DE2340425A1

DE2340425A1 - Vorrichtung zur alphanumerischen zeichenanzeige

Info

Publication number: DE2340425A1
Application number: DE19732340425
Authority: DE
Inventors: Setsuo Usui
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1972-08-10
Filing date: 1973-08-09
Publication date: 1974-02-21
Also published as: FR2197201A1; CA978625A; JPS5113621B2; JPS4938574A; IT992927B; FR2197201B1; GB1438689A; NL7311114A

Description

It 2570

SONY CORPORATION Tokyo / Japan

Vorrichtung zur alphanumerischen Zeichenanzeige

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur alphanumerischen Zeichenanzeige. Die einer alphanumerischen Zeichenanzeige zugrunde liegende Konstruktion i.st bekannt, wie die elektronischen Rechenmaschinen zeigen. Eine allgemeine Form einer solchen Vorrichtung ist eine evakuierte Röhre, die ein ionisierbares Gas wie Neon enthält. Jedes Zeichen besteht aus sieben Kathodensegmenten in Form einer Ziffer "8". Mehrere solcher Zeichen werden an einer einzigen Röhre gebildet und selektiv zum Glühen gebracht, um das gewünschte Zeichen anzuzeigen.

Vorrichtungen der obigen Art haben den Nachteil, daß die Lichtmenge, die von einem kompakten Gebilde emittiert werden kann, relativ gering ist. Die Tiefe der Anzeigevorrichtung ist ebenfalls ein kritischer Faktor für die Apassung der Vorrichtung für den beabsichtigten Anwendungsfall.

In der US-Patentanmeldung Nr. 320 720 ist eine alphanumerische Anzeigevorrichtung beschrieben, die lichtemittierende

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ORIGINAL INSPECTED

Dioden zur Bildung alphanumerischer Zeichen verwendet. Die Dioden haben PN-Übergänge, die in Ebenen senkrecht zu einer transparenten Grundplatte liegen, auf der sie angeordnet sind.

Lichtemittierende Dioden sind bekannt. Das von solch einer Diode emittierte Licht ist auf Löcher-Elektronen-Kombinationen zurückzuführen. Bei einer lichtemittierenden Halbleiterdiode wird die Zufuhr von Elektronen hoher Energie durch Vorspannen der Diode in Durchlaßrichtung erreicht, so daß Elektronen in die N-Zone (und Löcher in die P-Zone) injiziert werden. Die injizierten Löcher und Elektronen kombinieren dann wieder mit den Majoritätsträgern nahe dem übergang. Die sich aufgrund der Kombination ergebende Strahlung wird dann in alle Richtungen emittiert.

Die Verwendung lichtemittierender Dioden in alphanumerischen Zeichenanzeigevorrichtungen ist z.B. aus "Electronics", 11. Mai 1970, Seiten 88 bis 93 bekannt.

Bei der alphanumerischen Zeichenanzeigevorrichtung gemäß der Erfindung bestimmt die Bereite der lichtemittierenden Dioden die Breite der Linien, die die Konstruktionssegmente bilden. Dadurch kann ein extrem feines Linienmuster erhalten werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine alphanumerische Zeichenanzeigevorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Diode für jedes Anzeigesegment zu schaffen, bei der ein integrierter Schaltkreis die ohm¹sehen Kontakte der verschiedenen Dioden verbindet, bei der eine feinlinige Lichtquelle für jede Anzeigelinie vorhanden ist, bei der ein hoher Grad an Helligkeit erzielt wird, die wirtschaftlich herzustellen ist und die stabil und zuverlässig beim Gebrauch ist.

Die Lösung dieser Aufgabe sowie Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen.

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Durch die Erfindung wird auch ein neues Verfahren zur Befestigung lichtemittierender Dioden an einer transparenten Grundplatte geschaffen, die die Leitungen für die verschiedenen Dioden bildet.

Bei einer ersten bevorzugten Ausfuhrungsform der Erfindung wird eine leitende Schicht in Form eines Verdrahtungsmusters, das den Anschlüssen der elektronischen Teile wie z.B. einer lichtemittierenden Diode oder eines Transistors entspricht, auf einer ersten Glasplatte gebildet. Danach wird eine erste isolierende Harzschicht auf der leitenden Schicht gebildet. Vorbestimmte Teile dieser Harzschicht werden entfernt, um die elektronischen Teile zu halten.

Die elektronischen Teile werden in geätzte Ausnehmungen eingesetzt und dann wird ein fotoelektrisches Harz auf die elektronischen Teile und die erste Harzschicht aufgebracht, so daß die elektronischen Teile vorübergehend an der leitenden Schicht befestigt werden. Danach werden die elektronischen Teile durch ein fotoelektrisches haftendes Harz vollständig befestigt, das zwischen die elektronischen Teile und erste Glasplatte und die leitende Schicht gegossen wird.

