DE3040675A1 - Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheiben - Google Patents
Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheibenInfo
- Publication number
- DE3040675A1 DE3040675A1 DE19803040675 DE3040675A DE3040675A1 DE 3040675 A1 DE3040675 A1 DE 3040675A1 DE 19803040675 DE19803040675 DE 19803040675 DE 3040675 A DE3040675 A DE 3040675A DE 3040675 A1 DE3040675 A1 DE 3040675A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- disc
- chemical treatment
- chemical
- machining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
- Verfahren zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben, bei dem jede Scheibe bei der mechanischen Bearbeitung unter Zwischenlage einer an ihr haftenden, mechanische Ungleichheiten der Scheibe ausgleichenden Folie auf einem Träger gehaltert ist.
- Ein Verfahren dieser Art ist aus der DE-OS 28 o8 o83 bekannt.
- Scheiben aus Ifalbleitermaterial (wafer), in denen mit Hilfe der in der Iialbleitertechnologie üblichen Techniken Halbleiterschaltungselemente bzw. -bauelemente ausgebildet werden, haben normalerweise einen Durchmesser zwischen etwa 50 und etwa 125 mm und eine Dicke von etwa 0,5 mm.
- Da die üblicherweise nur an einer Seite der Halbleiterscheibe erzeugten Schaltungs- bzw. Bauelemente sich nur bis zu einer Tiefe von höchstens etwa 40 um in die Scheibe erstrecken, ist es erforderlich- u.a. um unnötig hohe Bahnwiderstände zwischen den Schaltungselementen auf der einen Seite der Scheibe bzw. eines daraus geschnittenen Chips zu der Rückseite zu vermeiden - die Dicke der Scheibe durch mechanische Bearbeitung, wie Schleifen und Läppen, zu verringern.
- Nonnalerweise wird die Dicke der Scheibenbis auf etwa 0,15 mm v<iring<'rt. IJm die mechanische Bearbeitung durchführen zu können, werden die Scheiben durch ein geeignetes Verfahren, z.B. durch Ansaugen, auf dem Träger der Bearbeitungsmaschine, z.B. dem Rotor einer Läppmaschine oder Schleifmaschine, gehaltert.
- Die dem Träger zugewandte Vorderseite der Scheibe, die die Schaltungselemente enthält, ist dabei durch einen Lack geschützt. Da diese Vorderseite jedoch Unebenheiten, z.B. Vorsprünge, aufweisen kann, die während der vorangegangenen Bearbeitungsverfahren entstanden sind, besteht die Gefahr, daß die Scheibe nicht eben auf dann Tt;igei' aufliegt und dann während der mechanischen Bearbeitung solche Spannungen auftreten, daß die Scheibe zerbricht.
- Um diesem Nachteil zu begegnen, ist es bereits bekannt (siehe die o.g. DE-OS 28 o8 083), die Scheibe unter Zwischenlage einer an ihr haftenden, mechanische Ungleichheiten der Scheibe ausgleichenden Folie auf dem Träger zu befestigen.
- Dazu wird auf die Vorderseite der Halbleiterscheibe eine Folie aus einem volumenkompressiblen Material aufgeklebt und die Scheibe dann mit der Folie auf dem Träger der Bearbeitungsmaschine gehaltert.
- Nach Durchführung der mechanischen Bearbeitung, d.h. der Verringerung der Dicke der Scheibe, wird dann die Folie wieder von ihr abgelöst, und die Scheibe weiteren Hearbeitungsschritten unterworfen.
- Es ist jedoch in der Regel erforderlich, nach der mechanischer Verringerung der Dicke der Halbleiterscheibe, die mechanisch bearbeitete Fläche noch einer chemischen Behandlung, in der Regel einer Ätzbehandlung zu unterwerfen, um die Scheibe durch chemisches Abtragen von Material auf die endgültig gewünschte Dicke zu bringen und alle Verunreinigungen, Strukturstörungen und störenden Schichten von der Rückseite der Scheibe zu entfernen.
- Dabei ist es erforderlich , die Vorderseite der Scheibe vor den bei der chemischen Behandlung angewandten Mitteln zu schützen. Dies geschieht in der Regel dadurch, daß die Vorderseite der Scheibe mit einem schützenden Überzug, z.B.
