DE1458546B1 - Verfahren zur Herstellung von zusammengesetzten Halbleitertraegern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von zusammengesetzten Halbleitertraegern

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DE1458546B1
DE1458546B1 DE1963N0023640 DEN0023640A DE1458546B1 DE 1458546 B1 DE1458546 B1 DE 1458546B1 DE 1963N0023640 DE1963N0023640 DE 1963N0023640 DE N0023640 A DEN0023640 A DE N0023640A DE 1458546 B1 DE1458546 B1 DE 1458546B1
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annealing
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metal part
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Paul William Nippert
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Nippert Electric Products Co
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Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung ling ohne vorherige zusätzliche Warmaushärtung in
von zusammengesetzten Halbleiterträgern hoher elek- seine endgültige Form gebracht,
irischer Leitfähigkeit und hoher mechanischer Festig- Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des er-
keit auch bei hoher Temperatur aus einer Legierung findungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß der
mit 0,01 bis 0,15% Zirkonium und einer Restmenge 5 Halbleiterträger nach dem Löten und Abkühlen im
von hochreinem Kupfer, dessen Leitfähigkeit gleich Durchlaufofen zur Bildung eines Schafts und eines
derjenigen elektrolytisch gereinigten Kupfers ist, an Kopfes, an dem der Metallteil angelötet ist, in einem
denen ein Metallteil befestigt ist, wobei zum Lösungs- Gesenk geschmiedet wird, daß dem Kopf sechseckige
glühen der Halbleiterträger durch einen Schnellerbit- Gestalt gegeben wird und daß der Schaft mit einem Ge-
zungsbereich eines eine reduzierende Atmosphäre be- ίο winde versehen wird.
sitzenden Ofens hindurch bewegt und der Halbleiter- Vorteilhaft ist es, wenn auf einer Seite des Rohlings träger danach durch eine im Ofen vorgesehene Kühl- ein von einer ringförmigen Oberfläche umgebener Vorzone tieferer Temperatur transportiert wird, die eben- sprung gebildet wird, der Lotring und der Metallteil falls eine reduzierende Atmosphäre aufweist. vor dem Lösungsglühen um den Vorsprung herum auf
Bei einem derartigen Verfahren ist die Erfindung da- 15 die ringförmige Oberfläche gelegt wird und nach dem
durch gekennzeichnet, daß vor dem Hindurchbewegen Glühen, Löten und Abkühlen auf der dem Vorsprung
des als Rohling vorliegenden Halbleiterträgers durch gegenüberliegenden Seite ein Schaft gebildet wird,
den Schnellerhitzungsbereich zunächst ein Loteinsatz Besonders günstige Ergebnisse werden erzielt, wenn
auf ihn aufgebracht und danach ein Metallteil auf den die hohe Temperatur im Schnellerhitzungsbereich auf
Loteinsatz aufgebracht wird, so daß der Metallteil 20 732 bis 8430C, vorzugsweise etwa 8000C, und die
während des Lösungsglühens mit dem Rohling ver- niedrige Temperatur in der Kühlzone auf 66 bis 1210C
lötet wird, und daß die tiefere Temperatur auf einen gehalten wird.