Danach wird ein zweites isolierendes Harz auf der ersten isolierenden Harzschicht durch die fotoelektrische Harzschicht gebildet, die verwendet wird, um die elektronischen Teile vorübergehend zu befestigen. Diese zweite Harzschicht wird jedoch an bestimmten Stellen wie demVerbjndunpspurikt zwischen dem Anschluß der elektronischen Teile und der leitenden Schicht und auch an einem äußeren Anschluß entfernt.

Dann wird ein leitendes Harz auf den oben erwähnten Verbind ungspurkt und auch die Stelle des äußeren Anschlusses gegossen.

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Schließlich wird eine zweite Glasplatte mit einer reflektierenden Schicht an der zweiten Isolierschicht befestigt, die das Licht auf die Außenseite durch das obige fotoelektrische haftende Harz und die erste Glasplatte reflektiert .

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis 26 beispielsweise erläutert. Es zeigt:

Figur 1 eine perspektivische Darstellung einer lichtemittierenden Diode, wie sie bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung verwendet wird,

Figur 2 einen Querschnitt einer leitenden Schicht vor Bildung des Leitungsmusters, wie sie bei der Erfindung verwendet wird,

Figur 3 eine Aufsicht der oberen Oberfläche eines Teils einer transparenten Platte nach Bildung des Leitungsmusters,

Figur 4 einen Schnitt längs der Linie IV-IV in Fig. 3,

Figur 5 eine Aufsicht der Platte, die mit der ersten isolierenden Harzschicht über der leitenden Schicht überzogen ist,

Figur 6 und 7 einen Querschnitt und eine perspektivische Darstellung entsprechend Fig. 5,

Figur 8 und 10 bis 17 in einer Folge von Querschnitten die Herstellung einer alpha-numerischen Zeichenanzeigevorrichtung in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,

Figur 9 eine Fotomaske, die bei der Herstellung der Vorrichtung verwendet wird und über der ersten isolierenden Harzschicht liegt ,

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Figur 18 einen Querschnitt eines Teils einer Substratglasplatte, die im Abstand auf einer Grundglasplatte getragen wird, beim Beginn der Herstellung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,

Figur 19 eine Aufsicht des Musters der auf dem Glassubstrat der Fig. 18 gebildeten leitenden Schicht,

Figur 20 eine vergrößerte Darstellung eines Teils der Fig. 19,

Figur 21 eine Aufsicht eines zweiten Musters aus isolierendem Material, das auf das erste leitende Muster aufgebracht ist, mit Behältern zur Aufnahme der Dioden,

Figur 22 die lichtemittierenden Dioden zweier Zeicheneinheiten zusammen mit einer dritten leitenden Harzschicht auf der zweiten Schicht,

Figur 23 eine perspektivische Darstellung eines Teils der Fig. 22,

Figur 24 einen leitenden überzug, der auf die dritte Harzschicht und in die Ausnehmungen gegossen ist,

Figur 25 einen Querschnitt der Vorrichtung, wobei der obere Teil des leitenden Masters selektiv entfernt ist, und

Figur 26 die fertige Vorrichtung.

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Es wird nun auf die erste bevorzugte Ausführungsform der Erfindung Bezug genommen.

In Fig. 1 der Zeichnungen ist eine lichtemittierende Diode 1 gezeigt, die einen PN-Übergang hat, der zwischen einer P-Typ-Zone 2 und einer N-Typ-Zone 3 gebildet ist. Diese Diode ist vorzugsweise z.B. aus Galliumphosphid, Siliziumcarbid oder Galliumnitrid hergestellt. Die Diode 1 wird vorzugsweise dadurch hergestellt, daß ein Halbleiterplättchen mit einer Diamantsäge geschnitten wird. Ohm'sche Kontakte 4 und 5 werden an den P- und N-Typ-Zonen 2 und ausgebildet.

Z.B. wurde festgestellt, daß die folgenden Abmessungen für die Diode besonders günstig sind. Die Dicke a der P-Typ-Zone beträgt vorzugsweise 50 bis 100 Mikron, wobei sich 80 Mikron besonders eignet. Die Dicke b der N-Typ-Zone beträgt vorzugsweise 200 bis 3OO Mikron, wobei Mikron besonders geeignet ist. Die maximale Dicke c und d der ohm¹sehen Kontakte beträgt vorzugsweise etwa 1.000 Angström. Die Länge e der lichtemittierenden Diode beträgt vorzugsweise 2 Millimeter. Die Breite f beträgt vorzugsweise 50 bis 100 Mikron,

Das Endprodukt ist eine Vorrichtung, die eine Anzahl von alphanumerischen Zeicheneinheiten aufweist, die in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind und die so ausgebildet sind, daß sie einzeln selektiv erregt werden. Jede Zeicheneinheit besteht aus neun Dioden, von denen sieben im Muster einer üblichen Ziffer "8" angeordnet sind, während die beiden zusätzlichen Dioden für einen Dezimalpunkt bzw. einen Strich bestimmt sind. Eine Elektrode aller Dioden aller Zeicheneinheiten sind durch eine'erste Leitung elektrisch verbunden. Die andere Elektrode einer jeden Diode einer einzelnen Einheit ist gesondert mit einer anderen zweiten Leitung verbunden.

