DE1439959B2 - Verfahren zum herstellen niederohmiger elektrischer kontakte an duennen halbleiterzonen - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum F i g. 2 ist die Seitenansicht des mit pn-Übergän-

Herstellen niederohmiger elektrischer Kontakte an gen versehenen Halbleitermaterials;

dünnen, durch Diffusion erzeugten Zonen in einer F i g. 3 ist die Seitenansicht der Halbleiterscheibe

Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen Halb- mit eindiffundierten Emitterzonen;

leiterkörper. Bei der Herstellung einer jeden Halb- 5 F i g. 4 ist eine Seitenansicht der Scheibe nach

leiteranordnung ist die Erzeugung von mechanisch F i g. 3 und zeigt die epitaktische Schicht gemäß der

stabilen, mit niedrigem elektrischen Widerstand be- Erfindung;

hafteten ohmschen Kontakten an einer Halbleiter- F i g. 5 zeigt in der Aufsicht eine Halbleiterscheibe,

scheibe einer der wesentlichen Schritte. Für kleinere welche zur Trennung der Halbleiterzonen mit Grä-

Halbleiteranordnungen der Nachrichtentecknik wur- io ben versehen und geätzt wurde;

den zu diesem Zwecke eine größere Anzahl von Ver- F i g. 6 ist die Seitenansicht einer Scheibe, die

fahren entwickelt, welche Kontakte ergeben, die im längs der Linie VI-VI in Fig. 5 geschnitten wurde;

Bereich kleiner Ströme und minimaler mechanischer F i g. 7 ist die Seitenansicht einer Halbleiterscheibe

Spannungen brauchbar sind. Andererseits sind aber mit Folienkontakten;

für Leistungshalbleiteranordnungen allgemein an- 15 F i g. 8 ist die Seitenansicht einer Halbleiterscheibe wendbare Herstellungsverfahren nicht bekannt. So wie in F i g. 3, jedoch mit einer Siliciumdioxidschicht, ist in verschiedenen Fällen das Aufschmelzen speziel- welche eine Verfahrensstufe eines anderen Ausfühler Legierungen direkt auf den Halbleiterkörper vor- rungsbeispiels der Erfindung zeigt;
gesehen. F i g. 9 ist die Seitenansicht einer Halbleiterscheibe

Bei allen Halbleiteranordnungen ist es erwünscht, 20 gemäß F i g. 8, die mit einer epitaktischen Silicium-

daß an dem Halbleiterkörper ohmsche Anschlüsse schicht versehen wurde;

mit niedrigem Widerstand vorhanden sind. Dennoch Fig. 10 zeigt die Seitenansicht einer Halbleiterist dies nicht immer zu erreichen. Zum Beispiel wird scheibe nach F i g. 9 mit angebrachten Folienkonbei der Herstellung von Legierungskontakten der takten.

Halbleiterkörper bis zu einer beträchtlichen Tiefe 25 Die Zeichnungen dienen nur zur Veranschau-

geschmolzen, und sehr flache, nicht in den Halb- lichung und sind nicht maßstabgerecht gezeichnet

leiterkörper eindringende Kontakte sind über grö- und besitzen auch nicht untereinander denselben

ßere Flächen schwierig oder überhaupt nicht her- Maßstab.

zustellen. So kann z. B. auf einer sehr dünnen dif- Zur Erleichterung der Beschreibung und des Verfundierten Schicht mit einer Dicke in der Größen- 30 ständnisses wird die Erfindung im Zusammenhang Ordnung von 7,5 μΐη eine Kontaktfolie über eine grö- mit der Herstellung eines Halbleiterblocks aus SiIißere Fläche nicht direkt anlegiert werden, ohne daß cium beschrieben. Selbstverständlich können auch die Schicht von dem Folienmetall durchdrungen andere Halbleitergrundstoffe verwendet werden, so wird. Die Durchdringung der Schicht zerstört aber z. B. Germanium, womit analoge Strukturen aufgedie Eigenschaften der diffundierten Schicht. Deshalb 35 baut werden können. Auch kann das Silicium oder ergibt das direkte Legieren unter diesen Umständen das andere Halbleitermaterial, das verwendet wird, keine brauchbaren Kontakte. so behandelt werden, daß der Leitfähigkeitstyp der

