DE2309154A1 - Stromverstaerker - Google Patents

Stromverstaerker

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Description

7488-73/Kö/S RCA Docket No.: 62,316 Convention Date: December 26, 1972
RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A. Stromverstärker
Die Erfindung betrifft einen Stromverstärker mit zwei Transistoren des gleichen Leitungstyps, deren einer mit seinem KoIleIc tor gleichstromleitend an den Eingang und deren anderer mit seinem Kollektor gleichstraaleitend an den Ausgang dee Verstärkers angekoppelt ist und deren Emitter Über einen gemeinsamen Anschluß gleichstromleitend alt einem Bezugspotentialpunkt verbunden sind, sowie mit einer den Kollektorstrom des ersten Transistors auf einen dem Eingangsstrom am Eingang im wesentlichen gleichen Wert einregelnden Anordnung, die einen gleichartigen Direktanschluß der Basen der beiden Transistoren an den Eingang enthält, und mit einer an den Ausgang angeschlossenen Anordnung zum Empfang des Ausgangsstromes.
Ein "Stromverstärker" im Sinne der vorliegenden Erfindung ist eine aktive Schaltung, deren Ausgangsstrom dem Eingangsstrom über einen Teil der Strombereiche folgt bzw. proportional ist und die nicht unbedingt eine Stromverstärkung aufzuweisen braucht. Eingangsund Ausgangsstrom können Ruheströme oder veränderliche Ströme sein. Die gewöhnlich als "Stromspiegel" bezeichneten Schaltungen gehören daher zur Klasse der "Stromverstärker" im vorstehend definierten Sinne.
Ee sind Dreipol-Stromverstärker mit zwei Transistoren bekannt,
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ORIGINAL INSPECTED
deren Emitter galvanisch an den gemeinsamen Pol oder Anschluß des Verstärkers, deren Kollektoren galvanisch an den Eingang bzw. den Ausgang des Verstärkers und deren zusararaenpeschaltete Rasen direkt an den Eingang des Verstärkers angekoppelt sind. Ein solcher be kannter Stromverstärker arbeitet wie folgt: Der erste Transistor regelt über die Kollektor-Hasiseegenkopplunp seinen Kollektorstrora so, daß er dem Eingangsstrom im wesentlichen gleich ist. Wegen der Parallelschaltung der Basis-Emitterkreise der beiden Transistoren liefert der zweite Transistor als Auscancsstrom einen Kollektorstrom, der dem Kollektorstrom des ersten Transistors proportional ist.
Bei den bekannten Stromverstärkern sind keine Maßnahmen jre troffen, um die Kollektorspannungen der beiden Transistoren unter sämtlichen Stromleitungsbedingungen im wesentlichen gleich zu halten. Solche Maßnahmen sind jedoch wünschenswert, um die Auswirkungen von Kollektorspannungsungleichheiten, die die Proportionalität zwischen Ausgangs- und Eingangsstrom des Stromverstärkers beeinträchtigen, zu beseitigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Stromverstärker zu schaffen, bei dem die Proportionierung des Ausgangs- und des Eingangsstromes allein durch die relativen Geometrien der beiden Transistoren, insbesondere durch das Flächenverhältnis der Baais-Emittertibergänge bestimmt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem Stromverstärker der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß in die gleichstromleitenden Koppelwege zwischen den Kollektoren der beiden Transistoren einerseits und dem Eingang bzw. Ausgang des Verstärkers andererseits eine Ausgleichsanordnung eingeschaltet ist, welche die Kollektorspannungen der beiden Transistoren his auf eine Diffe renz, die wesentlich kleiner ist als der Spannungsabfall an einer durchlaßgespannten Halbleitersperrschicht, einander angleicht.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Figur 1 das Schaltschema eines erfindungsgemäßen Stromver-■tlrkere;
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Figur 2 ein Schaltschema, das eine Möglichkeit der Realisierung der Halbleiterdiode in Figur 1 veranschaulicht; und
Figur 3 ein Diffusionsprofil, das eine andere Möglichkeit der Realisierung dieser Halbleiterdiode veranschaulicht.
