DE1439938A1 - Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Hochfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1439938A1 DE19621439938 DE1439938A DE1439938A1 DE 1439938 A1 DE1439938 A1 DE 1439938A1 DE 19621439938 DE19621439938 DE 19621439938 DE 1439938 A DE1439938 A DE 1439938A DE 1439938 A1 DE1439938 A1 DE 1439938A1
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metallic
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Description

üoehfrequenz-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
Die Erfindung befasst sich mit Signalübertragungsvorrichtungen, insbesondere mit Haibleitervorricntungen mit wenigstens zwei Elektroden.
Viele Signalübertragungsvorrichtungen, z.B. Halbleitervorrich- | tungen nach Art der Transistoren, erfordern wegen ihrer geringen Abmessung, daß deren Elektroden in geringem Abstand zueinander angeordnet sind.
Vorzugsweise werden solche Elektroden durch Verdampfen eines Kontaittme tails aus dem Dampfzustand .durch eine Maske gebildet. Der Abstand zwischen den Elektroden ergibt sich aus der Geometrie der Maske, d.h. dem Abstand zwischen den Locnern in der Maske, oder aus der Bewegung der Maske, wenn der Fiederscnlag der aufexnanderzolgenden Elektroden durch ein einzelnes Loch in der . a Maske erfolgt.
v/enn Vorrichtungen für höhere ffregjuenzen erforderlich sind, müssen die Vorrichtungen notwendigerweise geringer bemessen sein, da dis Irequenzeigenschaft der Vorrichtung von der lläche der Elektroden und dem Abstand zwischen diesen abhängt. Je geringer die Fläche der Elektroden ist, und. je näher die Elektroden beieinander liegen, deBto geringer werden die Bastis- und Emi-tter-Kapazitäten und der Basiawiderstand, welche die Frequenzeigenschaften der Vorrichtung bestimmen. Mit dom oben angegebenen
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ά ÖFÄJAL
Verfahren sind jedqch bestimmte Beschränkungen verbunden, welche nur durch sehr genaue und teuere Geräte überwunden werden können, ils treten nämlich mechanische Schwierigkeiten auf, die die Herstellung der Masken mit in engem Abstand voneinander liegen-• den Lockern schwierig gestalten. Darüberhinaus entstehen lästige Schaltungs- öder Hegistrierprobleme bei der Bewegung der Maske über geringe Abstände. Zusätzlich tritt das weitere Problem auf, daß eine Elektrode .mit einer solchen verringerten Abmessung in
<j ·
einer Weise kontaktiert werden muß, die mit den betrachteten Hocn-
freq.uenzvorrichtungen verträglich ist«,
Demgemäß besteht ein Zweck der Erfindung in der Schaffung einer verbesserten Yielfaeh-Elektrodenanordnung für Halbleitereinrichtungen. - .
Ein spezieller Zweck der. Erfindung besteht darin, genau im Abstand angeordnete Elektroden zu bilden, ohne genaue und teuere Geräte verwenden zu müssen.
Ein weiterer Zweck der Erfindung besteht in der Bildung von Elektroden geringer Abmessungen mit vergrößerten freigelegten Flächen, um die Leitungsanschlüsse leicht anbringen zu können«
Bei einer Ausführungsform der Erfindung sind die Basis- und Emitter-Elektroden an einem !Transistor mit diffundierter Basis cLureh eine Zwischenschicht aus isolierendem Material getrenntf welche die vorangegangene Schicht um einen vorbestimmten Abstand übergreift j wodurch eine Stangen-Kontaktanordnung gebildet wird»
PemgemäS besteht ein Merkmal der Erfindung darin? im Abstand angeordnete Elektroden oder Kontakte durch eine isoliereiide 2tätßGhenau trennen»
BADORIQiNAt.
