DE1414631B2 - Thermoelektrische anordnung mit einem mischkristall als thermoelementschenkel - Google Patents

Thermoelektrische anordnung mit einem mischkristall als thermoelementschenkel

Info

Publication number
DE1414631B2
DE1414631B2 DE19611414631 DE1414631A DE1414631B2 DE 1414631 B2 DE1414631 B2 DE 1414631B2 DE 19611414631 DE19611414631 DE 19611414631 DE 1414631 A DE1414631 A DE 1414631A DE 1414631 B2 DE1414631 B2 DE 1414631B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mixed crystal
thermoelectric
thermoelectric arrangement
arrangement according
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19611414631
Other languages
English (en)
Other versions
DE1414631A1 (de
Inventor
Joachim Dr 8500 Nurn Rupprecht
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1414631A1 publication Critical patent/DE1414631A1/de
Publication of DE1414631B2 publication Critical patent/DE1414631B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
    • Y10S420/903—Semiconductive

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

Das Hauptpatent 1 121 736 bezieht sich auf eine thermoelektrische Anordnung mit einem Mischkristall als Thermoelementschenkel, bei der ein Mischkristall aus einer /livßvl- und aus einer AlByCvl-Verbindung vorgesehen ist, bei dem die Atome der einzelnen
Hxy
-iv
Elemente der beiden Verbindungen teilweise durch Elemente aus derselben Gruppe des Periodischen Systems ersetzt sind.
Im allgemeinen Falle lautet die Formel eines solchen Mischkristalls:
mit 0 < (y, z, t, 11) < 1 und 0 < χ < 1.
Es ist bekannt, daß die AIVBV1-Verbindungen, insbesondere das PbTe, gut zur technischen Ausnutzung des Peltier-Effektes zur Kälteerzeugung geeignet sind. Andererseits sind in der letzten Zeit ternäre Verbindungen der Art A'BvCyi (z. B. AgSbTe2) gefunden und untersucht worden. Es zeigte sich bei diesen Verbindungen eine gewisse Verwendbarkeit für thermoelektrische Probleme.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1054 519 sind Mischkristalle aus Verbindungen vom Typ A2 VB3 X\ weiche aus insgesamt zwei Elementen der V. und drei Elementen der VI. Gruppe des Periodischen Systems bestehen, bekanntgeworden.
Die USA.-Patentschrift 2 902 529 bezieht sich auf Bi2Te3 (A2 vB3 vt) mit Verbindungen aus Elementen der I. und VI. Gruppe.
Durch Mischkristallbildung lassen sich die Eigenschaftender Verbindungsgruppen AIVBV' und /4'ßvC2 vl kombinieren und dadurch unter anderem die Wärmeleitfähigkeit im günstigen Sinne beeinflussen, d. h. weiter herabsetzen, insbesondere dann, wenn durch weitere Mischkristallbildung die einzelnen Komponenten teilweise durch Komponenten aus derselben Gruppe des Periodischen Systems ersetzt werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, derartige Mischkristalle anzugeben, deren mittlere thermoelektrische Effektivität besonders günstig ist.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß ein Mischkristall aus zwei /Jlvßvl-Verbindungen und einer y4'ßvC2 vl-Verbindung der allgemeinen Form
