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Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung bei 'Transistor Verstärkern
Bei Geräten mit gemischter Transistor- und Röhrenbestückung steht für die selbsttätige Verstärkungsregelung häufig nur eine Regelgleichspannung zur Verfügung. Der Verstärkungsgrad eines Transistors kann jedoch mit einer Regelgleichspannung nicht verändert werden. Hiezu ist vielmehr eine Leistung erforderlich.
Die Erfindung besteht bei einer Schaltungsanordnung zur Verstärkungsregelung von Transistorverstärkern in Geräten mit kombinierter Transistor- und Röhrenbestückung durch Verwendung einer von der Regelgleichspannung gesteuerten Verstärkerröhre darin, dass eine Elektrode des zu regelnden Transistors an den Abgriff eines an einer Betriebsspannung liegenden Spannungsteilers angeschlossen ist, und dass der gleiche oder ein anderer Abgriff mit der stromführenden Elektrode der von der Regelgleichspannung gesteuerten Elektronenröhre verbunden ist.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Basis des Transistors an den Abgriff eines Spannungsteilers angeschlossen, der über einen Widerstand mit dem in üblicher Weise mittels eines Schirmgitterwiderstandes an die Betriebsspannung angeschlossenen Schirmgitter der Elektronenröhre verbunden ist. Die Erfindung wird im folgenden an Hand von mehreren in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen beschrieben.
In Fig. l ist eineVerstärkerschaltung l mit einem Transistor 2 dargestellt, dessen Emitterelektrode über einen Widerstand 3 an einer positiven Betriebsspannung und dessen Kollektorelektrode über einen Schwingkreis 4 an Masse liegt. Der Widerstand dient im wesentlichen zu Korrekturzwecken und ist relativ klein bemessen. Die Basis des Transistors ist über einen Kondensator 5 wechselstrommässig geerdet und an einen Spannungsteiler aus den Widerständen 6 und 7 angeschlossen, deren Grösse so bemessen ist, dass die Spannung am Abgriffpunkt 8 etwa gleich der Spannung am Schirmgittereiner Schirmgitterröhre 9 ist, die am Steuergitter von einer Regelspannung UR ausgesteuert wird.
Die Eingangssignale werden dem Eingangskreis des Transistors 2 von der Klemme 10 über einen Kondensator 11 zugeführt. Bei einer Änderung der Regelspannung UR ändert sich auch der Schirmgitterstrom und damit die Spannung am Abgriff 8 des Spannungsteilers 6,7, so dass die Verstärkung des Transistors 2 sich ebenfalls ändert. Der Widerstand 6 ist hiebei der übliche Schirmgitterwiderstand.
Fig. 2 zeigt eine Schaltung mit den Grundelementen der Fig. 1 in Anwendung auf die HF-Vorstufe eines UHF-Tuners. Gleiche Schaltelemente sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. Der PNP-Transistor 2 ist mit der Basis über einen Kondensator 5 wechselstrommässig geerdet und über Widerstände 3 und 12 an die relativ hohe Betriebsspannung eines Gerätes mit gemischter Transistor- und Röhrenbestückung angeschlossen. Die hochfrequenten Eingangssignale werden der Emitterelektrode von der nicht dargestellten Antenne über die Buchse 10 und den Kondensator 11 zugeführt. Die Kollektorelektrode ist an den Mittelleiter 13 eines Topfkreises 14 angeschlossen.
Die Verwendung von Transistoren als Vorverstärker hat gegenüber röhrenbestückten Vorverstärkern den Vorteil geringeren Rauschens und damit einer erhöhten Empfindlichkeit. Bei solchen transistorisierten Vorverstärkerstufen ist eine Regelung der Verstärkung notwendig, weil der durch den Vorstufentransistor gesteuerte Mischtransistor nur für einen relativ kleinen Bereich der Eingangsamplitude aussteuerbar ist.
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arbeitsfähig sein könnte. Bei einer Eingangsspannung, die sehr viel grösser als die Oszillatorspannung i würde daher kein Mischeffekt mehr eintreten. Zumindest treten aber starke Verzerrungen auf.
