DE2510040A1

DE2510040A1 - Transistorverstaerker

Info

Publication number: DE2510040A1
Application number: DE19752510040
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Horinaga
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1974-03-16
Filing date: 1975-03-07
Publication date: 1975-09-18
Also published as: NL7503163A; JPS50123255A; DE2510040C3; GB1500115A; US4068183A; FR2273404B1; IT1034306B; CA1139378A; JPS551724B2; FR2273404A1; DE2510040B2

Description

251004Q

It 3163

SONY CORPORATION Tokyo / Japan

Transistorverstärker

Die Erfindung betrifft Verstärkerschaltungen und insbesondere einen Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang, der aus Feldeffekttransistoren gebildet ist, die Triodenarbeitskennlinien haben, und der einen Differentialverstärker als Vorverstärkerstufe aufweist.

Die Verwendung von Gegentaktverstärkern zur Hochleistungsverstärkung mit minimaler Verzerrung ist bekannt. Der Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang ist eine Form eines Gegentaktverstärkers, durch den der Leistungswirkungsgrad erheblich erhöht wurde. Ein typischer Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang ist in der US-PS 2 9 36 beschrieben, der Trioden aufweist, die im Gegentakt geschaltet sind und denen von einem Difierentialverstärker Eingangssignale zugeführt werden, der ebenfalls aus Trioden gebildet ist. Dieser Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang hat die zwangsläufigen Nachteile, daß die Verwendung von Vakuumröhren unerwünscht und ein zufriedenstellender Betrieb durch Ersatz der Dioden durch übliche transistorisierte Elemente nicht leicht erreichbar ist, und daß eine Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes, die sog. "cross-over"-Verzerrung, in erheblichem Maße feststellbar ist.

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mm. Ο —

Wenn ein solcher bekannter Gegentaktverstärker mit Eintakt— ausgang in Festkörperform ausgebildet wird, um ihn in integrierter Schaltkreistechnik herzustellen, bleibt die Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes als eine in starkem Maß unerwünschte Eigenschaft.

Es würde festgestellt, daß, wenn Feldeffekttransistoren als Gegentaktverstärkungselemente verwendet werden, das Problem der Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes durch Verwendung einer Quelle mit veränderbarem St,rom in Zusammenwirkung mit der Differentialverstärkungsstufe des Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang gelöst werden kann.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang zu schaffen, der keine Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes hat.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird durch die Erfindung ein Gegentaktverstärker mit Eintaktäusgang geschaffen, der eine Gegentaktverstärkerstufe mit Eintaktausgang hat, die aus Feldeffekttransistoren zum Antrieb einer Last besteht, eine Vorverstärkerstufe, die aus einem Differentialverstärker besteht, um der Gegentaktverstärkerstufe ein Eingangssignal zuzuführen, und eine veränderbare Stromquelle, die mit dem Differentialverstärker zur Steuerung des Stromflußes durch den Differentialverstärker entsprechend den Änderungen der Betriebsspannung des Gegentaktverstärkers verbunden ist, um dadurch die Ruheströme der Feldeffekttransistoren auf einem im wesentlichen konstanten Pegel zu halten.

Der erfindungsgemäße Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang hat Feldeffekttransistoren mit Triodenarbeitskennlinien und eine Stromsteuereinrichtung, um eine Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes.zu verhindern.

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Bei dem erfindungsgemäßen Gegentaktverstärker werden Feldeffekttransistoren als Gegentaktverstärkerstufe mit Eintaktausgang und eine Vorverstärkerstufe in Form eines Differentialverstärkers verwendet und es ist eine veränderbare Stromquelle in Zusammenwirkung mit dem Differentialverstärker vorgesehen, um die Ruheströme der Feldeffekttransistoren auf einem im wesentlichen konstanten Pegel zu halten und dadurch eine Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes zu verhindern.

Beim Gegentaktverstärker der Erfindung werden die Ruheströme in den die Gegentaktverstärkerstufe umfassenden Feldeffekttransistoren unabhängig von Änderungen der Verstärkerbetriebsspannung konstant gehalten, so daß eine Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes verhindert wird.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis beispielsweise erläutert. Es zeigt:

Figur 1 einen Querschnitt eines Beispiels eines Feldeffekttransistors, der in der Verstärkerschaltung der Erfindung verwendet werden kann,

Figur 2 eine graphische Darstellung der Arbeitskennlinien des Feldeffekttransistors der Fig. 1,

Figur 3, 4 und 5 Schaltbilder von typischen Gegentaktverstärkern mit Eintaktausgang,

Figur 6 und 7 graphische Darstellungen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Erfindung, und

Figur 8, 9 und 10 verschiedene Ausführungsformen der Erfindung, bei denen in einem Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang eine Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes verhindert wird.

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Wie nachstehend im einzelnen beschrieben wird, weist der erfindungsgemäße Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang Feldeffekttransistoren auf. Der FET ist von der Art, die Triodenarbeitskennlinien hat, und ein solcher FET ist in "Solid-state Electronics", Band 10, Seite 299 (1967) beschrieben. Diese Art FET hat eine niedrige Ausgangsimpedanz und eine hohe Mischsteilheit und ist insbesondere in der Lage, auf hohen Leistungspegeln zu arbeiten. Eine Querschnittsdarstellung eines FET mit vertikaler Übergangszone, der Triodenarbeitskennlinien und die zuvor erwähnten Eigenschaften hat, ist in Fig. 1 gezeigt. Wie gezeigt ist, ist eine Eigenhalbleiterzone I mit niedriger Verunreinigungskonzentration mit 1 bezeichnet. Eine ringförmige P-leitende Halbleiterzone 2 ist auf der Eigenhalbleiterzone 1 gebildet. Eine N -leitende Halbleiterzone 3 mit einer hohen Verunreinigungskonzentration ist über der P-leitenden Halbleiterzone und über der Eigenhalbleiterzone gebildet, um so die ringförmige P-leitende Halbleiterzone 2 zu überbrücken. Eine Drainelektrode D ist unter der Eigenhalbleiterzone 1 und eine Gateelektrode G ist über der P-leitenden Halbleiterzone 2 gebildet. Eine Sourceelektrode S ist über der N -leitenden Halbleiterzone 3 gebildet. Zusätzlich zu der Ringform ist die P-leitende Halbleiterzone 2 als ein Gitter (wie gezeigt ist) derart ausgebildet, daß das P-leitende Material innerhalb des Ringes vorgesehen ist, um die Eigenhalbleiterzone 1 und die N -leitende Zone 3 zu trennen. Schließlich ist eine N -leitende Halbleiterzone 4 zwischen der Eigenhalbleiterzone 1 und der Drainelektrode D gebildet, wie gezeigt ist.