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Es sind neun zweite Leitungen vorhanden, eine für jede Diode der Zeicheneinheit. Alle entsprechend angeordneten Dioden einer jeden Zeicheneinheit sind durch ihre jeweiligen zugehörigen Leitungen verbunden. Die gemeinsam verbundenen Elektroden einer jeden Zeicheneinheit haben einen gesonderten Anschluß für jede Zeicheneinheit. Dies ergibt sich deutlicher, wenn die zweite Ausfuhrungsform der Erfindung anhand der Fig. 19 beschrieben wird.

Es wird nun das Herstellungsverfahren der ersten Ausführungsform beschrieben. Wie Fig. 2 zeigt, wird eine Glasplatte 6 in eine Cr₂So₄-Flüssigkeit 24 Stunden eingetaucht und dann mit Wasser und Aceton gewaschen.

Danach werden, wie Fig. 2 zeigt, eine Aluminiumschicht 7 (etwa 2 u dick), eine Aluminium-Kupfer-Legierungsschicht 8 (etwa 0,5 bis 1,Ou dick) und eine Kupfer-Schicht 9 (etwa 3 u dick) der Reihe nach auf der Glasplatte 6 durch, irgendein bekanntes Verdampfungsverfahren aufgebracht. Die Dicke der gesamten aufgebrachten Metallschicht beträgt vorzugsweise mehr als 5 u, so daß bei dem Endherstellungsverfahren dieser Vorrichtung der Leitungsrahmen mit der Metallschicht fest durch Lötmetall verbunden wird.

Die Al-Cu-Legierungsschicht 8 und die relativ dicke Al-Schicht 7 tragen dazu bei, die hohe Auflösung des Leitungsdrahtmusters auf der Glasplatte 6 während des fitzvorgangs hervorzurufen. Außerdem haftet die relativ dicke Al-Schicht 7 stärker an der Glasschicht 6 als Kupfer und daher wird dadurch die sog. "Seitenätzung" vermieden.

Diese Glasplatte 6 mit den Metallschichten wird 24 Stunden lang bei 40 C im Freien belassen und dann etwa 2 Stunden lang bei 90°C gebrannt, um eine bessere Haftung der jeweiligen Schichten aneinander zu erreichen.

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Beim nächsten Schritt wird auf der Oberfläche der aufgebrachten Schicht 9 ein Fotowiderstand mit einer Dicke von etwa 1 u abgelagert. Jeder geeignete Fotowiderstand kann verwendet werden, wie z.B. der unter der Handelsbezeichnung "AZ-135OH" erhältliche. Dieser Fotowiderstand wird etwa 30 Minuten lang bei 9O°C vorgebrannt und dann unter Verwendung einer Maske, die ein vorbestimmtes leitendes Muster hat, belichtet. Die Belichtungszeit beträgt etwa 2 bis 3 Minuten bei 100.000 Lux.

Die Musterätzung kann mit den nächstfolgenden Schritten durchgeführt werden. Zuerst wird die Cu-Schicht 4 in einer Flüssigkeit, die aus HNO₃ : H₃O =1:1 (30 bis 35°C) zusammengesetzt ist, 45 bis 50 Minuten vollständig geätzt. Die Ätzgeschwindigkeit beträgt 3 u/Minuten.

Nach Waschen der Platte mit Wasser wird die obige Widerstandsschicht z.B. mit Aceton entfernt. Diese geätzte Kupfermusterschicht wird als Ätzmaske für die Al-Schicht

8 verwendet. Die Al-Schicht 8 wird in einer gemischten Flüssigkeit von NaOH (oder KOH) : H₃O = 200 1 für 5 bis 10 Minuten bei 20°C geätzt. Die Ätzgeschwindigkeit beträgt zweckmäßigerweise 1 u/Minuten. Die Al-Cu-Legierungs-Schicht 8 kann dann während des Ätzvorgangs der Cu-Schicht

9 und der Al-Schicht 7 gleichzeitig geätzt werden. Nach dem Ätzen wird die Platte mit Wasser und Aceton gewaschen und dann getrocknet.

Fig. 3 zeigt das Muster einer leitenden Schicht 10 auf der Glasplatte 6. Die Schicht 10 besteht aus mehreren Abschnitten 11 bis 20, wobei der Abschnitt 20 eine gemeinsame Elektrode bildet.

Lichtemittierende Dioden werden in den Spalten 21 bis 29 angeordnet, die zwischen den Abschnitten 11 bis 19

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und dem Abschnitt 20 liegen. Wie Fig. 3 zeigt, ist diese Anzeigeform als Ziffer "8" mit einem Dezimalpunkt und einem Strich bekannt. Die Anschlüsse für die verschiedenen leitenden Abschnitte sind mit der jeweiligen Ziffer eines jeden Abschnitts und einem Strich bezeichnet.

Fig. 4 zeigt einen Querschnitt längs der Linie HA¹ -HA¹ in Fig. 3 sowie die Lage der jeweiligen leitenden Abschnitte 16 bis 20 auf dem Glassubstrat.

Beim nächsten Schritt wird eine erste isolierende Harzschicht 30, die dazu dient, die lichtemittierende Diode zu halten, auf der Glasplatte 6 und der leitenden Schicht 10 gebildet, wie Fig. 6 zeigt. Bei der Herstellung dieser ersten isolierenden Schicht 30 sollte, wie die Fig. 5 bis 7 zeigen, der Teil, auf der die lichtemittierende Diode gehalten wird, nicht bedeckt sein, und die äußeren leitenden Anschlüsse 11* bis 20' sollten ebenfalls nicht bedeckt sein. Es ist sehr wichtig, daß die leitenden Abschnitte 11 bis 20 die lichtemittierende Diode um deren Mittelteil kontaktieren, da effektiv der konkave Teil der Harzschicht 30 dazu dient, die lichtemittierenden Dioden zu halten.

Die Fig. 6 und 7 zeigen einen Querschnitt und eine perspektivische Darstellung längs der Linie VI-VI in Fig. Eine Ausnehmung 31 trägt die lichtemittierende Diode. Das für die obige photoelektrische Harzschicht 30 verwendete Harz, das unter der Handelsbezeichnung "SONNE 1027" oder"SONNE X-Hl" erhältlich ist, kann durch einen Farbstoff z.B. blau gefärbt werden. Die Farbdichte wird so gewählt, daß die Harzschicht 30 bei einer vorbestimmten Lichtstärke hart wird und außerdem dient die Harzschicht 30 als optischer Isolator. Die Dicke der Harzschicht 30 sollte die gleiche sein wie die der lichtemittierenden Diode 1.

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Bei der Herstellung der Fotoharzschicht 30 wird das Harz auf die Platte 6 gegossen, das die aus Abschnitten bestehende leitende Schicht 10 hat, und dann wird die Glasfotomaske durch einen Polyeaterfilm (transparent) an der aufgegossenen Harzschicht befestigt. Dieser Polyesterfilm kann mit dem aufgegossenen Harz durch Alkohol in festen Kontakt gebracht werden. Um diese Fotoharzschicht 30 herzustellen, wird die Belichtung bei etwa lOO.OOO Lux 3 Minuten lang durchgeführt. Nach der Belichtung wird die Platte unter Verwendung einer Ultraschallwelle in N-Butylalkohol gewaschen. Danach wird sie mit Äthyläther gespült und getrocknet.

Wie Fig. 8 zeigt, wird die lichtemittierende Diode 1 in einer Ausnehmung 31 angeordnet, so daß deren PN-Übergang zu der Glasplatte 6 gerichtet ist. Der Schritt des Einsetzens der Diode 1 in die Ausnehmung 31 ist leicht und hat eine hohe Zuverlässigkeit, da die Ausnehmung 31 als Halter für die Diode dient.

Nach der Anordnung der Diode 1 wird sie durch den nächsten Schritt vorläufig befestigt. Zunächst wird auf die gesamte Oberfläche der Platte 6 eine Schicht aus fotoelektrischem Harz aufgebracht, das unter der Handelsbezeichnung "SONNE KPM 1027" (ein transparentes Material) erhältlich ist. Dann wird das Harz unter Verwendung der Maske 32 belichtet, die aus Maskenteilen 33 und einem Nicht-Maskenteil 34 besteht. Dadurch wird nur der Bereich, der aus dem Nicht-Maskenteil 34 der Maske 32 besteht, hart.

Die Fig. 10 und 11 zeigen eine Harzschicht 35, die zur vorläufigen Befestigung der Diode 1 dient.

Danach wird, wie Fig. 12 zeigt, ein transparentes fotoelektrisches Harz 36 (KMP 1027) auf die obere Oberfläche

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gegossen. Durch Evakuierung der Luft unter der Diode 1 dringt das Harz zwischen die Glasplatte 6 und die Diode

Die Anschlüsse II¹ bis 19' werden mit sich parallel erstreckenden Leitungsstreifen elektrisch verbunden, die in Nuten an den mit 11" bis 19" in Fig. 9 bezeichneten Stellen verlegt sind. Die Nuten für die Leitungsstreifen 15" bis 18" sind in Fig. 11 gezeigt.

Wie Fig. 13 zeigt, wird ein Polyesterfilm 37 mit der Harzschicht 36 verbunden, um die Bildung von unerwünschten Formen nach der Belichtung zu verringern, die bei dem nächsten Schritt durchgeführt wird.

Außerdem wird eine Maske 38, die Leitungsanschlußpunkte II¹ bis 21' bedeckt, auf der Rückseite der Glasplatte 6 gebildet, wie Fig. 13 zeigt. Wenn daher ein Lichtstrahl 39 gegen die Unterseite der Glasplatte 6 gerichtet wird, wird nur ein Teil des Harzes, das unter der Diode 1 ist, gehärtet. Die Maske 38 und die leitende Schicht 10 üben Maskenwirkungen aus.

Daher wird die Diode 1 an der Glasplatte 6 intensiv befestigt. Da das Harz 36 in den Spalt 26 gefüllt wird, besteht einer der Vorteile der Erfindung darin, daß keine Gefahr besteht, daß das leitende Harz in den Spalt 26 während der nächsten Schritte eindringt. Das bedeutet also, daß jede der leitenden Schichten 20 vollständig voneinander isoliert sind.

Nach Entfernung des Polyesterfilms 37 wird ein fotoelektrisches Harz wie KPM 1027 (ein transparentes Material) aufgegossen. Dieses Harz wird nach Evakuierung von Luft unter Verwendung einer Fotomaske ähnlich der Maske 32, die in Fig. 9 gezeigt ist, belichtet. Dieses belichtete Harz wird dann unter Anwendung einer Ultra-

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schallwelle gewaschen und die Platte wird dann 10 Minuten lang belichtet.

Wie Fig. 14 zeigt, legt diese Harzschicht 40 daher nur die Verbindungspunkte zwischen der leitenden Schicht 10 und den Elektroden 4 und 5 und auch den äußeren Leitungsverbindungspunkt 16' frei.

Danach wird ein leitendes Harz wie z.B. AHOMEX-AG oder EPOTEK H32 mit einer Bürste auf die Platte aufgebracht und auf etwa 100 bis 150°C etwa 3 Stunden lang erhitzt (Fig. 15).

Die leitende Harzschicht 41 wird dann selektiv mittels Sandpapier entfernt, wie Fig. 15 zeigt. Die Elektroden 4 und 5 werden so mit der leitenden Schicht 10 durch das leitende Harz 41 elektrisch verbunden und außerdem wird die leitende Schicht 10 mit dem leitenden Harz 41 elektrisch verbunden, das mit den äußeren Leitungen (nicht gezeigt) zu verbinden ist.

Als abschließender Schritt wird, wie Fig. 17 zeigt, eine Glasplatte 43 mit einer reflektierenden Schicht 44 aufgebracht und schließlich kann sie an einem vorbestimmten Leitungsrahmen befestigt werden. Die reflektierende Schicht 44 reflektiert das von der Diode erzeugte Licht 1 durch das Fenster 39 und die Glasplatte 6 wirksam nach außen.

Wenn eine vorbestimmte Vorspannung an die Elektroden der Diode, die in Fig. 16 gezeigt ist, über die Leitungen 16 und 20 angelegt wird, emittiert der PN-Übergang der Diode 1 Licht.

Da die Ausnehmung 31 in der ersten Harzschicht 30 vorgesehen ist, kann die Diode 1 leicht in ihre gewünschte Position gebracht werden und daher tritt keine Fehlausrichtung der Diode 1 auf.

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Da die leitende Schicht 10 auf nahezu der ganzen Fläche der Glasplatte 6 gebildet wird, dient sie als Fotomaske, um die harte Harzschicht 39 herzustellen, auf der die Diode 1 befestigt wird.

Um die Diode 1 zu befestigen, wird die Fotomaske 32, die die gleiche ist wie diejenige zur Bildung der zweiten Harzschicht 40, bei beiden Schritten während der Herstellung verwendet.

Da das Harz 39 zur Befestigung der Diode 1 in den Spalt 26 gegossen wird, bevor das leitende Harz 41 aufgebracht wird, wird jeder unerwünschte Kurzschluß zwischen den leitenden Schichten 16 und 20 vermieden.

Es wird nun anhand der Fig. 18 bis 26 eine geänderte bevorzugte Ausführungsform der Erfindung beschrieben.

Man beginnt wie bei der ersten Ausführungsform damit, eine leitende Schicht auf einer Glasplatte 6 zu bilden. Die leitende Schicht ist vorzugsweise aus einer Schicht 7 aus Aluminium, einer Schicht 8 aus einer Aluminium-Kupfer-Legierung und einer Schicht 9 aus Kupfer zusammengesetzt. Stattdessen kann sie auch nur aus einer einzigen Schicht aus Kupfer bestehen (Fig. 18). Die Glasplatte 6 wird dann durch Klebstoffstifte 46 im Abstand zu einer Tragplatte 45 angeordnet.