Jh>±n anderes jsiernaial der iisrfinciurig besteht in dem übergreifen von aufeinanaerfol^endea'äcnicüten, -was eine kritische Bemessung jeder Eleittrode ermöglicht, währen die einfache Anbringung der kontakte auirecliterhalten wird.
weiteres uerkAnuil der ürfinaun^ besteht in einer Stangen-Kontaktanordnung mit wenigstens zwei schienten aus Kontaktmetall, die duruii eine Zwisenenschicht aus isolierendem katurial im Abstand angeordnet sind.
Beispielliai'te Äusfüijrun&sforißen der iürrindung sind in der Zeichnung dargestellt, und zwar sind ä
Pig. 1 eine teilweise geschnittene Aufsicht einer Vorrichtung &e*aäfi dex' Jüri'indun^,
S1X1J. έ ein Querschnitt durch die Vorrichtung nach Pig. 1,
fig. 3 eine Seitenansicht eines Teiles der Vorrichtung der Fig. 1, teilweise im Querschnitt,
Pig. 4 eine perspektivische Ansicht einer anderen Vorrichtung gemäß der Erfindung, teilweise im Querschnitt, und
Pig. b ein "Diagramm eines Verfahrens der Herstellung einer Kontaktanordnung gemäß der Erfindung.
jss ist daraufninzuweisen, daß die Pig. nicht maßsta"bsgetreu sind, sondern daß verschiedene Abmessungen zum Zwecke der Erläuterung vergrößert dargestellt sind.
Die Pig. 1 bis 3 sind verschiedene Ansichten eines legierten Transistors'10 mit diffundierter Basis, der- eine Stangen-Kontaktanordnung gemäß der Erfindung aufweist. Der Transistor weist eine MiTiftriBtall-Siliziumsehelbe 11 mit einem Kollektorbereich i2 mit p-Leitfäliigkeit und einem difiundierten Basisbereich 15 mit n-Iieitfättigkeit auf. Die obere Fläche H der Scheibe 11 ist zum Teil
BADORtQINAt. 809113/03^0
U39938 ;
mit einer Siliziumoxydschicht 1.5 von einer einer Diffusion widerstehenden Dicke "bedeckt, die einen rechteckigen !eil 16 der Fläche begrenzt, welcher nicht mit der Oxydschicht bedeckt ist.-Der unbedeckte Teil 16 liegt über dem diffundierten Basisbereich und lässt ; diesen zum Kontaktieren frei, iline kammförmige Anordnung mit dem Längsstreifen 1? aus Silber und Querstreifen 18 aus einer G-old-Silberlegierung bildet die Basiselektrode. Die yuerstreifen 18 bilden Kontakte geringen Widerstandes mit dem Basisbereich und sind durch den längsstreifen" 17 verbunden, der über der· Oxydschicht 15 liegt und für das leichte Anbringen der Leitungsanschlüsse frei bleibt.
Die kammförmige Anordnung der Basiselektrode ist am besten in Fig. 1 zu sehen, wobei der Streifen 17 dem Steg des Kammes analog ist, während die Streifen 18 die Zähne sind. Fig. 2 zeigt einen querschnitt längs der Linie 2-2 (gemäß der Fig. 1) durch einen der Zähne des Kammes, aus dem zu entnehmen ist, "daß alle Streifen 17 auf der Oxydschicht 15 liegen und"von selbst nalten, wobei sie elektrisch von der Scheibenflache isoliert sind. Darüberhinaus ist jeder nier dargestellte Zahn oder Streifen 18 mit dem Streifen 17 verbunden, erstreckt sich-über die üxydsciaicht·, kon-■ taktiert den freigelassenen l'eil "i6 der Scheibe und endet an der - / Oxydsenicht 15. Der üindteil des Zaunes 18 ist in-Fi6-. 'j zu serxen, ·, die eine Teilansicnt längs der Linie ;>-*3 der Fig. 1 ist.
