SU519042A1 - Фотоэлектрический эмиттер - Google Patents

Фотоэлектрический эмиттер

Info

Publication number
SU519042A1
SU519042A1 SU7402025744A SU2025744A SU519042A1 SU 519042 A1 SU519042 A1 SU 519042A1 SU 7402025744 A SU7402025744 A SU 7402025744A SU 2025744 A SU2025744 A SU 2025744A SU 519042 A1 SU519042 A1 SU 519042A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
emitter
photoelectronic
base
vacuum
substrate
Prior art date
Application number
SU7402025744A
Other languages
English (en)
Inventor
А.И. Климин
А.А. Мостовский
Р.Л. Немченок
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5273
Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5273, Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина filed Critical Предприятие П/Я М-5273
Priority to SU7402025744A priority Critical patent/SU519042A1/ru
Priority to US05/579,227 priority patent/US4107564A/en
Priority to JP6085275A priority patent/JPS51141588A/ja
Priority to DE2522489A priority patent/DE2522489B2/de
Priority to FR7515838A priority patent/FR2272492B1/fr
Application granted granted Critical
Publication of SU519042A1 publication Critical patent/SU519042A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/34—Photoemissive electrodes
    • H01J2201/342—Cathodes
    • H01J2201/3421—Composition of the emitting surface
    • H01J2201/3423—Semiconductors, e.g. GaAs, NEA emitters

Landscapes

  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к эмиттерам электронов, работающим в высоKCW вакууме, в частности к фотокатодам , и используетс  в технологии вакуумных фотоэлементов и фотоумножителей .
Известен фотоэлектронный эмиттер на, ЪСнове твердого раствора 3 As
WОднако в известных эмиттерах наблюдаетс  сублимаци  его компонентов в вакууме при более ниэких температурах , чем достаточные дл  надежной очистки его поверхнобти.
Известен также фотоэлектронный эмиттер, чувствительный в оптическом диапазоне длин волн светового излучени , содержащий основу из полупроводникового материала с дырочной проводимостью и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующее поверхность основы до состо ни  отрицательного электронного сродства 2
Однако этот эмиттер имеет неоднородную основу, что приводит к ухудшению характеристик недостаточной .устойчивости основы к температурным воздействи м.
Цель изобретени  - повышенна термической устойчивости и однородности основы эмиттера.
Дл  этого основа выполнена из полупроводниковых соединений типа А .
Фотоэлектронный эмиттер, выполненный на основе соединений типа А В С| , HanpHMepZnGePj , обладает более высокой однородностью и возможностью длительного воздействи  повышенной температуры при очистке его основы.
Форалула изобретени 
Фотоэлектронный эмиттер, чувствител ный в оптическом диапазоне/ длин волн светового излучени , содержащий основу из полупроводникового материала с дырочной проводимостью
и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующее поверхность основы до состо ни  отрицательного электронного сродства, о т л и ч а ю щ и и с   тем, что, с целью повышени  термической устойчивости и
 -519042м
в (.
однородности, основа выполнена из .,i.Baee 1l.E.,SpVcep W.E- Proceed. ЗЕЕЕ,
полупроводниковых соединений A ,v в, /1, p--f728.
Источники информации, прин тые во2. За вка ФРГ 1256808, кл,
внимание при экспертизе;21 ff 29/20 , 1970 .
SU7402025744A 1974-05-21 1974-05-21 Фотоэлектрический эмиттер SU519042A1 (ru)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7402025744A SU519042A1 (ru) 1974-05-21 1974-05-21 Фотоэлектрический эмиттер
US05/579,227 US4107564A (en) 1974-05-21 1975-05-20 Photoemitter
JP6085275A JPS51141588A (en) 1974-05-21 1975-05-21 Photoemitter
DE2522489A DE2522489B2 (de) 1974-05-21 1975-05-21 Fotokathode
FR7515838A FR2272492B1 (ru) 1974-05-21 1975-05-21

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7402025744A SU519042A1 (ru) 1974-05-21 1974-05-21 Фотоэлектрический эмиттер

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU519042A1 true SU519042A1 (ru) 1978-07-25

Family

ID=20585027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7402025744A SU519042A1 (ru) 1974-05-21 1974-05-21 Фотоэлектрический эмиттер

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4107564A (ru)
JP (1) JPS51141588A (ru)
DE (1) DE2522489B2 (ru)
FR (1) FR2272492B1 (ru)
SU (1) SU519042A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2624831C2 (ru) * 2015-11-27 2017-07-07 федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук" Фотоэлектрический преобразователь на основе полупроводниковых соединений a2b4c5 2, сформированных на кремниевой подложке

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4602352A (en) * 1984-04-17 1986-07-22 University Of Pittsburgh Apparatus and method for detection of infrared radiation
US4603401A (en) * 1984-04-17 1986-07-29 University Of Pittsburgh Apparatus and method for infrared imaging
JPS63291337A (ja) * 1987-05-22 1988-11-29 Sharp Corp フオトカソ−ド
US5259917A (en) * 1992-07-28 1993-11-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Transparent semiconductor crystals
US5973259A (en) * 1997-05-12 1999-10-26 Borealis Tech Ltd Method and apparatus for photoelectric generation of electricity
US6888175B1 (en) 1998-05-29 2005-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Compound semiconductor structure with lattice and polarity matched heteroepitaxial layers
JP5380258B2 (ja) * 2009-11-27 2014-01-08 学校法人光産業創成大学院大学 フォトカソードの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH441508A (de) * 1958-11-28 1968-01-15 Siemens Ag Halbleiteranordnung
US3259582A (en) * 1959-11-30 1966-07-05 Siemens Ag Mix-crystal semiconductor devices
US3631303A (en) * 1970-01-19 1971-12-28 Varian Associates Iii-v cathodes having a built-in gradient of potential energy for increasing the emission efficiency
US3687743A (en) * 1970-07-13 1972-08-29 Philips Corp Method of manufacturing a semiconductor device consisting of a ternary compound of znsias on a gaas substrate
US3806372A (en) * 1972-06-02 1974-04-23 Rca Corp Method for making a negative effective-electron-affinity silicon electron emitter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2624831C2 (ru) * 2015-11-27 2017-07-07 федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук" Фотоэлектрический преобразователь на основе полупроводниковых соединений a2b4c5 2, сформированных на кремниевой подложке

Also Published As

Publication number Publication date
DE2522489C3 (ru) 1979-02-08
JPS51141588A (en) 1976-12-06
US4107564A (en) 1978-08-15
FR2272492B1 (ru) 1977-04-15
DE2522489B2 (de) 1978-06-08
JPS5233476B2 (ru) 1977-08-29
FR2272492A1 (ru) 1975-12-19
DE2522489A1 (de) 1975-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3814968A (en) Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof
US3894332A (en) Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof
SU519042A1 (ru) Фотоэлектрический эмиттер
US3644770A (en) Photoemitter having a p-type semiconductive substrate overlaid with cesium and n-type cesium oxide layers
JPS5841668B2 (ja) ヘテロセツゴウオ ユウスル アバランシエホトダイオ−ド
GB1448048A (en) Etching semiconductor oxide layers
US3387163A (en) Luminescent semiconductor devices including a compensated zone with a substantially balanced concentration of donors and acceptors
JPS6432694A (en) Manufacture of semiconductor device in which laser diode and photodiode with expanded light receiving plane are unified
US2668778A (en) Method of forming a photo emitter
GB1118826A (en) Optoelectric systems
KR20030022975A (ko) 매우 얇은 보호막을 갖는 광음극
JPS6244714B2 (ru)
JPS5469953A (en) Electron emission device
JPH0537013A (ja) 注入形発光素子及びその製造方法
JPS62152184A (ja) フオトダイオ−ド
SU860165A1 (ru) Холодный катод
SU662999A1 (ru) Способ изготовлени фотокатода
JPS60180052A (ja) 光電子または２次電子放射用陰極
US3663820A (en) Diode array radiation responsive device
JPS5455189A (en) Photo transistor
NEUMANN of 2x10 Torr or better. The crystal was illuminated by a usual incandescent lamp. Pig. 1 shows the illumination dependence of the field electron current at liquid nitrogen temperature. We may distinguish three regions in the characteristics. In the case
MELVIN Light-emitting transistor system
KR900001407B1 (ko) 표면 방출형 발광 다이오드의 제조방법
RU1499652C (ru) Полупроводниковый источник света
JPS5727061A (en) Optical thyristor