DE1514335B1

DE1514335B1 - Flaechentransistor

Info

Publication number: DE1514335B1
Application number: DE19651514335D
Authority: DE
Inventors: Webster William Merle; Johnson Edward Oscar
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1964-01-31
Filing date: 1965-01-29
Publication date: 1971-12-30
Also published as: NL6501177A; SE335387B; US3504239A; BE658963A; FR1423235A; GB1097413A; NL139416B; JPS4828112B1

Description

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Die Erfindung betrifft einen Flächentransistor mit Durch die gleichmäßigere Stromverteilung wird die einem Halbleiterkörper, in dem drei schichtartig Belastbarkeit des Transistors insgesamt wesentlich aneinandergrenzende Zonen abwechselnd entgegen- erhöht, so daß man bei einer vorgegebenen Nenngesetzten Leitungstyps ausgebildet sind, an denen leistung zu kleineren Baugrößen kommt, bei einer Elektroden angebracht sind und auf deren erster, 5 vorgegebenen Baugröße dagegen zu größeren Nennunmittelbar an die Oberfläche des Halbleiterkörpers leistungen.

angrenzenden Emitterzone eine sie mit ihrer Emitter- Besonders günstige Verhältnisse ergeben sich,

elektrode verbindende Widerstandsschicht angeordnet wenn die Widerstandsschicht einen spezifischen ist. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen Widerstand von 0,03 Ohm-cm und eine Dicke von Flächentransistor für hohe Leistungen und hohe io 30 μ hat. Sie kann aus Halbleitermaterial bestehen Frequenzen. und durch Ausdiffusion oder Rekristallisation als

Bei bekannten Leistungstransistoren verteilt sich Teil der Emitterzone ausgebildet sein; sie kann jeder Emitterstrom nicht gleichmäßig über die gesamte doch auch aus einem Metall bestehen. Vorzugsweise Emitterfläche, sondern er konzentriert sich an eine verlaufen die Oberflächen der Widerstandsschicht Anzahl lokal begrenzter Stellen der Emitterzone, 15 und der Emitterzone parallel zueinander. Im Sinne wo dann eine recht hohe Stromdichte herrscht, die einer gleichmäßigen Stromverteilung innerhalb der zur lokalen Überhitzung führen kann, durch welche Emitterzone wählt man ferner zweckmäßigerweise der Transistor dann zerstört wird. Zur Vermeidung deren Flächenwiderstand mindestens so groß wie den dieser Stromkonzenträtion ist es bekannt, zwischen Flächenwiderstand der Widerstandsschicht, dem Emitterkontakt und der Emitterzone eine 20 Zwischen der Emitterzone und der Widerstands-Widerstandsschicht anzuordnen, welche eine gleich- schicht kann ferner eine zusätzliche Metallschicht mäßigere Stromverteilung über die Fläche der hohen Flächenwiderstandes vorgesehen sein, welche Emitterzone bewirken soll. den ohmschen Kontakt zwischen der Widerstands- A

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, derartige schicht und der Emitterzone verbessert. Weiterhin ^ Transistoren so auszubilden, daß ein optimaler Korn- 25kann die Emitterelektrode seitlich neben der Emitterpromiß zwischen der Vermeidung der Gefahr einer zone auf einer isolierenden Schicht angeordnet sein lokalen Erhitzung und einer möglichst guten Strom- und von der Widerstandsschicht mindestens teilweise verstärkung erreicht wird. Die eingefügte Wider-· überdeckt werden.

Standsschicht verringert nämlich die Stromverstär- Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Dar-

kung des Transistors, wenn ihr Widerstandswert zu 30 stellung von Ausführungsbeispielen näher erläutert, groß gewählt wird, andererseits wird die Gefahr der Es zeigt

lokalen Erhitzung nicht gebannt, wenn der Wider- Fig. 1 einen Schnitt durch eine Ausführungsform

standswert der Widerstandsschicht zu niedrig gewählt des Transistors nach der Erfindung, bei dem die wird. ,:-·. Widerstandsschicht epitaxial auf der Emitterzone