Dieser FET mit vertikaler Sperrschicht ist mit einer geringen Trennung zwischen der Sourceelektrode S und,einem Kanal versehen, der um den Umfang der P-leitenden HaIbieiterzone 2 gebildet ist. Dieser Kanal hat eine relativ geringe Abmessung.

Die Betriebsparameter des dargestellten FET sind derart, daß der Serienwiderstand R_c sehr gering und seine Misch-

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steilheit gm hoch ist. Das Produkt dieses Serienwiderstandes und der Mischsteilheit ist geringer als Eins (R · gm < 1) .

Die Drainspannungs-Stromkennlinien (V - I) dieses FET mit vertikaler Sperrschicht sind in Fig. 2 graphisch dargestellt, in der die Ordinate den Drainstrom I in Ampere und die Abszisse die Drainspannung V in Volt darstellt. Jede Kurve stellt die Spannungs-Stromkennlinie für. eine bestimmte Gatespannung V_Q dar, die als selektiver Parameter gewählt wird. Zur Vereinfachung sind nur diejenigen Kennlinien für eine Gatespannung von Null, -2, -4, -6, -8 und -10 dargestellt. Wie ersichtlich ist, sind die Kennlinienkurven, die für den FET mit vertikaler Sperrschicht der Fig. l in Fig. 2 graphisch gezeigt sind, den entsprechenden Arbeitskennlinien einer üblichen Vakuumtriode ähnlich. Vorteilhafterweise wird der Serienwiderstand R des FET trotz Sρannungsänderungen im wesentlichen konstant gehalten, und die Mischsteilheit nähert sich dicht der idealen Mischsteilheit gm infolge der Breitenänderung der Verarmungszone des FET.

Dieser FET, der Triodenarbeitskennlinien hat, kann in der Gegentaktstufe eines Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang wie des schematisch in Fig. 3 gezeigten Verstärkers verwendet werden. Dieser Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang besteht aus einem Ausgangsverstärkerkreis A₂ mit FETs Q- und Q₄, die im Gegentakt geschaltet sind, und einer Vorverstärkerstufe A,, die aus einem Differentialverstärker-Treiberkreis besteht. Die FETs Q₃ und Q₄ des Ausgangsverstärkerkreises A₂ sind z.B. vom N-Kanaltyp. Diese FETs haben die oben anhand der Fig. 1 und 2 beschriebenen Triodenarbeitskennlinien.

Die Drainelektrode des FET Q- ist mit dem positiven Anschluß einer Gleichspannungsquelle E- - und die Sourceelektrode dieses FET ist über eine Last Z_L mit dem negativen

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Anschluß der Gleichspannungsquelle E verbunden. Die

CCl

Last Z_ wird von dem Ausgangsverstärkerkreis A₀ betrieben

JLi Δ

und kann z.B. einen Lautsprecher oder eine andere Impedanzlast umfassen, die zu betreiben ist. Die Sourceelektrode des FET Q₃ ist zusätzlich mit der Drainelektrode des FET Q- verbunden. Die Sourceelektrode des FET Q. rst mit dem negativen Anschluß einer Spannungsquelle E „ verbunden. Wie gezeigt ist, ist der positive Anschluß der Spannungsquelle E ₂ mit dem negativen Anschluß der Spannungsquelle E ₁ verbunden und der dadurch gebildete Verbindungspunkt ist mit der Last Z₁. verbunden. Daher bilden diese Gleichspannungsquellen eine Quelle für die Zufuhr einer Betriebsspannung, und wenn die Ausgangsspannungen V und V₂ dieser Spannungsquellen gleich sind, werden gleiche Betriebsspannungen über die Last Z_T an die Drain- und Sourceelektroden eines jeden FET Q und Q. angelegt.

Wie gezeigt ist, ist eine zusätzliche Gleichspannungsquelle E_ mit der Betriebsspannungsquelle verbunden, d.h. der positive Anschluß der zusätzlichen Spannungsquelle E ist mit dem negativen Anschluß der Spannungsquelle E ~ und der negative Anschluß der Spannungsquelle E ist mit einem weiteren, noch zu beschreibenden Kreis verbunden. Wie sich noch ergeben wird, kann dieser negative Anschluß der Spannungsquelle E_ eine Bezugsspannung darstellen.

Der Differentialverstärker, der die Vorverstärkerstufe A,.umfaßt, ist aus in Differentialschaltung angeordneten Transistoren Q₁ und Q₂ gebildet, die jeweilige Steuerelektroden, über denen ein Eingangssignal angelegt wird, und jeweilige Ausgangselektroden haben. Die Transistoren Q, und Q₂ können übliche Transistoren wie bipolare Transistoren sein und für den Zweck der vorliegenden Erfindung können sie übliche FETs wie der in Fig. 1 gezeigte FET, ein üblicher Sperrschicht-FET, der Pentoden-Arbeitskennlinien hat, oder ein bipolarer FET sein. Daher wird ein Eingangssignal in Form des Signals einer Signalquelle e in Differentialschaltung an die Gateelektroden der Transi-

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stören Q, und Q₂ angelegt. Eine weitere Gleichspannungsquelle E₁ ist- mit den jeweiligen Gateelektroden der Transistoren Q. und Q₂ verbunden, wie gezeigt ist, um an diese z.B.' positive Vorspannungen anzulegen. Daher ist der negative Anschluß der Spannungsquelle E. mit der zuvor erwähnten BezugsSpannungsquelle verbunden.