Der inFigur 1 gezeigte Stromverstärker eignet sich besonders gut für den Einbau in eine integrierte Schaltung, da es wünschenswert ist, daß eine thermische Kopplung zwischen den Transistoren 11 und 12 besteht. Der Einganesstrora von der Stromquelle 2 gelangt zum Eingang 4 des Stromverstärkers 5· Der Stromverstärker erzeugt an seinem Ausgang 6 einen dem Eingangsstrom proportionalen Ausgangsstrom, der eine Last oder einen Verbraucher 8 speist. Der gemeinsame Anschluß 10 des Stromverstärkers 5 liegt an Massebezugspotential, und eine Spannungsquelle 121 beaufschlagt die Stromquelle und die Last 8 mit einer gegenüber Masse verschobenen (posi_ tiven) Bezugsspannung.
Der Stromverstärker 5 enthält drei Transistoren 11, 12 und von gleichartigem Leitungstyp. Eine Halbleiterdiode 15 bildet einen Stromweg vom Eingang 4 für den Kollektorstrom des Transistors
11 und die Basisströme der Transistoren 11 und 12. Die Gegenkopplungsverbindung l6 vom Kollektor zur Basis des Transistors 11 regelt dessen Kollektorstrom auf einen Wert ein, der im wesentlichen gleich dem von der Stromquelle 2 an den Eingang 4 gelieferten Eingangsstrom minus den Basisströmen der Transistoren 11, 12 und 13 ist. Der für diesen Kollektorstrom erforderliche Emitterstrom des Transistors 11 bestimmt die Spannung an den Basen der Transistoren 11 und 12. Diese Spannung ist gleich dem Spannungsabfall aa Widerstand 18 und dem Basis-Emitterspannungsabfall des Transistors 11 für den Wert dieses Emitterstroms. Wenn der Transistor
12 mit einem Emittergegenkopplungs-Widerstand 19 versehen ist, dessen Widerstandswert zu dem des Widerstands 18 im umgekehrten Verhältnis me das Verhältnis der effektiven Basis-Emitterübergangs-/idcA'* A+r T^n f iitoren 11 und 12 steht, so ist bekanntlich das Verhältnis der Koxlektorströme der Transistoren 12 und 11 gleich dem Verhältnis der effektiven Basis-EmitterUbergangsflachen der beiden Transistoren. Die Proportionalität zwischen den Kollektorströmen der Transistoren 12 und 11 läßt sich daher durch aus-
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schließlich die Geometrie der in integrierter ^chaltungsform aus geführten Bauelemente festlegen. Mehrere Transistoren mit zusammengeschalteten Basen, zusammengeschaiteten Emittern und zusammen geschalteten Kollektoren ergeben einen Verbundtransistor mit vergrößerter effektiver Pasis-Emitterübergangsf lache. Wenn die Widerstandswerte der Emitterwiderstände 18 und 10 im wesentlichen null sind, indem sie lediglich durch den Materialwiderstand, den Kontaktwiderstand und den Zuleitungsdrahtwiderstand gebildet werden, so wird diese Proportionalität der Kollektorströme der Transistoren 12 und 11 auf jeden Fall erhalten.
Der Kollektorstrom des Transistors 1.3, der den in Basisschaltung arbeitenden Transistorverstärkerteil einer aus den Traneistoren 13 und 12 bestehenden Kaskade bildet, ist gleich dem Kollektorstrom des Transistors 12 minus dem Basisstrom des Transistors 13. Letzterer ist eine Komponente des Kollektorstroms des Transistors 12, jedoch nicht des Kollektorstroms des Transistors 13. Der Ausgangsetrom des Stromverstärkers 5 am Ausgang ist dem Betrag nach gleich dem Kollektorstrom des Transistors 13, jedoch mit umgekehrte« Vorzeichen, um der Tatsache Rechnung zu tragen, daß die tatsächliche Stromflußrichtung bei einem npn Transistor der vorausgesetzten Richtung des Ausgangsstromflusses entgegengesetzt ist.
Die Kopplung zwischen dem Eingang 4 und den Kollektoren der Transistoren 11 und 12 ist so ausgebildet, daß die Spannungen an diesen Kollektoren im Betrieb der Schaltung im wesentlichen gleich bleiben. Dies ist wichtig, weil dadurch mit sichergestellt wird, daß das Verhältnis der Transkonduktanzen (Übertragungsleitwerte) der beiden Transistoren fest bleibt. Das ist erwünscht, um sicherzustellen, daß der Stromverstärkungsfaktor des Verstärkers durch Spannungeänderungen oder -Schwankungen am \'erstärkereingang oder -ausgang nicht beeinflußt wird. Nachstehend wird erläutert, weshalb diese Kollektorspannungen gleich bleiben.
Die Kollektorspannungen der Transistoren 11 und 12 sind je in besuff auf die Spannung am Eingang 4 bestimmt. Die Kollektorspannung des Transistors 11 ist weniger positiv als die Spannung
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am Eingang 4 um einen Retrap, der gleich ist dem Spannungsabfall an der Diode 15, die durch den Kollektorstrom des Transistors 11 durchlaßgespannt ist. Die Kollektorspannung des Transistors 12 ist weniger positiv als die Spannung am Eingang 4 um einen Betrag, der gleich ist dem Spannungsabfall am Basis-Emitterübergang des Transistors 13, der durch den Kollektorstrom des Transistors 12 durchlaßgespannt ist. Die Spannungsabfälle an durchlaßgespannten Halbleitersperrschichten (-Ubergängen\ des gleichen Materials sind auch bei unterschiedlichen Geometrien der Sperrschichten und unterschiedlichen Stromdichten der durch sie fließenden Ströme im wesentlichen gleich. Die Kollektorspannungen der Transistoren 11 und 12 sind daher im wesentlichen gleich.
Diese Gleichheit kann gewünschtenfalls noch dadurch verbessert werden, daß man das Verhältnis der effektiven Sperrschichtoder Übergangsflächen der Diode 15 und des Basis-Emitterübergangs des Transistors 13 gleich dem Verhältnis der Kollektorströme der Transistoren 11 und 12 macht. Das heißt, man kann die Stromdichten in der durchlaßgespannten Sperrschicht der Diode 15 und im Basis-EmitterUbergang des Transistors 13 einander angleichen, so daß die entsprechenden Spannungsabfälle einander noch mehr angeglichen sind.
Da die Kollektorspannungen der beiden Transistoren 11 und ebenso wie ihre Basisspannungen und ihre Emitterspannungen im wesentlichen gleich sind, arbeiten diese Transistoren in im wesentlichen identischen Teilen ihrer Arbeitskennlinien. Dies er-■öglicht eine genauere Proportionierung ihrer Kollektorströme, gegeben durch die Proportionierung der relativen Flächen ihrer Basis-Emitterübergänge. Außerdem ist aufgrund der im wesentlichen gleichen Betriebsspannungen der Transistoren 11 und 12 der Leistungsverbrauch Jeder dieser Transistoren der Fläche des Basis-EaitterUbergangs proportional. Die Temperaturen der Transistoren 11 und 12 können daher einander mehr angeglichen werden, als es sonst der Fall wäre. Durch diese Temperaturgleichheit ergibt sich auch eine bessere Proportionierung der Transkonduktanzen der Transistoren 11 und 12, so daß ihr Verhältnis gleich dem Verhältnis der effektiven Basie-EmitterUbergangsflachen der Transistoren ist.
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Figur 2 veranschaulicht eine Möglichkeit, die Halbleiterdiode 15 zu realisieren. Und zwar kann die Diode durch einen Traneistor 15' vom gleichen Ieitungstyp wie der Transistor 11 gebildet werden, wobei die Basis direkt mit dem Kollektor dieses Transistors IV verbunden ist und wobei der Kollektor die Anode und der Emitter die Kathode der Halbleiterdiode 15 bilden. Macht man die effektiven Basis-Emitterübergangsflächen der Transistoren 12 und 13 sowie die effektiven Basis-Emitterübergangsflachen der Transistoren 11 und 15 jeweils einander gleich, so ergibt sich eine im wesentlichen optimale Anpassung der Kollektorspannungen der Transistoren 11 und 12.
Figur 3 veranschaulicht, wie die Halbleiterdiode 15 auf wirt_ schaftlichere Weise in einer monolithisch integrierten Schaltungs_ anordnung realisiert werdeqfkann. Die Halbleiterdiode 15 wird durch einen übergang 30 zwischen einem Kollektorgebiet 31 und einem durch nachträgliche Eindiffusion darin gebildeten Gebiet 3 2 des entgegengesetzten Leitungetyps gebildet. Das Kollektorgebiet ist wie üblich mit einer Kollektorelektrode ohraisch kontaktiert (nicht gezeigt). Dies stellt auch den Anschluß an die Kathode der Diode 15 her. Ein ohmscher Kontakt 33 am Gebiet 32 bildet den Anschluß an die Anode der Diode 15· (Baut man den Stromverstärker 5 mit pnp-Transistoren statt mit npn-Transistoren auf, so kann eine durch Kollektorstrom durchlaßgespannte Diode in einem pnp-Lateraltran sistor auch durch Eindiffundieren des Diodenkathodengebiets in das Kollektorgebiet des Transistors realisiert werden.) Ein Basisgebiet 34 und ein Emittergebiet 35 sind mit ohmschen Kontakten 3^ bzw. 37 versehen.
Die Grundanordnung läßt sich in verschiedener Hinsicht abwandeln. Beispielsweise können der Transistor 13 und der als Diode geschaltete Transistor 15' aus Verbundtransistoren bestehen, die je durch eine Darlington-Kaskadenschaltung gebildet werden. Ferner kann die Direktverbindung 16 durch einen Emitterfolger, einen Widerstand, eine durchlaßgespannte Diode oder eine sperrgespannte Diode ersetzt werden.
Die Basen der Transistoren 11 und 12 können statt Über die
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Direktverbindung l6 und die Diode 15 auch über z.B. einen Emitte£ folger oder eine Diode galvanisch (gleichstromleitend) an den Eingang 4 angeschlossen sein. Entsprechende Ausführungen sind in der RCA Corporation Technical Note No. 914 mit dem Titel "Current Mirror Amplifier Circuits" (zur Post gegeben am 24. August 1072) dargestellt.
Statt auf einen Verstärker mit zwei Transistoren (11 und 12), außer den Bauelementen 1.1 und IS, ist die Erfindung gleichermaßen auch auf andere äquivalente Anordnungen anwendbar. Feispielsweise können in der Praxis der Transistor 12 aus zwei oder drei oder mehr parallelleitenden Transistoren und der Transistor 11 aus einem einzigen Transistor bestehen. Ferner kann die Basis-Emitter-Ubergangsflache des Transistors 12 erheblich größer (oder kleiner) als die des Transistors 11 ausgebildet sein. Durch all dies wird zwar der Stromverstärkungsfaktor des Verstärkers, nicht dagegen das erfindungsgeraäße Wirkungsprinzip beeinflußt.
Der Ausdruck "Halbleiterdiode" schließt einen als Diode geschalteten Transistor ein, und der Ausdruck "Transistor" schließt Verbundtransistoren, die durch untereinander verschaltete Einzeltransistoren gebildet sind, ein.
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Claims (7)

Patentansprüche
1. Stromverstärker mit zwei Transistoren des gleichen Leitungstyps, deren einer mit seinem Kollektor gleichstrotaleitend an den Eingang und deren anderer mit seinem Kollektor gleichstromleitend an den Ausgang des Verstärkers angekoppelt ist und deren Emitter über einen gemeinsamen Anschluß gleichstromleitend mit einem Bezugspotentialpunkt verbunden sind, sowie mit einer den Kollektorstrom des ersten Transistors auf einen dem Eingangsstrom am Eingang im wesentlichen gleichen Wert einregelnden Anordnung, die einen gleichartigen Direktanschluß der Basen der beiden Transistoren an den Eingang enthält, und mit einer an den Ausgang angeschlossenen Anordnung zum Empfang des Ausgangsstromes, dadurch geke nnzeichnet, daß in die gleichstromleitenden Koppelwege zwischen den Kollektoren der beiden Transistoren (11, 12) einerseits und dem Eingang (4) bzw. Ausgang (6) des Verstärkers andererseits eine Ausgleichsanordnung (15, 1.1) eingeschaltet ist, welche die Kollektorspannungen der beiden Trari sistoren bis auf eine Differenz, die wesentlich kleiner ist als der Spannungsabfall an einer durchlaßgespannten Halbleitersperrschicht, einander angleicht.
2. Stromverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Ausgleichsanordnung eine den Eingang (4) «it dem Kollektor des ersten Transistors (11) verbindende Halbleiterdiode (15) in solcher Polung , daß sie durch den Kollektorstrom des ersten Transistors durchlaßgespannt wird, und einen dritten Transistor (13) enthält, der mit seiner Basis an den Eingang (4), mit seinem Emitter direkt an den Kollektor des zweiten Transistors (12) und mit seinem Kollektor an den Ausgang (6) angeschlossen ist.
3. Stromverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Ausgleichsanordnung einen dritten (15') und einen vierten (13) Transistor vom gleichen Lei-
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tungstyp wie der erste (11) und der zweite (12) Transistor enthält, wobei der Kollektor des dritten Transistors (15') an den Eingang (4), der Kollektor des vierten Transistors (13) an den Ausgang (6) angekoppelt, der Emitter des dritten Transistors an den Kollektor des ersten Transistors (11), der Emitter des vierten Transistors an den Kollektor des zweiten Transistors (12) angeschlossen und die Hasen des dritten und des vierten Transistors mit dem Eingang (4) gleichartig direktverbunden sind.
4. Stromverstärker mit zwei Transistoren, deren Basen zusammengeschaltet und deren Emitter an einen Bezugspotentialpunkt angeschlossen sind, wobei zwischen den Basen der beiden Transistoren und dem Kollektor des ersten der beiden Transistoren eine Gegenkopplung vorgesehen ist, gekennzeichnet durch eine Anordnung, die eine feste Beziehung zwischen den Transkonduktanzen der beiden Transistoren (11, 12) aufrechterhält und eine Koppelschaltung zwischen Eingang (4) und Ausgang (6) des Verstärkers einerseits und den Kollektoren der beiden Transistoren andererseits enthält, derart, daß die Kollektoren der beiden Transistoren im wesentlichen gleiche Betriebsspannungen haben.
5. Stromverstärker nach Anspruch 4, dadurch ge-· kennzeichnet, daß die Koppelschaltung eine in Durch_ laßrichtung zwischen den Eingang (4) und den Kollektor des ersten Transistors (11) geschaltete erste Diode und eine in Durchlaßrichtung zwischen den Eingang (4) und den Kollektor des zweiten Transistors (12) geschaltete zweite Diode enthält.
6. Stromverstärker nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet , daß die zweite Diode durch die Basis-Emitterdiode eines mit seinem Kollektor an den Ausgang (6) angeschalteten dritten Transistors (13) gebildet ist.
7. Stromverstärker nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet , daß die Gegenkopplung aus einer gleich stromleitenden Verbindung (16) besteht. '
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CA (1) CA1001240A (de)
DE (1) DE2309154B2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2530601A1 (de) * 1974-07-22 1976-02-05 Philips Nv Verstaerkerschaltung

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3916331A (en) * 1973-12-26 1975-10-28 Texas Instruments Inc Low power, high impedance, low bias input configuration
US3940683A (en) * 1974-08-12 1976-02-24 Signetics Corporation Active breakdown circuit for increasing the operating range of circuit elements
US3936725A (en) * 1974-08-15 1976-02-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Current mirrors
US3971979A (en) * 1974-10-10 1976-07-27 Esterline Corporation Current/voltage transducer
JPS5812771B2 (ja) * 1975-04-02 1983-03-10 ソニー株式会社 ニユウリヨクレベルヒヨウジカイロ
DE2547176C3 (de) * 1975-10-22 1987-12-03 Signetics Corp., Sunnyvale, Calif. Aktive Bipolartransistoranordnung
JPS5272458U (de) * 1975-11-27 1977-05-30
US4188588A (en) * 1978-12-15 1980-02-12 Rca Corporation Circuitry with unbalanced long-tailed-pair connections of FET's
JPS5838648Y2 (ja) * 1979-02-14 1983-09-01 パイオニア株式会社 増幅器
US4242643A (en) * 1979-04-09 1980-12-30 Rca Corporation Variable gain current amplifier
JPS5674020A (en) * 1979-11-16 1981-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Leakage detector circuit
US4334198A (en) * 1980-04-24 1982-06-08 Rca Corporation Biasing of transistor amplifier cascades
US4345217A (en) * 1980-08-05 1982-08-17 Motorola, Inc. Cascode current source
US4331913A (en) * 1980-10-02 1982-05-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Precision negative impedance circuit with calibration
NL8006164A (nl) * 1980-11-12 1982-06-01 Philips Nv Inrichting voor het reproduceren in een uitgangscircuit van een in een ingangscircuit vloeiende stroom.
US4361771A (en) * 1980-11-24 1982-11-30 Honeywell Inc. Voltage summation circuit
US4389619A (en) * 1981-02-02 1983-06-21 Rca Corporation Adjustable-gain current amplifier for temperature-independent trimming
US4366444A (en) * 1981-02-02 1982-12-28 Rca Corporation Temperature-independent current trimming arrangement
JPS58181306A (ja) * 1982-04-16 1983-10-24 Hitachi Ltd 電気回路及びそれを用いた信号処理回路
FR2558659B1 (fr) * 1984-01-20 1986-04-25 Thomson Csf Circuit de polarisation d'un transistor a effet de champ
JPH0624298B2 (ja) * 1986-09-02 1994-03-30 株式会社精工舎 電流増幅回路
US4837496A (en) * 1988-03-28 1989-06-06 Linear Technology Corporation Low voltage current source/start-up circuit
US5248932A (en) * 1990-01-13 1993-09-28 Harris Corporation Current mirror circuit with cascoded bipolar transistors
US5134310A (en) * 1991-01-23 1992-07-28 Ramtron Corporation Current supply circuit for driving high capacitance load in an integrated circuit
GB9809438D0 (en) * 1998-05-01 1998-07-01 Sgs Thomson Microelectronics Current mirrors
US6417702B1 (en) * 1999-04-13 2002-07-09 Concordia University Multi-mode current-to-voltage converter
US9310817B2 (en) * 2014-02-04 2016-04-12 Synaptics Incorporated Negative voltage feedback generator

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1141338B (de) * 1960-04-08 1962-12-20 Siemens Ag Albis Transistorverstaerker mit stabilisiertem Arbeitspunkt
US3531730A (en) * 1969-10-08 1970-09-29 Rca Corp Signal translating stage providing direct voltage

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2530601A1 (de) * 1974-07-22 1976-02-05 Philips Nv Verstaerkerschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
US3835410A (en) 1974-09-10
JPS4991570A (de) 1974-09-02
DE2309154B2 (de) 1976-07-15
CA1001240A (en) 1976-12-07

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