Es ist deshalb die Aufgabe der vorliegenden Er- einzelnen Schichten umgekehrt wie in den Beispielen

findung, ein Verfahren zu schaffen, mit dessen Hilfe liegt; außerdem wird die Erfindung mit Bezug auf

Halbleiteranordnungen, die diffundierte Schichten 40 die Herstellung eines steuerbaren Gleichrichters vom

enthalten, leicht über jede gewünschte Flächenaus- pnpn-Typ beschrieben, obgleich sie allgemein ange-

dehnung mit guten Kontaktanschlüssen mit niedri- wendet werden kann.

gern ohmschen Widerstand versehen werden können, In F i g. 1 ist ein einzelner Siliciumkristall 12 dar-

die z. B. auch in Hochleistungsanlagen angewendet gestellt, der eigenleitend (intrinsic) ist oder ein

werden können. 45 hoher Widerstand und vom p- oder n-Leitungstyp

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- ist. Zum Zwecke der Beschreibung kann angenomlöst, daß auf der Oberfläche der Halbleiteranord- men werden, daß der Körper die Form einer runden nung im Bereich der diffundierten Zone eine Schicht Scheibe hat und eine Dicke zwischen etwa 175 und aus Halbleitermaterial vom gleichen Leitungstyp wie 225 μΐη besitzt. Die Scheibe 12 kann nach bekannten die diffundierte Zone, aber mit einem im Verhältnis 50 Verfahren gewonnen werden. Zum Beispiel kann ein zum Material dieser Zone sehr niedrigen spezifischen einzelner Siliciumkristallstab aus einer Schmelze geWiderstand epitaktisch aufgebracht wird, und daß zogen werden, die mindestens ein Element aus der dann an die epitaktisch aufgebrachte niederohmige Gruppe III oder V des Periodischen Systems je nach Schicht eine Metallfolie anlegiert wird. dem gewünschten Leitungstyp enthält. Wenn eigen-

Aus der Zeitschrift »Proceedings of the IRE«, 55 leitendes Material verwendet wird, ist keine Verun-

Bd. 48 (1960), Nr. 9, S. 1642 und 1643 ist ein Tran- reinigung notwendig. Eine Scheibe kann von dem

sistor bekanntgeworden, der eine epitaktisch nieder- Stab ζ. B. mit Hilfe einer Diamantsäge abgeschnitten

geschlagene Schicht enthält. Durch diese Schicht werden. Danach kann die Oberfläche, wenn notwen-

wird das Schaltverhalten des Transistors verbessert dig, geglättet werden, indem sie geläppt, geätzt oder

und außerdem sein Frequenzbereich erhöht. Das der 60 in ähnlicher Weise behandelt wird Das Silicium kann

Erfindung zugrunde liegende Problem tritt bei dem p-leitend sein und einen spezifischen Widerstand von

bekannten Transistor jedoch nicht auf. größenordnungsmäßig 100 Ohm/cm haben oder

Die Erfindung wird an Hand der folgenden ins η-leitend, mit einem spezifischen Widerstand von

Einzelne gehenden Beschreibung und den Zeich- etwa 20 Ohm/cm. Es kann aber gegebenenfalls auch

nungen näher erläutert. 65 Material mit niedrigerer oder höherer Leitfähigkeit

F i g. 1 ist ein Querschnitt durch eine Halbleiter- verwendet werden.

scheibe, welche zur Herstellung einer Halbleiter- Wenn der Kristall 12 aus η-leitendem Silicium be-

anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung dient; steht, werden p-leitende Schichten auf den gegen-

