DE1467262A1 - Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefaerbten Zentren von Ein- und Mehrkristallen mit Perowskitstruktur oder perowskitaehnlicher Struktur - Google Patents

Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefaerbten Zentren von Ein- und Mehrkristallen mit Perowskitstruktur oder perowskitaehnlicher Struktur

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DE1467262A1 DE19641467262 DE1467262A DE1467262A1 DE 1467262 A1 DE1467262 A1 DE 1467262A1 DE 19641467262 DE19641467262 DE 19641467262 DE 1467262 A DE1467262 A DE 1467262A DE 1467262 A1 DE1467262 A1 DE 1467262A1
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Description

Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefärbten Zentren von Ein- oder Mehrkristallen mit Perowskitstruktur oder porowskitähnlicher Struktur
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zzr Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefärbten Zentren von Ein- oder Hehrkristallen mit Perowskitstruktur oder perowskitähnlicher Struktur der chemischen Formel LnAO,, worin A die dreiwertigen Ionen Ti5+, V5+, Cr3+, Al3+ und Ga3+ und In die dreiwertigen seltenen Erden bedeuten, die aus einem homogenisierten kristallisierten Pulver mittels der Verneuil-Methode erhalten worden sind.
In der deutschen Patentschrift (Patentanmeldung C 30 £55
IVa/12m) sind Methoden zur Herstellung, Veränderung der Färbung sowie Färbung von Perowskit-Einkristallen der Formel InAO, bekannte Dabei bedeutet A die dreiwerigen Ionen !Di3+, V3+, Or3+,
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Neue Untertegen
Al , Ga oder dergleichen, während Ln für die dreiwertigen seltenen Erden stehto
Bekanntlich besitzen die Perowskite eine Kristallstruktur, bei welcher die O^-Ionen Plätze einnehmen, die durch ein besonders stabiles flächenzentriertes kubisches Gritter zur Verfügung gestellt werden,.
Es 1st auf diese Weise möglich, nicht-stöchiometrische LnxACu-Kristalle herzustellen, wobei χ dem Wert von 1 nahekommt. Jedoch sind derartige Kristalle im allgemeinen gefärbt.
Eine Untersuchung der Färbung der Perowskit-Einkristalle hat ergeben, dass diese Färbung entweder auf V-Z en tr en, welche Fehlstellen bei den seltenen Erden entsprechen, oder auf F-Z en tr en, welche Fehlstellen beim Sauerstoff »ntsprechen, oder auf das gleichzeitige Vorliegen von F- und V-S en tr en zurückzuführen ist.
Fehlt im Aufbau eines Einkristalls ein Ion, dann bleibt in dem Kristall eine Anzahl von verfügbaren Elektronen oder Löchern zurück, welche der Elektronenwertigkeit des Ions entspricht. Diese verfügbaren Elektronen oder Löcher helssen Zentren und schwingen mit Iiichtfrequenzen, wodurch die Färbung des Kristalls erzeugt wird.
Baraus ergibt sich, dass zur Verfärbung oder Entfärbung «ines Einkristalls die Beseitigung dieser Zentren erforderlich ist.
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In der genannten deutschen Patentschrift „ 0 0 0 < > o 0 wird ein Verfahren zur Beseitigung dieser Zentren durch Diffusion von positiven Ionen, wie z.B, Protonen, mittels einer Gasdiffusion, beispielsweise einer Wasserstoffdiffusion, in den Kristall bei einer geeigneten Temperatur beschrieben. Ferner schlägt diese Patentschrift vor, zur Beseitigung der genannten Zentren einen leichten Überschuss eines Oxydes der seltenen Erden im Laufe der Bildung des Einkristalles zu verwenden. Auf diese Weise lässt sich ein Kristall, dessen Zusammensetzung stöchiometrisch ist, d.ho, dass dieser Kristall farblos ist, erhalten.
Aus der erwähnten deutschen Patentschrift ist ferner ein Verfahren zur Verfärbung eines Perowskit-Kristalls bekannt, welches in der Dotierung mit Übergangsionen besteht, welche aus den Sulfaten oder Nitraten von Cr, Mn, Fe, Co, U oder den Oxyden oder Salzen von Ti, Nb, Ih oder den Salzen der seltenen Erden bestehen. Die für die Dotierung verwendeten Ionen besitzen die Eigenschaft, Elektronenübergänge im Sichtbaren zu bewirken. Daraus ergibt sich, dass sich ihre entsprechende Absorptionsbande mit derjenigen des Perowskit-Kxistalles ergänzt, wodurch eine Farbänderung des letzteren hervorgerufen wird.
Die vorliegende Erfindung hat sich ein Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefärbten Zentren von EIn- oder Mehrkristallen mit Perowskit-Struktur oder perowskitähnlicher Struktur der chemischen Formel LnAO,, worin A die dreiwertigen
