DE1296265B - Verfahren zum Herstellen von Aluminiumkontakten auf einer Zwischenschicht aus einem Nichtaluminiummetall auf Halbleiterbauelementen - Google Patents

Description

Die Benutzung von Photoresist- bzw. Photogravurverfahren zur Erstellung von metallischen Kontakten ist bekannt. Derartige Verfahren sind z. B. in den USA.-Patentschriften 2 981877 und 3115 423 beschrieben. Die letztgenannte Patentschrift betrifft

ein Verfahren zum Herstellen von gedruckten io und die Bildung von Oxydschichten auf den kontakelektrischen Schaltungen unter Verwendung von tierenden Flächen mit Sicherheit auszuschließen ist. Maskierungs- und Photogravurverfahren, bei dem auch Widerstände mit in die Schaltung einbezogen sind.

Weiterhin ist aus der bereits obengenannten USA.-Patentschrift 2 981 877 bzw. aus der schweizerischen Patentschrift 372 105 bekannt, an Halbleiterkörpern, die mit einer Oxydschicht bedeckt sind, ohmsche Kontakte sowie Zwischenverbindungen anzubringen. Dies geschieht meist dadurch, daß man die Kontakt- ao fläche innerhalb der z. B. aus Siliziumoxyd bestehenden Fläche anätzt und selektiv eine gut leitende Schicht auf dieser frei gemachten Stelle aufbringt. Die elektrische Zwischenverbindung kommt hierbei durch einen Metallüberzug zustande, der sowohl die frei- as geätzte Stelle des Halbleiterkörpers als auch Teile der isolierenden Oxydschicht bedeckt. Als gut haftendes Metall hat sich für Zwecke der aufzubringenden Leitungszüge z. B. Gold bewährt, wie dies in der belgischen Patentschrift 632 739 dargestellt ist.

Wird dahingegen das an sich geeignete preisgünstigere Aluminium benutzt, so ergeben sich beim direkten Aufbringen dieser Metalle auf die isolierende Zwischenschicht gewisse Schwierigkeiten. Zunächst bildet Aluminium bekanntlich unter der Einwirkung 35 atmosphärischer Bestandteile auf seiner Oberfläche leicht eine Oxydschicht, so daß jede elektrische Verbindung mit dieser oxydierten Oberfläche wegen des hohen spezifischen Widerstands dieser Oxydschicht ungeeignet ist. Weiterhin ist es sehr schwierig, Alu- 4° minium zu löten, und daraus resultieren gewöhnlich auch schlechte mechanische Verbindungen. Darüber hinaus reagiert das Aluminium mit der Oxydschicht des Halbleiterkörpers, und es besteht daher die Möglichkeit von Kurzschlußbildung durch Eindringen von 45 Niederschlag eines für Verbindungszwecke geeig-Aluminiumbestandteilen in die oder durch die Oxyd- neten, von Aluminium verschiedenen Metalls in schicht. Dieses Durchdringen nimmt unter dem Ein- Form eines gewünschten Musters auf der mit einer fluß der eutektischen Temperatur von Aluminium Oxydschicht bedeckten Halbleiteroberfläche, und Silizium ein beträchtliches Ausmaß an. Der wesentliche technische Fortschritt des Ver-

Es liegt daher der Gedanke nahe, an Stelle von 5° fahrens nach der Erfindung ist darin zu erblicken, Leitungszügen aus reinem Aluminium solche mit daß eine Kurzschlußbildung infolge Durchdringens Zwischenschichten eines anderen Metalls zu benutzen, wobei dieses so gewählt wird, daß die nachteiligen Wirkungen des direkten Aluminiumkontakts

mit der Unterlage entfallen. Hierbei ist es notwendig, 55 Leitungsführungsmetall unterbleibt, was nicht nur als zusätzliche Maßnahmen Maskierungen durchzu- aus Kostengründen wünschenswert erscheint. Die führen, und zwar vor dem Ätzvorgang des Kontaktgebiets und vor dem Aufbringen des eigentlichen Aluminiumkontakts. Eine weitere Maskierung wird

zum Anschluß der zu kontaktierenden Fläche nach 60 gende Goldspuren sich als Lebensdauerkiller bezügdem Niederschlag des Aluminiums notwendig, der- lieh der Ladungsträger unangenehm bemerkbar