Der p-leitende Mischkristall
'Ag, Pb„ -χ, (1 _.., Ge(1 _x):
mit χ = 0,42 und ζ = 0,518
Te
hat als Schenkel eines Thermogenerators eine hohe spezifische elektrische Leistung bei kleiner Wärmeleitung.
Leistungsthermogeneratoren erfordern Halbleiter, die hohe spezifische elektrische Leistung bei kleiner Wärmeleitung in einem großen Temperaturbereich oberhalb 200C abgeben.
Die Mischkristalle gemäß der Erfindung sind hinsichtlich ihrer mittleren thermoelektrischen Effektivität
Λ\ DlV
Η χ Ο(1 - χ) (1 - ;)
IV
1 - χ):
5°
mit O < χ, ζ < 1 vorgesehen ist.
Die Verwendung zweier Verbindungen vom Typ /)lvßvl entspricht der weiteren Mischkristallbildung durch ganzen oder teilweisen Ersatz der Elemente der IV. und VI. Grqppe durch Elemente derselben Gruppe des Periodischen Systems entsprechend Anspruch 2 des Hauptpatentes.
Als Beispiel für einen Mischkristall der obengenannten Form wird der Mischkristall
6o
/Agx Pb11-J0 (1_2) Ge11-J0. Sbx\ Te
I τ V
0,35 < χ < 0,75 und 0,2 < ζ < 0,8 (>5
mit
im Temperaturbereich von 20 bis 500° C, bei linearem Temperaturabfall, den bisher bekannten Mischkristallen überlegen.
Es bedeutet
a,„ = mittlere differentielle Thermokraft,
σ,,, = mittlere elektrische Leitfähigkeit,
K111 = mittlere Wärmeleitfähigkeit.
überraschenderweise hat sich gezeigt, daß die halbleitenden Mischkristalle
g, Pb(1 _,)(Ι_::)GeH _x)_.Sb,J Te
mit χ = 0,526 und ζ = 0,525 und
Pb(1_,)(I_=)Ge(1_^SbxJ Te
mit χ = 0,64 und ζ = 0,556
in dem obengenannten Temperaturbereich höhere mittlere thermoelektrische Effektivitäten besitzen als die Ausgangsmischkristalle.
Weiterhin ist es überraschend, daß Mischkristalle gemäß der Erfindung außer einer besonders günstigen mittleren Effektivität Z1n, die die technische Anwendbarkeit als Thermogenerator im Temperaturbereich von 20 bis 5000C bestimmt, durch Verändern der Zusammensetzung gegenüber dem Mischkristall
angegeben.
eine höhere elektrische Leitfähigkeit haben.
Beim Herstellen von Mischkristallen aus einer A IV B VI-Verbindung und einer /J'ßvC2 vl-Verbindung treten beim Zonenschmelzen gewisse Schwierigkeiten auf. Wider Erwarten sind diese Schwierigkeiten beim Herstellen von Mischkristallen gemäß der Erfindung erheblich geringer, obwohl die Mischkristalle gemäß der Erfindung aus zwei 4IVBVI-Verbindungen und einer /4'BVC2 V1-Verbindung aufgebaut sind. Außerdem lassen sich die erfindungsgemäßen Mischkristalle überraschenderweise leichter homogenisieren. Die Fremdphaseneinschlüsse sind geringer als bei den bekannten Mischkristallen.
Die Mischkristalle gemäß der Erfindung lassen sich in an sich bekannter Weise z. B. in einem geschlossenen System aus den Elementen erschmelzen.