Wert eingestellt wird, der einerseits so tief liegt, daß Dabei tritt bei z.B. 8050C Glühtemperatur ober-
das Zirkonium im Kupfer in Lösung gehalten wird, halb 0,05% Zirkonium praktisch nur noch eine ge-
und andererseits so hoch liegt, daß der zusammenge- 25 ringe Abhängigkeit vom Zirkoniumgehalt auf, weil ein
setzte Halbleiterträger gleichzeitig gehärtet wird, wobei darüber hinausgehender Zirkoniumgehalt nicht in
in der kühleren Zone eine das Auftreten von Rissen Lösung übergeht und mithin die elektrische Leitfähig-
verhindernde gleichmäßige Abkühlung vorgenommen keit nicht beeinflußt,
wird. Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung er-
Gemäß einer speziellen Ausführungsform der Er- 30 geben sich aus der folgenden Beschreibung an Hand der
findung lassen sich aus einer Kupfer-Zirkonium-Le- bevorzugten Ausführungsformen derselben darstellen-
gierung bestehende elektrische Leiter, wie sie in der den Zeichnungen. Es zeigen
deutschen Auslegeschrift 1 090 437 beschrieben sind, F i g. 1 bis 7 aufeinanderfolgende Stufen der Ver-
nach dem erfindungsgemäßen kontinuierlichen Ver- arbeitung eines aus einer erfindungsgemäß zu verwen-
fahren herstellen, wobei die reduzierende Atmosphäre 35 denden Kupferlegierung bestehenden Rohlings
aus Wasserstoff besteht. (F i g. 1) zu einem fertigen, zusammengesetzten HaIb-
Es hat sich gezeigt, daß sich durch diese spezielle leiterträger (F i g. 7),
Glühofenbehandlung von Rohlingen elektrische Leiter F i g. 8 ein Schliff bild des Gefüges des Stangenroh-
herstellen lassen, in denen die Zirkonium-Kompo- lings gemäß F i g. 1,
nente während des Abkühlens trotz der verhältnis- 4° F i g. 9 ein Schliff bild des Gef üges des Rohlings
mäßig langsamen Abkühlung im Kühlbereich des Glüh- nach dem Kaltstauchen in die Form gemäß Fig. 2,
ofens in Lösung gehalten wird. Außerdem zeichnen . Fig.;10 ein Schliffbild des Gefüges des Rohlings
sich derartige Leiter durch eine hohe thermische Leit- nach der erfindungsgemäßen Behandlung in einem
fähigkeit von etwa 91,1% I. A. C. S., ein feines Re- Durchlaufofen und
kristalh'satipnsgefüge.miteiner Korngröße von weniger 45 Fig. 11 ein Schliff bild des Gefüges des Rohlings
als 0,020 mm durchschnittlichem Durchmesser und eine nach dessen Kaltverarbeitung zur Ausbildung des
Härte in der Größenordnung von 95,6 Einheiten der Schafts gemäß F i g. 5.
Rockwell-F-Skala nach der Kaltbearbeitung aus. Gemäß den Zeichnungen beginnt die erfindungsge-
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren stellt der Me- mäße Herstellung eines zusammengesetzten Halbleiter-
tallteil z. B. einen Schweißring aus Stahl oder "derglei- 50 trägers mit dem Abschneiden eines in F i g. lmitlObe-
chen Metall dar. zeichneten Rohlings bzw. Werkstücks aus gezogenem
Das In-Lösung-Halten eines Legierungsbestandteils Kupfer-Zirkonium-Stangenmaterial mit 0,01 bis 0,15% mit dem Kupfer tritt lediglich bei dieser Zirkonium- Zirkonium auf eine bemessene Länge. Als Ausgangs-Kupfer-Legierung auf, während die Legierungsbestand- material kann dabei beispielsweise eine in der deutschen teile bei anderen-bekannten Kupferlegrerangeff,1·bei'55 Abüsiegescnrifi l>O90 437 beschriebene Legierung verdenen eine Ausscheidung stattfindet, nicht in Lösung wendet werden.