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überliegenden Flachseiten 14 und 16 erzeugt. Ein wendet, die einen Wasserstoffstrom mit Siliciumtypisches Verfahren, mit dem dies erreicht werden tetrachlorid sättigt. Der Ofen ist mit einer Heizeinkann, besteht darin, die Scheibe oder den Kristall 12 richtung, z. B. einer Hochfrequenz-Heizeinrichtung in einen Diffusionsofen einzubringen, dessen hei- versehen, mit deren Hilfe der Halbleiterkörper auf ßeste Zone auf einer Temperatur im Bereich von 5 eine geeignete Temperatur aufgeheizt werden kann, etwa 1100 bis 1250⁰C liegt, und der eine Atmo- z.B. auf etwa 1150 bis 1280⁰C im Falle von SiIisphäre eines Akzeptormaterials, z.B. Indium, GaI- cium. Der Siliciumkörper wie in Fig. 3 wird auf lium, Aluminium oder Bor enthält. Das Akzeptor- einem Silicium- oder Graphitpodest innerhalb des material kann von einem Tiegel geliefert werden, der Quarzraumes untergebracht. Zunächst wird trockein dem Ofen auf eine solche Temperatur aufgeheizt io ner Wasserstoff durch das Reaktionsgefäß geführt, wird, daß der gewünschte Dampfdruck und die ge- so daß Oberflächenoxide vom Kristall entfernt werwünschte Oberflächenkonzentration des Diffusions- den, zumindest an den Stellen, an denen guter elekstoffes gesichert ist. Bei den üblichen Akzeptorstof- irischer Kontakt gewünscht wird. Eine derartige fen liegt diese Temperatur im Bereich von etwa 600 Behandlung kann z.B. bei 1295°C eine halbe bis 1200° C. Die Akzeptorverunreinigung diffundiert 15 Stunde lang oder langer durchgeführt werden. Dain die Flachseiten 14 und 16 der Trägerscheibe 12 bis nach wird die Temperatur des Siliciumkristalls auf zur gewünschten Tiefe, z. B. 38 bis 50 μΐη, ein. Un- die gewünschte Zersetzungstemperatur des Tetraerwünschte Schichten an den Schmalseiten des Kri- Chlorids abgesenkt, z. B. auf 1250° C.
stalls 12 können durch Läppen oder andere bekannte Das Siliciumtetrachlorid wird auf eine Tempera-Abtragungsverfahren entfernt werden. An den Be- 20 tür aufgeheizt, welche genügend hoch ist, daß es in rührungsflächen der entstandenen p-leitenden Zonen einer Konzentration von etwa 2 Molprozenten in 17 und 18 mit dem Hauptteil 20 des Kristalls 12 wer- den Wasserstoff aufgenommen wird. Das verwenden pn-Übergänge 22 und 24 gebildet. dete Dotierungsmaterial hat zweckmäßigerweise