Diese Aufgabe wird bei einem Flächentransistor, 35 aufgewachsen ist,

bei dem zwischen der Emitterzone und der Emitter- Fig. 2 eine Schnittansicht einer zweiten Ausfüh-

elektrode eine beide verbindende Widerstandsschicht rungsform des Transistors nach der Erfindung, bei der angeordnet ist, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine aufgedampfte zusätzliche Metallschicht zwischen der — zwischen zwei gegenüberliegenden Seiten eines der Emitterzone und der Widerstandsschicht" angequadratischen Flächenelementes der Schicht gemes- 40 ordnet ist, und sene -— Flächenwiderstand der Widerstandsschicht * Fig. 3A und 3B eine Draufsicht bzw. Schnitt-0,1 bis 10 Ohm qro Quadrat beträgt. Unter Flächen- ansicht einer dritten Ausführungsform des Transistors widerstand ist eine Meßgröße zur Charakterisierung nach der Erfindung, bei der die Widerstandsschicht der Widerstandseigenschaften dünner Schichten zu aus einer Vielzahl aufgedampfter Teilschichten be- M verstehen. Betrachtet man ein puadratisches Flächen- 45 steht, die zwischen einer gleichen Anzahl von Teil- ™ element einer dünnen Schicht und läßt einen Strom bereichen der Emitterzone und der Emitterelektrode in eine Seite dieses Quadrates eintreten und nach angeordnet sind.

Durchfließen des Quadrates aus der gegenüberliegen- Fig. 1 zeigt einen Transistor mit einem HaIb-

den Seite wieder austreten, so findet der Strom einen leiterkörper 21, der eine beispielsweise p-leitende Widerstand vor, der allein von der Dicke und dem 50 Emitterzone 23, eine in diesem Fall η-leitende Basisspezifischen Widerstand, nicht jedoch von den ab- zone 25 und eine wiederum p-leitende Kollektorzone soluten Abmessungen, also von der Kantenlänge, 27 aufweist. Die Emitterzone 23 und die Basiszone abhängig ist. Der Flächenwiderstand kann also in 25 grenzen aneinander an und bilden zwischen sich Ohm pro Quadrat angegeben werden, wobei der einen pn-übergang 29. Die Kollekförzone 27 grenzt Ausdruck Quadrat für ein quadratisches Flächen- 55 ebenfalls an die Basiszone 25 an und bildet mit element beliebiger Größe steht. dieser ebenfalls einen pn-übergang 31. Emitter-Basis-

Durch die erfindungsgemäße Bemessung der Wider- Übergang 29 und Kollektor-Basis-Übergang 31 verstandsschicht zwischen Emitterzone und Emitter- laufen vorzugsweise in einem gleichförmigen und elektrode wird erreicht, daß die Stromdichte bei nahen Abstand zueinander beiderseits der Basiszone hohen Emitterströmen in differentiellen Bereichen 60 25. Der Transistor kann ein pnp- oder npn-Transides Emitter-Basis-Übergangs praktisch konstant stör sein und ganz allgemein irgendeinen in der Halbbleibt, so daß kerne nachteiligen Stromkonzentratio- leitertechnik bekannten Aufbau haben. Die Kolleknen auftreten, und andererseits die Stromverstärkung torzone 27 ist beispielsweise durch ein Lot 35 mit des Transistors noch nicht nennenswert beeinträchtigt einer Unterlage 33 verbunden. Die Unterlage 33 wird. Die Widerstandsschicht wirkt hierbei wie eine 65 kann eine Metallplatte sein und den Boden eines große Anzahl eingefügter Strombegrenzungswider- Transistorgehäuses bilden. Sowohl die Unterlage 33 stände, welche die Stromdichte am Emitter-Basis- als auch das Lot 35 sind in an sich bekannter Weise Übergang auf einen verträglichen Wert begrenzt. so gewählt, daß eine gute Abführung der im Tran-

sistor frei werdenden Wärme gewährleistet ist. Bei dem in F i g. 1 dargestellten Transistoraufbau dient die Unterlage 33 als Kontaktelektrode für die Kollektorzone 27. Gewünschtenfalls kann an der Kollektorzone 27 jedoch auch ein getrennter Kollektorkontakt vorgesehen werden. In diesem Fall kann die Unterlage 33 dann elektrisch isolieren.