Jiine Folge von· getrennten Oxydsenichten 1^ entnält aufeinanderfolgende Zahne der kammfb'rmigen Anordnung der Basiselektrode. Dieses Merkmal ist am besten in Fig. ;-zu serien, νιο eine ge trenn- .." te Oxydschicüt jeden getrennten Zann überdeckt und die Scneibenflache an gegenüberliegenden Seiten jedes Zannes kontaktiert, wobei jedoch .Zwischenräume 20 freigelassen werden, wo die Fläche, der
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Scheibe von den Schienten 18"und 19 frei ist. v/ie in Mg. 2 dargestellt ist, erstreckt sich jeder Zahn 18 über seine einschliessende Oxydschicht 19 an der Basis des Zahnes, wo er den längsstreifen 17 leontaktiert. Dies macht es möglich, die Basiselektrode in diesen Bereichen zu kontaktieren. Wenn jedoch ein Kontakt wolanders hergestellt wird, so wie die freigelassenen finden des Streifens 17, können sich die Schichten 19 vollständig über den entsprechenden Zahn erstrecken. An dem ,anderen Ende des Zahnes schließt die Oxydschicht den Zahn vollkommen ein.
Die durchlaufende Metallschicht 2 1 erstreckt sich über die aufeinanderfolgenden Oxydschichten 19» wodurch diese von dem metallischen Zahn 18, der als Basiselektrode dient, isoliert werden, und füllt die Zwischenräume 20 zwischen solchen Oxydstreifen aus, um dort die Fläche der Scheibe zu kontaktieren. Diese Schicht ist an die Scheibe in solchen Bereichen anlegiert, welche die p-Bereiche 23» die als Emitter dienen, bilden, wobei die Schicht danach als Emitterelektrode dient. Das Kontaktieren der Metallschicht 21 ist am besten in Jig. 3 zu sehen, in der sich die Schicht, welche über den Oxydschichten 19 liegt, zwischen den Schichten J9 * einsenkt, um die Scheibenfläche an den Teilen 20 zu kontaktieren. Die Schicht 22 aus Silber liegt über einem Teil der Schicht 21, ί . ■
um die thermokompressive Verbindung der Zuführungen mit der Emitterelektrode zu erleichtern. Zusammenfassend ist zu ersehen, daß die Oxydschicht 15 erst einmal dazu dient, den Basisbereich 16 zu begrenzen und darüberhinaus die Basiselektrode 17» 18 von dem Scheibenkörper zu isolieren. Die -Oxydschicht 19 dient dazu, die Emitterelektrode 21 von der Basiselektrode 17t 18 zu isolieren und mit der Basiselektrode 17, 18 zu vereinigen, um ,die Emitterbereiche 23 zu begrenzen, entsprechend den Stellen, an denen die
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Emitterelektrode 21 die Scheibekontaktiert. : ·
Die besondere Ausführungsform des beschriebenen Transistors kann in folgender Weise hergestellt werden. Ein Einkristall aus Germanium mit p-Leitfahigkeit und einem Widerstand von 0,2 Ohm · cm mit den Abmessungen 1, 27 mm χ 0, i62-mm und einer Dicice von 0, 102 mm wird als Ausgangsmaterial verwendet, Eine Siliziumoxydschicht mit einer
Dicke von 10 000 A wird als Dampf getrennt auf einer größeren Fläche des Ausgangseinkristalles niedergeschlagen, um den größeren Teil der
.Fläche fur den nachfolgenden Diffusionsschritt abzudecken, wobei ein rechteckiger Flächenteil von 0, 114 x 0, 508 mm unbedeckt bleibt. Die Scheibe wird dann einem Antimondampf bei einer Temperatur von 580 C für etwa 15 Stunden ausgesetzt, um auf dem unbedeckten Teil einen 0, bu tiefen Bereich mit n-Leitfähigkeit und eineiä Flächeriwiderstand von 250 Ohm/Quadrat zu bilden. Die Oiydmaöke verhindert den Niederschlag von Antimon: auf dem bedeckten Teil der Fläche. Ein 'Silberstreifen mit den Abmessungen 0, 584 x 0, 051 mm und einer Dicke