Danach wird eine Emitterzone in einer der p-lei- ebenfalls die Form eines Chlorides oder Halogenides tenden Zonen durch Eindiffusion eines Donators, 25 und ist vorzugsweise in dem Siliciumtetrachlorid entz. B. Antimon, Arsen, Phosphor o. ä. erzeugt. Die halten, obgleich es auch in einer anderen Sättigungs-Eindiffusion des η-Leitung hervorrufenden Materials vorrichtung eingeführt werden kann. Auf jeden Fall wird in derselben Weise durchgeführt, wie eben im wird genügend Dotierungsmaterial verwendet, daß Zusammenhang mit der Eindiffusion des p-Leitung eine sehr hohe Verunreinigungskonzentration in der erzeugenden Materials beschrieben. Die Emitterzone 3o erzeugten epitaktischen Siliciumschicht entsteht. Zum wird in einem örtlich begrenzten Bereich erzeugt. Beispiel wird im Falle der Verwendung von Arsen Deshalb ist es wünschenswert, diese Diffusion durch als Verunreinigungsstoff eine so große Menge davon eine geeignete Maske hindurch vorzunehmen, damit verwendet, daß seine Konzentration in der epitakder Emitter nur dort, wo er benötigt wird, erzeugt tisch gewachsenen Schicht in der Größenordnung wird. Dies kann leicht erreicht werden, indem man 35 von 5 ■ 10¹⁹ Atomen/cm³ liegt. Nachdem der Wasdie Oberfläche der p-leitenden Zone 17 zu Silicium- serstoff mit dem Siliciumchlorid angereichert wurde, dioxid oxydiert. Eine ausgewählte Fläche des Di- wird er in einer Durchflußmenge von etwa 1 l/min oxids wird entfernt, z. B. durch Ätzung mit Flußsäure in den Reaktionsraum geführt. Unter diesen Bedin- oder durch andere chemische Verfahren, wodurch gungen entsteht eine Schicht 36 aus epitaktisch gedie p-leitende Schicht 17 dort freigelegt wird, wo 40 wachsenem Silizium von über 1 μΐη Dicke in etwa die Diffusion stattfinden soll. Dann wird die Scheibe 30 Minuten auf der gesamten freiliegenden Oberin einen Diffusionsofen eingebracht, in dem eine fläche (s. F i g. 4). Es wird eine Schicht von etwa 25 Atmosphäre der gewünschten Donatorverunreini- bis 50 μΐη Dicke hergestellt. Es muß darauf hingegung vorhanden ist, und die Diffusion wird wie zu- wiesen werden, daß die Zeit, in der die epitaktische vor beschrieben durchgeführt. Die erzeugte Emit- 45 Schicht hergestellt wird, mit Bezug auf die Difterzone 28 kann eine Dicke in der Größenordnung fusionszeit so kurz sein kann, daß die pn-Übergänge von 7,5 bis 15 μπι oder mehr haben. So kann z. B. nur unbedeutend verändert werden. In dem Falle, in mit Phosphor als Donator eine Zone von etwa 25 μΐη dem die Zeitdauer ausreicht, um einen pn-übergang Dicke erzeugt werden. An der Grenzfläche zwischen zu verlagern, wird dies bereits bei der Herstellung der Emitterzone 28 und der p-leitenden Schicht ent- 50 des pn-Übergangs durch das Diffusionsverfahren in steht der Emitter-pn-Übergang 31 (s. Fig. 3). Der Rechnung gestellt.

Rest der Dioxidschicht kann nach bekannten Ver- Es sollte auch darauf hingewiesen werden, daß

fahren entfernt werden, z. B. durch lichtempfindliche die so hergestellte epitaktische Schicht 36 keine

Verfahren. Funktion in der Halbleiteranordnung hat. Demzu-

Gemäß der einen Ausführungsform der Erfindung 55 folge brauchen die strengen Anforderungen, welche

wird nun eine epitaktisch gewachsene Siliciumschicht normalerweise bei Halbleiteranordnungen gestellt

auf der gesamten oberen Flachseite des Gerätes vor- werden müssen, nicht beachtet zu werden, insoweit

gesehen. Die Art und Weise, wie man epitaktische die epitaktische Schicht betroffen wird. Der spezifische

Schichten aus Halbleitermaterial anbringt, ist nicht Widerstand der epitaktischen Schicht sollte so klein

ein Teil der Erfindung. Obgleich verschiedene Ver- ⁶° sein, daß der entartete Zustand erreicht ist, d. h., er

fahren brauchbar sind, werden derartige Schichten sollte kleiner als 0,01 Ohm/cm sein. Es sind zwar

oder Häutchen zweckmäßig mit gesteuerter Dicke einkristalline Schichten erwünscht, aber sie brau-

und gesteuertem Leitungstyp durch Reduktion von chen nicht perfekt zu sein. Oberflächengüte und

dotiertem Siliciumtetrachlorid mit Hilfe von Wasser- Kristallvollkommenheit sind nicht wesentlich, aber

stoff hergestellt. Zu diesem Zweck wird der Halb- ⁶5 natürlich sollten die Schichten gut an der diffundier-

leiterkörper in einer Reaktionszone untergebracht, ten Scheibe anhaften, und zwar mit einer möglichst

z. B. in einem wassergekühlten, aus Quarz bestehen- geringen Anzahl von Leerstellen an der Berührungs-

den Reaktionsraum. Es wird eine Vorrichtung ver- fläche.