Mit der Basiszone 25 sind in üblicher Weise eine Basiselektrode 37 und eine mit dieser in Reihe liegende Basiszuleitung 39 verbunden. Der Transistor enthält außerdem eine Emitterelektrode 41, die in an sich bekannter Weise mit einer Emitterzuleitung 43 verbunden ist. Die in F i g. 1 dargestellte Widerstandsschicht 45 besteht aus einem Halbleitermaterial, das mittels eines bekannten Epitaxialverfahrens auf die Oberfläche der Emitterzone 23 aufgebracht wurde. Die Widerstandsschicht 45 kann auch auf andere Weise hergestellt werden, z. B. durch Ausdiffusion, Aufdampfen oder Rekristallisation.

Der spezifische Widerstand und die Dicke der Widerstandsschicht 45 ist so bemessen, daß der Flächenwiderstand 0,1 bis. 10 Ohm pro Quadrat be-Bt trägt, damit bei normalen Betriebsstromdichten ein Spannungsabfall von mindestens einem und vorzugsweise wenigen kT/qVolt entsteht. Dabei bedeutete die Boltzmann-Konstante, T die absolute Temperatur der Widerstandsschicht während des Betriebes des Transistors und q. die elektrostatische Ladung des Elektrons. Eine etwa 30 μ dicke Widerstandsschicht 45 aus einem Material mit einem spezifischen Widervon 0,03 Ohm-cm eignet sich für einen solchen Transistor, bei' dem die normale Betriebsstromdichte 1000 A/cm~² beträgt, und ergibt einen Flächenwiderstand in der Widerstandsschicht 45, der etwa 10 Ohm pro Quadrat beträgt. Der Flächenwiderstand der Emitterzone 23 soll ungefähr gleich oder größer sein, damit in der Emitterzone 23 ein übermäßiger Stromfluß in deren Flächenausdehnung vermieden wird.

Die dünne Widerstandsschicht 45 wirkt wie eine Vielzahl kleiner Belastungswiderstände, die die Dichte des die Widerstandsschicht 45 in Dickenrichtung durchfließenden Stromes über die Fläche gerechnet weitgehend gleich zu halten streben. Der »Flächenwiderstand, also der Widerstand in Richtung der Flächenausdehnung der Widerstandsschicht 45, ist mit 0,1 bis 10 Ohm pro Quadrat hoch genug, um einen Stromfluß in Richtung der Flächenausdehnung der Widerstandsschicht 45 weitestgehend zu verhindern.

Die Emitterelektrode 41 muß nicht die ganze Emitterzone 23 überdecken und ist hinsichtlich ihrer Form kaum Einschränkungen unterworfen. Wenn die Emitterelektrode 41 die Emitterzone 23 im wesentlichen bedeckt, wie es bei dem in Fig. 1 dargestellten Transistor der Fall ist, soll der Flächenwiderstand der Widerstandsschicht 45 verhältnismäßig hoch liegen, und die Emitterzone 23 soll dann einen Flächenwiderstand etwa des gleichen Wertes oder größer haben. Wenn die Emitterelektrode 41 nur einen vergleichsweise kleinen Teil der Emitterzone 23 überdeckt, wird vorzugsweise der Flächenwiderstand der Widerstandsschicht 45 kleiner gewählt, und außerdem wird der Emitter-Basis-Übergang 29 in Teilflächen aufgeteilt, wie es bei den Transistoren der Fig. 3 A und 3B dargestellt ist. Durch die Unterteilung des Emitter-Basis-Übergangs 29 werden gleichsam der Flächenwiderstand der Emitterzone 23 und das Verhältnis von Emitterumfang zu Emitterfläche erhöht, was besonders für Siliciumtransistoren zweckmäßig ist.

F i g. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel eines Transistors nach der Erfindung, das eine zusätzliche Metallschicht 42 enthält, die zwischen der Emitterzone 23 und der Widerstandsschicht 45 angeordnet ist und einen ohmschen Kontakt mit ihr bildet. Die Widerstandsschicht 45 liegt zwischen zwei Emitterelektroden 41. Der Emitterstrom fließt daher von den

-ίο Emitterelektroden 41 durch die Widerstandsschicht 45 nach innen, wo er sich verteilt und durch die Metallschicht 42 zur Emitterzone 23 gelangt. Bei dieser Ausführungsform sollen die zusätzliche Metallschicht 42 und die Emitterzone 23 jeweils einen verhältnismäßig hohen Flächenwiderstand aufweisen, um einen Stromfluß in seitlicher Richtung, d. h. parallel zu der Schichtfläche der Metallschicht 42, zu vermeiden. Die Metallschicht 42 dient auch dazu, den ohmschen Kontakt mit der Emitterzone 23 zu bilden.

Bei dem in Fig. 2 dargestellten Transistor ruhen auf der Basiszone 25 die Basiselektroden 37 in Form metallisierter Flächen. Die Basiselektroden 37 und ein Randbereich der Emitterzone 23 werden von einer isolierenden Schicht 47 überdeckt. Die Emitterelektroden 41 sind metallisierte Bereiche auf der Oberfläche der isolierenden Schicht 47. Eine Widerstandsschicht 45, die beispielsweise aus teilweise reduziertem Zinnoxid besteht, überdeckt die Metallschicht 42, die Emitterelektroden 41und die isolierendeSchipht 47. Der Flächenwiderstand der Widerstandsschicht 45 beträgt etwa 1 Ohm .pro .Quadrat. Um dies zu erreichen, kann eine etwa 25 μΐη dicke Widerstandsschicht 45 aus teilweise reduziertem Zinnoxid verwendet werden. Für die Widerstandsschicht 45 können auch Schichten aus Widerstandsmetallen oder anderen Widerstandsmaterialien verwendet werden.

Der in F i g. 2 dargestellte Transistor kann nach üblichen Verfahren hergestellt werden. Im folgenden wird ein Verfahren zum Herstellen eines Transistors beschrieben, der fingerartig geformte Emitterzonen 23 enthält, zwischen denen fingerartig geformte Basiselektroden 37 angeordnet sind. Der in F i g. 2 gezeigte Querschnitt soll auch einen Teil eines, splchen Transistors darstellen, der eine fingerartige Emitterzone enthält. Man geht von einer etwa 1,14 X 1,14 X 0,15 mm große Scheibe aus n-Silicium aus, dessen spezifischer Widerstand etwa 1 Ohm/cm beträgt. Eine Seite der Siliciumscheibe wird äbgedeckt, und die so vorbereitete Siliciumscheibe wird dann etwa 25 Minuten in einer eine Borverbindung, wie Bortrioxiddampf enthaltenden Stickstoffatmosphäre auf etwa 1000° C erhitzt. Dabei bildet sich in einem Oberflächenbereich der Siliciumscheibe eine eindiffundiertes Bor enthaltende p-leitende Zone 25, die von dem durch die Diffusion nicht erreichten Endbereich 27, der die Kollektorzone wird, durch einen pn-übergang 31 getrennt ist.

Die Oberfläche der mit Bor dotierten Zone 25 wird dann zur Beseitigung von Fehlstellen geätzt und hierauf so abgedeckt, daß fingerartige Flächen frei bleiben, die etwa 0,1 mm breit, 0,5 mm lang und am einen Ende miteinander verbunden sind und die Ausdehnung der Emitterzone 23 im fertigen Transistor bestimmen. Die so abgedeckte Siliciumscheibe wird dann nochmals etwa 5 Minuten in einer Phosphorpentoxid (P₂O₅) enthaltenden Stickstoffatmosphäre auf etwa 1200° C erhitzt. Hierbei wird der Leitungs-

Übergangs 29 und einen einzigen Kollektor-Basis-Übergangs 31. Dieser. Aufbau des Transistors kann unter Verwendung üblicher Abdeck- und Diffusionsverfahren, hergestellt werden. Bei einem speziellen

5 Ausführungsbeispiel bestand die Halbleiterscheibe aus Silicium, sie war etwa 5,7 mm lang, 3,8 mm breit und 0,25mm dick und enthielt 88 getrennte Teil-'

- bereiche der Emitterzone 23. Jeder Teilbereich war etwa 0,1mm breit, 0,8mm lang und 0,025 mm dick.

typ von Teilen der p-leitenden Zone 25 durch eindiffundierenden Phosphor in den η-Typ umgewandelt,
wobei eine. Emitterzone 23 sowie ein pn-übergang 29
zwischen der Emitterzone 23 und der Basiszone 25
entstehen. Die Abdeckung auf dem mit Bor dotierten
Bereich 25- wird dann entfernt, und die Oberfläche
wird wieder zur Entfernung von Fehlstellen geätzt.
Hierauf wird auf die durch Eindiffusion von Bor
dotierte Seite, der Siliciumscheibe eine Maske aufgebracht/umdie Basiselektroden37 durch Aufdamp- ίο Die Teilbereiche der Emitterzone23 waren in acht fen einer etwa 12,7 μπι dicken Aluminiumschicht Reihen angeordnet, deren Abstand von Mitte zu herzustellen. Mit einer anderen Maske wird dann die Mitte gerechnet etwa 0,66 mm betrug, und jede Reihe Metallschicht .42 durch Aufdampfen einer Gold- enthielt 11 Teilbereiche, die in einem Abstand von schicht hergestellt. Die Metallschicht 42 ist verhält- etwa 0,2 mm, gerechnet von Mitte zu Mitte, angenismäßig dünn und hat einen verhältnismäßig hohen 15 ordnet waren. Die ganze obere Seite der Silicium-Flächenwiderstand, z. B. 10 Ohm pro Quadrat, um scheibe 21 ist mit Ausnahme der von den Basiselekeinen Stromfluß in der Scheibenebene möglichst klein troden 37, deren Verbindungsleiter 38 und der zu halten. Die Metallschicht 42 steht in ohmschem Emitterzone 23 eingenommenen Bereiche mit einer Kontakt mit der Emitterzone 23. etwa 8000 Ä dicken isolierenden Schicht 47 aus ther-AIs nächstes wird die Metallschicht 42 abgedeckt, 20 misch aufgewachsenem Siliciumoxid bedeckt. Die und die ganze Oberfläche wird mit einer isolierenden Teilbereiche der Emitterzone 23 werden an den Rän-Schicht 47 überzogen, anschließend wird die Ab- dem teilweise durch die isolierende Schicht 47 überdeckung wieder entfernt. Für die isolierende Schicht deckt, so daß der Emitter-Basis-Übergang 29 dort, 47 kann irgendein isolierendes Material verwendet wo er zur Oberfläche der Siliciumscheibe 21 durchwerden, z. B. Siliciumoxid, wie es bei thermischer 25 stößt, abgedeckt ist.

Zersetzung einer dampfförmigen Süiciumverbindung Die Reihen der Teilbereiche der Emitterzone 23 'entsteht,. '...;"' werden jeweils durch eine Anzahl von etwa 0,1 mm Die isolierende Schicht. 47 und die Metallschicht breiten und 2,5 μπι dicken fingerförmigen Basis-42 werden nun mit einer "Maske versehen, und zur elektroden 37 getrennt. Auf der isolierenden Schicht Bildung der Emitterelektroden 41 wird eine relativ 3° 47 sind auf den einander gegenüberliegenden Seiten dicke Metallschicht, z.B. aus Aluminium, auf die jeder Spalte zwei fingerförmige, etwa 76-μπι breite isolierende Schicht 47 aufgedampft. Die Emitter- und 2,5 μπι dicke Emitterelektroden 41 aus Aluelektroden 41 sind streifenförmig und verlaufen par- minium angeordnet. Bei der dargestellten Elektrodenallel ZHSßnd längs der beiden Seiten der Emitterzone .anordnung ist jede Basiselektrode 37 etwa 50 μΐη von 23. Anschließend wird die zur Herstellung der 35 jeder der beiden Emitterelektroden 41 zu ihr benach-Emitterelektroden 41 verwendete Aufdampfmaske harten Reihe entfernt. Alle Basiselektroden 37 sind wieder entfernt. am einen Ende durch einen breiten Verbindungs-Die freiliegende Oberfläche der Emitterelektroden leiter 38 verbunden, während die Emitterelektroden 41, die Metallschichten 42 und die isolierende Schicht 41 ebenfalls am einen Ende durch einen Verbin-47 werden hierauf mit einer Widerstandschicht 45 40 dungsleiter 44 verbunden sind, so daß die Basiseleküberzögen. Die Widerstandsschicht 45 kann aus troden 37 und die Emitterelektroden 41 eine vereinem Metall, einer Legierung, z. B, einer Chrom- ... zahnte, ineinandergreif ende Struktur bilden. Nickel-Legierung, oder einer Verbindung, wie teil- leder Teilbereich der Emitterzone 23 wird von weise reduziertem Zinnoxid, bestehen. Metalle, Le- einer getrennten Widerstandsschicht 45 kontaktiert, gierungen und bestimmte chemische Verbindungen 45 die etwa 0,13 mm breit und 0,46 mm lang ist und können in Form einer Schicht niedergeschlagen sich über die benachbarte isolierende Schicht 47 zu werden, die zur Einstellung einer gewünschten Dicke den Emitterelektroden 41 auf beiden Seiten der Teilwährend ihrer Bildung überwacht werden kann. bereiche erstreckt und mit ihnen Kontakte bildet. Die Andere chemische Verbindungen können durch Re- Widerstandsschichten 45 können aus einer Chromaktiön oder Zersetzung von dampfförmigen Reak- 50 Gold-Legierung bestehen und durch gleichzeitiges tionspartnern hergestellt werden, und das Reaktions- Aufdampfen von metallischem Chrom und metalliprodukt kann in Form einer_r Schicht gewünschter schem Gold hergestellt werden; das Aufdampfen Dicke niedergeschlagen werden. Wie oben erwähnt wird dabei so gesteuert, daß sich ein gewünschter wurde, sollen die Dicke und der-spezifische Widerstand Flächenwiderstand ergibt. Bei dem beschriebenen so bemessen werden, daß die Stromdichte durch den 55 Ausführungsbeispiel haben die Widerstandsschichten Emitter-Basis-Übergang beim Nennstrom (gerechnet 45 jeweils einen Flächenwiderstand von etwa 2 Ohm in A/cm²) über die ganze Fläche dieses Überganges
praktisch überall gleich ist und der Spannungsabfall
zwischen-der Emitterzuleitung und der Emitterzone
wenige kT/q Volt beträgt. Der fertige Transistor 60
wird dann mit Lot 35 auf eine Unterlage 33 gelötet.
Das in den Fig. 3A und 3B dargestellte Ausführungsbeispiel eines Transistors nach der Erfindung
enthält eine Halbleiterscheibe 21 mit einer n-leitenden
Kollektorzone 27, einer p-leitenden Basiszone 25 und 65
einer n-leitenden Emitterzone 23, die in eine Anzahl
getrennter Teilbereiche unterteilt ist, eine entsprechende Anzahl getrennter Teile emes Emitter-Basis-

pro Quadrat; brauchbare Transistoren lassen sich jedoch auch mit Flächenwiderständen zwischen 0,1 und 10 Ohm pro Quadrat herstellen.

Claims

Patentansprüche:

1, Flächentransistor mit einem Halbleiterkörper, in dem drei schichtartig aneinandergrenzende Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps ausgebildet sind, an denen Elektroden angebracht sind und auf deren erster, un-

mittelbar an die Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzenden Emitterzone eine sie mit ihrer Emitterelektrode verbindende Widerstandsschicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der — zwischen zwei gegenüberliegenden Seiten eines quadratischen Flächenelementes der Schicht gemessene — Flächenwiderstand der Widerstandsschicht (45) 0,1 bis 10 Ohm pro Quadrat beträgt.
2. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Emitterzone (23) und der Widerstandsschicht (45) eine zusätzliche Metallschicht (42) hohen Flächenwiderstandes vorgesehen ist.
3. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch is gekennzeichnet, daß die Dicke der Widerstandsschicht (45) bei einem spezifischen Widerstand von 0,03 Ohm-cm 30 μ beträgt.
4. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (45) ao aus Halbleitermaterial besteht und. durch Aus-

diffusion oder Rekristallisation als Teil der Emitterzone (23) gebildet ist.
5. Flächentransistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen der Widerstandsschicht (45) und der Emitterzone (23) parallel zueinander verlaufen.
6. Flächentransistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Flächenwiderstand der Emitterzone (23) mindestens so groß wie der Flächenwiderstand der Widerstandsschicht (45) ist.
7. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (45) aus einem Halbleitermaterial oder einem Metall besteht.
8. Flächentransistor nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterelektrode (41) seitlich neben der Emitterzone (23) auf der Oberfläche der isolierenden Schicht (47) angeordnet ist und von der Widerstandsschicht (45) mindestens teilweise überdeckt wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

109553/196