Eine Regelung des Vorstufentransistors 2 erfolgt bei der Schaltung nach Fig. 2 über die Verstärke röhre 9, die am Steuergitter von einer Regelgleichspannung ausgesteuert wird. Das Schirmgitter die Röhre ist über einen Widerstand 15 mit der Betriebsspannung und über Widerstände 16, 17 mit de Abgriff 8 des Spannungsteilers aus den Widerständen 18 und 7 angeschlossen, die zwischen Ma und das der Betriebsspannung abgewandte Ende des Widerstandes 12 eingeschaltet sind. Der Widersta 6 ist somit hinsichtlich seiner Wirkung als Schirmgitterwiderstand durch den Widerstand 15 erse
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derstände 16 und 17 stromlos sind oder von einem relativ geringen Strom durchflossen werden. I Widerstände 7 und 18 einerseits und die Röhrenschaltung 9, 15 anderseits sind so bemessen, dass Spannungen am Abgriff 8 und am Schirmgitter übereinstimmen.
Sobald infolge der Vergrösserung negativer Regelgleichspannung UR am Steuergitter der Röhre der Schirmgitterstrom sich verringert, verschiebt sich das Gleichgewicht dieser"Brücke", und über Widerstände 15,16, 17,7 fliesst ein erhöhter Strom, der die Spannung am Abgriff 8 bzw. 20 Sinne einer Verringerung der Basis-Emitter-Spannung ändert. In vielen Fällen wird die Schirmgitters ? : nung grösser sein als die Abgriffspannung. Am Abgriff 20 ist jedoch eine sich mit der Regelspannt ändernde Regelspannung abgreifbar. Der Arbeitspunkt und Regelbereich für den Transistor sind durch Widerstände 17 oder 16 einstellbar.
Da die Anodenspannung von 250 V meist zu gross ist für Transistorzwecke, sorgt eine Spannungste lung mit dem Widerstand 12 für eine entsprechende Herabsetzung. Dies kann jedoch zur Folge hab dass bei der Regelung infolge des veränderlichen-Spannungsteilers auch die Emitterspannung sich zandt . Um dies zu vermeiden, wird gemäss Fig. 2 ein niederohmiger Spannungsteiler 7,18 verwendet und j mäss Fig. 3 dem Spannungsteiler 7,18 ein Widerstand 21, insbesondere eine Zenerdiode, parall geschaltet. Dieser Widerstand 21 ist so bemessen, dass er einen Teil des Stromes durch den Wid stand 12 aufnimmt (im Beispiel nach Fig. 3 etwa 80 go). Dadurch wird die Spannung am Punkt nahezu konstant gehalten.
In Fig. 4 ist der Widerstand 16 an einen Anodenspannungsteiler 23, 24, 25 der Elektronenrc 9 angeschlossen, wobei der Strom durch den Spannungsteiler 23, 24, 25 so bemessen sein kann. c die Normalspannung an den Abgriffen 8 und 26 annähernd gleich sind. Der Anodenspannungste : kann in ähnlicher Weise auch als Schirmgitterspannungsteiler verwendet werden. Die Basis des Transisi kann auch hier direkt an den Abgriff 8 oder an einen Punkt des Widerstandes 7 oder des Widerst, des 16 angeschlossen werden.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Schaltungsanordnung zurVerstärkungsregelung vonTransistorverstärkern in Geräten mit Transis und Elektronenröhrenbestückung, wobei der Strom einer von der Regelgleichspannung gesteuertenEIek) nenröhre für die Regelung des Transistorverstärkers ausgenutzt wird, dadurch gekennzeichne dass bei Anschluss einer Elektrode des zu regelnden Transistors (2) an einen Abgriff eines an einer Betrie spannung liegenden Spannungsteilers (6, 7 ; 7, 18 ; 7, 18, 12) der gleiche oder ein anderer Abgriff (8) Spannungsteilers mit einer stromführendenElektrode der von derRegelgleichspannung gesteuerten Elek1 nenröhre (9) verbunden ist (Fig. 1-4).