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Ionen Si5+, V3+, Or3+, Al5+ und Ga5+ und Ln die dreiwertigen seltenen Erden bedeuten, die aus einem homogenisierten kristallin eierten Pulvers mittels der Verneuil-Methode erhalten worden Bind, zum Ziel gesetzt, wobei dieses Verfahren dadurch gekennzeichnet 1st, dass man zuerst vor der Kristallisation dieses I1Ulvers Ionen A und/oder Itn durch Ionen ersetzt, die eine Wertigkeit Über 3 aufweisen und keine oder wenig Absorptionsbanden im Sichtbaren haben, und dann diese Ionen zum maximalen Wertigkeitszustand oxydiert.
Ionen, welche keine Absorptionsbande im Sichtbaren aufweisen, bewirken keine Veränderung der färbung. Wird jedoch ein Ion mit einer Wertigkeit von grosser als 3 auf den Platz der Ionen Ar+ oder Ln5+ gebracht, dann kann dieses Ion wenigstens ein Elektron abgeben, das ein Farbzentrum vernichtet. Durch die Verwendung einer geeigneten Anzahl von Ionen mit Edelgaskonfiguration und von einer Wertigkeit grosser als 3 kann man somit alle Parbzentren vernichten und eine völlig« Entfärbung erreichen. Erfindungsgemäss sind die Ionen A'- und Ln1 -Ionen solche Ionen, welche eine Edelgaskonfiguration besitzen,, Dabei werden als derartige Ionen, falls sie auf die Plätze der Α-Ionen gebracht werden, Zr4+- und Hf^+-Ionen bevorzugt. Werden diese Ionen auf die Plätze der Ln-Ionen gebracht, so sind 2h7+-Ionen zu bevorzugen.
Erfindungsgemass sind die verwendeten A«-Ionen mehrwertige Ionen
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von Obergangsmetallen, insbesondere Ti4+, Mo6+, Mn4+, W6+, Su4+, Ee6+ und Ir4+.
Erfindungsgemass sind die in'-Ionen mehrwertige Ionen der Lanthaniden und Aotiniden, insbesondere Ce4+ und Tb4+.
Jedoch haben einige der mehrwertigen Ionen der Übergangsmetalle, wie ]«h4+, Hu4+, Re6+, Ir4+, Oe4+ oder Tb4+ den Nachteil, Absorptionsbanden in der Nähe des Sichtbaren aufzuweisen, die zuweilen hinderlich sein können, wenn dies auch weniger stark als beispielsweise bei den V-Zentren der EaIl ist.
Erfindungsgemäss besteht das zur Vernichtung der die Färbung hervorrufenden Zentren verwendete Verfahren darin, dass in einem ersten Schritt das Ferowskit-Pulver vor der Kristallisation mit den obengenannten Zusatzionen dotiert wird und in einem zweiten Schritt diese Ionen zum Zustand der maximalen Wertigkeit oxydiert werden.
Die Dotierung kann für die Zusatzionen V5+, Mo6+, W6+, Mh4+, Bu4+, He6+, Ir4+, Ce4+, Th4+ durch Lösung aus ihren Salzen oder für die Ionen Ti4+, Zr4+, Hf4+, Nb5+, Ta5+, Th3+ durch Mischen der Oxyde im Laufe der Homogenisierung erfolgen, die der kristallinen Wachstumsphase vorangeht.
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Der OxydationsvorgazLg ka&n in einem Glühen der Kristalle oder der kerainilcartigen Substanzen in Luft oder in einer Säuerst off atmosphäre zwischen 500 und 1500«G bestehen.
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Die praktische Durcbfiihrung des Verfahrens der Erfindung ein-Bohliesslich der Herstellung des Ausgangsmaterials verläuft wie folgt:
a) Man stellt nach der Arbeitsweise der Patentanmeldung
0 30 655IVa/12m ein Kristallpulvar her, wobei man möglichst genau stöchiometrisohe Bedingungen einhält.
b) Man entnimmt eine Probe dieses Pulvers und kristallisiert es gemäss Patentanmeldung C 30 655IVa/12m,
c) Man nimmt das Absorptionsspektrum des erhaltenen Kristalles, der normalerweise durch das Vorliegen von gefärbten Zentren farbig ist, auf.
d) Man entfärbt dann den Kristall durch Diffusion bei hoher Temperatur mit Wasserstoff oder Kohlenstoff gemäss Patentanmeldung C 30 655 IVa/12m.
e) Man nimmt wieder Absorptionsspektrum auf,
f) Man stellt den Unterschied zwischen den beiden Absorptionsspektren fest.
g) Durch Anwendung der !formel von Smakula bestimmt man die Anzahl der gefärbten Zentren/ccm, welche die Probe aufweist.
i) Man bestimmt die Anzahl der Fehlstellen (drei Fehlstellen entsprechen einem gefärbten Zentrum).
j) Durch die Formel T = 3 HL berechnet man dann die Anzahl T der Dotierungsionen, die für die Probe notwendig sind, um die gefärbten Zentren zu beseitigen, je nachdem wie der Wert von V über 3 liegt.
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A.
k) Durch einen einfachen Dreisatz berechnet man Y für den Rest des Pulversο
1) Man fügt T Ionen mit einer Wertigkeit über 3, welche keine oder wenig Absorptionsbanden im Sichtbaren besitzen» dem Pulver für den herausteilenden Kristall oder die herzustellenden Kristalle au und kristallisiert dann nach dem Verfahren der Patentanmeldung C 30 655IVa/ 12m und erhält, nachdem man vorher gegebenenfalls in Sauerstoff geglüht hat, einen Kristall, der keine gefärbten Zentren mehr aufweist.
Sie Formel von Smakula ist wie folgtι
ff. f β 1,29 MO17' η max W
