AT194489B - Halbleitergerät - Google Patents
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE194489X | 1954-12-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT194489B true AT194489B (de) | 1958-01-10 |
Family
ID=5744610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT194489D AT194489B (de) | 1954-12-23 | 1955-10-21 | Halbleitergerät |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT194489B (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1121225B (de) * | 1958-11-28 | 1962-01-04 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE1240817B (de) * | 1960-12-09 | 1967-05-24 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von kristallinem Material aus einer peritektisch schmelzenden Verbindung durch Zonenschmelzen |
-
1955
- 1955-10-21 AT AT194489D patent/AT194489B/de active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1121225B (de) * | 1958-11-28 | 1962-01-04 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE1121736B (de) * | 1958-11-28 | 1962-01-11 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung |
| DE1240817B (de) * | 1960-12-09 | 1967-05-24 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von kristallinem Material aus einer peritektisch schmelzenden Verbindung durch Zonenschmelzen |
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