DE1439601B2

DE1439601B2 - Verfahren zum kennzeichnen einzelner halbleitersysteme

Info

Publication number: DE1439601B2
Application number: DE19621439601
Authority: DE
Inventors: Walter 7100 Heilbronn Klossika
Original assignee: Telefunken Patentverwertungsgesell schaft mbH, 7900 Ulm
Priority date: 1962-07-11
Filing date: 1962-07-11
Publication date: 1971-06-24
Also published as: GB1044904A; DE1439601A1; FR1362344A; US3265860A

Claims

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kenn- leiterkristalles aufgesetzt wird Die Kennzeichnung

zeichnen einzelner Halbleitersysteme mit bestimmten, kann dann unmittelbar an die Messung angeschlossen

elektrischen Eigenschaften auf einer Halbleiter- werden, indem ein geeigneter Stromimpuls in An-

scheibe mit einer Vielzahl von Halbleitersystemen. Schluß an den Meßstrom durch den Whisker ge-

Bei der Herstellung von Planartransistoren ist es 5 schickt wird.

beispielsweise üblich, auf einer einzelnen Halbleiter- Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel

scheibe mehrere Halbleitersysteme gleichzeitig her- näher erläutert werden.

zustellen. Zu diesem Zweck wird die gesamte Halb- Von einem stabförmigen Halbleiterkristall werden

leiterscheibe mit einer Diffusionsschicht vom zunächst einzelne Scheiben abgeschnitten, die vorerst

Leitungstyp der Basiszone sowie mit einer Diffusions- io nicht in einzelne Halbleiterplättchen aufgeteilt, son-

schicht vom Leitungstyp der Emitterzone versehen. dem im ungeteilten Zustand weiterbehandelt werden.

Die einzelnen Halbilfeitersysterne werden dann durch Die Weiterbehandlung besteht darin, daß die zur

Aufteilen der diffundierten Scheibe gewonnen. Herstellung eines Halbleiterbauelementes erforder-

Das Aufteilen. der Halbleiterscheibe erfolgt mit liehen Verfahrensschritte nicht nur an einem. HaIb-HiIfe eines Klebebandes, auf das die Halbleiter- 15 leiterplättchen, sondern an der ganzen Halbleiterscheiben zunächst aufgeklebt werden. Nach dem scheibe durchgeführt werden. Auf der Halbleiter-Auf kleben werden die Halbleiterscheiben ehtspre- scheibe werden also gleichzeitig mehrere Halbleiterchend den Begrenzungslinien der einzelnen Halb- systeme aufgebaut.

leitersysteme geritzt und anschließend längs der ge- Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß beispiels-

ritzten Linien gebrochen. 20 weise mit einer einzigen Diffusion sämtliche Basis-

Es empfiehlt sich, die einzelnen Halbleitersysteme zonen derjenigen Halbleitersysteme hergestellt wer-

noch vor dem Aufteilen der Halbleiterscheibe meß- den können, in die die Scheibe nach Fertigstellung

technisch zu überprüfen. Die Überprüfung erfolgt der für das Bauelement erforderlichen Halbleiter-

durch einen Whisker, welcher die einzelnen Systeme zonen aufgeteilt werden kann. Die einzelnen Halb-

auf der Scheibe bzw. deren Elektroden nacheinander 25 leiterzonen können auch durch Legieren hergestellt

abtastet. Durch eine solche meßtechnische Über- werden.

prüfung können ungeeignete Systeme rechtzeitig Sind die einzelnen Halbleitersysteme auf: ihrer

erkannt und aussortiert werden. Die Kennzeichnung gemeinsamen Scheibe fertiggestellt, so müssen sie

erfolgte bisher mit Hilfe eines Farbtupfers, der auf voneinander getrennt werden. Zu diesem Zweck

die unbrauchbaren Systeme aufgebracht wird. 30 werden die Halbleiterscheiben auf ein Klebeband

