DE1512683B2 - Verstaerker mit steuerbarer verstaerkung und einem feld effekttransistor - Google Patents

Verstaerker mit steuerbarer verstaerkung und einem feld effekttransistor

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DE1512683B2 DE19671512683 DE1512683A DE1512683B2 DE 1512683 B2 DE1512683 B2 DE 1512683B2 DE 19671512683 DE19671512683 DE 19671512683 DE 1512683 A DE1512683 A DE 1512683A DE 1512683 B2 DE1512683 B2 DE 1512683B2
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Description

Es ist bekannt, in der Verstärkung durch eine Steuerspannung steuerbare Verstärker mit einem Feldeffekttransistor aufzubauen und die Steuerspannung wie bei einer Röhrenschaltung einer Steuerelektrode dieses Transistors zuzuführen. Mit der Steuerspannung wird im allgemeinen der Basisstrom des Transistors gesteuert.
Hochfrequenzverstärker dieser Art haben oft den Nachteil, daß der Verstärkungssteuerbereich zu klein ist. Außerdem bewirkt im allgemeinen die Änderung des Basisstromes eine Änderung des Ausgangswiderstandes des Transistors, wodurch z. B. in unerwünschter Weise die Bandbreite eines die Belastung für den Transistor bildenden Schwingkreises geändert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bekannte Schaltung so weiterzubilden, daß der Verstärkungssteuerbereich erhöht wird. Bei einer Weiterbildung der Erfindung wird erreicht, daß die Steuerspannung keinen wesentlichen Einfluß auf den Ausgangswiderstand der Verstärkerschaltung hat.
Die Erfindung besteht darin, daß die Steuerspan- ,. nung sowohl an die Steuerelektrode als auch an die Abflußelektrode des Feldeffekttransistors derart angelegt ist, daß die Verstärkung des Transistors je nach Lage des Arbeitspunktes auf einer der beiden Kennlinienbereiche an der Steuerelektrode oder an der Abflußelektrode gesteuert wird.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist mit dem Feldeffekttransistor ein zweites Verstärkerelement in Kaskode geschaltet, wobei das Eingangssignal an die Steuerelektrode (gate electrode) des Feldeffekttransistors angelegt, der Ausgangskreis an eine Ausgangselektrode des zweiten Verstärkerelementes angeschlossen und die Steuerspannung für die Verstärkungssteuerung an die Steuerelektrode und über die Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes an die Abflußelektrode (drain electrode) des Feldeffekttransistors angelegt ist.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Die Figur zeigt einen Feldeffekttransistor 1 mit einer Abflußelektrode 2, einer Steuerelektrode 3 und einer Quellelektrode 4 (source electrode). Die Abflußelektrode 2 ist mit dem Emitter eines Flächentransistors 5 verbunden, dessen Kollektor über einen Schwingkreis 6 mit einer Klemme positiver Betriebsspannung verbunden ist. Ein Schwingkreis 7 bildet den Eingang des Verstärkers und ist über einen Koppelkondensator 8 mit der Steuerelektrode 3 des Feldeff ekttransistors 1 verbunden. Eine Steuerspannung Ust zur Verstärkungssteuerung wird von einer Klemme 9 der Basis des Transistors 5 und über ein Potentiometer, das aus Widerständen 10 und 11 besteht, und einen Entkopplungswiderstand 12 der Steuerelektrode des Transistors 1 zugeführt. Zwischen der Abflußelektrode 2 und der Quellelektrode 4 des Transistors 1 liegt ein Widerstand 14. Dieser Widerstand übernimmt den Strom durch den Transistor 5, der von dem Transistor 1 nicht benötigt wird. Die Quellelektrode 4, das nicht mit dem Kondensator 8 verbundene Ende des Schwingkreises 7 und das untere Ende des Potentiometers 10, 11 sind mit einer Erdleitung 13 verbunden. Die Steuerelektrode (Basis) des Transistors 5 kann zusätzlich über einen Kondensator für Signalfrequenzen geerdet sein.
Die Spannung-Strom-Kennlinie eines Feldeffekttransistors ist ähnlich derjenigen einer Pentodenröhre.