2TiT2
Hierin bedeuten:
Ht Anzahl der gefärbten Zentren f: Schwingungsenergie der gefärbte* Zentren
n: Brechungsindex für die Wellenlänge, welche der maximalen Absorption entspricht,
maxi Absorption in cm im Peak dar Absorptionsbande Ws Grosse der Absorptionsbande in der Kitte der Höhe in eVo (Tür nähere Einzelheiten VgI0 "Color Centers in Solids", Schulman und Compton, Pergamin Press, 1 $62, Seite 56) β
Auf diese Weise wurden folgende Vexbindungen hergestellt;
Al LAO3 Al Y O3
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Al GdO* Or LaO, Ga LaO^
wobei in allen Fällen eine vollständige Beseitigung der gefärbten Zentren erzielt wurde.
Beispiel
Lanthanaluminat wurde durch Dotieren mit Tbr* entfärbt, wobei das Gemisch der Oxyde im Verlauf der Homogenisierung, also vor der Züchtung des Kristalls, zugefügt wurde. Es wurde γοη einer Mischung von AIpO, und Ia2O^ in praktisch stöchlometrisohem Verhältnis ausgegangen. Von diesem Gemisch wurde zur Bestimmung der Zahl der Fehlstellen eine Probe entnommen, homogenisiert, calciniert und zu einem Kristall verarbeitet. Dann wurde spektroskopisch die Ατι«^τπ der gefärbten Zentren, also die Zahl η der gefärbten Zentren pro Gittereinheit, bestimmt« Der Wert betrug η = 1/100, was bedeutet, dass HL·, die Amwlfl der Fehlstellen, 1/300 betrag, da die das Kristallgitter bildenden Ionen dreiwertig waren«
Für das zur Dotierung benutzte Ih wurde dann nach folgender Gleichung·
berechnet, dass zur Ergänzung der Ionen La5+ eine Menge von I/IOO gNol Al2O^, bezogen auf das in der verbleibenden Mischung enthal-
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tene Al2O, und eine molekular äquivalente Menge an (39102)2 2^" gegeben werden musste, wobei aus praktischen Gründen eher ein leichter Überschuss der Brgänzungsionen zugegeben wird, der jedoch stehts unter 3 # liegt. Sas Holverhältnis AlgOj/IhOg betrug 1:2„
Nachdem auf diese Weise die Gesamtmenge des Ausgangsmaterials mit der an einer Probe bestimmten richtigen Menge der Ergänzungsionen versehen wax, wurde das ganze Gemisch homogenisiert und zu Kristallen gezüchtet. Sie verwendeten Mengen der Stammsubstanzen sowie die Herstellungstieise ist in der nachfolgenden Tabelle angegeben»
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CD CD O
gewicht Al HH4 (S04)2
Γ2Ο3
Cr 5H4 (S04)2 12 HgO Oa2O3 Volumen
ΗΒΓ03 JJH40H
T '.jzuvj. :at.dren Irocknung Vorerhltsning Glühen
Herstellung der Pulver
AlTO3 AlGdO3
906,66 g 906,66 g 906,66 g 325,84 g
225,84 g
361,80 g CrLaO.
325,84 g
956,76 g
GaLaO,
325,84 g
187,44 g
1,41
1,51		 1,41
1»51		 1,41
1»51		 1,41
1,5t		 Gemisch der Oxyde
ohne Auflösen
300°C 300°C 300°C 300°C
1000°C 1000«C 1000°C 1000°C
175Ο·Ο 175O°C 175OeC 175O°C 1650°0
Die Ionen Ih4+, Ia4+, Zr4+ und Hb^+ können getrennt oder gleichzeitig zur Dotierung der fünf in der vorstehenden tabelle angegebenen Verbindungen verwendet werden 0
In gleicher Weise wurde Lanthanaluminat mit Zr*+-Ionen sowie mit O!a^+-Ionen (ohne gesondertes Glühen) und Nb^+-Ionen (mit gesonderten Glühen) dotiert, wobei die Glühbehandlung bei einer Temperatur oberhalb 1250°0 in einer Atmosphäre aus reinem Sauerstoff durchgeführt wurde.
Versuche mit den anderen in der Tabelle aufgeführten Substanzen ergaben bei Dotierung mit den vier angegebenen Ionenarten praktisch gleiche Ergebnisse, was teilweise auf die Isomorphie der seltenen Erden und, andererseits auf die Äquivalenz der chemischen Eigenschaften dieser Kristalle zurückzuführen sein dürfte.
In der beigefügten Zeichnung zeigen Figur 1-4 die Absorptionskurven von Lanthanaluminat, das mit Zr4+ dotiert war und bei welchem kein gesondertes Glühen in Sauerstoff atmosphäre erfolgte, sondern die Kristallzüchtung nach der Verneuil-Methode zugleich diese Glühstoffe ersetzte.
Figur 1 zeigt die Absorptionskurve eines Lanthanaluminat-Ausgangsmaterials, das nach der Verneuil-Methode und in der deutschen Patentschrift . βββ .Φβ (Patentanmeldung 0 30 655 IVa/12m) beschriebenen Weise hergestellt war.
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Pigur 2 zeigt das gleiche Lanthanaluminat nach Entfernung der gefärbten Zentren durch Diffusion mit Wasserstoff gemäss der deutschen Patentschrift . ... ... (Patentanmeldung 0 30 655 IVa/12a]
figur 3 zeigt das gleiche Lanthanaluminat» wobei jedoch die Entfärbung durch Diffusion mit Kohlenstoff (als CO) statt mit Wasserstoff erfolgte.
figur 4 zeigt die Absorptionskurve eines Lanthanaluminatkristalls» der erfindungsgemäss mit Zr -Ionen dotiert worden war.
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Claims (1)

  1. Patentanspriiche
    1. Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefärbten Zentren von Ein- oder Mehrkristallen mit Perowskitstruktur oder perowskitähnlicher Struktur der chemischen Formel InAO-, worin A die dreiwertigen Ionen Ti , V , Cr , XL und Ga^+ und Ln die dreiwertigen seltenen Erden bedeuten, die aus einem homogenisierten kristallisierten Pulver mittels der Verneuil-Methode erhalten sind, dadurch gekennzeichnet, dass man zuerst vor der Kristallisation dieses Pulvers Ionen A und/oder Ln durch Ionen ersetzt, die eine Wertigkeit über 3 aufweisen und keine oder wenig Absorptionsbanden im Sichtbaren haben und dann diese Ionen zum maximalen Wertigkeitszustand oxydiert,
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl Y der ersetzten Ionen A und/oder Ln durch die Formel Y =: bestimmt wird, worin HL die Anzahl der Fehlstellen und V die maximale Wertigkeit der Zusatzionen bedeuten,
    3β Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet,
    dass als Dotierungsicneu solche von Edelgaskonfiguration, insbesondere Zr , Hf4+ oder TiT+, verwendet werden.
    4. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass
    Unterlegen (Art 7 § I Abs. 2 Nr. l Satz 3 des Änderung«, v. 4. ft \»ί> ι)
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    ale Dotierungsionen mehrwertige Ionen von Übergangaelementen, insbesondere Ei4+, V5+, Nb5+, Ta
    Ru4+ und Ir4+, verwendet werden.
    insbesondere Ei4+, V5+, Nb5+, Ta5+, Mo6+, W6*, Mn4+, He6+,
    5«, Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Dotierungsionen mehrwertige Ionen von Lanthaniden oder Actiniden, insbesondere Ce4+ und üJb , verwendet werden.
    6. Verfahren nach Anspruch 4- und 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung in Lösung ausgehend von den Salzen der Ionen V5+, Mo6+, W6+, Ma4+, Ru4+, Ir4+, Oe4+, 5Ib4+ und Be , durchgeführt wird.
    7* Verfahren nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass zur Entfärbung die Dotierung durch Mischen der Oxyde im Verlauf der Homogenisation, welche der Eriatallwachstumsphase vorausgeht, für die Ionen Ti4+, Zr4+, Hf4+, Hb5+, Ta5+ und Ih4+, durchgeführt wird.
    8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Qxydationsphase während der Anwendung der Verneuil-Methode stattfindet·
    9. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden An- . Sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydationsphase auf die Anwendung der Verneuil-Methode folgt und in einem
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    Glühen dee Kristalle In Luft oder Sauerstoff bei einer Temperatur zwischen 500 und 1500°0 besteht.
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DE19641467262 1962-08-10 1964-08-10 Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen hervorgerufenen gefaerbten Zentren von Ein- und Mehrkristallen mit Perowskitstruktur oder perowskitaehnlicher Struktur Pending DE1467262A1 (de)