Die Drainelektrode des Transistors Q ist direkt mit der Drainelektrode des FET Q_ und zusätzlich über einen Gatewiderstand R.,, mit der Sourceelektrode des FET Q- verbunden, In gleicher Weise ist die Drainelektrode des Transistors Q₂ direkt mit der Gateelektrode des FET Q₄ und zusätzlich über einen Gatewiderstand R_G2 mit der Sourceelektrode des FET Q₄ verbunden. Damit dienen, wie gezeigt ist, die jeweiligen Gatewiderstände zur Verbindung der Gate- und Sourceelektroden der jeweiligen FETs Q_ und Q₄.

Die Sourceelektroden der Transistoren Q, und Q« sind gemeinsam mit einem Konstantstromkreis K verbunden. Dieser Konstantstromkreis dient dazu, die gemeinsam verbundenen Sourceelektroden mit der zuvor erwähnten Bezugsspannungsquelle zu verbinden. Mist gezeigt ist, kann der Konstantstromkreis K einen Widerstand R_g aufweisen.

Die verschiedenen Betriebseigenschaften des in Fig. 3 gezeigten Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang sind am besten anhand deren folgender Beschreibung in Verbindung mit Fig. 6 erkennbar, die graphisch die statischen Kennlinien des FET darstellt, die jeder der FETs Q- und Q. hat. Die graphische Darstellung gibt die Strom-Spannungskennlinien unter Bezug auf die Drainelektrode des FET wieder. Damit stellt die Ordinate den Drainstrom I und die Abszisse die Spannung V _g über der Drain- und Sourceelektrode dar. Jede der Kurven S_, S₁, ..., S- gibt die Spannungs-Stromkennlinie für eine gewählte Spannung V__

GS

über der Gate- und Drainelektrode wieder. Die Gate-

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—· 8 —

Source-Spannungsparameter sind zu V_GSQ (= O), V_GS1 ... ^v _Gg6 gewählt.

Der Ausgangsverstärkerkreis A₂ des Gegentaktverstärkers kann zum Betrieb als A-Verstärker, als AB-Verstärker oder als B-Verstärker vorgespannt sein, jedoch ist der Verstärker -A₂ vorzugsweise zum Betrieb als B-Verstärker vorgespannt. Die folgende Beschreibung erfolgt unter der Voraussetzung dieser B-Verstärkervorspannung. Wenn die Verstärkerlast als Lastwiderstand mit dem Wert R angenommen wird, dann kann eine Lastlinie S gezogen werden, wie gezeigt ist, und ein Ruhearbeitspunkt O¹ wird gebildet, wenn die Gate-Source-Spannung des FET gleich V__s5 entsprechend der Kurve S₅ ist. In diesem Arbeitspunkt ist die Drain-Source-Spannung V _ gleich V_Q und der Drainstrom I ist gleich I_. Ohne ein Ausgangssignal und in diesem Ruhezustand ist der Drainstrom, der gleich I ist, der sogenannte Ruhestrom.

Wenn die Spannung über der Drain- und der Sourceelektrode jedes der Transistoren Q. und Q₂ mit V , die von der Spannungsquelle E. gelieferte Spannung mit V. und die Gate-Source-Spannung des FET Q₄ mit V¹' bezeichnet wird,

dann hat die Spannung V_, die von der Spannungsquelle Ευ ο

geliefert wird, den Wert:

^VB>^EGS ^{+ V}"gs ^{+ V}i ^{+ V}

on

Es wird daran erinnert, daß für den Arbeitspunkt, der in Fig. 6 gezeigt ist, die Gate-Source-Spannung E_QS = V_G„₅. Da der Ausgangsverstärker A₃ für den B-Betrieb vorgespannt ist, wird die zusammengesetzte Kennlinie, die sich auf den Drainstrom I_ in Abhängigkeit von der Gate-Source-Spannung V_GS für die FETs Q₃ und Q₄ bezieht, durch die in Fig. graphisch dargestellte Kurve S" wiedergegeben. Es ist ersichtlich, daß diese zusammengesetzte Kurve S" aus der Kennlinie S, die die Drainstrom- und Gate-Source-Spannungs

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beziehung des FET Q₃ darstellt, und der Kennlinie S¹ gebildet ist, die die Drainstrom- und Gate-Source-Spannuncrsbeziehung des FET Q. darstellt. Damit ist ersichtlich, daß die Gate-Source-Spannungen, die an die jeweiligen FETs Q₃ und Q₄ angelegt wird, gleiche Amplitude und entgegengesetzte Phase haben und bezüglich der Vorspannung E_GS symmetrisch sind.

Wenn die Gate-Source-Spannungen der Transistoren Q. und Q₂ gleich sind und mit V"' _g bezeichnet werden, und wenn vorausgesetzt wird, daß im wesentlichen der gesamte Drainstrom I , der durch den Transistor Q fließt, durch den Gate-Widerstand R^₁ fließt, und im wesentlichen der gesamte Drainstrom, der durch den Transistor Q- fließt, durch den Gate-Widerstand R__o fließt, und wenn der Strom durch den Konstantstromkreis K" im wesentlichen gleich der Summe dieser Drainströme ist, dann können die jeweiligen Gate-Source-Spannungen V' „ und V" _ der FETs Q- und Q.

tab Cab J 4

wie folgt ausgedrückt werden:

R (V, + V"· ) ^{G1 1}9JL

GS

(V. + V

¹¹·

GS 2R

Daher kann die Gate-Source-Vorspannung eines jeden FET Q₃ und Q₄ durch geeignete Wahl der Parameter der Gleichungen (2) und (3) bestimmt werden. Wenn die jeweiligen Gate-Widerstände konstant sind, dann werden die Gate-Source-Vorspannungen der FETs Q₃ und'Q₄ entsprechend den für die Gleichspannungsquelle E, und/oder den Widerstand R₀ gewählten Werten bestimmt.