verbleiben, wenn sie im Anschluß an die Behandlung Um diesen Rohling in die in F i g. 3 dargestellte bei Lösungsglühtemperatux langsam abgekühlt wer- Form zu bringen, in der er einen nach oben abstehenden. ■ den, von einer- ringförmigen Schweißring-Träger-
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird diese neu- 60 fläche 14 umgebenden Vorsprung 12 aufweist, wird artige Eigenschaft in einmaliger Weise zur Erzeugung er zunächst in einer ersten Stauchform in die Form gevon aus mehreren Metallen zusammengesetzten eiek- maß F i g. 2 und anschließend in einer zweiten dertrischen Leitern mit aufgelöteten bzw. verschmolzenen artigen Vorrichtung in die Form gemäß F i g. 3 kalt-Verbindungen bzw. Metallteilen ausgenutzt, da das gestaucht. Es sei jedoch ausdrücklich darauf hingelangsame Abkühlen thermisch bedingte Brüche der 65 wiesen, daß der Rohling innerhalb des Grundgedenkens Verbindungen vermeidet. der Erfindung auch mit Hilfe anderer Einrichtungen
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Er- verformt werden kann,
findung wird der lösungsgeglühte und abgekühlte Roh- Ersichtlicherweise ist nach diesem ersten Verarbei-
3 4
tungsvorgang bereits eine Ringauflagefläche 14 aus- überliegende Metall während des Schaft-Formvorgangs gebildet. Draht- bzw. Stangenstärken von etwa 8,7 mm nicht abwärts gezogen und somit ein Senkloch ver- und etwa 6,2 mm Durchmesser werden jeweils zur An- mieden wird, so daß die Oberfläche 22 des Endabfertigung von Grundabschnitten mit etwa 17,5 mm Schnitts flach bleibt. Wenn aber diese Oberfläche 22 bzw. etwa 11,1 mm Durchmesser verwendet. Die ver- 5 flach bleibt, ist keine maschinelle Bearbeitung dieser formten Teile des Halbleiterträgerrohlings können unter Fläche erforderlich, und es kann eine aus Halbleiter-Einhaltung sehr enger Toleranzen ausgebildet werden. material bestehende Scheibe ohne weitere Oberflächen-
Die beim Stauchvorgang verformten Rohlinge wer- bearbeitung aufgesetzt werden.
den in einen Drahtkorb eingegeben und in einem klei- Nunmehr wird der Schaft 10 auf einem mit einem
nen, herkömmlichen Dampfentfetter unter Verwen- *° Einspannfutter versehenen Schraubenautomaten auf
dung von Trichloräthylen im Dampfbad entfettet. die richtige Länge abgestochen. Weiteres Uberschuß-
AIs nächstes werden die Rohlinge in einen Lötglüh- material braucht nicht entfernt zu werden,
ofen eingebracht, an dessen Eintrittsende ein aus Weiterhin wird mit Hilfe einer Kaltstauchmaschine Drahtgewebe bestehendes Förderband über einen die runde Trägerfläche in die endgültige, Flächen 24 Tisch läuft. Die in den Lötofen einzubringenden Roh- 15 aufweisende Sechseckform gemäß F i g. 6 geschmiedet, linge 10 gemäß F i g. 3 werden hier von Hand mit Während dieses Stauchvorgangs wird gleichzeitig die den Flächen 12,14 nach oben auf das Förderband auf- Auflagefläche auf das richtige Maß geformt. Schließgelegt und mit je einem Ring 16 aus einer Lötlegierung lieh werden mit Hilfe eines Schraubenautomaten Absowie einem Schweißring 18 versehen (F i g. 3). schrägungen an den Kanten des Sechskantkopfs und
Die Lötglühofenkammer wird mit einer Atmosphäre 20 des Schafts angebracht und etwaige Grate entfernt, aus Spaltammoniak (75 Volumprozent Wasserstoff Als letzter Formvorgang werden die Gewinde 26 ge-
^ und 25 Volumprozent Stickstoff) beschickt, das an den maß F i g. 7 auf den Schaft 20 aufgewalzt.
