SU669426A1 - Способ изготовлени фотоэлектронного прибора - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к электронной технике , а точнее к способу изготовлени  фотоэлектронного умножител , содержащего фотокатод и вторично-электронные эмиттеры.

Известен способ изготовлени  фотоэлектронного прибора, включающий получение в его объеме бищелочного фотокатода 1.

При этом, если один из эмиттеров в приборе изготовлен на основе полупроводникового соединени , невозможно получить одновременно как высокую чувствительность фотокатода, так и больгной коэффициент вторичной электронной эмиссии.

Известен также способ изготовлени  фотоэлектронного прибора, содержащего сурьм но-щелочной фотокатод и вторично-электронные эмиттеры, из которых один, по крайней мере, выполнен из алмазноподобных полупроводников, например соединений типа А В включающий предварительную и дополнительную термические очистки поверхности полупроводника и активирование фотокатода и эмиттера путем нанесени  поверхностного покрыти  из щелочного металла 2.

Недостатком этого способа  вл етс  сложность технологии и относительно невысокие значени  чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии полупроводникового эмиттера.

Целью изобретени   вл етс  упрощение технологии и увеличение чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии полупроводникового эмиттера .

Это достигаетс  тем, что перед предварительной очисткой поверхности полупроводника прибор в период его обезгаживани  обрабатывают в парах цези , введенного в объем при комнатной температуре, до по влени  на оболочке прибора видимого сло  металла, а дополнительную термическую очистку эмиттера провод т после обработки фотокатода хот  бы одним щелочным металлом .

Известный способ изготовлени  фотоэлектронного умножител  включает первоначальное обезгаживание прибора и активировку сплавных динодов умножительной системы.

Затем провод т формирование фотокатода и динода, например, из GaP. С этой целью вначале провод т термическую очистку динода , а затем формируют фотокатод. Дл  этого напыл ют слой сурьмы на катодное стекло, который обрабать Е ают в парах, например , калм . ес.П формируют бищелочный фотокатод, а затем цезируют. В процессе формировани  фотокатода одновременно осуществл к/г первую стадию активировки динода в парах щелочных металлов. Вторую стадию активировани  провод т после ПОВТО11НОЙ термической очистки дииода . Предлагаемый способ в сравнеиии с изнест пым способом изготовлени  фотоэлектронного умножител  дает возможность упростить и сократить технологический цикл с одновременными улуч1иением иараметров приборов. Если известный способ обеспечивает совместимость условий активировани  вторичного электронного эмиттера из GaP и фотокатода путем поочередного их формировани , то поедлагае.мый способ, при котором проводитс  одновременное активирование цезием фотокатода и эмиттера в ОДНУ стадию, упрощает технологический процесс и сокращает врем  его ироведени . При этом отпадает необходимость вести контроль за процессом цезировани  GaP, а контролируетс  только (j)OTOTOK фотокатода, так как то количество цези , которое необходимо дл  достижени  отрицательного цези , которое необходимо дл  доетижени  отрицательного электронного сродства на GaP, достаточно дл  получени  максиму.ма чувствительности фотокатода. Сиособ изготовлени  позвол ет иолучить приборы с коэффициентом усилени  первого динода из GaP более 40 при напр жении па нем 600 В относительно фотокатода , чувствительность фотокатода до

Claims (2)

1. 669426 /О мкА/л.м и с темновыми токами .меньще ири анодной чувствительности 100 .Л;л. Формула изобретени  Способ изготовлени  фотоэлектронного прибора, содержаniero сурьм ио-щелочной фотокатод и вторично-электронные эмиттеры , один из которых,по крайней мере, выиолнен из алмазноиодобных полупроводников , например, соединений тииа А и В, включаюп;ий предварительную и дополнительную термические очистки поверхности полупроводника и активирование фотокатода и эмиттера путем нанееени  иоверхцостного иокрыти  из щелочного металла, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  техиологии и увеличени  чувствительности фотокатода и коэффициента вторичной электронной эмиссии иолупроводникового эмиттера, перед предварительной очисткой поверхности полупроводника прибор в период его обезгаживани  обрабатывает в парах цези , введенного в объем при комнатной температуре, до по влени  на оболочке прибора видимого сло  металла , дополнительную термическую очистку эмиттера ировод т после обработки фотокатода хот  бы одним щелочным металлом. Источники информации, ирин тые во внимание при экспертизе I. Патент Японии № 251179, кл. 99 D 13 10.07.72.
2. 2. Научио-тсхнический отчет Разработка ФЭУ типа «Квантовон с использ оваиием эмиттеров на основе материалов А В Объединение «Электрон, 1976.