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von 2000 A wird darauffolgend auf der Oxydschicht längs der Seite des Rechtecks niedergeschlagen und 15 im Abstand angeordnete Zähne mit einer Mischung aus G-old-Antimon und Silber werden zum Bilden der Basiselektrode niedergeschlagen. Zu diesem Zweck erstreckt sich der größere Teil jedes Zahnes über den diffundierten, n-Antimon-Basisbe- reich. Die Zähne haben eine Abmessung von 0, 015 x 0, 21b mm und sxna 1500 A dick. Der Abstand beträgt 0, 0254 mm. Dann wira eine Oxydschich mit einer Dicke von 6000 A als Dampf auf jedem Zahn nieaergeschla^en, wodurch der freigelassene Zwischenraum zwischen den Zähnen um den doppelten Betrag (etwa 0, 0051 mm), so daß* die Oxydschichten die Kanten der Zähne·übergreifen, verringert wird. Eine durchlaufende Schicht
aus Aluminium, mit einer Stärke von 1000 A wird als Dampf auf den Oxyd-
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schichten und dem Zwischenraum zum Kontaktieren des freigelassenen Germaniums niedergeschlagen. Diese Schicht hat einen Abstand von etwa u, 0254 mm von dem Silberstreifen. Ein Überzug aus Silber wird auf der Aluminiumschicht niedergeschlagen, um die thermokompressive Anbringung einer oder mehrerer Zuleitungen zu erleichtern. Die Anordnung wird bei 450 C etwa 30 Sekunden lang erhitzt, um gleichzeitig die Gold-Antimon-Silberzähne an die Basis und den Aluminiumfilm in die'anschließenden Bereiche des diffundierten Antimons zu legieren, wodurch diese Bereiche in die p-Leitfahigkeit zum Bilden des Emitterbereiches umgewandelt werden. Es bleibt dort noch eine Silberschicht über diesem " " Bereich, an die die Leitungsanschlüsse angebracht werden. Eine (Joldscnicht wird als Dampf auf der Rückseite der Scheibe niedergeschlagen, um als Kollektorelektrode zu dienen. Es werden dann an verschiedenen Elektroden Zuführungen durch thermokompressive Verbindunif, angebracnt.
Verschiedene andere Formen können, erwünscht sein oder fur verschiedene Anwendungen auch erforderlich werden. Wenn z.B. höhere Frequenzen angewendet werden sollen, sind kleinere Vorrichtungen, als oben angegeben, erforderlich.. Entsprechend ist es nicht mehr Ü lautlich, uie oben dargestellten Basis- und Emitterelektroden herzustellen. In diesem Falle ist eine Ringanordnung für eine optimale Hochirequenz-Leistung am meisten brauchbar.' -
Eine Ringanordnung gemäß der Erfindung ist in Fig. 4 dargestellt. Vorzugsweise ist die gesamte Vorrichtung kleiner als einige 1uO AL im Durcnmesser und die Kontaktanordnung, ~&ew&k der Erfindung nimmt etwa 50 icein. Obwonl ein vollständiger Transistor "50 in der Fig. aargestellt ist, v.ird die Basis-Emitterkontaktanordnung auf der Fläche 31 des .Transistors betrachtet. Me Siliziumoxydschicht 32
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hat vorzugsweise einen Äußendurchmesser von 5OyM,. Die üblicherweise aus Gold-Antimon und Silber bestehende Basiselektrode 33 hat einen Außendurchmesser von 375«,, übergreift die OxYdSClIiClIt1 und erstreckt sich nach innen, um die Halbleiterfläche zu kontaktieren. Die zweite Oxydschicht 34 übergreift gleichermaßen die Basiselektrode, die sictunach innen längs der Halbleiterfläche . erstreckt". Die üblicherweise aus Aluminium bestehende Emitterelektrode 35 ist ein Punkt, dessen effektive Grenzen durch die Oxydschicht 34 bestimmt sind. Der Emitter übergreift die Oxydschicht 34j die vorzugsweise einen Außendurchmesser größer als 12,^^u/und eine Kontaktflache mit der Halbleiterfläche von etwa 6,u, aufweist. Die Kollektorelektrode 36 ist an der gegenüberliegenden Fläche der Halbleiterscheibe angeordnet. Eine Prüfung der relativen Abmessungen der Schicht ergibt erfindungsgemäße Eigenschaften der Reihenanordnung (tiered arrangement).