- einer Wachs-, Teer- oder Lackschicht, versehen wird. Dazu ist vje(locIs ein besonderes zusätzliches, Zeit und Kosten erforderndes Verfahren nötig.
- Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß die Zahl der erforderlichen Verfahrensschritte verringert wird.
- Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Folie bei einer anschließenden chemischen Behandlung der Scheibe als eine der Hauptflächen der Scheibe vor dem oder den chemischen Behandlungsmittel(n) schützenden Abdeckung dient und erst nach Abschluß dieser Behandlung entfernt wird.
- Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
- Die mit der Erfindung erzielten Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, daß die vor der mechanischen Behandlung der Scheibe aufzubringende Folie nach Abschluß dieser Bearbeitung die Funktion einer die zu schützende Hauptfläche der Scheibe vor den bei der anschließenden chemischen Behandlung anzuwendenden Mitteln schützenden Maske übernimmt, zusätzliche Maskierungs- und Reinigungsschritte also entfallen.
- Es ist zudem nicht erforderlich, die durch die mechanische Bearbeitung schon stark, z.B. auf 90 µm Dicke, verdünnten Scheiben ZU hantiern, da sie bis zum Abschluß der chemischen Behandlung mit der sie praktisch tragenden Folie verbunden bleiben. Die Bruchgefahr beim Hantieren der Scheiben wird dadurch entscheidend verringert.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.
- Die einzige Figur zeigt in schematischer Darstellung, mit in Dickenrichtung übertriebenen Abmessungen, eine Hal leiterscheibe 1, deren Vorderseite 2 die Schaltungs bzw. Bauelemente enthält, durch eine auf ihr befestigten Folie 3 geschützt ist.
- Der Durchmesser der Folie 3 ist dabei etwas (z.B. 1 bis 2 mm)größer als der Durchmesser der Scheibe 1, um so zu verhindern, daß während der chemischen Behandlung die Behandlungsmittel zwischen Scheibe 1 und Folie 3 eindringen und die zu schützende Vorderseite 2 erreichen können.
- Zur Durchführung des Verfahrens wird die Vorderseite 2 der Scheibe 1 zunächst mit einem geeigneten Schutzlack bedeckt. Auf diesen Schutzlack wird dann die Folie 3 aufgebracht. Vorzugsweise geschieht dies durch Aufrollen.
- Die Folie wird dabei durch eine Klebschicht mit der Scheibe verbunden. Die Folie kann z.B. aus Hart-PVC bestehen und eine KlebschicIIt aus einem Synthesekautschuk Polyisobutylen) versehen sein Anschließend werden mehrere derart vorbereitete Scheiben auf den Träger einer mechanischen Bearbeitungsmaschine, z.B. den Rotor einer Schleif- oder Läppmaschine, gehaltert, und die Dicke der Scheiben, die zunächst etwa 0,5 mm beträgt, wird auf etwa 0,15 mm verringert.
- Anschließend werden die Scheiben jeder von dem Träger der mechanischen Bearbeitungsmaschine entfernt und mit der nach wie vor auf ihr befindlichen Folie als Schutzmaske in ein Ätzbad eingebracht, das Schichten, Strukturstörungen und Verunreinigungen von der Scheibe entfernt und ihre Dicke auf das endgültig beabsichtigte Maß bringt. Dieses Ätzbad kann z.B. aus 7,5 1 kochender HNO3 und 3 1 40%iger HF bestehen.
- Anschließend werden die Scheiben gespült und dann die Folien 3 mit ihrer Klebstoffschicht durch etwa 10 bis 15minütiges Eintauchen in Aceton abgelöst.
- Die Scheiben werden dann den weiteren erforderlichen Bearbeitungsschritten unterworfen.
Claims (6)
- PATENTANSPRÜCHE: D Verfahren zum Bearbeiten von Halbleiterscheiben, bei dem jede Scheibe bei der mechanischen Bearbeitung unter Zwischenlage einer an ihr haftenden, mechanische Ungleichheiten der Scheibe ausgleichenden Folie auf einem Träger gehaltert ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie bei einet anschließenden chemischen Behandlung der Scheibe als eine der Hauptflächen der Scheibe vor dem oder den chemischen Behandlungsmittel(n) schützenden Abdeckung dient und erst nach Abschluß dieser Behandlung entfernt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Folie auf die Scheibe aufgeklebt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Folie verwendet wird, die den Rand der Scheibe etwas überragt.