Die leitende Schicht wird, ob sie nun eine zusammengesetzte Schicht oder eine einzige Schicht ist, im folgenden als leitende Schicht 9 bezeichnet. Diese Schicht wird nun geätzt, um das in Fig. 19 gezeigte leitende Muster zu bilden. Es sind elf Anschlüsse 47 bis 57 längs der unteren Seite vorhanden, einer für jede alphanumerische Zeicheneinheit. Außerdem sind elf Anschlüsse 58 bis 68 längs der Oberseite vorhanden, wobei nur die

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Anschlüsse 59 bis 68 benutzt werden.

Jede der elf in Fig. 19 gezeigten Zeicheneinheiten wird aus neun Dioden hergestellt. Das leitende Muster für die beiden Zeicheneinheiten, die über den Anschlüssen 56 und 57 liegen, ist teilweise stark vergrößert in Fig. 20 gezeigt.

Es wird angenommen, daß die Anoden der Dioden selektiv mit den Anschlüssen 47 bis 57 zu verbinden sind. Die Kathoden der Dioden würden dann selektiv mit den Anschlüssen 59 bis 67 verbunden werden, wie später beschrieben wird. Wenn einer der Anschlüsse 47 bis 57 mit einer Spannungsquelle verbunden wird, werden die Anoden aller Dioden in einer Zeicheneinheit, die solch einem Anschluß zugeordnet ist, erregt. Welche der Dioden Licht emittiert, hängt jedoch davon ab, welche Diode mit ihrer Kathode mit der negativen Seite der Spannungsquelle verbunden ist. Da neun Dioden für jede Zeicheneinheit und damit neun Kathoden vorhanden sind, können die Kathoden aller in ähnlicher Weise angeordneter Dioden mit einer gemeinsamen Leitung verbunden werden. Es ist eine Leitung für jeden Anschluß 59 bis 67 vorhanden. Diese Leitungen liegen längs Bahnen 69 bis 77, die parallel zu der Längsrichtung der Vorrichtung verlaufen, wie durch die strichpunktierten Linien in Fig. 20 angegeben ist. Sie liegen in einer Ebene 20, jedoch über der Ebene des leitenden Musters und durch ein geeignetes Isoliermaterial von diesem getrennt.

Wie Fig. 20 zeigt, jedoch in einer später zu erläuternden Weise, ist die Kathode eines jeden eine Diode darstellenden Striches mit der Leitung 69 verbunden. Die Kathode einer jeden Diode, die den mittleren horizontalen Balken eines jeden Zeichens bildet, ist mit der Leitung 40 verbunden. Die Kathode der Diode eines jeden Zeichens, das

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oberen Balken bildet, ist mit der Leitung 71 verbunden. Die Kathode der Diode eines jeden Zeichens, das den oberen rechten vertikalen Balken bildet, ist mit_#der Leitung 72 verbunden. Die Kathode einer jeden Diode, die den oberen linken vertikalen Balken bildet, ist mit der Leitung 73 verbunden. Die Kathode einer jeden Diode, die den unteren rechten vertikalen Balken bildet, ist mit der Leitung 74 verbunden. Die Kathode einer jeden Diode, die den unteren linken vertikalen Balken bildet, ist mit der Leitung 75 verbunden. Die Kathode einer jeden Diode, die den unteren horizontalen Balken bildet, ist mit der Leitung 76 verbunden. Die Kathode einer jeden Diode, die den Dezimalpunkt bildet, ist mit der Leitung 77 verbunden.

Aus dem obigen ergibt sich, daß es notwendig ist, die Verbindungsleitungen 69 bis 75 mit Ausnahme an bestimmten gewünschten Verbindungspunkten zu trennen. Die Art, in der dies geschieht, wird nun beschrieben.

Auf das leitende Muster der Fig. 19 wird eine isolierende Schicht 78 aufgebracht, wobei die Teile, an denen die lichtemittierenden Dioden getragen werden sollen, und auch der Teil an den äußeren Leitungsanschlüssen entfernt werden (Fig. 21). Die Isolierschicht 78 hat neun Fenster 79 bis 87 für jedes Zeichen, durch die später Verbindun-. gen hergestellt werden, um danach die Leitungen 69 bis 77 zu bilden. Die Teile der Schicht 78 zur Aufnahme der Dioden aus Behältern 88 bis 96 für jedes Zeichen werden entfernt, wie Fig..21 zeigt. Die Dioden werden in den Behältern 88 bis 96 angeordnet.

Der nächste Schritt ist die Bildung einer dritten Schicht 97 aus isolierendem Material auf der Schicht 78. Die obere Oberfläche dieser isolierenden Schicht wird längs Linien 69 bis 77 (Fig. 22) mit Nuten versehen. In diesen

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können dann Leitungen verlegt werden. Die zweite isolierende Schicht 97 dient zur Abdichtung des Randes der Behälter.