Das die genannte Aufgabe lösende Verfahren ist durch folgende Verfahrensschritte gekennzeichnet:

a) Aufbringen einer ersten Photoresistschicht 3 mit Kontaktfenster 4 mittels eines bekannten Photogravurverfahrens auf den Halbleiterkörper 1 mit isolierender Oxydschicht 2;

b) Aufdampfen einer dünnen Schicht 5 aus einem Nichtaluminiummetall über die gesamte Oberfläche einschließlich des Kontaktfensters 4;

c) Entfernen der gesamten Schicht mit Ausnahme des im Kontaktfenster befindlichen Bereichs, Aufbringen einer weiteren Photoresistschicht 6 sowie Einbringen einer Öffnung in die Schicht, wobei diese Öffnung im Zentrum des Kontaktfensters liegt und eine kleinere Abmessung als diese besitzt;

d) Durchätzen im Bereich der unter c) erstellten Öffnung bis auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats und Entfernen der Photoresistschicht;

e) Aufbringen einer vierten Photoresistschicht auf die bisher erstellte Konfiguration und Wiederentfernung eines bezüglich der Öffnung konzentrischen Bereichs mit einem im Vergleich zur Öffnung größeren Durchmesser;

f) Aufbringen der Kontaktierungsschicht aus Aluminium auf die unter a) bis e) erstellte Konfiguration sowie Entfernen der vierten Photoresistschicht mit dem darauf befindlichen Bereich der Aluminiumschicht.

Außerdem erlaubt das Verfahren nach den Lehren der Erfindung unter Verwendung von Maskierungsverfahren mit einem Photoresist den selektiven

von Aluminiumbestandteilen durch die isolierende Oxydschicht vermieden wird, während andererseits die Verwendung von Gold als Kontaktierungs- und

NichtVerwendung von Gold als Kontaktierung ist auch deshalb günstig, weil bei durchzuführenden Diffusionsschritten in den Halbleiterkörper eindrin-

art, daß eine weitere, nicht aus Aluminium bestehende Metallverbindung sowohl die Aluminiumoberfläche als auch in Form des gewünschten Verbindungsmusters Teile der Oxydschicht bedeckt. Während des letzten Maskierungsschritts entsteht ein Oxyd auf der Aluminiumoberfläche, wodurch die Bildung einer guten elektrischen und mechanischen machen könnten.

Das Verfahren wird im folgenden an Hand der Figuren beschrieben. In den Zeichnungen bedeuten

Fig. 1 und 2 Seitenrisse eines mit einer Oxydschicht bedeckten Halbleiterkörpers zur Veranschaulichung des ersten und zweiten Verfahrensschritts der Erfindung,

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Fig. 3a, 4a, 5a weitere, sich an die in Fig. 1 teristik besitzen und symmetrisch leitend sind. Hierund 2 dargestellten Schritte anschließende Verfah- für geeignete Metalle sind z. B. Aluminium, Gold, rensschritte, Palladium und Platin. Von diesen für ohmsche Kon-

F i g. 3 b, 4 b, 5 b Darstellungen alternativer Ver- takte besonders geeigneten Metallen wurde das AIu-

f ahrensschritte, die an Stelle der in den F i g. 3 a, 4 a 5 minium deshalb bevorzugt, weil es im Vergleich mit

und 5 a dargestellten benutzt werden können, den anderen relativ wenig Kosten verursacht. Außer-

Fig. 6, 7, 8, 9 Verfahrensschritte, die sich weiter dem gestatten Aluminiumkontakte gleichzeitig die

innerhalb des Gesamtprozesses nach der Erfindung Benutzung von Glasschutzschichten zur Einkapselung

anschließen, und des gesamten Halbleiterkörpers. Diese Glasschutz-

Fig. 10 einen teilweisen Seitenriß des mit einer io schichten besitzen zudem einen Ausdehnungskoeffi-

Oxydschicht bedeckten Halbleiterkörpers mit einem zienten, welcher dem des Siliziums nahekommt, und

auf diesem hergestellten und mit einer Zwischenver- werden deshalb auch besonders gern benutzt,

bindung elektrisch verknüpften Kontakt. Entsprechend einem früher allgemein viel ange-

Während nach den Lehren der Erfindung grand- wendeten Fabrikationsverfahren für Kontakte und sätzlich gleichzeitig eine Vielzahl von Kontakten bzw. 15 Zwischenverbindungen auf Halbleitern verwendete Zwischenverbindungen hergestellt werden können, man für die Zwischenverbindungen normalerweise bezieht sich die folgende Beschreibung zur Verein- das gleiche Material, aus dem auch die ohmschen fachung lediglich auf die Erzeugung eines einzigen Kontakte hergestellt wurden, nämlich Aluminium. Kontakts bzw. einer einzigen Zwischenverbindung Dieses wurde entweder gleichzeitig mit dem Kontaktinnerhalb eines Halbleiterkörpers aus Silizium ent- 20 material oder in einem darauffolgenden Verfahrenssprechend den Teildarstellungen. Außerdem ist die schritt aufgebracht. Beim Verfahren nach der vorErfindung ebenso anwendbar auf Halbleiterkörper liegenden Erfindung ist jedoch das für die Zwischenvom Germaniumtyp, obwohl in der Beschreibung verbindung benutzte Material von dem Kontaktlediglich Silizium-Halbleiterkörper aufgeführt sind. material verschieden, und es wird vor dem Aufbrin-Bekanntlich existieren innerhalb des Körpers 1 des 25 gen des Kontaktmaterials auf den Halbleiterkörper Halbleiters sowohl fremdleitende Gebiete vom η-Typ niedergeschlagen. Vorzugsweise besteht auch das als auch fremdleitende Gebiete vom p-Typ, welche Material für die Zwischenverbindungen aus zwei verdadurch zustande kommen, daß Dotierungsmateria- schiedenen Metallen. Für die oberen Schichten könlien vom n- bzw. p-Typ in ein Ausgangshalbleiter- nen Silber und Nickel benutzt werden; die unteren material vom eigenleitenden Typ eingebracht werden. 30 Schichten können aus Chrom ausgeführt werden, und

Wie aus allen Figuren hervorgeht, ist der zu kon- nach Wunsch kann die Chromschicht auch durch taktierende Halbleiterkörper aus Silizium mit einer Molybdän ersetzt werden, weil Molybdän ähnlich wie Oxydschicht 2 bedeckt. Diese Schicht kann während Chrom relativ geringe Neigung besitzt, selbst bei der der Diffusion der Dotierungsmaterialien bei erhöhter eutektischen Temperatur von Aluminium und SiIi-Temperatur in den Körper hinein erzeugt werden, 35 zium mit dem Halbleitermaterial zu reagieren, was man dadurch erreicht, daß der Diffusionsvorgang Außerdem weist es eine große Haftkraft auf der in einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt Oxydoberfläche auf. So wird wegen der genannten wird. Von diesen thermischen Oxydierungsverfahren Eigenschaften weder eine Durchdringung der Oxydabweichende Methoden können ebenfalls zur Bildung schicht noch ein Kurzschluß mit dem Halbleiterder Schicht2 benutzt werden. Derartige Verfahren 40 körperl stattfinden. Darüber hinaus ist die obere sind beispielsweise eine anodische Oxydation oder Schicht, bestehe sie nun aus Nickel oder Silber, von eine pyrolitische Zersetzung von Siloxanen. Die einer hohen Leitfähigkeit, sie kann leicht gelötet Schicht ist ein oder mehrere μ dick und besteht werden und ist nunmehr völlig isoliert von dem Halbhauptsächlich aus Siliziumdioxyd, obwohl gegebenen- leiterkörper. Außerdem neigen keine dieser Metalle falls auch Siliziummonoxyd als Material für die 45 dazu, bei Raumtemperatur ein Oxyd zu bilden oder Schicht 2 benutzt werden kann. Wird ein Germa- bei Temperaturen von 200° C zusammenzubacken. nium-Halbleiterkörper benutzt, so zieht man eine Wenn es gewünscht wird, kann die obere Schicht zur Deckschicht von Siliziummonoxyd vor. In beiden Bildung der Zwischenverbindung auch direkt auf Fällen aber sollte die Oberfläche dauerhaft sein und die Oxydschicht aufgebracht werden,
an dem Halbleiterkörper fest anhaften. Darüber hin- 5° Zur Aufbringung des Materials für die Zwischenaus ist die Oxydschicht ebenfalls als guter elektrischer verbindungen auf die oxydische Oberfläche in Form Isolator zwischen Halbleiterkörper und den metalli- eines gewünschten exakten geometrischen Musters sehen aufgebrachten Zwischenverbindungen oberhalb kann ein sehr genaues Verfahren der bekannten der Oxydschicht wirksam, sofern das Metall, bei- Photogravurtechnik benutzt werden,
spielsweise Aluminium, nicht mit dieser Schicht 55 Wie in Fig. 1 gezeigt, wird eine Schicht eines reagiert und daran gehindert wird, dieses zu durch- Photoresists 3 auf der Oxydschicht 2 des Halbleiterdringen und Gebiete innerhalb des Halbleiterkörper 1 körpers 1 angebracht und durch eine photographische zu berühren. Aus diesen Gründen wird bisweilen Platte, welche undurchlässige Bezirke entsprechend auch eine Schutzschicht aus Glas auf die Oxydschicht des aufzubringenden flächenhaften Musters besitzt, aufgebracht, wobei bekannte Verfahren benutzt wer- 60 belichtet. Nach einer gewöhnlichen photographischen den. Auch kann eine reine Glasschicht an die Stelle Entwicklung wird der nichtexponierte Resist entfernt, der Oxydschicht treten. wobei die den Zwischenverbindungen entsprechen-Zur Einfügung des Halbleiterkörpers 1 in eine den Flächengebiete, welche durch die Ziffer 4 in Schaltung müssen Kontakte innerhalb der n- und F i g. 1 bezeichnet sind, entfernt werden.
p-Gebiete des Halbleiterkörpers angebracht werden 65 Obwohl verschiedene bekannte Verfahren zur Aufsowie an diesen Kontakten Zwischenverbindungen bringung des Zwischenverbindungsmaterials auf den befestigt werden. Hierbei sind weitgehend ohmsche mit einer Oxydschicht bedeckten Halbleiter benutzt Kontakte anzustreben, weil diese eine lineare Charak- werden können, wird es doch meist vorgezogen,

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hierzu Aufdampfverfahren im Hochvakuum zu be- die eigentliche Kontaktfläche ohne Bedeckung zunutzen, wobei der Halbleiterkörper anschließend an rückgeblieben, wie es in Fig. 6 gezeigt ist. In den seine Herstellung bei etwa 200° C zur Reinigung bevorzugten Verfahrensweisen der Fig. 3 a, 4a und ausgeheizt wird und sich dieser Prozeß besonders auf 5 a bedeutet dies die Entfernung beider Schichten 3 den Teil der Oxydoberfläche 2 erstreckt, auf welche 5 und 6, wobei im Gegensatz zur alternativen Verfahdas Material niedergeschlagen werden soll. Wird als rensweise entsprechend den Fig. 3b, 4b und 5b Material Nickel—Chrom aufgedampft, so ist es beson- beide Materialabtragungsvorgänge in einem Schritte ders günstig, die Aufdampfung dieser beiden Metalle durchgeführt werden.

in einer kontinuierlichen Folge vorzunehmen, derart, Wie in F i g. 7 gezeigt ist, wird eine dritte Photo-

daß zunächst das Chrom allein aufgedampft, in einem 10 resistschicht 9 aufgebracht, welche die Oxydschicht, zweiten Schritt die Aufdampfintensität des Chroms die Zwischenverbindungsschicht 8 sowie die Kontaktherabgesetzt und gleichzeitig mit dem Aufdampfen fläche 7 bedeckt. Wiederum wird entsprechend der des Nickels begonnen wird und schließlich als letzter obengenannten Verfahrensweise die Photoresist-Schritt das Nickel allein aufgedampft wird. Durch schicht 9 durch eine photographische Platte hindurch diese kontinuierliche Aufdampfung bildet sich eine ₁₅ exponiert, welche undurchlässige Gebiete in Form intermetallische Zwischenschicht, welche die beiden der gewünschten Kontaktfläche besitzt, deren Größe niedergeschlagenen Metalle fest miteinander ver- jedoch etwas größer ist, so daß nach der Entwicklung bindet und so die gegenseitige Haftkraft erhöht. Beim des exponierten Photoresists und nach der Entferbeschriebenen Ausführungsbeispiel wurde Chrom bis nung des unbelichteten Photoresists ein Gebiet 10 zu einer Dicke von etwa 100 AE und die Nickel- _ao der Zwischenverbindungsschicht im Zusammenhang schicht bis zu einer Dicke von etwa 5000 AE nieder- mit der Kontaktfläche unbedeckt bleibt, wie es in geschlagen. Fig. 8 gezeigt ist. Nach Reinigung und Ausheizung

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, bildet die niedergeschla- des Halbleitergebildes bei etwa 200° C wird das gene Nickel-Chrom-Schicht einen Belag 5 auf der Metall 11 für den ohmschen Kontakt unter Verwen-Oxydoberschicht2 der Zwischenverbindungsfläche4 35 dung von Aluminium entsprechend der Fig. 9 auf und oberhalb des unentfernten exponierten Photo- der Kontaktfläche und über dem unbedeckten Zwiresists 3. Bei dem vorzugsweise benutzten Verfahren schenverbindungsgebiet 10 und ebenfalls auf der der Erfindung verbleiben der belichtete Photoresist 3 exponierten Photoresistschicht 9 aufgebracht. Wie im und die Schicht 5 unbeeinträchtigt auf der Ober- Falle des Niederschlags des Zwischenverbindungsfläche. Auf die Schicht 5 wird eine zweite Schicht 6 30 materials wird vorzugsweise eine direkte Vakuumvon Photoresist aufgetragen, wie es in F i g. 3 a ge- aufdampfung des ohmschen Kontaktmaterials, d. h. zeigt ist. Unter Benutzung der gleichen wohlbekann- des Aluminiums, benutzt, wobei in diesem Falle eine ten Verfahrensweise wie oben wird die Schicht 6 Niederschlagsdicke von 8 ÄE erzielt wird. Nach diedurch eine photographische Platte hindurch belichtet, sem Verfahrensschritt wird die Photoresistschicht 9 welche diesmal ein undurchsichtiges Gebiet entspre- ₃₅ entfernt. Nach diesen Arbeitsgängen bleibt entsprechend der Kontaktfläche besitzt. Das undurchlässige chend der Fig. 10 der oxydschichtbedeckte HaIb-Flächengebiet ist innerhalb des Gebiets der Zwischen- leiter mit der Zwischenverbindung 8 und dem darauf Verbindungen begrenzt und erstreckt sich oberhalb gebildeten Kontakt 10 übrig, eines n- oder eines p-Gebiets des Halbleiterkörpers 1. Es dürfte klar sein, daß dadurch, daß das Kontakt-

Durch Entwickeln wird der nichtbelichtete Anteil des 40 metall Aluminium auf dem Zwischenverbindungs-Photoresists entfernt, wobei die Kontaktfläche 7 in material aufgebracht und nicht umgekehrt verfahren der in Fig. 4a gezeigten Weise übrigbleibt. Mittels wird, die Bildung einer Oxydschicht oberhalb der eines chemischen Ätzmittels wird nunmehr die Zwi- Verbindungsfläche des Aluminiumkontakts 11 weschenverbindungsschicht 5 angeätzt und die Ätzung sentlich erschwert ist. Darüber hinaus wird die Oberdurch die Oxydschicht 2 hindurch bis zur Oberfläche 45 fläche des Zwischenverbindungsmaterials 8 nicht des Halbleiterkörpers 1 entsprechend F i g. 5 a weiter- wesentlich oxydiert, weshalb die Verbindung eine geführt. Zur Durchätzung der Zwischenverbindungs- hohe Leitfähigkeit besitzt.

schicht 5 und der Oxydschicht 2 wird zunächst eine Nunmehr wird der Halbleiterkörper mitsamt der

Kaliumjodidlösung und anschließend speziell für die bisher erstellten Kontakt- und Zwischenverbindung Oxydschicht eine gepufferte Fluorwasserstoffsäure 50 auf eine Temperatur aufgeheizt, welche zur Legierung benutzt. des Kontakts mit dem Halbleiterkörper ausreicht. Zu

Vergleichsweise ist auch ein anderes Vorgehen an- diesem Zweck ist eine Temperatur von etwa 575° C wendbar, wie es in F i g. 3 b, 4 b und 5 b gezeigt ist. geeignet, sofern es sich um einen Aluminiumkontakt Hier wird die erste Photoresistschicht 3 entfernt und und um das Halbleitermaterial Silizium handelt, hiermit ebenfalls der aufliegende Anteil des Metalls 55 Der vollständige Halbleiterkörper bzw. die Schalder Zwischenverbindungsschicht, wobei die Zwi- tung, welche solche Halbleiterkörper als Bestandteile schenverbindung 8 in F i g. 3 b zurückbleibt. Die einschließt, wird schließlich mit einer Schutzschicht zweite Photoresistschicht 6 wird nun über der Zwi- aus Glas bedeckt, welche sich auch über alle herschenverbindungsschicht 8 und der Oxydschicht 2 gestellten Kontakte und Zwischenverbindungen hinangebracht. Die restlichen, durch die Fig. 4 b und 60 weg erstreckt. Dieses Glasmaterial sollte vorzugsweise b erläuterten Schritte sind die gleichen wie in der einen Ausdehnungskoeffizienten besitzen, welcher so vorhergehenden Verfahrensweise, d.h. Belichten, nah wie möglich in der Gegend der Ausdehnungs-Entwickeln und Entfernen des unbelichteten Photo- koeffizienten des Halbleitermaterials gelegen ist. resists (Fig. 4b) durch Ätzen der Zwischenverbin- Geeignete Glassorten, welche einen solchen Ausdungsschicht 8 und der Oxydschicht 2 bis zur Ober- 65 dehnungskoeffizienten besitzen, werden normalerfläche des Halbleiterkörpers 1 (F i g. 5 b). weise bei Temperaturen von etwa 560° C aufge-Nunmehr ist der gesamte belichtete Photoresist bracht. Man benutzt daher als Kontaktmaterial vorentfernt und die Zwischenverbindungsschicht 8 sowie zugsweise nicht Gold, weil dieses bei den genannten

Temperaturen tiefer in den Siliziumhalbleiterkörper eindringt. Aluminium jedoch besitzt in dem genannten Temperaturbereich diese Eigenschaft des Eindringens in den Halbleiterkörper nicht und ist daher für Kontaktzwecke sehr geeignet, sofern der Halbleiterkörper mit einer Glasschicht bedeckt ist.

Soll an einen derartigen Halbleiterkörper zur Einfügung in eine Schaltung eine elektrische Verbindung angebracht werden, so wird durch die Schutzschicht aus Glas, welche die Zwischenverbindungsschicht bedeckt, ein Loch hindurchgeätzt, wobei bekannte Maskierungs- und Ätzverfahren angewendet werden können. Die Zuführung selbst wird dann an die Zwischenverbindungsstelle angelötet.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen von Aluminiumkontakten mit einer Zwischenschicht aus einem Nichtaluminiummetall auf Halbleiterbauelementen, gekennzeichnet durch folgende Ver- so fahrensschritte:

a) Aufbringen einer ersten Photoresistschicht (3) mit Kontaktfenster (4) mittels eines bekannten Photogravurverfahrens auf den Halbleiterkörper (1) mit isolierender Oxydschicht (2);

b) Aufdampfen einer dünnen Schicht (S) aus einem Nichtaluminiummetall über die gesamte Oberfläche einschließlich des Kontaktfensters(4);

c) Entfernen der gesamten Schicht (5) mit Ausnahme des im Kontaktfenster (4) befindlichen Bereichs, Aufbringen einer weiteren Photoresistschicht (6) sowie Einbringen einer Öffnung (7) in die Schichten (2, 5) bzw. 2, 8), wobei diese Öffnung (7) im Zentrum des Kontaktfensters (4) liegt und eine kleinere Abmessung als dieses besitzt;

d) Durchätzen im Bereich der unter c) erstellten öffnung bis auf die Oberfläche des Halbleitersubstrates und Entfernen der Photoresistschicht (28);

e) Aufbringen einer vierten Photoresistschicht (9) auf die bisher erstellte Konfiguration und Wiederentfernung eines bezüglich der öffnung (7) konzentrischen Bereiches mit einem im Vergleich zur öffnung (7) größeren Durchmesser;

f) Aufbringen der Kontaktierungsschicht aus Aluminium auf die unter a) bis e) erstellte Konfiguration sowie Entfernen der vierten Photoresistschicht (9) mit dem darauf befindlichen Bereich der Aluminiumschicht (11).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Zwischenschicht Silber, Nickel, Chrom oder Molybdän oder eine aus je zwei dieser Elemente gebildete bimetallische Schicht aufgedampft wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Zwischenschicht Nickel—Chrom verwendet wird und daß im Zuge des an sich bekannten Vakuumauf dampfverfahrens zunächst das Chrom allein aufgedampft, dann bei abnehmender Intensität des bedampfenden Molekülstrahles aus Chrom ein Molekülstrahl wachsender Intensität aus Nickel zur Wirkung gebracht und zum Schluß reines Nickel aufgedampft wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Chrom in einer Stärke bis 100 AE und das Metall Nickel in einer Stärke bis 5000 AE aufgedampft wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 909522/281