ψ Eintritts- und Austrittsschlitzen brennt. Die Vorteile und der günstige Einfluß des erfin-
Die Temperaturregelung des Ofens erfolgt selbst- dungsgemäßen Verfahrens auf das Behandlungsgut ertätig. Am Eintrittsende der Kammer werden die zu- 25 geben sich aus den Tabellen 1 und 2, die im Verlauf sammengesetzten Teile gemäß F i g. 3 unter Wasser- der Entwicklung des Verfahrens aufgestellt wurden, stoff erhitzt und durch denselben gereinigt, bevor das Diese Versuche beweisen, daß ein verhältnismäßig Silberlot zu schmelzen beginnt und die Lötung im langsames Abkühlen im Gegensatz zum schnellen Abheißen Mittelbereich des Ofens stattfindet. Anschlie- schrecken keinerlei Einfluß auf das Gefüge der Werkßend werden die Werkstücke in der in einer am Aus- 30 stücke und nur einen unbedeutenden Einfluß auf die trittsende des Ofens vorgesehenen Kammer herr- elektrische Leitfähigkeit der nach dem erfindungsgeschenden Wasserstoffatmosphäre so lange abgekühlt, mäßen Verfahren hergestellten Kupfer-Zirkoniumbis sie keine Rotfärbung mehr zeigen, was durch den Halbleiterträger hat, während die Härte durch das Austrittsschlitz beobachtet werden kann. Nach dem Halten bei niedrigeren Temperaturen erhöht wird.
Erreichen dieses Schlitzes gelangen die Werkstücke so- 35 Bei der Durchführung dieser Vorversuche wurde der fort über eine wassergekühlte Förderrolle und fallen stangenförmige Kupfer-Zirkonium-Werkstoff begrain einen Wasserbehälter, woraufhin sie bei Umgebungs- digt und in zehn Proberohlinge unterteilt, von denen temperatur unmittelbar an die Außenluft gelangen. jeder über etwa 6,4 cm lang war, nachdem die während Die gelötete Anordnung ist in F i g. 4 dargestellt. des Ziehens beschädigte Stelle entfernt worden war.
Im heißen Mittelbereich des Glühofens wird die 4° Der Zirkoniumgehalt dieses Werkstoffes lag bei
Temperatur auf 732 bis 843 0C gehalten, wobei etwa 0,07 bis 0,15 %, insbesondere a,ber über 0,05 °/0. ,.;
8000C eine bevorzugte Temperatur für das Herstel- Diese. Werkstücke wurden einer KaIt-Q uerwalz-
lungsverfahren darstellt. Beim Durchlaufen des küh- behandlung unterzogen und erhielten die Form eines
) leren Austrittsbereichs werden die Werkstücke auf etwa 5 mm dicken Streifens. Anschließend wurden die
etwa 66 bis 1210C abgekühlt. Es hat sich gezeigt, daß 45 Stücke einzeln in einer Wasserstoff-Stickstoff-Atmo-
eine Geschwindigkeit des Förderbands von etwa Sphäre etwa sieben Minuten lang bei etwa 805° C ge-
0,46 m über etwa drei Minuten hinweg einen zufrieden- glüht, wobei die Glühbehandlungszeit um nicht mehr
stellenden Abkühlungsvorgang bei der erfindungs- ' als minus 0 bzw. plus 10 Sekunden schwankte. Hierauf
gemäßen Herstellung von Halbleiterträgern dar- wurden<<lie Werkstücke aus dem Glühofen entfernt
stellt. 50 und in kaltes Wasser, eingetaucht bzw. in einem an-
Die aus dem vorgenannten Verfahrensschritt «rhal- - grenzenden Glühofenbereich über eine bestimmte
tenen Werkstücke werden gründlich in Wasser ge- Verzögerungszeitspanne hinweg" bei niedrigerer Tem-
waschen und anschließend in einer kleinen Zentri- . peratur gehalten,'.wie dies in Tabelle 1 angegeben ist.
fugentrommel einer Schleudertrocknung unterworfen. Mit Ausnahme der Probe 10 wurden sämtliche Proben
Sodann werden die gereinigten Teile zusammen mit 55, am Ende der Erhitzungszeitspanne in Wasser abge-
einer abgemessenen Menge an gereinigtem Talg in löscht. Danach wurden die-Werkstücke-kurzzeitig
eine weitere Putztrommel eingegeben, wobei jedes * in 1,1-Salzsäure eingetaucht, um den sehr geringen
Werkstück einen sehr dünnen gleichmäßig verteilten Beschlag zu entfernen.