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Die Anordnung ist nun bereit zur Anbringung der gesättigt ist, durchgeführt wird. Es entsteht eine ohmschen Kontakte. Zu diesem Zweck werden der Oxidschicht 60 (s. F i g. 8) auf der ganzen Scheibe. Emitterbereich 28 und der Teil der epitaktischen Die diffundierte Emitterschicht 28 wird dann durch Schicht 36, der damit verbunden ist, seitlich vom die Siliciumdioxidschicht 60 hindurch freigelegt. Dies Rest der Anordnung elektrisch isoliert, und zwar 5 kann mit Hilfe einer geeigneten Ätzung durchgeführt durch Gräben 40 und 42, welche bis unter den Emit- werden, z. B. durch Ätzung mit einer Flußsäureter-pn-Übergang 31 reichen (s. Fig. 5 und 6). Das lösung. Es muß darauf hingewiesen werden, daß Einbringen der Gräben kann leicht in der Weise vor- dieser Verfahrensschritt sorgfältig gesteuert werden genommen werden, daß die oben angegebene Ätz- muß, so daß nur die Emitteroberfläche freigelegt flüssigkeit verwendet wird, indem zunächst die Ober- io wird. Die niederzuschlagende epitaktische Schicht fläche mit einem gegen die Ätzflüssigkeit beständigen muß den Emitter berühren, aber sie darf nicht die Überzug, wie z. B. Apiezonwachs, überzogen wird, den Emitter umgebende p-leitende Zone berühren, und dann die Stellen, an denen Halbleitermaterial Nachdem die diffundierte Emitterzone freigelegt ist, entfernt werden soll, mit einem scharfen Werkzeug wird eine epitaktische Schicht 62 (s. F i g. 9) auf der durch den Überzug bis auf das Silicium markiert 15 oberen Flachseite nach dem oben angegebenen Verwerden. Gleichzeitig wird der Teil 43 der Anord- fahren aufgebracht. Die epitaktische Siliciumschicht nung, der innerhalb des Emitterringes 28 liegt, bis zu 62 und das Oxid 60 werden innerhalb des Emittereiner solchen Tiefe geätzt, daß das übrigbleibende rings 28 weggeätzt, wodurch die Basiszone 17 zwi-Material, das in die Basiszone 17 bis zum pn-Uber- sehen ihnen freigelegt wird (s. Fig. 10). Ähnlich gang 22 hineinreicht, die gewünschten elektrischen 20 kann der Teil der Oxidschicht, der die untere Flach-Eigenschaften für den Basiszonenanschluß hat. seite der Emitterzone 18 bedeckt, entfernt werden,

Dann werden Folienkontakte auf die epitaktische z. B. durch Abläppen. Ein Emitterkontakt 64 vom

Schicht, auf die freigelegte p-leitende Schicht 17 n-Leitungstyp, ein Basiskontakt 68 vom p-Leitungs-

innerhalb des Emitterrings 28 und auf die Emitter- typ und ein Emitterkontakt 70 vom p-Leitungstyp schicht 18 auf der Unterseite der Scheibe aufgebracht. 25 werden dann an der Anordnung angebracht, indem

Der Folienkontakt 48 (s. F i g. 7) auf der epitaktischen geeignete Folien angeschmolzen werden, entspre-

Schicht oberhalb der Emitterzone 28 kann z. B. aus chend dem oben beschriebenen Verfahren oder

einer Folie hergestellt werden, die aus wenigstens durch andere bekannte Verfahren,

einem geeigneten η-Leitung erzeugenden Material, Ein besonderer Vorteil des eben beschriebenen z. B. Antimon, Arsen oder Phosphor, und einem 30 Verfahrens mit einer Oxidschicht ist der, daß weniger

neutralen Metall, wie Gold, besteht. Sie kann z. B. lästige Verfahrensschritte angewendet werden

aus 0,5 bis 1 Gewichtsprozent Antimon und 99 bis müssen, wenn die Reproduzierbarkeit der elektrischen