Es wurde angenommen, daß der Strom, der durch den Widerstand R_ des Konstantstromkreises K fließt, unabhängig

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von den Änderungen des Eingangswechselspannungssignals konstant ist. Somit können die Gate-Source-Wechselspannungen e'_GS und e"_GS der FETs Q₃ und Q₄ wie folgt ausgedrückt wer

^{gm r}gi

^e" =

GS = - Τ" ^ei ' ^gmRG2

in denen e. das Eingangswechselspannungssignal darstellt, das von der Signalquelle e geliefert wird und gm die Steilheit zwischen den PETs Q und Q₂ ·

Aus den Gleichungen (4) und (5) ist ersichtlich, daß, wenn die FETs Q₃ und Q₄ so gewählt werden, daß sie gleiche Kennlinien haben, und wenn die Gate-Widerstände FL₁ und ^RG2 S^-e*·⁰*¹ gewählt werden, dann die Gate-Source-Wechselspannungen an den jeweiligen FETs Q₃ und Q₄ gleiche Amplitude und entgegengesetzte Phase haben. Daher ist das Ausgangssignal, das von dem Verstärkerkreis A„ geliefert wird, linear, um die Lastimpedanz Z_ linear zu betreiben. Diese linear Beziehung ist graphisch durch die zusammengesetzte Kurve S" in Fig. 7 wiedergegeben.

Wenn die jeweiligen FETs Q- und Q₄ keine gleiche Verstärkung haben, dann kann diese lineare Beziehung durch die Wahl der Gate-Widerstände R_G1 und R_G2 erreicht werden, um diese Differenz in der Verstärkung zu kompensieren. Wenn z.B. die Spannungsverstärkung des FET Q₄ zweimal.so groß wie die Spannungsverstärkung des FET Q₃ ist, so daß die Abschnürspannung des FET Q₄ halb so groß wie die Abschnürspannung des FET Q₃ ist, dann wird der Gatewiderstand R_Q1 des FET Q- so gewählt, daß er halb so groß wie der Widerstandswert des Gate-Widerstands R_G2 des FET Q₄ ist. Daraus ist ersichtlich, daß die Beziehung zwischen der Spannungsverstärkung und der Abschnürspannung des FET der allge-

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meinen Beziehung folgt, daß die Abschnürspannung niedrig ist, wenn die Spannungsverstärkung hoch ist.

Aus den Gleichungen (2) und (3) ist ersichtlich, daß durch Änderung der Spannung der Gleichspannungsquelle E. oder durch Änderung des Widerstandswertes des Widerstandes R₀ in dem Konstantstromkreis K die Vorspannung,. die an die FETs Q_ und Q₄ angelegt wird, entsprechend geändert wird. Auf diese Weise kann der gewünschte Betrieb des Gleichspannungsverstärkers mit Eintaktausgang erhalten werden.

Es werden nun anhand der Fig. 4 und 5 verschiedene Abwandlungen dieses Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang beschrieben. Bei diesen abgewandelten Ausführungsformen sind gleiche Bezugsziffern zur Bezeichnung der gleichen Bauelemente verwendet, die zuvor anhand der Fig. 3 beschrieben wurden. Wie Fig. 4 zeigt, hat der Gegentaktverstärker mit Gleichtaktausgang im wesentlichen die gleiche elektrische Schaltung mit Ausnahme der besonderen Schaltung der Gate-Widerstände R_G1 und Rqo· Insbesondere verbindet der Gate-Widerstand R-... "die Drainelektrode des FET CU mit dessen Gateelektrode. Damit ist, wie gezeigt ist, die Drainelektrode des Transistors Q noch direkt mit der Gateelektrode des FET Q_ verbunden, ist jedoch jetzt über die den Gate-Widerstand R_G1 umfassende Lastimpedanz mit der Drainelektrode des FET Q₃ verbunden. In gleicher Weise verbindet der Gatewiderstand R_Q2 die Drainelektrode des FET Q₄ mit dessen Gateelektrode. Damit ist die Drainelektrode des Transistors Q₂ noch direkt mit der Gateelektrode des FET Q₄ verbunden, ist jedoch nun über die den Gate-Widerstand R_Q2 umfassende Lastimpedanz mit der Drainelektrode des FET Q₄ verbunden.

Damit entspricht der Betrieb'des in Fig. 4 gezeigten Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang in etwa dem Betrieb

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eines Source-Folgers. Die Gateelektroden der FETs Q₃ und Q₄ werden meist positiv angesteuert, so daß die Sättigungsspannung über den Drain- und Sourceelektroden der FETs niedriger ist. Damit wird das maximale Ausgangssignal der FETs Q- und Q₄ erhöht. Obwohl die FETs der Ausführungsform der Fig. 4 in der Lage sind, eine größere angelegte Spannung -aus zuhalten, um die Aus gangs spannung zu erhöhen, ist jedoch die Spannungsverstärkung des Ausgangsverstärkerkreises A₂ niedriger als die Spannungsverstärkung der Ausführungsform in Fig. 3.

Diese unerwünschte Eigenschaft der verringerten Spannungsverstärkung in dem Gegentaktverstärker wird durch die in Fig. 5 gezeigte Ausführungsform verbessert. Die Ausführungsform der Fig. 5 ist im wesentlichen gleich der zuvor beschriebenen Ausführungsform der Fig. 4, bei der der Gatewiderstand R_G1 als aus in Reihe geschalteten Widerständen R_G11 und Rp₁₂ bestehend gezeigt ist. In gleicher Weise ist der Gatewiderstand R„₂ ^als aus in Reihe geschalteten Widerständen R„~, und R„₀₀ bestehend aezeigt. Auch ist bei der Ausführungsform der Fig. 5 der Verbindungspunkt, der durch die in Reihe geschalteten Gate-Widerstände R„,,

und Rq₁₂ bestimmt wird, mit der Sourceelektrode des FET Q₃ durch einen Kondensator C₁ verbunden. In gleicher Weise ist der durch die in Reihe geschalteten Gate-Widerstände ^RG21 ^un(^ ^RG22 k^ti™¹^⁶ Verb in dungs ρ unkt mit der Sourceelektrode des FET Q₄ durch einen Kondensator C~ verbunden. Der Wechselspannungsbetrieb des in Fig. 5 gezeigten Gegentaktverstärkers entspricht etwa dem Betrieb eines sourcegeerdeten Verstärkers.