Film des Schmiermittels annehmen muß. ;, . Nach, ,der Glühbehajidlung; wurden alle Probestücke
Die mit einem Schmierfilm versehenen Rohlinge mit 60 4er-Längenach apf etwa 2,5 mm Dicke ausgewalzt,
angelötetem Schweißring werden anschließend in eine was eine Dickenveprninderung von 50 % darstellt.
Einschlußgesenkform einer schnellarbeitenden Hy- . Danach wurden alle Proben ,gemeinsam ,wieder ,jn
draulikpresse eingegeben, in'welcher durch gleichzeiti- einen Glühofen, in welchenT eine Wasser'stoffatnio-
ges Gesenkschmieden und Strangpressen der Schaft 10 spnäre herrschte, eingebracht und bei 425°C2 Stunden
und die Konfiguration der oberen Trägerfläche 22 ge- 65 lang ausgehärtet (gealtert). Anschließend wurden sie
maß F i g. 5 hervorgebracht werden. U ;;in; Wasseiuabgeschreekt. i-3 -■» Λ
Die Ausbildung des aufwärts abstehenden Vor- - ; Dip Rcekw^H^F-tHärte jeder Probe wurde jeweils
Sprungs 12 hat den; Vorteil, daß das dem Schaft gegen- ; nach dem Kältwalgen, in etwa 5 mm dicke, flache
Streifen nach dem Glühen, nach dem Kaltwalzen mit einer Dickenverminderung von 50°/0 sowie nach der zwei Stunden dauernden Alterungsbehandlung bestimmt. Die Ergebnisse sind aus Tabelle 2 ersichtlich. Schließlich wurden die Proben 1 bis 5 an den Kanten, jedoch nicht an den flachen Seiten, geschliffen und auf eine möglichst geringe Durchbiegung begradigt. Die elektrische Leitfähigkeit dieser Proben wurde bei Raumtemperatur ermittelt und ist in Tabelle 2 angegeben.
Die Gefüge der Proben 1 und 10 waren voneinander nicht zu unterscheiden. Beide Proben wiesen ein rekristallisiertes Gefüge mit einer Korngröße von etwa 0,012 mm durchschnittlichem Durchmesser auf, und bei beiden Proben waren einige verstreute blaue Ausscheidungen vorhanden, vermutlich Cu3Zr, das sich anscheinend nicht gelöst hatte. In keiner der beiden Proben waren neue Ausscheidungen vorhanden.
In den F i g. 8 bis 11 sind in etwa 150facher Vergrößerung typische Gefüge eines Werkstücks bei seiner Verformung zu einem tatsächlich hergestellten elektrischen Leiter in verschiedenen Verformungsstufen dargestellt.
Die elektrische Leitfähigkeit der Probe 1 schien etwas geringer zu sein als diejenige der anderen überprüften Proben. Da es nur schwer möglich war, die Proben mit großer Genauigkeit zu untersuchen, wird angenommen, daß dieser Unterschied nur gering war.
ίο Der einzig mögliche Schluß, der aus den Versuchen gezogen werden konnte, war, daß die Legierung nach dem Lösungsglühen bei etwa 8050C fast vollständig unempfindlich gegenüber der Abschreckgeschwindigkeit ist. Diese Temperatur ist wahrscheinlich zu gering, um maximale mechanische Eigenschaften hervorzubringen, obgleich die elektrische Leitfähigkeit erstaunlich hoch ist. Durch diese Behandlung ergibt sich jedoch ein für den vorgesehenen Zweck sehr zufriedenstellender Werkstoff, wobei die Teile voll-
ao kommen frei von Zunder sind.