99,5 Gewichtsprozent Gold zusammengesetzt sein. Eigenschaften gesichert werden soll. Außerdem kann

Die Folie 52 für die p-leitende Zone 43 innerhalb das epitaktisch gewachsene Silicium auf dem Oxid des diffundierten Emitterringes 28 und auch die Folie 35· von der Art sein, daß die örtliche Auffindbarkeit

54 für die p-leitende Emitterzone 18 ,können aus des diffundierten Emitters leichter erzielt werden

wenigstens einem p-Leitung erzeugenden Material, kann, wenn die Anschlußteile an der richtigen Stelle

wie Bor, Aluminium, Gallium oder Indium, und angebracht werden sollen.

einem neutralen Metall, wie z. B. Gold, hergestellt Die Erfindung soll an Hand des folgenden spezisein. Eine typische Legierung zur Herstellung der- 40 eilen Beispiels näher beschrieben werden, in welchem artiger Folien besteht aus 0,1 Gewichtsprozent Bor die Einzelheiten nur zur Veranschaulichung und und dem Rest Gold. Die Folien werden durch Auf- nicht zur Begrenzung angegeben sind. Es wird eine heizen auf eine Temperatur in der Größenordnung η-leitende Siliciumscheibe von etwa 175 μΐη Dicke von etwa 400 bis 700° C in einem Ofen auflegiert, mit einem spezifischen Widerstand von 20 Ohm/cm der auf etwa 10~² und vorzugsweise auf 10~⁵ Torr 45 verwendet. Sie wird in eine evakuierte wassergekühlte evakuiert ist. Quarzröhre eingebracht und dann etwa 12 Stunden

In Anbetracht der Tatsache, daß eine Schicht von lang in einer Aluminiumatmosphäre bei einer Tem-

epitaktischem Silicium von merklicher Dicke zu- peratur von etwa 1200° C beheizt. Die Aluminium-

nächst auf die diffundierte Emitterfläche 28 aufge- atmosphäre wird durch ein Gefäß mit Aluminium,

bracht wurde, kann das Auflegieren des Anschlusses, 50 welches in dem Ofen sich auf der gleichen Tempe-

wie eben beschrieben, leicht durchgeführt werden ratur befindet, hergestellt. Das Aluminium diffun-

ohne Gefahr, daß der Anschluß durch die Emitter- diert in alle Oberflächen der Scheibe bis zu einer

pn-Übergangsflache 31 durchdringt, wie es bisher Tiefe von etwa 38 um. Die Schmalseiten der

häufig geschah. So wird durch diesen einfachen Scheibe werden bis auf die η-leitende Innenschicht

Schritt des Aufbringens einer epitaktischen Silicium- 55 abgeläppt.

schicht das Anbringen solcher Anschlüsse an sehr Danach werden die oberen Scheibenflächen

dünnen diffundierten Schichten oder auch an dicke- oxydiert, indem sie in einer Atmosphäre, welche aus

ren Schichten, an denen bisher ein Anschluß schwierig einem mit Wasserdampf gesättigten Gas besteht, auf

angebracht werden konnte, erleichtert. 1200° C einige Stunden lang erwärmt werden. Eine

Die Legierungsanschlüsse an Halbleiteranordnun- 60 Fläche von Ringform auf der oberen Oberfläche wird

gen können gemäß einer anderen Ausführungsform freigelegt, indem das Oxid mit Hilfe von wäßriger

hergestellt werden, bei dem eine Scheibe, wie sie in Flußsäure aufgelöst wird. Die Scheibe wird dann