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NL (1) NL6411050A (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE793007A (fr) * 1971-12-20 1973-06-19 Union Carbide Corp Procede pour modifier l'aspect de cristaux de corindon et cristaux ainsi obtenus
US3950596A (en) * 1971-12-20 1976-04-13 Astrid Corporation, Limited Altering the appearance of corundum crystals
US4039726A (en) * 1974-05-08 1977-08-02 Astrid Corporation, Limited Altering the appearance of corundum crystals
BE840444A (fr) * 1975-04-08 1976-10-07 Compositions catalytiques d'oxyhalogenures de metaux ayant une structure de perovskite
US4178187A (en) * 1977-03-09 1979-12-11 General Electric Company Mixed oxide compound NdAlO3 for casting advanced superalloy materials
US4108676A (en) * 1977-03-09 1978-08-22 General Electric Company Mixed oxide compounds for casting advanced superalloy materials
US4197957A (en) * 1978-12-26 1980-04-15 Gte Laboratories Incorporated Vacuum tight assembly
US4211758A (en) * 1978-12-26 1980-07-08 Gte Laboratories Incorporated Ceramic compositions and articles prepared therefrom
FR2469477A1 (fr) * 1979-11-09 1981-05-22 Rhone Poulenc Ind Procede de fabrication de grenat polycristallin, grenat polycristallin et monocristal correspondant
FR2469478A1 (fr) * 1979-11-09 1981-05-22 Rhone Poulenc Ind Procede de fabrication de grenat polycristallin comportant l'aluminium et/ou le gallium et/ou l'indium et au moins un element pris dans le groupe constitue par les terres rares et l'yttrium, monocristaux correspondants
US4525460A (en) * 1982-02-26 1985-06-25 Petrosian Ashot G Single-crystal material based on aluminium garnets
US5238527A (en) * 1990-07-19 1993-08-24 National Institute For Research In Inorganic Materials Lanthanum boride type single crystal and method for growing the same
IT1277836B1 (it) * 1995-03-13 1997-11-12 Colorobbia Italiana Spa Alluminati di ittrio e/o terre rare a struttura perovskitica, loro preparazione e uso come pigmenti
FR2756270B1 (fr) * 1996-11-22 1999-03-26 Rhodia Chimie Sa Compose du type lamo3, m etant l'aluminium, le gallium ou l'indium, sous forme poudre ou sous forme frittee, son procede de preparation et son utilisation en tant que conducteur d'oxygene
US9024526B1 (en) 2012-06-11 2015-05-05 Imaging Systems Technology, Inc. Detector element with antenna
CN112661510B (zh) * 2021-01-11 2022-08-23 内蒙古科技大学 一种铝酸镧绿色陶瓷及其制备方法和应用

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL292372A (de) * 1962-05-07 1900-01-01

Also Published As

Publication number Publication date
NL6411050A (de) 1965-03-24
US3420780A (en) 1969-01-07
BE650311A (de) 1965-01-11
US3386919A (en) 1968-06-04
DE1234699B (de) 1967-02-23
BE635034A (de)
FR84376E (fr) 1965-01-29
GB1086354A (en) 1967-10-11
GB1042586A (en) 1966-09-14
LU44083A1 (de) 1963-09-18

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