Nach dem Zerteilen der Halbleiterscheibe müssen aufgeklebt und mit einem Diamanten geritzt. Durch die so erhaltenen Einzelsysteme durch Eintauchen das Ritzen werden die Begrenzungslinien der einzelin eine heiße, z. B. aus Natronlauge. bestehende nen Halbleitersysteme hergestellt. Bevor die HaIb-Lösung vom Klebeband gelöst werden. Das Ein- leiterscheibe längs der geritzten Linien gebrochen tauchen in eine heiße Lösung hat jedoch den Nach- 35 wird, werden die einzelnen Halbleitersysteme meßteil, daß nicht nur das Klebeband, sondern gleich- technisch überprüft. Eine solche Überprüfung ermögzeitig auch die zur Kennzeichnung aufgebrachte licht es, unbrauchbare Systeme zu kennzeichnen und Farbe gelöst wird. Außerdem ist es auch mit erheb- damit von der Weiterverarbeitung auszuschließen,
liehen Schwierigkeiten verbunden, Halbleiterkristalle Die Bestimmung der elektrischen Werte erfolgt mit den heute üblichen kleinen Abmessungen mit 40 mit Hilfe eines Whiskers, der auf die Elektroden der Farbe zu betupfen. auf der Scheibe befindlichen Halbleitersysteme auf-

Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungs- gesetzt wird. Auf diese Weise werden sämtliche auf

gemäß vorgeschlagen, daß auf die Oberfläche des zu der Halbleiterscheibe befindlichen Systeme nachein-

kennzeichnenden Halbleitersystems eine Elektrode ander durchgemessen. Unbrauchbare Halbleiter-

aufgesetzt wird, die bei Vorliegen der bestimmten 45 systeme werden im Anschluß an die Messung ge-

elektrischen Eigenschaften mit einem solchen Strom- kennzeichnet. Die Kennzeichnung erfolgt gemäß der

stoß beschickt wird, daß die Stelle, an der die Elek- Erfindung ebenfalls mit Hilfe des Whiskers, der bei

trode aufliegt, angeschmort wird. unbrauchbaren Halbleitersystemen nach der Messung

Es ist bekannt, daß Spitzentransistoren und auf eine zur Kennzeichnung geeignete Stelle der Spitzendioden durch Elektroformierung hergestellt 50 Halbleiteroberfläche aufgesetzt und mit einem Stromwerden können. Hierbei ändert sich bei der Her- impuls beschickt wird. Die Höhe des Stromimpulses stellung des Punktkontaktes die Oberflächenstruktur wird dabei so gewählt, daß der zur Kennzeichnung des Halbleiterkörpers. Dieses Verfahren betrifft je- vorgesehene Bereich auf der Halbleiteroberfläche andöch nicht die Kennzeichnung von Halbleiter- geschmort bzw. angeschmolzen wird,
systemen. ■..·....■ 55 Nach Beendigung der Messung und Kennzeichnung

Eine solche optische Umwandlung eines Teil- werden die einzelnen Halbleitersysteme durch

bereiches der Halbleiteroberfläche kann beispiels- Brechen voneinander getrennt. Die Plättchen müssen

weise durch einen Whisker erfolgen, der auf die zu dann noch vom Klebeband durch Eintauchen in eine

kennzeichnende Halbleiteroberfläche aufgesetzt und heiße Natronlauge gelöst werden,
mit einem Stromimpuls beschickt wird. Bei entspre- 60

chender Wahl des Stromimpulses läßt sich erreichen, Patentansprüche:
daß die Halbleiteroberfläche in der unmittelbaren

Umgebung des Whiskers leicht angeschmort wird. 1. Verfahren zum Kennzeichnen einzelner

Die Kennzeichnung von Einzelsystemen nach dem Halbleitersysteme mit bestimmten, elektrischen

Verfahren nach der Erfindung erfordert dann keinen 65 Eigenschaften auf einer Halbleiterscheibe mit

Mehraufwand, wenn, wie allgemein üblich, ohnehin einer Vielzahl von Halbleitersysternen, dadurch

ein Whisker bei der Bestimmung der elektrischen gekennzeichnet, daß auf die Oberfläche des

Werte verwendet und auf die Oberfläche des Halb- zu kennzeichnenden Halbleitersystems eine Elek-

trode aufgesetzt wird, die bei Vorliegen der bestimmten elektrischen Eigenschaften mit einem solchen Stromstoß beschickt wird, daß die Stelle, an der die Elektrode aufliegt, angeschmort wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die auf der gemeinsamen Halbleiterscheibe befindlichen und durch Anritzen der Halbleiteroberfläche begrenzten Halbleitersysteme mit einer Elektrode nacheinander abgetastet und daß die Halbleitersysteme beim Abtasten gemessen und die unbrauchbaren Systeme mit Hilfe eines Stromstoßes gekennzeichnet werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Meß- und Kennzeichnungselektroden Whisker verwendet werden.