Mischkristalle nachstehender Zusammensetzung haben sich für die Verwendung in thermoelektrischen Halbleiteranordnungen als besonders vorteilhaft erwiesen.
1. /Agx Pb11 _ x) (1 _ z) Ge11 _ x)z Sbx\ Te
mit 0,35 < χ < 0,75 und 0,2 < ζ < 0,8.
2. /Ag, Pb(l_„ u_z) Ge0_^ SbxJ Te
mit χ = 0,42 und ζ = 0,518.
3. (Agx Pb11 _„
\ 2"
_., Ge11 _x)z Sb
Te
mit χ = 0,526 und ζ = 0,525.
4. /Agx Pb(1 _„,!__., Ge(1 _ x): Sb Λ Te
Beispiel I
(x = 0,42 und ζ = 0,518)
Die für 50 g berechnete Einwaage beträgt für
Ag = 4,4311g
Pb = 11,3480 g
Sb = 5,0012 g
Ge = 4,2600 g
Te = 24,9595 g
Die Verbindung wird aus reinen Elementen (99,99%) in einer auf 10~5 Torr evakuierten Quarzampulle bei 9000C erschmolzen. Anschließend wird die Probe je einmal in gegenläufiger Richtung in der evakuierten und abgeschmolzenen Quarzampulle zonengeschmolzen. Die Zonentemperatur beträgt 800° C und die Ziehgeschwindigkeit 6 cm/h. Der Mischkristall ist rund mit einem Durchmesser von 10 mm.
Beispiel II
(x = 0,526 und ζ = 0,525)
Die Tür 50 g berechnete Einwaage beträgt für
Ag = 5,5958 g
Pb = 9,2303 g
Sb = 6,3158 g
Ge = 3,5933 g
Te = 25,2645 g
Die Verbindung wird aus den reinen Elementen (99,99%) zusammengeschmolzen. Das Zusammenschmelzen erfolgt in einer auf 10~5 Torr evakuierten Quarzampulle bei 9000C. Anschließend wird je einmal in gegenläufiger Richtung in der evakuierten und abgeschmolzenen Quarzampulle zonengeschmolzen. Die Zonentemperatur beträgt 7500C und die Ziehgeschwindigkeit 6 cm/h.
Beispiel III
mit χ = 0,64 und ζ = 0,556.
An Hand der nachfolgenden Beispiele sei die Erfindung noch näher erläutert:
(x = 0,64 und ζ = 0,556)
Die für 50 g berechnete Einwaage beträgt für
Ag = 6,9384 g
Pb = 6,6638 g
Sb = 7,8311g
Ge = 2,9183 g
Te = 25,6481 g
Das Zusammenschmelzen erfolgt in der gleichen Apparatur beim gleichen Druck und gleicher Temperatur, wie in den Beispielen I und II angegeben ist. Die Zonentemperatur beträgt 7500C und die Ziehgeschwindigkeit 6 cm/h.
Die mittleren thermoelektrischen Daten sind für die Mischkristalle gemäß Beispielen I bis III im Temperaturbereich 20 bis 5000C in der nachstehenden Tabelle aufgeführt.
II
III
Mittlere differentielle Thermokraft
a,„^V/°C]
Mittlerer spezifischer elektrischer Widerstand
o,„[Qcrn]
Mittlere Wärmeleitfähigkeit
K,„[W/cm · Grad] .."....'.
Mittlere thermoelektrische Effektivität
Zm[Grad-']
Diese über den obengenannten Temperaturbereich gemittelten Werte sind Für die technische Anwendung 225
3,6 · ΙΟ"3
0,5 · 10~2
2,8 · 10~3
235
4,0 · 10~3
0,47 · 10~2
2,9 · ΙΟ"3
238
4,6 · ΙΟ"3
0,43 · 10~2
2,8 ■ ΙΟ"3
günstiger als die bisher bekannten besten mittleren Effektivitäten:
Z1n = 2,6 · ΙΟ"3 [Grad"'] für den Mischkristall (Ag04 Pb02 Sb04) Te
Zn, = 1,2
'Ag, Ge1 _
10~3 [Grad"1] für die Mischkristalle Sb \ Te ■
mit 0,1 < χ < 0,8.

