DE1439601A1

DE1439601A1 - Verfahren zur Kennzeichnung von Halbleiterkristallen

Info

Publication number: DE1439601A1
Application number: DE19621439601
Authority: DE
Inventors: Walter Klossika
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1962-07-11
Filing date: 1962-07-11
Publication date: 1968-12-12
Also published as: FR1362344A; DE1439601B2; US3265860A; GB1044904A

Description

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"Verfahren zur Kennzeichnung von HaTbleiterkristallen"

Bei der Herstellung sogenannter Planartransistoren ist es beispielsweise üblich, auf einer einzelnen Halbleiterscheibe mehrere Halbleitersysteme gleichzeitig herzustellen. Zu diesem Zweck wird die gesamte Halbleiterscheibe mit einer Diffusionsschicht vom Leitungstyp der Basiszone sowie mit einer Diffusionsschicht vom Leitungstyp der Emitterzone versehen. Die > einzelnen Systeme werden dann durch Aufteilen der diffundierten Scheibe gewonnen.

Das Aufteilen der Halbleiterscheibe erfolgt mit Hilfe eines Klebebandes« auf das die Halbleiterscheiben zunächst aufge~ klebt werden. Nach dem Aufkleben werden die Scheiben entsprechend den Begrenzungslinien der einzelnen Systeme geritzt und anschließend längs der geritzten Linien gebrochen.

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Es empfiehlt sich, die einzelnen Systeme noch vor dem Aufteilen der Halbleiterscheibe meßtechnisch zu überprüfen. Die Überprüfung erfolgt durch einen Whisker, welcher die einzelnen Systeme auf der Scheibe bzw. deren Elektroden nacheinander abtastet. Durch eine solche meßtechnische Überprüfung können ungeeignete Systeme rechtzeitig erkannt und aussortiert werden. Die Kennzeichnung erfolgt mit Hilfe eines !Farbtupfers, der auf die unbrauchbaren Systeme aufgebracht wird.

Nach dem Zerteilen der Halbleiterscheibe müssen die durch Brechen gewonnenen Einzelsysteme durch Eintauchen in eine heiße, z.B. aus Natronlauge bestehende Iiösung vom Klebeband gelöst werden. Das Eintauchen in eine heiße Lösung hat jedoch den .Nachteil, daß nicht nur das Klebeband, sondern gleichzeitig auch die zur Kennzeichnung aufgebrachte Farbe gelöst wird. Außerdem ist es auch mit erheblichen Schwierigkeiten verbunden, Halbleiterkristalle mit den heute üblichen kleinen Abmessungen zu betupfen.

Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß die Kennzeichnung von Halbleiterkristallen durch einen Stromstoß vorgenommen und zu diesem Zweck ein Bereich der Halbleiteroberfläche durch den Stromstoß derart umgewandeltvird, daß er sich von der übrigen Halbleiteroberfläche durch sein Aussehen unterscheidet.

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Eine solche optische Umwandlung eines Teilbereiches der Halbleiteroberfläche kann beispielsweise durch einen Whisker erfolgen, der auf die zu kennzeichnende Halbleiteroberfläche aufgesetzt und mit einem Stromimpuls beschickt wird. Bei entsprechender Wahl des Stromimpulses läßt sich erreichen, daß die Halbleiteroberfläche in der unmittelbaren Umgebung des "fliiskers leicht angeschmort wird. Die Kennzeichnung von jüinzelsystemen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erfordert dann keinen Mehraufwand, wenn, wie allgemein üblich, ™ ohnehin ein Whisker bei der Bestimmung der elektrischen Werte verwendet und auf die Oberfläche des Halbleiterkristalles aufgesetzt wird. Die Kennzeichnung kann dann unmittelbar an die Messung angeschlossen werden, indem ein geeigneter Stromimpuls in Anschluß an den Meßstrom durch den Whisker geschickt wird.