Nun wird auf der isolierenden Schicht 97 und auf jeder Diode eine leitende Schickt 98 aufgebracht (Fig. 24). Danach wird in Richtung der Dicke ein Teil der Schicht 98 entfernt, wie Fig. 25 zeigt. Dadurch werden die Verbindungen zwischen der leitenden Schicht und den Leitungen vervollständigt.

Die Substratplatte 6 wird nun von der Tragplatte 45 entfernt. Die Glasplatte wird dann geschnitten und ein Leitungsrahmen mit einer durch Lötmetall aufgebrachten Schicht wird durch Erhitzung angeschlossen.

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Claims

Patentansprüche

1./Alpha-numerische Zeichenanzeigevorrichtung, bestehend aus mehreren ähnlichen Zeicheneinheiten, von denen jede mehrere lichtemittierende Dioden hat, die in ähnlicher Weise in einer Anzeigereihe angeordnet sind, um zur Darstellung verschiedener gewünschter Zeichen selektiv erregt zu werden, gekennzeichnet durch eine transparente Glasgrundplatte, eine leitende Schicht in Form eines Musters auf der Grundplatte mit einzelnen Bahnen für eine Seite einer Diode einer jeden Anzeigeeinheit und einer gemeinsamen Bahn für die andere Seite aller Dioden einer Anzeigeeinheit, jedoch getrennten Bahnen für verschiedene Einheiten, mehrere parallel angeordnete Leitungen, deren Anzahl derjenigen der Gesamtzahl von Dioden in einer einzigen Anzeigeeinheit entspricht und in Längsrichtung zu der Vorrichtung in einer Ebene über der leitenden Schicht verlaufen, wobei die erste Seite aller in ähnlicher Heise angeordneten Dioden der verschiedenen Anzeigeeinheiten durch die Leitungen und die leitende Schicht elektrisch verbunden sind und eine Leitung für jede Gruppe ähnlich angeordneter Dioden vorhanden ist, und durch einen Anschluß für jede Leitung und einen Anschluß für jede gemeinsame Bahn zu der anderen Seite der Dioden einer jeden Anzeigeeinheit.

2. Alpha-numerische Zeichenanzeigeeinheit, insbesondere nach Anspruch 1, bestehend aus einer transparenten, nicht-leitenden Platte, einer leitenden Schicht auf einer Oberfläche der Platte, die in einem bestimmten Muster geformt ist, das getrennte Segmente zur Bildung einer siebenarmigen. Ziffer "8" mit Segmentpaaren an gegenüberliegenden Seiten der Arme und getrennten

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Segmenten, die die andere Seite der Arme bilden, wobei die Segmente, die eine Seite eines jeden Arms bilden, verbunden sind, einen Anschluß für die verbundenen Segmente, getrennte Zusatzanschlüsse für jedes andere Segment, getrennte Leitungen für die Segmente, die die andere Seite eines jeden Arms bilden, eine erste Isolierschicht, die die leitende Schicht mit Ausnahme von Behältern gegenüber den Armen bedecken, eine lichtemittierende Diode in jedem Behälter, die eine Anode und eine Kathode hat, deren jeweilige PN-übergänge in Ebenen senkrecht zu der Platte liegen, und die mit den Segmenten an jeder Seite der Arme elektrisch verbunden sind, eine zweite Isolierschicht, die die erste Isolierschicht und die Dioden bedeckt und die in der oberen Oberfläche Nuten hat, in denen die Leitungen angeordnet sind, wobei die isolierenden Schichten Fenster unter jeder Leitung gegenüber einem verschiedenen Zusatzanschluß haben, ein leitendes Material, das jedes Fenster füllt und jede Leitung mit ihrem zugehörigen Zusatzanschluß verbindet, und eine dritte Isolierschicht, die die zweite Isolierschicht bedeckt.

Alpha-numerische Zeichenanzeigeeinheit, insbesondere nach Anspruch 1, bestehend aus einer transparenten, nicht-leitenden Platte, einer leitenden Schicht auf einer Oberfläche der Platte, die in einem bestimmten Muster geformt ist, das getrennte Segmente zur Bildung einer siebenarmigen Ziffer "8" mit Segmentpaaren an gegenüberliegenden Seiten der Arme und getrennten Segmenten, die die andere Seite der Arme bilden, wobei die Segmente, die eine Seite eines jeden Arms bilden, verbunden sind, einen Anschluß für die verbundenen Segmente, getrennte Zusatzanschlüsse für jedes andere Segment, getrennte Leitungen für die Segmente, die die andere Seite eines jeden Arms bilden, eine erste Isolierschicht, die die leitende Schicht mit Ausnahme von Behältern gegenüber den Armen bedecken, eine lichtemit-

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tierende Diode in jedem Behälter, die eine Anode und eine Kathode hat, deren jeweilige PN-übergänge in Ebenen senkrecht zu der Platte liegen, und die mit-den Segmenten an jeder Seite der Arme elektrisch verbunden sind, eine zweite Isolierschicht, wobei die Leitungen an der gegenüberliegenden Oberfläche der ersten Isolierschicht von der leitenden Schicht aus angeordnet sind und die erste Isolierschicht ein Fenster unter jeder Leitung gegenüber einem verschiedenen Zusatzanschluß hat, ein leitendes Material, daß jedes Fenster füllt und jede Leitung mit ihrem zugehörigen Zusatzanschluß verbindet, und eine zweite Isolierschicht, die die erste bedeckt.

4. Alpha-numerische Zeichenanzeigeeinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Isolierschicht ein transparentes Harz ist, und daß ein Teil des Harzes, das die zweite Schicht bildet, zwischen jedem Diodenübergang und der transparenten, nicht leitenden Platte liegt.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine transparente Harzschicht zwischen jeder Diode und der transparenten Glasplatte, die eine angrenzende Schicht zu der leitenden Schicht unter jeder Diode bildet.

6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, * daß die isolierende Harzschicht auf der leitenden Schicht gebildet ist, daß eine zweite isolierende .Harzschicht auf der ersten isolierenden Harzschicht gebildet ist, daß die zweite isolierende Schicht Nuten zur"Aufnähme der Leitungen hat, und daß die erste Isolierschicht Fenster unter ausgewählten Stellen der Leitungen hat, durch die sich leitende Verbindungen erstrecken, die die Leitungen mit ausgewählten Teilen der leitenden Schicht verbinden.

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7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Isolierschicht Behälter zur Aufnahme der Dioden haben.

8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht eine aus drei Schichten zusammengesetzte Schicht ist, wobei die der Grundplatte nächste Schicht aus Aluminium, die zweite, die Aluminiumschicht bedeckende aus einer Aluminium-Kupfer-Legierung und die dritte, die Aluminium-Kupfer-Legierungsschicht bedeckende aus Kupfer besteht.

9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Anzeigeeinheit sieben Dioden in Form einer Ziffer "8", eine achte Diode als Dezimalpunkt und eine neunte Diode zur Bildung eines Strichs, der gegenüber der Mittellinie der Ziffer "8" liegt, hat.

10. Verfahren zur Herstellung einer alpha-numerischen Zeichenanzeigevorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß eine transparente Glasplatte mit einer leitenden Schicht überzogen wird, daß die Glasplatte im Abstand auf einer Tragplatte angeordnet wird, daß die leitende Schicht geätzt wird, um eine leitendes Muster zu bilden, das getrennte Segmente in Form einer siebenarmigen Ziffer "8" mit Segmenten an gegenüberliegenden Seiten der Arme bildet, wobei die Segmente, die eine Seite eines jeden Arms bilden, verbunden sind, wobei durch das Ätzen auch ein Anschluß für jede Gruppe verbundener Abschnitte einer jeden Seite eines Arms und getrennte Zusatzanschlüsse für die Segmente, die die andere Seite eines jeden Arms bilden, hergestellt werden, daß das leitende Muster mit einer ersten isolierenden Harzschicht überzogen wird, daß in der ersten Isolierschicht zur Aufnahme von Dioden zur Bildung der Arme der Ziffer "8" Behälter geätzt werden, daß die

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Dioden in die Behälter mit den Ebenen ihrer PN-übergänge senkrecht zu der Glasplatte eingesetzt werden, daß die erste Isolierschicht mit einer zweiten Isolierschicht überzogen wird, daß sieben Längsnuten in der äußeren Oberfläche der zweiten Isolierschicht gebildet werden, daß Fenster durch die erste und zweite Isolierschicht gebildet werden,die die sieben Längsnuten mit den Zusatzanschlüssen verbinden, und daß die Nuten und die Fenster mit einem leitenden Material gefüllt werden.

11. Verfahren zur Befestigung elektronischer Teile auf einer Isolierplatte, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht in Form eines Leitungsmusters auf der Isolierplatte entsprechend den Anschlüssen der elektronischen Teile gebildet wird, daß die elektronischen Teile an den gewünschten Stellen auf der Isolierplatte angeordnet werden, daß eine HarzschichtgEMIdet wild, dfeum jeden Anschlußpunkt zwischen der leitenden Schicht und dem Anschluß der Teile konkav ausgebildet ist, und daß ein leitendes Harz in die konkave Vertiefung gegossen wird, so daß die elektronischen Teile und die leitende Schicht elektrisch verbunden werden.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronischen Teile dadurch befestigt werden, daß ein fotoelektrisches, haftendes Harz zwischen die elektronischen Teile und die Isolierplatte gegossen wird, und daß das fotoelektrisch haftende Harz belichtet wird, wobei die leitende Schicht zur Befestigung der Teile verwendet wird.

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