In dem Gebiet, in dem diese Kennlinie gekrümmt ist, wird die Verstärkung des Transistors 1 durch die Steuerspannung gesteuert, die der Abflußelektrode 2 über die Basis und den Emitter des Transistors 5 zugeführt wird. In dem Gebiet, in dem die genannte Kennlinie des Feldeffekttransistors 1 flach verläuft, wird seine Verstärkung durch die seiner Steuerelektrode 3 zugeführte Steuerspannung gesteuert. Die Verstärkungssteuerung ist also in zwei verschiedenen Gebieten wirksam, wodurch der Steuerbereich des Verstärkers erhöht wird. Außerdem wird folgender Vorteil erzielt: Wegen des hohen Ausgangswiderstandes der in Emitterschaltung betriebenen Stufe mit dem Transistor 1 und des niedrigen Eingangswiderstandes der in Basisschaltung betriebenen Stufe mit dem Transistor 5 haben Änderungen in dem Ausgangswiderstand des Transistors 1 praktisch keinen Einfluß auf den Ausgangswiderstand des Transistors 5. Wenn nun die Verstärkung des Verstärkers durch Anlegen der Steuerspannung geändert wird, so ergibt sich in erwünschter Weise keine wesentliche Änderung der Bandbreite des. Schwingkreises 6.
Die erfindungsgemäße Schaltung ist besonders geeignet für Zwischenfrequenzverstärker eines Fernsehempfängers. Hier ist es nämlich erwünscht, daß die Verstärkungssteuerung über einen großen Bereich wirksam ist und die Bandbreite der abgestimmten Kreise bei der Verstärkungssteuerung nicht geändert wird.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verstärker mit einem Feldeffekttransistor, der eine Stromspannungskennlinie mit zwei unterschiedlichen, aneinandergrenzenden Bereichen aufweist und dessen Verstärker durch eine Steuerspannung steuerbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerspannung (Ust) sowohl an die Steuerelektrode (3) als auch an die Abflußelektrode (2) des Feldeffekttransistors (1) derart angelegt ist, daß die Verstärkung des Transistors (1) je nach der Lage des Arbeitspunktes auf einer der beiden Kennlinienbereiche an der Steuerelektrode (3) oder an der Abflußelektrode (2) gesteuert wird.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Feldeffekttransistor (1) ein zweites Verstärkerelement (5) in Kaskode geschaltet ist, daß das Eingangssignal an die Steuerelektrode (3) des Feldeffekttransistors (1) angelegt, der Ausgangskreis (6) an eine Ausgangselektrode des zweiten Verstärkerelementes (5) angeschlossen und die Steuerspannung an die Steuerelektrode (3) des Feldeffekttransistors (1) und über die Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes (5) an die Abflußelektrode (2) des Feldeffekttransistors (1) angelegt ist.
3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Verstärkerelement ein Flächentransistor (5) ist.
4. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerspannung direkt an die Steuerelektrode des zweiten Verstärkerelementes (5) und über ein Potentiometer (10 bis 12) an die Steuerelektrode (3) des Feldeffekttransistors (1) angelegt ist.
5. Verstärker nach Anspruch 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur Strecke
Quellelektrode—Abflußelektrode des Feldeffekttransistors (1) ein Widerstand (14) liegt, der den überschüssigen, vom Feldeffekttransistor (1) nicht benötigten Strom des zweiten Verstärkerelementes (5) übernimmt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DE19671512683 1966-02-12 1967-02-09 Verstärker mit steuerbarer Verstärkung und einem Feldeffekttransistor Expired DE1512683C3 (de)

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GB628166A GB1178232A (en) 1966-02-12 1966-02-12 Improvements in or relating to gain control circuits.

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Publication Number Publication Date
DE1512683A1 DE1512683A1 (de) 1969-08-07
DE1512683B2 true DE1512683B2 (de) 1971-03-04
DE1512683C3 DE1512683C3 (de) 1974-02-28

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4344043A (en) 1980-04-23 1982-08-10 Rca Corporation Variable load impedance gain-controlled amplifier
EP0213562B2 (de) * 1985-08-28 1997-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Signalverarbeitungsanordnung mit einem Feldeffekttransistor und bipolaren Transistoren
NL8800989A (nl) * 1988-04-15 1989-11-01 At & T & Philips Telecomm Regelversterker.
DE3814041A1 (de) * 1988-04-26 1989-11-09 Standard Elektrik Lorenz Ag Steuerbarer wechselspannungsverstaerker

Also Published As

Publication number Publication date
GB1178232A (en) 1970-01-21
DE1512683A1 (de) 1969-08-07
DE1512683C3 (de) 1974-02-28

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