- 4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ausprüche dadurch gekennzeichnet, daß eine Folie aus Hart-PVC verwendet wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Folie mit einer Klebschicht aus Synthesekautschuk (Polyisobutylen) verwendet wird.
- 6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche zur Behandlung von Halbielterscheiben mit einer Ausgangsdicke von etwa 0,5 mm, dadurch gekennzeichnet, daß eine Folie mit einer Dicke von etwa 0, 1 mm verwendet wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803040675 DE3040675A1 (de) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheiben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803040675 DE3040675A1 (de) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheiben |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3040675A1 true DE3040675A1 (de) | 1982-05-06 |
Family
ID=6115421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803040675 Withdrawn DE3040675A1 (de) | 1980-10-29 | 1980-10-29 | Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheiben |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3040675A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0423648A1 (de) * | 1989-10-20 | 1991-04-24 | Fujitsu Limited | Plättchen-Verarbeitung |
| EP0999583A3 (de) * | 1998-11-05 | 2000-11-22 | Philips Corporate Intellectual Property GmbH | Stabilisierung eines Substrats mittels Trägerelement |
-
1980
- 1980-10-29 DE DE19803040675 patent/DE3040675A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0423648A1 (de) * | 1989-10-20 | 1991-04-24 | Fujitsu Limited | Plättchen-Verarbeitung |
| EP0999583A3 (de) * | 1998-11-05 | 2000-11-22 | Philips Corporate Intellectual Property GmbH | Stabilisierung eines Substrats mittels Trägerelement |
| US6391679B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-05-21 | U.S. Philips Corporation | Method of processing a single semiconductor using at least one carrier element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3122981C2 (de) | ||
| DE102006018644B4 (de) | Bearbeitungsverfahren für einen Halbleiterwafer | |
| DE2846398A1 (de) | Verfahren zum zertrennen einer halbleiterplatte in mehrere plaettchen | |
| DE10051890A1 (de) | Halbleiterwaferteilungsverfahren | |
| DE102004006494A1 (de) | Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| DE102012220161B4 (de) | Bearbeitungsverfahren für einen Wafer mit einem abgeschrägten Abschnitt entlang des äusseren Umfangs davon | |
| DE102016200023A1 (de) | Waferbearbeitungsverfahren | |
| DE2161217B2 (de) | Mit Unter- und Überdruck arbeitendes Verfahren zur Herstellung einer aus einer Silikatglasscheibe, einer thermoplastischen Klebeschicht und einer Kunststoff-Folie bestehenden, optisch hochwertigen Verbundsicherheitsglasscheibe | |
| DE112014003787T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers | |
| EP0385970B1 (de) | Verfahren zur mechanischen Oberflächenbehandlung blanker Bleche | |
| DE19704546A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer einseitig beschichteten und mit einem Finish versehenen Halbleiterscheibe | |
| DE2357134B2 (de) | Bohrer aus hartmetall | |
| DE102014226050A1 (de) | Bauelementwafer-Bearbeitungsverfahren | |
| EP0279949A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
| DE3040675A1 (de) | Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheiben | |
| DE1801878C3 (de) | Vorrichtung zum Halten einer Mehrzahl von kleinen, dünnen Werkstücken | |
| DE102004059599B3 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer Klebstoffschicht auf dünngeschliffene Halbleiterchips eines Halbleiterwafers | |
| DE102005041539B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines scheiben- und/oder plattenförmigen Verbundkörpers | |
| DE4301937C1 (de) | Verfahren zum Herstellen dünner Platten aus Natur- oder Kunststein | |
| DE10391795B4 (de) | Verfahren zum Bearbeiten und Zerteilen eines Halbleiterwafers | |
| DE3920788C1 (de) | ||
| DE2913678C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Bauteilen mit einem zwischen geraden Endabschnitten angeordneten gebogenen Abschnitt aus Holzwerkstoffen | |
| DE4006070C2 (de) | ||
| DE1439601A1 (de) | Verfahren zur Kennzeichnung von Halbleiterkristallen | |
| DE1219764B (de) | Verfahren zum polierenden Abtragen von einkristallinen Halbleiterkoerpern, insbesondere Halbleiterscheiben |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |