AT243340B - Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern - Google Patents

Description

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  Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines
Zeilenoszillators von Fernsehempfängern 
Die Erfindung befasst sich mit einer Schaltung nur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern, bei der der Sinusschwingkreis durch eine Transistorblindstufe mittels einer Nachstimmregelspannung nachgestimmt wird. 



   In Fernsehempfängern mit Röhrenbestückung verwendet man heute weitgehend zur vollautomatischen Horizontal-Synchronisierung eine sogenannte Phasen- und Frequenz-Vergleichsschaltung. Eine derartige Schaltung erzeugt im synchronisierten Zustand eine Regelspannung, die von der Phasenabweichung zwischen der Oszillatorspannung und der Synchronisierspannung abhängig ist. Im nichtsynchronisierten Zustand erzeugt sie ausserdem eine Regelspannung, die von der Frequenzdifferenz der beiden Signale abhängig ist. Diese Phasen- und Frequenz-Vergleichsschaltungen sind im allgemeinen relativ hochohmig, ihr Ausgangswiderstand beträgt beispielsweise zirka   1,     5-2, 0 MQ.   



   Um in transistorisierten bzw. in teilweise transistorisierten Geräten eine solche Schaltung anwenden zu können, wurden bisher zwei hintereinander geschaltete Impedanzwandler angewendet, um mit dieser hochohmigen Regelspannung eine Reaktanzstufe ansteuern zu können. 



   Die Erfindung stellt sich nun die Aufgabe, den erheblichen Aufwand dieser bekannten Schaltung zu vermeiden. Zu diesem Zweck wird bei einer Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfängern durch eine Transistorblindstufe mittels einer Nachstimmregelspannung erfindungsgemäss vorgeschlagen, die Nachstimmregelspannung einer Kapazitätsdiode zuzuführen, die im Netzwerk zur Phasendrehung des Ansteuerstromes der Transistorblindstufe liegt. 



   Eine solche Kapazitätsdiode ist beispielsweise eine Siliziumdiode, die im Sperrbereich betrieben wird. Eine Kapazitätsdiode allein ist jedoch nicht in der Lage, den relativ niederohmigen Schwingkreis eines Zeilenoszillators nachzustimmen. Es wird deshalb vorgesehen, eine solche Silizium-Diode mit einer Reaktanzschaltung derart zu verbinden, dass die Nachstimm-Diode innerhalb eines Netzwerkes zur Phasendrehung des Basisstromes der Reaktanzstufe Verwendung findet. Auf diese Weise kann die Nachstimmwirkung der Reaktanzdiode erheblich, z. B.   achtzigfach, vergrössert   werden. 



   Im folgenden sei die Erfindung an Hand der in der beigefügten Zeichnung wiedergegebenen Schaltungsbeispiele näher erläutert. 



   Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemässe Schaltung. Darin ist 1 der Sinusoszillator, 2 der Sinusschwingkreis, 3 die Reaktanzstufe, mit 4 ist die Kapazitätsdiode bezeichnet. Dieser Kapazitätsdiode wird über den Widerstand 5 die Regelspannung zugeführt. Das andere Ende der Kapazitätsdiode ist über den Widerstand 6 mit Masse verbunden. Über den Koppelkondensator 7 wird der Kapazitätsdiode die Sinusspannung des Schwingkreises 2 zugeführt. Das andere Ende'der Kapazitätsdiode ist über den Koppelkondensator 8 mit der Basis der Blindstufe verbunden. Die Kapazitätsdiode bewirkt in Verbindung mit dem Basis-Eingangswiderstand der Reaktanzstufe eine Phasendrehung der Kreis-Sinusspannung um zirka 900. Der Ableitwiderstand 9 liegt dabei parallel zum Basis-Eingangswiderstand, so dass seine Grösse für die Basis-Sinusspannung ebenfalls mitbestimmend ist.

   Die Reaktanzstufe bekommt eine festeingestellte Vorspannung zur Basis. Selbstverständlich kann man auch hier, wie man es oft bei Transistorstufen anwendet, zum Ausgleich von Transistor-Toleranzen eine relativ grosse Vorspannung vorsehen und mit einem RC-Glied im Emitterstromkreis eine Arbeitspunkt-Stabilisierung bewirken. 

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 lenendstufen, ist in der Schaltung der Fig. 2 zur weiteren Verstärkung des Blindstromes eine zusätzliche Verstärkerstufe 10 vorgesehen. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Schaltung zur Nachstimmung des Sinusschwingkreises eines Zeilenoszillators von Fernsehempfän- 
 EMI2.2 

Claims (1)

1. Schwingkreisen besonders niedriger Impedanz z. B. von zusätzlich als Sinusoszillator selbstschwingenden Zeilenendstufen zwischen der Transistorblindstufe und dem Sinusschwingkreis eine Verstärkerstufe vorgesehen ist.