Die Herstellung der Reihenkontaktanordnung gemäß der Erfindung wird mit-einer merklichen Verringerung des Umschaltproblems (indexing problem)erhalten.
Jjiine genauere Abmessung ist gemäß der Erfindung mit einer wesentlich größeren ,Breite beim Umschalten möglich» als dies bei der Herstellung von größeren1 bekannteil Anordnungen, praktisch durchgeführt'wird.· Jedes Element der Könts&taaordnung begrenzt die wirksame fläche des nächsten anschließenden Elementes, während das Übergreifen des Elementes die Breite beim Umschalten ermöglichte -Bei einigen Ausführungsformen wird einmal eine Verdampfungsmaske ia Be aug auf die Scheibe festgelegt und braucht überhaupt nicht bewegt-zu werden« Bei den rechteckigen Anordnungen der 3?ig* 1 bis 3 werden s.B* die ursprünglichen^ im Abstand ange- i ordneten Schichten 1Θ angebracht* ohiie sliig Verdampfungemaeke nach
I
Verdampfea M bewegenp ijsdiglioh durch Anwesfiön einer -'* "*'":- 80111 $)%$fi BAD
Verdampfungsquelle. Jede hergestellte Oxydschient übergreift einzeln eine entsprechende Schicht, die dazwischen die Kontaktfläche - zwischen dem Emitterelektroden-Anschluß und der Halbleiterscheibe begrenzt und die um den Betrag des Ubergreifens im Abstand angeordnete Basis-Emitter-Elektrode bestimmt.
Weitere Vorteile ergeben sich bei der Herstellung des Ring-Punkt-IPransiators, wenn der Jümitterpunkt zuerst hergestellt wird. -
Den obigen Anordnungen und Herstellungsverfahren sindjdie drei Grundschritte der Mg. 5 gemeinsam. Zuerst wird eine metallische ä Schient niedergeschlagen, die eine Elektrode bildet. Als zweites wird eine isolierende Abstandsschicht gebildet und letztlich wird eine zweite metallische Schicht niedergeschlagen, die eine weitere ü/leictrode bildet. Bs können weitere im Abstand angeordnete Elektroden bei'gleichartigen Anordnungen mit vier oder mehr Anschlüssen erforderlich werden.
ils ist nicht besonders wichtig gemäß eier Erfindung» die einzelnen Jälektjsboafa in der vorbe^öhritlfheit Waise gtt feildsriV Is ist : lediglieh wichtig, daß sii 4«*öfr--©"i& geeignetes; isolie^&dös Ma- j terial, Üblicherweise Oxydmaterial, in genauem Abstand voneinander angeordnet sind. Demgemäß sind hier die verschiedenen isolierenden Materialien, der Betrag des Überg^Sifens und die Verfahren für den Niederschlag von Bedeutung*
Siliziummonoxyd und SiliziumdioAyä sind bei !Eypenvorriehtungen verwendet worden. Es ist festgestellt wordehj daß am zweckmäßigsten bei (Germanium isolierende Siliziummonoxyde verwendet werden, die durch bekannte Verdampfungsverfahren niedergeschlagen worden sind, da ein einzelnes Verdampfungssystem für die Herstellung der gesamten Anordnung ohne ümächaltproblem verwandet werden kann.