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Thermoelektrische Anordnung mit einem Mischkristall als Thermoelementschenkel, bei der ein Mischkristall aus einer /llv£vl-Verbindung und aus einer y4'ßvC2VI-Verbindung vorgesehen ist, bei dem die Atome der einzelnen Elemente der beiden Verbindungen teilweise durch Elemente aus derselben Gruppe des Periodischen Systems ersetzt sind und der somit von der allgemeinen Form *·
xy_Dx{\ -y
Z 2
mit 0 < (y, z, t, ti) < 1 und 0 < χ < 1
ist, nach Patent 1121736, dadurch gekennzeichnet, daß ein Mischkristall aus zwei /4lvßVI-Verbindungen und einer AlBvCp-Verbinduns der allaemeinen Form
IV
IV
x):
vi
mit 0 < χ, ζ < 1 vorgesehen ist.
2. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein p-leitender Mischkristall von der Form
35
/Agx Pb11 _„ „_.> Ge11 _x)z Sbx\Te \ 2 Ή
mit 0 < χ, ζ < 1 vorgesehen ist.
3. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall von der Form
40
45
/Agx Pb11 _„ (1 _ _., Ge11 _x)z SbxJTe
mit 0,35 < χ < 0,75 und 0,2 < ζ < 0,8 ist.
-v c-v
XI 'X(I -I)
~ t
~\\ TjVl
4. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall von der Form
^x Pb,,-x) (, -.-> Ge11 _x)_. Sbx) Te
mit χ = 0,42 und ζ = 0,518 ist.
5. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall von der Form
_x) „ _r) Ge„ _x)z Sb
Te
mit χ = 0,526 und ζ — 0,525 ist.
6. Thermoelektrische Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall von der Form
Agx Pb11 _x) „_., Ge(1 _x). Sbx) Te
mit χ = 0,64 und ζ = 0,556 ist.
7. Verfahren zum Herstellen eines Mischkristalls für die thermoelektrische Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall in an sich bekannter Weise in einem geschlossenen System aus den Elementen erschmolzen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Mischkristall in an sich bekannter Weise zonengeschmolzen wird.
DE19611414631 1958-11-28 1961-07-29 Thermoelektrische anordnung mit einem mischkristall als thermoelementschenkel Pending DE1414631B2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES60756A DE1121225B (de) 1958-11-28 1958-11-28 Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DES64465A DE1121736B (de) 1958-11-28 1959-08-17 Halbleiteranordnung
DES0075091 1961-07-29
DES0075092 1961-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1414631A1 DE1414631A1 (de) 1969-01-23
DE1414631B2 true DE1414631B2 (de) 1971-07-22

Family

ID=27437499

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES60756A Pending DE1121225B (de) 1958-11-28 1958-11-28 Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DES64465A Pending DE1121736B (de) 1958-11-28 1959-08-17 Halbleiteranordnung
DE19611414631 Pending DE1414631B2 (de) 1958-11-28 1961-07-29 Thermoelektrische anordnung mit einem mischkristall als thermoelementschenkel
DE19611414632 Pending DE1414632A1 (de) 1958-11-28 1961-07-29 Halbleiteranordnung

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES60756A Pending DE1121225B (de) 1958-11-28 1958-11-28 Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DES64465A Pending DE1121736B (de) 1958-11-28 1959-08-17 Halbleiteranordnung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19611414632 Pending DE1414632A1 (de) 1958-11-28 1961-07-29 Halbleiteranordnung

Country Status (6)

Country Link
US (3) US3140998A (de)
CH (3) CH411136A (de)
DE (4) DE1121225B (de)
FR (2) FR1238050A (de)
GB (3) GB933211A (de)
NL (3) NL245568A (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3303005A (en) * 1962-12-03 1967-02-07 Ibm Ternary semiconductor compounds and method of preparation
US3485757A (en) * 1964-11-23 1969-12-23 Atomic Energy Commission Thermoelectric composition comprising doped bismuth telluride,silicon and boron
US3945855A (en) * 1965-11-24 1976-03-23 Teledyne, Inc. Thermoelectric device including an alloy of GeTe and AgSbTe as the P-type element
US3460996A (en) * 1968-04-02 1969-08-12 Rca Corp Thermoelectric lead telluride base compositions and devices utilizing them
SU519042A1 (ru) * 1974-05-21 1978-07-25 Предприятие П/Я М-5273 Фотоэлектрический эмиттер
US4447277A (en) * 1982-01-22 1984-05-08 Energy Conversion Devices, Inc. Multiphase thermoelectric alloys and method of making same
US6312617B1 (en) * 1998-10-13 2001-11-06 Board Of Trustees Operating Michigan State University Conductive isostructural compounds
US8481843B2 (en) * 2003-09-12 2013-07-09 Board Of Trustees Operating Michigan State University Silver-containing p-type semiconductor
CN100452466C (zh) * 2003-09-12 2009-01-14 密歇根州州立大学托管委员会 热电材料及其制备方法、热电元件以及从热能生成电流的方法
CN111710775A (zh) * 2020-07-22 2020-09-25 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种硒化锡基热电材料、其制备方法及应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE510303A (de) * 1951-11-16
FR1129505A (fr) * 1954-04-01 1957-01-22 Philips Nv Procédé de fabrication de corps semi-conducteurs
AT194489B (de) * 1954-12-23 1958-01-10 Siemens Ag Halbleitergerät
US2858275A (en) * 1954-12-23 1958-10-28 Siemens Ag Mixed-crystal semiconductor devices
DE1044980B (de) * 1955-11-14 1958-11-27 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit mehreren Elektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung
US2882468A (en) * 1957-05-10 1959-04-14 Bell Telephone Labor Inc Semiconducting materials and devices made therefrom
US2882195A (en) * 1957-05-10 1959-04-14 Bell Telephone Labor Inc Semiconducting materials and devices made therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
GB974601A (en) 1964-11-04
FR76972E (fr) 1961-12-29
NL245969A (de)
DE1414632A1 (de) 1969-02-27
CH441508A (de) 1968-01-15
CH441507A (de) 1968-01-15
GB933212A (en) 1963-08-08
NL245568A (de)
CH411136A (de) 1966-04-15
US3211655A (en) 1965-10-12
FR1238050A (fr) 1960-08-05
DE1121225B (de) 1962-01-04
US3211656A (en) 1965-10-12
US3140998A (en) 1964-07-14
DE1414631A1 (de) 1969-01-23
NL280217A (de)
DE1121736B (de) 1962-01-11
GB933211A (en) 1963-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE970420C (de) Elektrisches Halbleitergeraet
CH509824A (de) Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials
DE1414631B2 (de) Thermoelektrische anordnung mit einem mischkristall als thermoelementschenkel
DE1005646B (de) Verfahren zur Erzeugung von grossflaechigen, rissefreien Halbleiter-p-n-Verbindungen
DE2062041A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Haiblei terubergangen in festen Losungen durch Epitaxie m flussiger Phase, sowie diese Übergänge enthaltende Lichtdetektoren und lichtemittierende Vorrichtungen
DE2251938A1 (de) Legierung zur thermoelektrischen energieumwandlung, verfahren zu deren herstellung und daraus gebildeter thermoelektrischer energieumwandler
DE1295195B (de) Thermoelektrisches Halbleitermaterial
DE1414631C (de) Thermoelektrische Anordnung mit einem Mischkristall als Thermoelementschenkel
DE1162436B (de) Thermoelektrische Anordnung
DE1019013B (de) Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren
DE102008057615B3 (de) Thermoelektrisches Material und Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Materials
DE1105621B (de) Verfahren zur Beeinflussung der Kristallisation aus einer Schmelze aus Halbleitergrundstoff nach dem Stufen-ziehverfahren unter Anwendung des Peltier-Effektes
DE1240288B (de) Thermoelektrische Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1223564B (de) Thermoelektrische Legierung auf Tellurbasis und Verfahren zur Herstellung der Legierung
DE2165169C3 (de) Legierung, Herstellung derselben und Verwendung derselben für Vorrichtungen zur unmittelbaren thermoelektrischen Energieumwandlung
DE1290613B (de) Thermoelektrische Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT210479B (de) Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkörpern
AT234184B (de) Verfahren zur Herstellung eines stabförmigen einphasigen Mischkristalles
DE1241507B (de) Thermoelektrische Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT215698B (de) Halbleiterelement, insbesondere für thermoelektrische Geräte
DE1489288C (de) P leitendes thermoelektnsches Ma terial
CH363063A (de) Thermoelement, insbesondere für thermoelektrische Kühlung, und Verfahren zu seiner Herstellung
AT237703B (de) Thermoelektrische Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1174865B (de) Halbleiterkoerper fuer thermoelektrische Einrichtungen
DE1044980B (de) Halbleiteranordnung mit mehreren Elektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung