterseitigen Halbleiteroberfläche verlaufenden Teils des Emitter-Basis-pn-Überganges 13 emittiert, während die die gesamte EmitterZone bedeckende Emitterelektrode 14 eine wesentlich gz-ö»ere Fläche aufweist als die emittierende Fläche 12. Dies hat den Vorteil, daß man -trotz kleiner emittierenden Fläche (12) eine relativ große Kontaktierungsfläche (14) ei-hält. Die Basiszone 4 ist durch die Elektroden 15 kontaktiert. Die EmittEmone mit unterschiedlicher Dotierung kann beispielsweise auch dädurch hergestellt werden, daß ebenfalls mit Hilfe einer Oxydmaskierung in denjenigen Bereich" der für die gesamte Emitterzone vorgesehen ist, Störstellen eindiffundiert werden, die im Halbleiterkörper den Leitungstyp der mitterzone erzeugen. Diese Diffusion wird derart durchgeführt, daß diese eindiffundierte Zone die Leitfähligkeit.der mittleren Zone 7 hat. Der übrige Teil 8 der Emitterzone mit höherer Leitfäügkeit wird anschließend nach erneuter Oxydation und nach erneuter Herstellung eines Diffusionsfensters ebenfalls-durch Diffusion hergestellt.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e 1) Halbleiteranordnung, insbesondere Transistorl dadurch gekennzeichnet, daß ein Bereich der Emiterzone eine kleinere Leitfähigkeit aufweist als die übrige Emitterzone und daß sich dieser Bereich vom parallel zur emitterseitigen Halbleiteroberfläche verlaufenden Emitter-Basis-pn-Übergang bis zu der die Emitterzone bedeckenden Emitterelektrode erstreckt.
2) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich mit der kleineren Leitfähigkeit in, der Mitte der Emitterzone-liegt. 3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß derjenige Bereich der Basiszone, der dem Bereich der Emittärzone mit der kleineren Leitfähigkeit vorgelagert ist, eine größere Leitfähigkeit aufweist als die übrige Basiszone. 4) Verfahren zur Herstellung eines Planartransistcm nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Emitterzone nach der Basisdiffusion durch ein Diffusionsfenster in einer auf dem Halbleiterkörper vorhandenen Oxydschicht ein mittlerer Bereich mit kleinerer Leitfähigkeit und anschließend nach erneuter Oxydation durch ein anderes Diffusionsfenster der noch fehlende Teil der Emitterzone mit größerer Leitfähigkeit durch Diffusion hergestellt werden, und daß der gesamte Oberflächenbereich der Emitterzone kontaktiert wird. 5) Verfahren zur HerMellung eines Planartranaistors nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung der Emitterzone nach der Basisdiffusion durch ein DiTusionsfenster in einer auf dem HalbleiterkÖrper vorhandenen Oxydschicht in den gesaten Bereich der Emitterzone Störstellen eindiffundiert werden, die im Halbleiterkörper eine Zone vom Leitungstyp der Emitterzone mit der Leitfähigkeit des Bereiches mit der kleineren Leitfähigkeit erzeugen, und daß der übrige Teil der Emitterzone mit der größeren Leitfähigkeit durch Diffusion von Störstellen in den dafür vorgesehemBereich der Emitterzone nach erneuter Oxydation unter Verwendung eines neuen Diffusionsfensters hergestellt wird.