F i g. 3 dargestellt ist, mit einer Oxidschicht bedeckt wieder in die Quarzröhre getan, und es wird Phos-

wird, bevor die epitaktische Schicht abgeschieden phor in die freigelegten Oberflächen eindiffundiert,

wird. Eine Oxidschicht kann leicht durch Erwär- 65 Dies wird bei einer Temperatur von etwa 1200° C

mung des Siliciumkörpers auf eine Temperatur von in einer Atmosphäre von Phosphor durchgeführt,

etwa 1200° C gewonnen werden, welche mehrere wobei die Diffusionszeit etwa 6 Stunden beträgt. Da-'

Stunden in einem Gasstrom, der mit Wasserdampf durch werden Emitterzonen von etwa 10 μπα Tiefe

hergestellt. Dann wird der Siliciumkörper auf eine Temperatur von 1270⁰C aufgeheizt, während eine Mischung aus 2 Molprozent Siliciumtetrachlorid in Wasserstoff in den Ofen eingeleitet wird. Der Dampf ist mit Phosphor als Leitungstyp bestimmender Verunreinigung gesättigt. Diese Mischung wird in den Ofen mit einer Durchflußrate von 11 pro Minute etwa 30 Minuten lang eingeführt, wodurch eine etwa 25 μπι dicke epitaktische Schicht aus Silicium entsteht.

Das epitaktisch niedergeschlagene Silicium, das direkt über der diffundierten Emitterzone liegt, wird durch Ätzung um diese Zone isoliert, wobei durch das epitaktische Silicium hindurch und in die Halbleiterscheibe hinein bis zu einer Tiefe unterhalb der Berührungsfläche des Emitters und der p-leitenden Schicht, mit der er verbunden ist, geätzt wird. Die Oxidschicht auf der Unterseite der Scheibe wird weggeläppt. Dann werden etwa 19 μπι starke Folien, die aus 0,5 Gewichtsprozent Antimon und dem Rest Gold bestehen, auf das epitaktisch niedergeschlagene Silicium über dem Emitter auf der Oberseite der Scheibe aufgelegt, während Folien aus 0,1 Gewichtsprozent Bor und dem Rest Gold auf die Basiszone und den Emitter an der Unterseite aufgebracht werden. Die Folien werden in die Scheibe einlegiert, indem die Zusammenstellung etwa 10 Minuten lang auf etwa 700° C in einem evakuierten Ofen aufgeheizt wird.

Obgleich die Erfindung mit Bezug auf die Herstellung eines pnpn-Halbleiterbauelementes beschrieben wurde, erscheint es selbstverständlich, daß die Erfindung allgemein angewendet werden kann, wenn Anschlüsse an einer Halbleiteranordnung angebracht werden sollen, die eine dünne diffundierte Schicht enthält oder eine dickere diffundierte Schicht, an der normale Verfahren nicht leicht angewendet werden können.

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen niederohmiger elektrischer Kontakte an dünnen, durch Diffusion erzeugten Zonen in einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche der Halbleiteranordnung im Bereich der diffundierten Zone eine Schicht aus Halbleitermaterial vom gleichen Leitungstyp wie die diffundierte Zone, aber mit einem im Verhältnis zum Material dieser Zone sehr niedrigen spezifischen Widerstand epitaktisch aufgebracht wird, und daß dann an die epitaktisch aufgebrachte niederohmige Schicht eine Metallfolie anlegiert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine epitaktisch gewachsene Schicht von etwa 25 bis 50 μπι Dicke erzeugt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die diffundierte Zone und die auf ihr ruhende epitaktisch gewachsene Schicht von anderen Teilen der Halbleiteranordnung durch Gräben in den Halbleiterkörper bis zu einer Tiefe unterhalb der diffundierten Schicht elektrisch isoliert werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Halbleiterkörpers zunächst mit einer Oxidschicht versehen wird, daß dann die Oxidschicht über der durch Diffusion erzeugten Zone örtlich begrenzt entfernt wird und daß schließlich auf der so freigelegten Halbleiteroberfläche die niederohmige Schicht epitaktisch aufgebracht wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Metallfolie anlegiert wird, die n- oder p-Leitung erzeugendes Dotierungsmaterial enthält.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109519/127