DE1512683A1 - Verstaerker mit steuerbarer Verstaerkung - Google Patents

Verstaerker mit steuerbarer Verstaerkung

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DE1512683A1 DE19671512683 DE1512683A DE1512683A1 DE 1512683 A1 DE1512683 A1 DE 1512683A1 DE 19671512683 DE19671512683 DE 19671512683 DE 1512683 A DE1512683 A DE 1512683A DE 1512683 A1 DE1512683 A1 DE 1512683A1
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Description

Electric * Musical Inc. Ltd» 1512683 Blyth Hoad, Hayes / Middlesex (England)
Hannover, den 7° 2. 1967 Wp/Wie j?A. W 1395
Verstärker mit steuerbarer Verstärkung
jxe Erfindung betrifft einen Verstärker mit steuerbarer ferstärkung, der als Verstärkerelemente !Transistoren enthält.
Hochfrequenzverstärker mit '.Transistoren als /erstärkerelemente, bei denen die Verstärkungssteuerung durch .änderung des Basisstromes eines i'ransistors erfolgt, haben of b den Nachteil, daß die jinderung des Basisstromes eine .änderung des Ausgangswiderstandes des Transistor bewirkt. Dadurch kann sich in unerwünschter Weise die Bandbreite eines die Belastung für den Transistor bildenden Schwingkreises ändern. Ein weiterer Nachteil einer solchen Schaltung bestehb darin, daß der Verstärkungssteuerbereich häufig zu klein ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltung zu schaffen, in der die genannten Nachteile vermieden werden.
Die Erfindung besteht darin, daß der Verstärker einen Feldeffekttransistor mit einer Quellelektrode, einer Abflußelektrode und einer 3teuerelektrode enthält und die Steuerspannung die Vorspannung an zwei der genannten Elektroden gegenüber der Vorspannung an der dritten Elektrode beeinflußt.
6AD 909832/05 9 3
-Z- FA.W
ßei einer Ausführungsform der Erfindung ist reit aera Feldui'fokbtransistor ein zweites Verstärkerelecient in Kaskode geschaltet, wobei das Eingangssignal an die Steuerelektrode (gate electro Ie) des Feldeffekttransistors angelegt, der Ausgangskreis an eine Ausgangselektrode des zweiten Verstärkerelementes angeschlossen und die Steuerspannung für die Verstärkungssteuerung an die Steuerelektrode und über die Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes an die Abflußelektrode (drain electrode) des Feldeffoktcransistors angelegt ist.
i)ie Erfindung-wird im folgenden an Hand der Zeichnung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
jüie Figur zeigt einen Feldeffekttransistor 1 mit einer Abllußelektrode 2, einer Steuerelektrode 3 und einer'Quellelektrode 4 (source electrode). Die Abflußelektrode 2 ist mit dem Emitter eines Flächentransistors 5 verbunden, dessen Kollektor über einen Schwingkreis 6 mit einer Klemme positiver Betriebsspannung verbunden ist. Ein Schwingkreis 7 bildet den Eingang des Verstärkers und ist über einen Koppelkondensator 6 mit der Steuerelektrode 3 des Feldeffekttransistors 1 verbunden. Eine Steuerspannung U . zur Verstärkungssteuerung wird von einer Klemme 9 der Basis des Transistors 5 und über ein Potentiometer, das aus Widerständen 10 und 11 besteht, und einen Entkopplungswiderstand 12 der Steuerelektrode des Iransistors 1 zugeführt. Zwischen der Abflußelektrode 2 und der
909832/0 5-93... eAD
- 5 - ITA, w 1395
<4uellelektrode 4 des Transistors 1 liegt ein Widerstand 14. Dieser Widerstand übernimmt den Strom durch den .Transistor 5? der von dem 'Transistor 1 nicht "benötigt wird. Die ^uellelektrode 4, das nicht mit dem kondensator 8 verbundene Ende des Schwingkreises 7 un(i das untere Ende des Potentiometers 10,11 sind mit einer Erdleitung 13 verbunden. Die Steuerelektrode (Basis) des Transistors 5 kann zusätzlich über einen Kondensator für Signalfrequenz· en geerdet sein.'
Die Spannung-Strom-Kennlinie eines Feldeffekttransistors ist ähnlich derjenigen einer Pentodenröhre. In dem Gebiet, in dem diese Kennlinie gekrümmt ist, wird die-Verstärkung des !Transistors 1 durch die Steuerspannung gesteuert, die der Abflußelektrode 2 über die Basis und den Emitter des Transistors '} zugeführt wird. In dem Gebiet, in dem die genannte Kennlinie des Feldeffekttransistors 1 flach verläuft, wird seine YerStärkung durch die seiner Steuerelektrode J zugeführte Steuerspannung gesteuert. Die Verstärkungssteuerung ist also in zwei verschiedenen Gebieten wirksam, wodurch der Steuerbereich des Verstärkers erhöht wird. Außerdem wird folgender Vorteil erzielt: Wegen des hohen Ausgangswiderstandes der in Emitterschaltung betriebenen 3tufe mit dem '.Transistor 1 und des niedrigen Eingangswiderstandes der in Basisschaltung betriebenen Stufe mit dem Transistor 5 haben ünderungen in dem Ausgangswiderstand des Transistors 1 praktisch keinen Einfluß auf den Ausgangswiderstand des Transistors J?. Wenn nun die Verstärkung des
Wr**\:SZ ■ 909832/0b93 6ADORIGfNAL
- ψ - S1A.W 1395
Verstärkers durch. Anlereri aer Steuersoannung geändert wird, so ergibt sich in erwünschter Weise keine wesentliche Änderung aer Bandbreite des Schwingkreises 6.
Die erfindungsgemäße Schaltung ist besonders geeignet für Zwi? ο·ι<·η-frequenzverstärker eines r'ernsehempfängers. Hier ist es nämlich erwünscht, daß die 7erstärkungssteuerung über einen großen Bereicn wirksam ist und die ßandoreite der abgestimmten Kreise bei der Yerstärkungssteuerung nicht geändert wird.
BAO ORIGINAL
9 0 9832/0593

Claims (6)

  1. - 3 - . JA.W 1393
    Patentansprüche
    ^»[Verstärker mit steuerbarer Verstärkung, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker einen Feldeffekttransistor (1) mit einer Quellelektrode (4), einer Abf iußelelcfcrode (2) und einer 5teuer-'" elektrode (3) enthält und die 8t euer spannung die Vorspannung an zwei (2,3) dar genannten Elektroden gegenüber der Vorspannung φ an der dritten Elektrode (4) beeinflußt.
  2. 2. Verstärker nach Anspruch. 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerspannung an die Abflußelektrode (2) und die Steuerelektrode (3) angelegt ist.
  3. 3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch ^ekonngeichnet, daß mit dem ffeldeffeicttransistor (1) ein zweites Verstärkerelement
    (3) in Kaskode geschaltet ist, daß das Eingangssignal an -lie ,^ Steuerelektrode (3) des Feldeffekttransistors (1) angelegt, ler Ausgangskreis (6) an eine Ausgangselektrode des zweiten Verstärker element es (5) angeschlossen und die St euer spannung an die Steuerelektrode (3) des Feldeffekttransistors (1) und über die Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes (5) an die .Abflußelektrode (2) des Feldeffekttransistors (1) angelegt ist.
  4. 4. Verstärker nach. Anspruch 3* dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Verstärkerelement ein Flächentransistor (3) ist.
    909832/0593 8APORiQWAL
    - 6 - FA.W 139p
  5. 5» Verstärker nach Anspruch. 3 oder 4-, dadurch ^e daß die Steuerspannung direkt an u±e oOoucrelekbi'ode des zweiten /erstärjierelemenbes (5) und über ein jrofcentioaeter (10 - 12) an. die Steuerelektrode (3) de α i'eldfci'fekttransiütori (1) angelegt ist.
  6. 6. Verstärker nach Anspruch 3? 4- oder 5> dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Strecke ^uellelektrode-Aoflußelektrode des "Feldeffekttransistors (1) ein Widerstand (14) liegt, ier den überschüssigen, vom Feldeffektcransistor (1) nicht benötigten Strom des zweiten Yerstärkerelementes (5) übernimmt.
    BAO
    90 9832/Ob 93
DE19671512683 1966-02-12 1967-02-09 Verstärker mit steuerbarer Verstärkung und einem Feldeffekttransistor Expired DE1512683C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

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GB628166A GB1178232A (en) 1966-02-12 1966-02-12 Improvements in or relating to gain control circuits.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1512683A1 true DE1512683A1 (de) 1969-08-07
DE1512683B2 DE1512683B2 (de) 1971-03-04
DE1512683C3 DE1512683C3 (de) 1974-02-28

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GB (1) GB1178232A (de)

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DE1512683C3 (de) 1974-02-28
GB1178232A (en) 1970-01-21
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