DE1277383B

DE1277383B - Hochfrequenzverstaerker

Info

Publication number: DE1277383B
Application number: DE1967T0033267
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Werner Bachnick; Rolf Wegener
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1967-02-23
Filing date: 1967-02-23
Publication date: 1968-09-12

Description

Hochfrequenzverstärker Die Erfindung betrifft einen Hochfre4uenzverstärker mit einem im Ausgangskreis eines Transistors angeordneten Leitungskreis.
Es ist bekannt, solche Schaltungen dadurch zu neutralisieren (Internationale Elektronische Rundschau, 1964, S. 672), daß an dem Innenleiter des Leitungskreises eine Schleife angekoppelt ist, die über einen Neutralisationskondensator mit dem Eingang des Transistors verbunden ist. Diese bekannte Schaltung ist jedoch nur bei Leitungskreisen verwendbar, bei denen der Innenleiter einseitig an Masse liegt und die Koppelschleife im Bereich des unveränderlichen Strombereichs angeordnet ist. Für A/2-Leitungskreise ist die bekannte Schaltung nicht brauchbar.
Bei Schaltungen mit Kapazitätsdiodenabstimmung haben sich Leitungskreise in d/2-Technik als vorteilhaft erwiesen, bei denen der Innenleiter in Serie mit einer Transformationsinduktivität liegt und der Leitungskreis durch eine Kapazitätsdiodenschaltung mit einer von der Nutzfrequenz abweichenden Eigenfrequenz abstimmbar ist.
Um zu verhindern, daß eine solche Schaltung auf einer Parallelresonanzfrequenz der Kapazitätsdiodenschaltung schwingt, ist vorgeschlagen worden, parallel zum Eingangswiderstand des Transistors eine relativ kleine Anpassungsinduktivität zu schalten. Es hat sich jedoch gezeigt, daß bei derartigen Schaltungen dennoch eine Schwingneigung verbleiben kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Erregung des Verstärkers auf der Nutzfrequenz zu vermeiden.
Die Erfindung besteht darin, daß die Transformationsinduktivität mit der Anpassungsinduktivität im neutralisierenden Sinne kapazitätsarm gekoppelt ist. Die Neutralisation wird dadurch erreicht, daß dem kapazitiven Strom des Kollektor-Emitter-Kondensators ein induktiver Strom der Neutralisationswicklung überlagert wird. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel mit einem Transistor AF 251 wird die Kapazitätsarmut der Kopplung dadurch erzielt, daß die beiden Induktivitäten in Achsrichtung hintereinander mit gleichem Wickelsinn so gleichsinnig gewickelt sind, daß das der Ausgangselektrode des Transistors zugewandte Ende der Transformationsinduktivität neben dem der Eingangselektrode abgewandten Ende der Anpassungsinduktivität liegt.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird im folgenden ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung beschrieben. F i g. 1 zeigt eine Schaltung mit einem Transistor 1, dem von einer Antenne 2 über ein Eingangsbandfilter 3 Nutzsignale zugeführt werden. In den Ausgangskreis des Transistors 1 ist die Serienschaltung einer Transformationsinduktivität 4 sowie eines Innenleiters 5 und einer Abstimmschaltung 6 angeordnet.
Innenleiter sowie die Abstimmschaltung 6 sind Teil eines Topfkreises 7, der beispielsweise den Primärkreis eines Bandfilters bildet. Die Kopplung des Primärkreises mit dem Sekundärkreis ist hier nicht dargestellt, kann aber entweder durch Lochkopplung oder durch eine Fußpunktkopplung erfolgen, wie sie in der Patentanmeldung T 31320 IX d / 21 a 4 (deutsche Auslegeschrift 1267 283) beschrieben ist. Die Abstimmschaltung 6 enthält eine Kapazitätsdiode 8 sowie eine mit dieser in Serie geschaltete Induktivität 9. Die Kapazitätsdiode 8 ist mit einem Potentiometer 10 verbunden, welches eine Veränderung der Kapazitätsdiode 8 ermöglicht. Zur Erzielung eines möglichst großen Abstimmbereiches folgt die Eigenfrequenz der Abstimmschaltung 6 mit den zur Abstimmung erforderlichen Schaltungselementen einer im wesentlichen von der Nutzfrequenz verschiedenen Kurve. Um zu vermeiden, daß die Verstärkerschaltung auf der Parallelresonanzfrequenz der Abstimmschaltung 6 schwingt, ist parallel zum Eingangswiderstand des Transistors 1 eine Induktivität 11 eingeschaltet, die derart in den Topfkreis 7 geführt ist, daß sie mit der Transformationsinduktivität 4 kapazitätsarm gekoppelt ist. Durch diese kapazitätsarme Kopplung wird die Transistorschaltung derart neutralisiert, daß auch eine Schwingneigung auf der Nutzfrequenz vermieden ist. F i g. 2 zeigt eine Anordnung der Transformationsinduktivität 4 und der Anpassungsinduktivität 11 durch die eine besonders günstige Neutralisation bewirkt wird. Dabei liegt das der Eingangselektrode des Transistors l abgewandte Ende der Induktivität 11 neben dem der Ausgangselektrode des Transistors 1 zugewandten Ende der Transformationsinduktivität 4.

Claims

Patentansprüche: 1. Hochfrequenzverstärker mit einem im Ausgangskreis eines Transistors angeordneten, in Serie mit einer Transformationsinduktivität liegenden Innenleiter eines Leitungskreises in A./2-Technik, der durch eine Kapazitätsdiodenschaltung mit einer von der Nutzfrequenz abweichenden Eigenfrequenz abstimmbar ist, wobei zur Verhinderung einer Schwingneigung dem Eingangswiderstand des Transistors eine Anpassungsinduktivität parallel geschaltet ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Transformationsinduktivität mit der Anpassungsinduktivität in neutralisierendem Sinne kapazitätsarm gekoppelt ist.
2. Hochfrequenzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transformationsinduktivität und die Anpassungsinduktivität in Achsrichtung hintereinander gleichsinnig so gewickelt sind, daß das der Ausgangselektrode des Transistors zugewandte Ende der Transformationsinduktivität neben dem der Eingangselektrode abgewandten Ende der Anpassungsinduktivität liegt. In Betracht gezogene Druckschriften: »Internationale Elektronische Rundschau«, 1964, Heft 12, S. 672.