SU662999A1 - Способ изготовлени фотокатода - Google Patents
Способ изготовлени фотокатодаInfo
- Publication number
- SU662999A1 SU662999A1 SU731946095A SU1946095A SU662999A1 SU 662999 A1 SU662999 A1 SU 662999A1 SU 731946095 A SU731946095 A SU 731946095A SU 1946095 A SU1946095 A SU 1946095A SU 662999 A1 SU662999 A1 SU 662999A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- photocathode
- alkali metal
- wavelength
- sensitivity
- photo cathode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТЬКАТОДА
Изобретение относитс к области фотоэлектронных приборов, в частности к способам изготовлени вакуумных электронных приборов.
Известен способ изготовлени фотокатодов путем нанесени слоев чистых нещелочных металлов с последующей активацией щелочным металлом, в которых подачу щелочного металла в прибор прекращают в момент достижени интегральной чувствительности фотокатода 1.
Из-за большой инерционности источников щелочных металлов такой способ изготовлени фотокатодов приводит- к излишкам щелочного металла на поверхности фотокатода и к меньшей чувствительности по сравнению с оптимальной.
Дл устранени этого недостатка проводитс отгонка паров щелочного металла из вакуумного прибора, содержащего фотокатод , котора позвол ет удал ть лишнее количество щелочного металла.
Известен способ изготовлени фотокатода путем нанесени слоев чистых нещелочных металлов с последующей активацией щелочным металлом, отгонкой излишков паров щелочного металла с контролем процессов активации и отгонки по фототоку катода , освещаемого неразложенным светом
2.
Однако такой способ изготовлени фотокатода не позвол ет получить фотокатод с наибольшим отношением откликов на длине волны максимальной чувствительности и на длине волны, соответствующей длинноволновой границе чувствительности.
Целью изобретени вл етс увеличение отношени откликов фотокатода на длине волны максимальной чувствительности и на длине волны, соответствующей длинноволновой границе чувствительности.
Это достигаетс тем, что по предлагаемому способу отгонку паров щелочного металла заканчивают в момент прекращени падени фототока при освещении фотокатода светом с длиной волны, соответствующей длинноволновой границе чувствительности фотокатода.
Способ изготовлени фотокатода состоит в следующем.
На подложку наноситс слой чистого нещелочного металла и активируетс щелочным металлом. Активаци прекращаетс при достижении максимальной чувствительности фотокатода. Затем проводитс отгонка паров ЩёлочнОго металла, котора заканчиваетс в момент прекращени падени фототока при освещении фотокатода светом с длиной волны, соответствующей длинноволновой границе чувствительности фотбкатоды.
Фотокатод, изготовленный по предлагаемому способу, обеспечивает отношение откликов на длине волны максимальной чувст ветельности и на длине волны, соответствующей длинноволновой границе чувствительности - 10.
Claims (2)
1.Соболева Н. А. и др. Фотоэлектронные приборы, М., Наука 1965.
2.Авторское свидетельство СССР № 189949, кл. Н 01 J 9/12, 09.04.65.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU731946095A SU662999A1 (ru) | 1973-07-19 | 1973-07-19 | Способ изготовлени фотокатода |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU731946095A SU662999A1 (ru) | 1973-07-19 | 1973-07-19 | Способ изготовлени фотокатода |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU662999A1 true SU662999A1 (ru) | 1979-05-15 |
Family
ID=20560590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU731946095A SU662999A1 (ru) | 1973-07-19 | 1973-07-19 | Способ изготовлени фотокатода |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU662999A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571187C1 (ru) * | 2014-09-17 | 2015-12-20 | Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Способ изготовления фотокатода |
-
1973
- 1973-07-19 SU SU731946095A patent/SU662999A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571187C1 (ru) * | 2014-09-17 | 2015-12-20 | Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Способ изготовления фотокатода |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3814968A (en) | Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof | |
DE2813918C2 (de) | Leucht-Halbleiter-Bauelement | |
JPS5693375A (en) | Photoelectric conversion device | |
SU662999A1 (ru) | Способ изготовлени фотокатода | |
GB1005708A (en) | Improvements relating to photo electrically sensitive devices | |
US3339075A (en) | Solid state display device for amplifying or converting input radiation including a field emissive layer | |
US2192418A (en) | Method of manufacturing photoelectrically sensitive layers | |
SU519042A1 (ru) | Фотоэлектрический эмиттер | |
US2668778A (en) | Method of forming a photo emitter | |
JPS56142680A (en) | Photoconductive semiconductor device | |
SU105183A1 (ru) | Преобразователь света | |
US3261080A (en) | Method of manufacturing a photoconducting device | |
US3974415A (en) | Light-sensitive target | |
SU497597A1 (ru) | Устройство дл определени интегралов типа свертки | |
JPS5723218A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
SU118559A1 (ru) | Способ изготовлени полупрозрачного фотокатода | |
SU669426A1 (ru) | Способ изготовлени фотоэлектронного прибора | |
KR900000350B1 (ko) | 광전 변환 장치 | |
DE2236918B2 (en) | Photocathode mask - comprising patterned silicon layer on, eg quartz, with photocathode material on top | |
Ives | The Alkali metal photoelectric cell | |
SU468273A1 (ru) | Электролюминесцентна панель | |
SU124311A1 (ru) | Способ получени диапозитивного изображени текстового материала | |
DE1464882A1 (de) | Fotovervielfacher ohne Vorimpulse,insbesondere fuer Kurzzeitmessung und Verfahren zuseiner Herstellung | |
JPS645062A (en) | Contact type image sensor | |
JPS571270A (en) | Photoelectric conversion element |