Es wurde festgestellt, daß, wenn die Gleichspannungen, die von den verschiedenen Spannungsquellen bei den Gegentaktverstärkern der Ausführungsformen der Fig. 3 bis 4 infolae der Umgebungswärme, des Alters und anderer äußerer Einflüsse schwanken, die Ruheströme der FETs Q₃ und Q. von dem gewünschten, zuvor anhand der Fig. 6 beschriebenen Zustand abweichen. Diese Änderung der Ruheströme bewirkt

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die sogenannte "cross-over"-Verzerrung. Wenn z.B. unter Bezugnahme auf die Ausführungsform der Fig. 3 und die graphische Darstellung der Arbeitkennlinien in Fig. 6 die Spannungen, die von den Spannungsquellen E und ^Ecc2 ^erzeu9^t werden, normalerweise gleich V sind, führt einer Änderung dieser Gleichspannung in die Spannung V^_c zu einer entsprechenden Änderung des Arbeitspunktes der FETs von dem Punkt O' in den Punkt A. Dies bewirkt, daß der Ruhestrom von dem normalen Ruhestrom I in den Strom. I geändert wird. In gleicher Weise führt eine Änderung der von den Spannungsquellen E ₁ und E _c2 erzeugten Spannungen von V nach V" zu einer Änderung des Arbeitspunktes vom Punkt O* zu dem Punkt B mit einer entsprechenden Änderung des Ruhestroms von I^ nach I_,.

U ο

Dieses Problem der Änderung der Ruheströme durch die FETs, das zu der Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes führt, wird durch die Erfindung gelöst. Durch die Erfindung werden bei einem Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang, der als Ausgangsverstärkerkreis FETs mit Triodenarbeitskennlinien und eine Vorverstärkerstufe mit einem Differentialverstärker hat, die Ruheströme der FETs konstant gehalten, um so das Auftreten der Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes zu verhindern.

Eine Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 8 gezeigt. Der in Fig. 8 gezeigte Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang hat einen Steuerstromkreis, der mit dem Gegentaktverstärker verbunden ist, der von der zuvor beschriebenen und in Fig. 3 gezeigten Art ist. Daher sind die Elemente des Gegentaktverstärker, die den zuvor anhand der Fig. 3 beschriebenen gleich sind, durch gleiche Bezugsziffern bezeichnet, und der Kürze halber unterbleibt eine detaillierte Beschreibung dieser Elemente und ihrer Zussmmenwirkung. Es ist jedoch zu beachten, daß die jeweiligen FETs Q₃ und Q. Triodenarbeitskerinlinien haben. Jeder

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FET kann tatsächlich ein einzelner Feldeffekttransistor sein oder aus in Darlington-Schaltung verbundenen FETs bestehen. Auch können die jeweiligen Gate-Widerstände aus einem einzigen Impedanzelement oder anderen Lastimpedanzen bestehen, die mit der besonderen Schaltung der jeweiligen FETs kompatibel sind. In gleicher Weisekann' der Differentialverstärker, der als die Vorverstärkerstufe A₁ verwendet wird, aus zwei in Differentialschaltung verbundenen Transistoren oder aus in Differentialschaltung verbundenen Transistorvorrichtungen,bestehen. Solche- Transistorvorrichtungen können in Darlingtonschaltung angeordnete Transistoren, FETs oder dergleichen umfassen.

Auf jeden Fall sind der Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang und seine verschiedenen Abwandlungen mit dem Steuerstromkreis verbunden, der aus einer steuerbaren Stromquelle in der Stromquelle K, verbunden mit einem Spannungsdetektorkreis H, besteht» Die steuerbare Stromquelle besteht aus einem Transistor Q₅, dessen Steuerelektrode mit dem Spannungsdetektorkreis H verbunden ist und dessen Ausgangselektroden zwischen die verbundenen Sourceelektroden der Transistoren Q₁ und Q₂ und, über einen Widerstand R_, die zuvor beschriebene Bezugsspannungsquelle geschaltet ist. Der Transistor Q~ kann ein Sperrschichttransistor sein, dessen Basis mit dem Spannungsdetektorkreis, dessen Kollektor mit den Sourceelektroden der Transistoren Q. und Q₂ und dessen Emitter mit dem Widerstand R₃ verbunden ist. Selbstverständlich können auch andere Arten von Transistoren verwendet werden. Der Widerstand R- kann aus einem Potentiometer bestehen und sein Zweck wird später ersichtlich.

Die Kombination des Transistors Q₅ und des Widerstandes R₃ wirkt als veränderbare Stromquelle zur Steuerung des Stroms, der durch den aus der Vorverstärkerstufe A₁

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bestehenden Differentialverstärker fließt. Diese Steuerung des Differentialverstärkerstroms ist eine Funktion der Änderung der von den Spannungsquellen E . und E ~ 9^e~ lieferten Betriebsspannung.

Der Spannungsdetektorkreis H besteht aus einem Spannungsteiler aus Widerständen R, und R«t die mit den Spannungsquellen E . und E - verbunden sind, wie gezeigt ist. Die gesamte Spannung, die von den Quellen E ,, ^o ^un^

E-, erzeugt wird, tritt über den Spannungsteilerwiderständen ü

auf und eine Spannung proportional dieser gesamten Gleichspannung wird an dem Verbindungspunkt der Widerstände R, und R₂ abgegriffen. Wie gezeigt ist, wird diese abgegriffene Spannung auf die Steuerelektrode des Transistors Q_ gegeben.

Um die Arbeitsweise des verbesserten Gegentaktverstärkers mit Eintaktausgang, der in Fig. 8 gezeigt ist, zu verstehen, sei angenommen, daß die Gleichspannung, die von den jeweiligen Spannungsquellen E_ccl und E_cc2 erzeugt wird, um eine Größe Λ V erhöht wird, so daß sie sich von V

cc cc

nach V" ändert, wie Fig. 6 zeigt. Es wird daran erinnert,

OO

daß diese Änderung der Gleichspannung zu einer entsprechenden Änderung des Ruhestroms der FETs Q₃ und Q. führt, wodurch diese Ruheströme von I₀ auf I_ erhöht werden. Um

U iS

diese Erhöhung der Ruheströme zu verhindern, muß die Basisspannung über den Gate- und Sourceelektroden der jeweiligen FETs erhöht werden. Diese Erhöhung der Gate-Source-Vorspannung, die notwendig ist, um die Erhöhung der Ruheströme zu verhindern, ist gleich AV__, und kann wie folcjt

Gb

ausgedrückt werden:

AV

In der Gleichung (6) ist u der Spannungsverstärkungsfaktor der jeweiligen FETs Q_ und Q..

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Die Gate-Source-Vorspannung der jeweiligen FETs hängt in starkem Maß von dem Strom ab, der durch die jeweiligen Gate-Widerstände fließt. Dieser Gate-Widerstandsstrom fließt auch durch den Differentialverstärker und durch den Transistor Q_ und den Widerstand R_. Es ist ersichtlich, daß der Differentialverstärkerstromfluß damit von der von der Spannungsquelle E. erzeugten Gleichspannung und dem Widerstandswert des Widerstands R₃ abhängt. Wenn nun die Spannungen, die von den Quellen E . und E ~ ^er~ zeugt werden, um Av erhöht werden, wird eine proportionale Spannungszunahme an dem Verbindungspunkt der Widerstände R, und R₂ hervorgerufen und wirkt auf den Widerstand Qcr was zu einer Erhöhung der Gate-Source-Spannung des FET Q- um eine Größe»!V' _a führt, die wie folgt ausgedrückt werden kann:

R ^R2

In gleicher Weise wird die Gate-Source-Spannung des FET Q₄ um eine Größe ^v"_rs erhöht, die wie folgt ausgedrückt werden kann:

_GS

Aus den Gleichungen (6), (7) und (8) kann die folgende Gleichung abgeleitet werden:

^RG1	^Rl	^R2	^R2	^RG2	^Rl	^R2	^R2	1
^R3	+	^R3	+	Z¹

(9)

Es ist somit ersichtlich, daß die notwendige Erhöhun' A^VGS ^{der Gat}e~^Source-Spannung der FETs, um den Wirkungen entgegen zu arbeiten, die durch die erhöhte Spannung

hervorgerufenwerdfen, durch die richtige Wahl der Widerstände R₁, R₂ und R₃ bestimmt wird.

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Als Folge der Erhöhung der Gleichspannung ^V wird die Spannung, die auf die Steuerelektrode des Transistors Q₅ gegeben wird, entsprechend erhöht, um dadurch den effektiven Widerstand zwischen den Transistorausgangselektroden zu verringern. Folglich wird der durch den Stromkreis K fließende Strom erhöht. Dies bewirkt, daß der Strom, der durch den Differentialverstärker fließt, in gleicher Weise erhöht wird, und dies führt zu einer Erhöhung des Spannungsabfalles über den jeweiligen Gate-Widerständen ^RG1 ^^ ^RG2" ^Da^^er werden die Gate-Source-Vorspannungen der jeweiligen FETs Q₃ und Q. erhöht, um dadurch eine Erhöhung der jeweiligen Ruheströme zu verhindern. Die Ruheströme dieser FETs werden damit trots der zuvor erwähnten Änderung der Betriebsspannung, die von den Gleichspannungsquellen E und E ~ geliefert wird, im wesentlichen konstant gehalten.

Obwohl vorstehend beschrieben wurde, wie der Stromsteuerkreis, der mit dem Gegentaktverstärker verbunden ist,- die Ruheströme der FETs Q_ und Q₄ konstant hält, selbst wenn die Gleichspannungen mit einer Spannungserhöhung erzeugt werden, ist leicht ersichtlich, daß solche Ruheströme auch im Falle einer Spannungsverringerung der Gleichspannungsquellen aufrecht erhalten werden kann.

Der zuvor beschriebene Stromsteuerkreis kann mit dem zuvor anhand der Ausführungsform der Fig. 4 beschriebenen Gegentaktverstärker verbunden werden, um dadurch die Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes zu verhindern, wie nun beschrieben wird. Wie Fig. 9 zeigt, ist der Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang in der in Fig. 4 gezeigten Weise aufgebaut und der Stromkreis K ist aus der Reihenschaltung des Transistors Q₅ und des Widerstands R_ gebildet. Dieser -Stromkreis ist in Abhängigkeit von detektierten Änderungen der Betriebsspannung steuerbar, die von den Gleichspannungsquellen E₁ und E_cc2 geliefert

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und durch den Spannungsdetektorkreis H abgegriffen wird. Wie ersichtlich ist, sind der steuerbare Stromkreis und der Spannungsdetektorkreis im wesentlichen gleich der zuvor anhand der Fig. 8 beschriebenen Ausführungsform«

Wenn die von den Gleichspannungsquellen E . und E „ erzeugten Spannungen jeweils gleich V sind, können die Gate- Source-VorspannungserhöhungenAV'_rq und Av" _s der FETs Q_ und Q., die notwendig sind, um eine Änderung der FET-Ruheströme zu verhindern, wie folgt ausgedrückt werden:

^RG1 . ^R2 „ -

^RG2 . ^R2

R₁ + R„ cc

Es wird daran erinnert, daß die Arbeitsweise des Verstärkerausgangskreises A₂ der in Fig. 9 gezeigten (und zuvor anhand der Fig. 4 beschriebenen) Art etwa gleich der Arbeitsweise eines Sourcefolger-Verstärkers ist. Wenn daher eine daran angelegte Eingangsspannung mit e. und die Ausgangsspannung mit e„ bezeichnet wird, dann kann die Spannungsverstärkung A wie folgt ausgedrückt v/erden:

e η

A ~ T"""""" ⁼ 1 1 .. β»·Ο«\Χώ)

Es ist ersichtlich, daß dieser Ausdruck der Spannungsverstärkung die Beziehung zwischen der Gate-Source-Spannunq und der Betriebsspannung der Ausgangsverstärkerstufe darstellt. Daher können die Gleichungen (10) , (11) und (12) kombiniert werden, so daßs

n₁ R^ B^o H,

Gl _# J. _ b^ _m A __ / /13)

R₃₁ R₁ + R₂ R₃ R₁ + R₂

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Es ist ersichtlich, daß die Ruheströme der FETs Q₃ und Π. bei der Ausführungsform der Fig. 9 konstant gehalten werden, um die Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes mittels geeigneter Wahl der Widerstände R,, R2 und R- entsprechend der Gleichung (13) zu verhindern.

Eine weitere Ausführungsform des verbesserten Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang gemäß der Erfindung ist in Fig. 10 gezeigt. Diese Ausführungsform hat den Stromsteuerkreis und den Spannungsdetektorkreis, die mit dem Gegentaktverstärker der zuvor anhand der Fig. 5 gezeigten und beschriebenen Art verbunden sind. Die Gleichungen (10) bis (13) sind auf die Ausführungsform der Fig. 10 anwendbar und der Kürze halber wird die Ausführungsform der Fig. 10 nicht untersucht. Es ist ersichtlich, daß die Ruheströme der FETs Q₃ und Q. in dem Gegentaktverstärker der Fig. 10 konstant gehalten werden, um die Verzerrung durch Änderung des Arbeitspunktes mittels geeigneter Wahl der Widerstände R₁, R₃ und R₃ zu verhindern, so daß die Gleichung (13) erfüllt wird.

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Claims

Ansprüche

Transistorverstärker, gekennzeichnet durch eine Betriebsspannungsquelle , einen ersten und einen zweiten Feldeffekttransistor, von denen jeder T-riodenarbeitskennlinien und eine Gate-, eine Sourcer und eine Drainelektrode hat, eine Einrichtung zum Anlegen der Betriebsspannung an die Drain- und Sourceelektrode des ersten Feldeffekttransistors über eine Last, eine Einrichtung zum Anlegen der Betriebsspannung über die Drain- und Sourceelektrode des zweiten Feldeffekttransistors über eine Last, eine Ansteuereinrichtung, die mit dem ersten und zweiten Feldeffekttransistor verbunden ist, die auf ein Eingangssignal zur Steuerung der abwechselnden Leitung des ersten und zweiten Feldeffekttransistors anspricht und die aus einem Differentialverstärker, der aus in Differentialschaltung verbundenen Transistoren gebildet ist, von denen jeder eine Eingangselektrode und wenigstens eine Ausgangselektrode hat, einerEinrichtung zum Anlegen des Eingangssignals an die Eingangselektroden der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren, einer ersten Lastimpedanz zur Verbindung der Ausgangselektrode eines der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren an den ersten Feldeffekttransistor, um eine erste Vorspannung an den ersten Feldeffekttransistor und ein erstes Ansteuersignal an die Gateelektrode des ersten Feldeffekttransistors anzulegen, und einer zweiten Lastimpedanz zur Verbindung der Ausgangselektrode des anderen der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit dem zweiten Feldeffekttransistor besteht, um eine zweite Vorspannung an den zweiten Feldeffekttransistor und ein zweites Ansteuersignal an die Gateelektrode des zweiten Feldeffekttransistors anzulegen, und eine Stromsteuereinrichtung, die mit dem Differentialverstärker verbunden ist, um den durch die in Differentialschaltung verbundenen Transistoren fließenden Strom entsprechend den Änderungen

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der Betriebsspannung, die von der Betriebsspannungsquelle geliefert wird, und dadurch die erste und zweite Vorspannung zu ändern, die an den ersten und zweiten Feldeffekttransistor angelegt wird, so daß die Ruheströme des ersten und zweiten Feldeffekttransistors im wesentlichen konstant gehalten werden.
2. Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung eine steuerbare Stromquelle aufweist, die mit dem Differentialverstärker verbunden ist, so daß die Ströme, die durch die Ausgangselektroden der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren fließen, durch die Stromquelle fließen, und eine Spannungsdetektoreinrichtung, die mit der Betriebsspannungsquelle zur Ermittlung der Änderungen der Betriebsspannung und mit der Stromquelle' zur Änderung des Stromflusses durch sie in Abhängigkeit von den ermittelten Änderungen der Betriebsspannung verbunden ist.
3. Transistorverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die steuerbare Stromquelle einen Transistor mit einer Steuerelektrode und Ausgangselektroden aufweist, und daß die Ausgangselektroden in Reihe mit einer Impedanzeinrichtung zwischen den Differentialverstärker und eine Bezugsspannungsquelle geschaltet ist.
4. Transistorverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung Mittel aufweist, um eine Spannung proportional der Betriebsspannung abzugreifen, wobei die abgegriffene Spannung jede Änderung der Betriebsspannung enthält, sowie eine Einrichtung zum Zuführen der abgegriffenen Spannung zu der Steuerelektrode des Transistors.
5. Transistorverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsabgriffeinrichtung einen Spannunqsteilerkreis aufweist, der mit der Betriebsspannungsquelle