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Bei 'Siliziumscheiben ist es, gleichermaßen, zweckmäßig,, eine Siliziuiiidioxydschicht durch Erhitzen der Scheine in einer oxydierenden Atmosphäre und nachfolgendem. Entfernen, ausgewählter Teile der Oxydschicht bis zu einer der Diffusion widerstehenden 'Dicke wachsen zu lassen.
Wie oben festgestellt worden ist» werden die verschiedenen Schichten in der Reihen-Kontaktanordnung nach der Erfindung auf einer Niederschlagsflache aus einer Yerdampfungsquelle durch eine geeignete Maske niedergeschlagen. Bei einer solchen Anordnung entspricht die Geometrie des auf der lfiederschlagsflache erzeugten Bildes der Mas ice , ist jedoch in der Größe"- in. Abhängigkeit von den Abmessungen der Verdampfungsquellej dem Abstand zwischen der Quelle und der Maske und dem Abstand zwisciien Masice und ÜFiederschlagsf lache verringert. Diese Abhängigkeit ist bekannt und braucht nier nicht näher erörtert zu werden»
Gemäß der Erfindung ist die Genauigkeit der Differenz zwischen zwei aufeinanderfolgenden Niederschlägen wichtiger als die Ge*- nauigkeit bei einem einzelnen-Niederschlag. Bei einem Abstand zwischen Quelle urid Maske-Von TO ,2 cm und" einem Abstand zwischen Maske und Eederscnlagsflache von 0,0254 mm führt z.B. eine Änderung im Durchmesser der- Verdämpfungsquelle von G,6} zu 2».54 cm zu einem Übergreifen von ijSu- Durch Steuern des Durchmessers der Verdampfungsquelle über.einen'relativ großen Umfang kann demgemäß der Abstand zwischen den .Elektrodenanschlüssen der Vorrichtung innernalb von einigen^gesteuert werden.
Soweit sicn "die Erfindung mit kleinen Abständen befasst, ist lediglich das Minimum des durch die Abstandsschictit erhaltenen Übergreifens bedeutungsvoll. Demgemäß konnten Abs bande von O,üO1 mm reproduziert- werde^^JCier^u^rch mechanische Mittel erreichte, am τ
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besten reproduzierbare Abstand beträgt demgegenüber etwa U,005 mm. Darüberhinaus füürt der Anschluß von Leitungsdrähten an Jilelütroden, uie mechanisch im Abstand voneinander angeordnet sind, oft zu einem Kurzschluß der iblektroden, während die in geringerem Abstand angeordneten.Elektroden nach der iür findung wegen des Übergreifens eine größere Flache zu der Leitung darstellen* .Demgemäß sina Kurzschlüsse bei gemäis der Erfindung hergestellten Vorrichtungen selten.
Die erfindungsgemäßen Maßnahmen können auch bei Halbleitervorriciitune,en angewendet werden, die andere als die oben angeführten A Halbleitermaterialien und/oder andere als die oben angeführten Anordnungen von Leitfähigkeitsbereichen aufweisen.

Claims (6)

  1. Patentansprüche
  2. ι 1. jTsrf ehren bus Anbringen von wenige ten» £««1 Elektroden auf ©Intr ebenen Fläeä* la Abstand voneinander« dadurch gekennselQßnet, daß auf der Fläche eis« erste ©©talXIscüe Schicht al© erste Elektrode und auf d«r eraten metallischen Schicht tin lnolierender« die. erst« »etallische Schicht übergreifender t/bercug gebildet werden» us Savon im Abstand eine swelte actallieche Schicht ansuliringen, die auf des laoliereMen Üfetrsüg gebildet wird den isolierenden Übersug übergreift 9 um eine »weite en der ebenen Fläche su bilden« .
  3. 3« fconlmkteaorcinuns «se Süden von in ifestaad _ angeorisaf tea Elaktrodenaneenlüaeen an iir Fläche eine« Eelbl^iferkorpeifet der inebesondere stach de» ?erffi.hre& nach Αοβ^ηιβΙι 1 äergeetsllt ist» g.t-• kennzeichnet öurch ein* «reit und ein® «weite" ttttftllteliiobt ead '.
    •ins l«^l.l«renä· 2«iseli«nsohiekt» dl* mile- alt 'ktr fitsh« der 'Seheibe iaüigcm Seatakt saohene wobei ii® tsrefe «»talüsoh® Sehieht
    eisaeti ersteia: BlektredeiiaaeelsluS sit 4®ϊ· flllelie liliet» 41« Se&iclit die is-ßte tÄiiö die swtit©
    die ffiwtifβ Rst&llieoüt iosl^li^iilfjifffi^ *s$a«ii&*&
    ttft J^«kir©ä®iyiaaa«felttl -'am
    f# &aäm?#fe g«t^,?i*ei.^iISi*i, ii^ ^In Ei^ir mm
    iiiSIS/ÖSti
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    Flächenteil anliegt , daß die erste metallische Schicht durch Niederschlag gebildet ist und die Oxydschicht übergreift, um wenig- stens einen ersten Teil der unbedeckten Fläche zu kontaktieren, daß der isolierende Überzug eine Oxydschicht ist, welche die erste metallische Schicht überdeckt und um einen bestimmten Betrag übergreift, und daß die zweite metallische Schicht auf der isolierenden Oxydschicht niedergeschlagen ist und die isolierende Oxydschicht übergreift, um wenigstens einen zweiten ieil der unbedeckten Fläche zu kontaktieren*
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch ^, dadurch gekennzeichnet, ™ daß die Oxydschicht, welche die unbedeckte Fläche begrenzt, die erste metallische Schicht und die isolierende Oxydsohicht konzentrisch aufeinanderfolgend in geringem Maße'übergreifende .Ringe aufweisen, und daß die zweite metallische Schicht einen Punkt enthält, der auf der unbedeckten Fläche niedergeschlagen ist und die isolierende Oxydschicht übergreift.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste metallische Schicht unterbrochen ist und eine Mehrzahl v.on im Abstand angeordneten, sich über die unbedeckte Fläche .(| erstreckenden Blektrodenkontakten aufweist, daß die im Abstand angeordnetes. Elektrodenkontakte mit einer metallischen Stange verbunden sind, die auf der Oxydschicht nahe der unbedeckten Fläche gebildet ist, daß die isolierende Oxydschieht unterbrochen ist und eine Mehrzahl von im Abstand angeordneten Oxydschichten aufweist, welche die im Abstand angeordneten Blektrodenkontakte bedecken und dazwischen verringerte unbedeckte flächen begrenzen,· und daß die zweite metallische Schient eine durchlaufende Schicht j ■ ist, die auf den im Abstand angeordneten Oxyds©liloiiten «ad dem i unbedeckten JMLäoken gebildet ist»
    BAD ORIGINAL
  6. 6. Halbleitervorrichtung nacii Anspruch 5, dadurch, gekennzeichnet, daß die.metallische Stange Silber enthält»
    .7· Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3 "bis b, dadurch gekennzeichnet, daß die ,erste metallische Schicht mit'dem Körper aus Halbleitermaterial einen ohmschen Kontakt und daß .die zweite metallische Schicht einen Gleichrichterkontakt'mitdem.
    Körper aus Halbleitermaterial bildete
    8* Halbleitervorrichtung nach Anspruch'lr dadurch gekennzeichnet, daß die erste metallische Schicht eine Mischung aus G-old-Antimon. und Silber und daß die zweite metallische Schicht- Aluminium enthält.
    9* Halbleitervorrichtung nach.einem der Ansprüche 3 bis 8S dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus Halbleitermaterial
    SeiräaniEütt enthält und daß die Oxidschicht und die isolierende
    Oxydschicht Siliziumoxyd enthalten.
    BAD ORJGtNAL
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