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. ä

Von einen stabförmigen Halbleiterkristall werden zunächst einseine Scheiben attge schnitt en, die vorerst nicht in eineeine Halbleiterplättchen aufgeteilt, sondern im ungeteilten Zustand weiterbehandelt werden. Die Weiterbehandlung besteht darin, daß die zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes erforderlichen Verfahrensschritte nicht

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nur an einem Halbleiterplattchen, sondern an der ganzen Scheibe durchgeführt werden. Auf der Scheibe werden also gleichzeitig mehrere Systeme aufgebaut.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß beispielsweise mit einer einzigen Diffusion sämtliche Basiszonen derjenigen Systeme hergestellt werden können, in die die Scheibe nach Fertigstellung der für das Bauelement erforderlichen Halbleiterzonen aufgeteilt werden kann. Die einzelnen Halbleiterzonen können z.B. durch Diffusion oder durch Legierung hergestellt werden.

Sind die einzelnen Systeme auf ihrer gemeinsamen Scheibe fertiggestellt, so müssen sie voneinander getrennt werden. Zu diesem Zweck werden die Halbleiterscheiben auf ein Klebeband aufgeklebt und mit einem Diamanten geritzt. Durch das Ritzen werden die Begrenzungslinien der einzelnen Systeme hergestellt. Bevor die Halbleiterscheibe längs der geritzten Linien gebrochen wird, werden die einzelnen Halbleitersysteme noch meßtechnisch überprüft. Eine solche Überprüfung ermöglicht es, unbrauchbare Systeme zu kennzeichnen und damit von der V/eiterverarbeitung auszuschließen.

Die Bestimmung der elektrischen ferte erfolgt mit Hilfe eines Whiskers, der auf die Elektroden der auf der Scheibe befindlichen Halbleitersysteme aufgesetzt wird. Auf diese Weise

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werden sämtliche auf der Halbleiterscheibe befindlichen Systeme nacheinander durchgemessen. Unbrauchbare Systeme worden im Anschluß an die Messung gekennzeichnet. Die Kennzeichnung erfolgt gemäß der Erfindung ebenfalls mit Hilfe des /hiskers, der bei unbrauchbaren Systemen nach der Messung auf eine zur Kennzeichnung geeignete Stelle der Halbleiteroberfläche aufgesetzt und mit einem zur Kennzeichnung geeigneten Stromimpuls beschickt wird. Der Stromimpuls wird dabei so gewählt, daß ein zur Kennzeichnung vorgesehener Bereich auf der Halbleiteroberfläche angeschmort bzw. angeschmolzen wird.

Nach Beendigung der Messung und Kennzeichnung werden die einzelnen Systeme durch Brechen voneinander getrennt. Die Plättchen müssen dann allerdings noch vom Klebeband durch ' Eintauchen in eine heiße Natronlauge gelöst werden.

809812/0673 BAD ORIQINAi.

Claims

Patentansprüche

1»)Verfahren zur Kennzeichnung von Halbleiterkristallen mit bestimmten, vorzugsweise elektrischen Eigenschaften, dadurch gekennzeichnet, daß die Kennzeichnung der Kristalle durch einen Stromstoß vorgenommen und zu diesem Zweck ein Bereich der Halbleiteroberfläche mit Hilfe des Stromstoßes derart umgewandelt wird, daß der umgewandelte Bereich sich von der übrigen Halbleiteroberfläche durch sein Aussehen unterscheidet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zur kennzeichnung verwendete »Stromstoß derart gewählt wifjd, daß der zur Kennzeichnung vorgesehene Bereich angeschmort wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kennzeichnung mit Hilfe eines auf die Halbleiteroberfläche aufgesetzten Whiskers erfolgt.

4-, Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die auf einer gemeinsamen Halbleiterscheibe befindlichen und durch Anritzen der Halbleiteroberfläche begrenzten Halbleitersysteme mit einem Whisker nacheinander abgetastet werden und daß die Halbleitersystame beim Abtasten gemessen und gegebenenfalls mit Hilfe eines Stromstoßes gekennzeichnet werden.

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