Tabelle 1
Härte von aus einer Kupfer-Zirkonium-Legierung bestehenden Werkstücken vor und nach dem versuchsweisen
Lösungsglühen und Aushärten
Probe-
Nr.		 Ursprüngliche
Härtein
Rockwell F		 Härte in
Rockwell F
nach dem
Auswalzen
auf5mmDicke		 Abkühlen nach 7 Minuten
langem Lösungsglühen
bei etwa 8050C in
Wasserstoffatmosphäre		 Härte in Rockwell F
nach dem Glühen
und Abkühlen		 Härte in Rockwell F
nach dem Auswalzen
auf 2,5 mm Dicke		 Härte in Rockw Π F
nach 2 Stunden
Aushärten bei 425° C
1 74,6 92 Abschrecken mit Wasser
von der Lösungsglüh-
Temperatur		 50 94 95,3
2 80,6 93,5 1,5 Minuten lang auf
4250C gehalten, an
schließend mit Wasser
abgeschreckt		 51,6 94 95,6
3 90 92,6 3 Minutenlangauf 425 ° C
gehalten, mit Wasser ab
geschreckt		 52 94,6 95,3
4 89,6 92,6 5Minutenlangauf 425° C
gehalten, mit Wasser ab
geschreckt		 52 95 95
5 90 96 8Minutenlangauf425°C
gehalten, mit Wasser ab
geschreckt		 53 95 96
6 90 95 1,5 Minuten lang auf
1200C gehalten, an
schließend mit Wasser
abgeschreckt		 54 94 94
7 88,6 93,6 3Minutenlangaufl20°C
gehalten, mit Wasser ab
geschreckt		 53,3 95 95
8 89 93,3 5 Minutenlangauf 120° C
gehalten, mit Wasser ab
geschreckt		 54,6 95,3 95
9 89 92,6 8Minutenlangauf 120° C
gehalten, mit Wasser ab
geschreckt		 52 94,6 95,3
10 89 94 Bei Raumtemperatur in
Wasserstoffatmosphäre
abgekühlt		 55 95 95
Tabelle 2
Elektrische Leitfähigkeit des Kupfer-Zirkonium-Werkstücks nach dem Ausglühen und Aushärten*)
Probe
Nr.		 Spezifischer Widerstand
bei 26° C (μΩ/cm)		 Leitfähigkeit
bei 26° C
(Ω-* cm-1 · 10-*)		 Berechneter**)
spezifischer Widerstand
bei 20° C (μΩ/cm)		 Leitfähigkeit
(% IACS)
1
2
3
4
5		 1,883
1,868
1,863
1,863
1,863		 53,1
53,5
53,7
53,7
53,7		 1,84,
1,83χ
1,82.
1,82,
1,82,		 93,4
94,0
94,4
94,4
94,4
*) Glüh- und Aushärtungsverfahren siehe Tabelle 1.
**) Berechnung nach der Formel P1=P2 (1 + aAt).
Mit P1 = spezifischer Widerstand bei 26° C.
P2 = spezifischer Widerstand bei 20° C.
Ein anschließender Versuch wurde mit einem Werkstück aus derselben Kupfer-Zirkonium-Legierung durchgeführt, welches denselben Behandlungsstufen unterworfen wurde, nur mit dem Unterschied, daß die Glühbehandlung in einem kontinuierlich arbeitenden Produktions-Glühofen vorgenommen und die Aushärtungsglühung (2 Stunden lang bei 425° C) weggelassen wurde. Die Glühung erfolgte ebenfalls 7 Minuten lang bei etwa 805 0C und in Wasserstoff-Stickstoff-Atmosphäre.
Zwei Stücke des für die vorangehenden Versuche verwendeten Stangenmaterials mit etwa 8,7 mm Durchmesser wurden in Querrichtung zu einem Streifen von etwa 5 mm Dicke ausgewalzt und geglüht. Anschließend wurden die Streifen in Längsrichtung auf eine Dicke von etwa 2,5 mm ausgewalzt. Die Rockwell-F-Härte nach dem Walzen betrug 95,6 (Durchschnitt von mehreren in Querrichtung vorgenommenen Messungen), wobei die einzelnen Ergebnisse zwischen 95,0 und 95,9+ lagen. Die elektrische Leitfähigkeit wurde nur bei der geradesten der beiden anderweitig identischen Proben (Probe Nr. 12) bestimmt. Die Ergebnisse dieser Messung sind wie folgt:
Probe
Nr.		 Spezi
fischer
Wider
stand bei
26° C,
(μΩ/cm)		 Leitfähigkeit
bei 26° C,
(U-1Cm-1-10-*)		 Berechneter
spezifischer
Widerstand
bei 20° C,
(μΩ/cm)		 Leitfähigket
(% IACS)
12 l,93x 51,8 1,892 91,1
Dieser Versuch lehrt, daß die elektrische Leitfähigkeit der Werkstücke selbst beim Weglassen der Aushärtungsglühung gemäß Tabelle 1 noch sehr hoch ist.

Claims (5)

Patentansprüche: 55
1. Verfahren zur Herstellung von zusammengesetzten Halbleiterträgern hoher elektrischer Leitfähigkeit und hoher mechanischer Festigkeit auch bei hoher Temperatur aus einer Legierung mit 0,01 bis 0,15 °/o Zirkonium und einer Restmenge von hochreinem Kupfer, dessen Leitfähigkeit gleich derjenigen elektrolytisch gereinigten Kupfers ist, an denen ein Metailbaiiteil befestigt ist, wobei zum Lösungsglühen der Halbleiterträger durch einen Schnellerhitzungsbereich eines eine redu= 0,00363 = Temperaturkoeffizient für den Widerstand (gültig für 0 bis 250° C).
At =6 oder P., = ~±- und 0L IACS = —~
100
zierende Atmosphäre besitzenden Ofens hindurch bewegt und der Halbleiterträger danach durch eine im Ofen vorgesehene Kühlzone tieferer Temperatur transportiert wird, die ebenfalls eine reduzierende Atmosphäre aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Hindurchbewegen des als Rohling vorliegenden Halbleiterträgers durch den Schnellerhitzungsbereich zunächst ein Loteinsatz auf ihn aufgebracht und danach ein Metallteil auf den Loteinsatz aufgebracht wird, so daß der Metallteil während des Lösungsglühens mit dem Rohling verlötet wird, und daß die tiefere Temperatur auf einen Wert eingestellt wird, der einerseits so tief liegt, daß das Zirkonium im Kupfer in Lösung gehalten wird, und andererseits so hoch liegt, daß der zusammengesetzte Halbleiterträger gleichzeitig gehärtet wird, wobei in der kühleren Zone eine das Auftreten von Rissen verhindernde gleichmäßige Abkühlung vorgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der lösungsgeglühte und abgekühlte Rohling ohne vorherige zusätzliche Warmaushärtung in seine endgültige Form gebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterträger nach dem Löten und Abkühlen im Durchlaufofen zur Bildung eines Schafts und eines Kopfes, an dem der Metallteil angelötet ist, in einem Gesenk geschmiedet wird, daß dem Kopf sechseckige Gestalt gegeben wird und daß der Schaft mit einem Gewinde versehen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Seite des Rohlings ein von einer ringförmigen Oberfläche (14) umgebener Vorsprung (12) gebildet wird, daß der Lotring (16) und der Metallteil (18) vor dem Lösungsglühen um den Vorsprung herum auf die ringförmige Oberfläche gelegt wird und daß nach dem Glühen, Löten und Abkühlen auf der dem Vorsprung gegenüberliegenden Seite ein Schaft gebildet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die hohe Temperatur im Schnellerhitzungsbereich auf 732 bis 843° C, vorzugsweise etwa SOO0C, und die niedrige Temperatur in der K.ühlzone auf 66 bis 121° C gehalten wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen COPY
009 515/94
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