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verbunden ist und einen Ausgangsanschluß hat, der mit der Transistorsteuerelektrode verbunden ist.
6. Transistorverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Differentialverstärker aus in Differentialschaltung verbundenen Feldeffekttransistoren besteht, deren jeweiligen Gateelektroden die Eingangssignale zugeführt werden, deren jeweilige Sourceelektroden gemeinsam mit dem Stromquellentransistor verbunden sind, und deren jeweilige Drainelektroden durch die erste und zweite Lastimpedanz mit dem ersten bzw. zweiten Feldeffekttransistor verbunden sind.
7. Transistorverstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Sourceelektrode des ersten Feldeffekttransistors und die Drainelektrode des zweiten Feldeffekttransistors miteinander und mit der Last verbunden sind.
8. Transistorverstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Lastimpedanz einen ersten Widerstand zur Verbindung der Drainelektrode eines der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit der Sourceelektrode des ersten Feldeffekttransistors aufweist, wobei die Gateelektrode des ersten Feldeffekttransistors über den ersten Widerstand mit dessen Sourceelektrode verbunden ist, und daß die zweite Lastimpedanz einen zweiten Widerstand zur Verbindung der Drainelektrode des anderen der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit der Sourceelektrode des zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist,wobei die Gateelektrode des zweiten Feldeffekttransistors über den zweiten Widerstand mit dessen Sourceelektrode verbunden ist.
9. Transistorverstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Lastimpedanz einen ersten Widerstand zur Verbindung der Drainelektrode eines der in Differen- · tialschaltung verbundenen Transistoren mit der Drainelektrode des ersten Feldeffekttransistors aufweist, wobei die Gate-

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elektrode des ersten Feldeffekttransistors über den ersten Widerstand mit dessen Drainelektrode verbunden ist, und daß die zweite Lastimpedanz einen zweiten Widerstand zur Verbindung der Drainelektrode des anderen der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit der Drainelektrode des zweiten Feldeffekttransistors aufweist, wobei die Gateelektrode des zweiten Feldeffekttransistors über den zweiten Widerstand mit dessen Drainelektrode verbunden ist.
10. Transistorverstärker nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Widerstand aus einem ersten Paar in Reihe geschalteten Widerständen mit einem Verbindungspunkt dazwischen besteht, daß die erste Lastimpedanz außerdem einen ersten Kondensator zur Verbindung dieses Verbindungspunktes mit der Sourceelektrode des ersten Feldeffekttransistors aufweist, daß der zweite Widerstand aus einem zweiten Paar in Reihe geschalteten Widerständen mit einem Verbindungspunkt dazwischen besteht, und daß die zweite Lastimpedanz außerdem einen zweiten Kondensator zur Verbindung dieses zweiten Verbindungspunktes mit der Sourceelektrode des zweiten Feldeffekttransistors aufweist.
11. Transistorverstärker nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine VorspannungsqueHe, die zwischen die Bezugsspannungsquelle und die Betriebsspannungsquelle geschaltet ist.
12. Verstärkerschaltung, gekennzeichnet durch eine Gegentakt-· verstärkerstufe mit Eintaktausgang, bestehend aus einem ersten und einem zweiten Feldeffekttransistor, wobei die Sourceelektrode eines der Feldeffekttransistoren mit der Drainelektrode des anderen Feldeffekttransistors unter Bildung eines Verbindungspunktes verbunden ist, eine Lastimpedanz, die mit dem Verbindungspunkt verbunden ist, und eine Einrichtung zum Zuführen einer Betriebs-

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spannung über die Last zu jedem der Feldeffekttransistoren, eine Vorverstärkerstufe zum Zuführen eines Signals zu der Gegentaktverstärkerstufe/ wobei die Vorverstärkerstufe aus einem Differentialverstärker besteht, der aus in Differentialschaltung verbundenen Transistoren gebildet ist, um ein angelegtes Eingangssignal zu empfangen, und der zwei Ausgangsanschlüsse hat, die mit den jeweiligen Gateelektroden des ersten und zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, und einer ersten und zweiten Lastimpedanz zur Verbindung der Ausgangsanschlüsse der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit einer der Source- und Drainelektroden des ersten bzw. zweiten Feldeffekttransistors, und eine veränderbare Stromquelle, die mit dem in Differentialschaltung verbundenen Transistoren "zur Steuerung des Stromflusses durch die in Differentialschaltung verbundenen Transistoren in Abhängigkeit von Änderungen der Betriebsspannung verbunden ist, um dadurch die Änderung des Vorspannungspegels des Signals zu ändern, das der Gegentaktverstärkerstufe von dem Differentialverstärker zugeführt wird, um die Ruheströme des ersten und zweiten Feldeffekttransistors auf einem im wesentlichen konstanten Pegel zu halten.
13. Verstärkerschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die veränderbare Stromquelle einen steuerbaren Transistor aufweist, dessen Ausgangselektroden mit einem Widerstand zur Bildung einer Reihenschaltung verbunden ist, die zwischen die verbundenen Elektroden der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren und eine Bezugsspannungsquelle geschaltet ist.
14. Verstärkerschaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die veränderbare Stromquelle außerdem eine Spannungsdetektoreinrichtung zur Ermittlung von Änderungen der Betriebsspannung und eine Einrichtung für die Zufuhr der ermittelten Änderungen zu der Steuerelektrode des steuerbaren Transistors aufweist.

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15. Verstärkerschaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektoreinrichtung einen Spannungsteiler aufweist, der mit der Betriebsspannungsquelle verbunden ist und einen Ausgangsanschluß hat, der mit der Steuerelektrode des Steuerbaren Transistors verbunden ist.
16. Verstärkerschaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Lastimpedanz die Ausgangsanschlüsse der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit der Sourceelektrode des ersten bzw. zweiten Feldeffekttransistors verbinden.
17. Verstärkerschaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Lastimpedanz die Ausgangsanschlüsse der in Differentialschaltung verbundenen Transistoren mit der Drainelektrode des ersten bzw. zweiten Feldeffekttransistors verbinden.
18. Verstärkerschaltung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Lastimpedanz in Reihe geschaltete Widerstände zur Verbindung der Drain- und Gateelektroden des zugehörigen Feldeffekttransistors aufweisen, und daß ein Kondensator zwischen die in Reihe geschalteten Transistoren und die Sourceelektrode des zugehörigen Feldeffekttransistors geschaltet ist.

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