DE1260439B - Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen

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DE1260439B
DE1260439B DES89439A DES0089439A DE1260439B DE 1260439 B DE1260439 B DE 1260439B DE S89439 A DES89439 A DE S89439A DE S0089439 A DES0089439 A DE S0089439A DE 1260439 B DE1260439 B DE 1260439B
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DES89439A
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Dipl-Phys Dr-Ing Reimer Emeis
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Siemens AG
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/22—Furnaces without an endless core
    • H05B6/30—Arrangements for remelting or zone melting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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CH1115664A CH414553A (de) 1964-02-08 1964-08-26 Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen mit zwei an den Enden des Körpers angreifenden Halterungen und einer den Körper mit Abstand umgebenden und die Schmelzzone erzeugenden Induktionsspule
FR2632A FR1445481A (fr) 1964-02-08 1965-01-20 Dispositif de fusion par zone sans creuset
GB4979/65A GB1022427A (en) 1964-02-08 1965-02-04 An apparatus for zone-by-zone melting a rod of crystalline material
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660062A (en) * 1968-02-29 1972-05-02 Siemens Ag Method for crucible-free floating zone melting a crystalline rod, especially of semi-crystalline material
US3935059A (en) * 1969-07-21 1976-01-27 U.S. Philips Corporation Method of producing single crystals of semiconductor material by floating-zone melting
DE2538854B2 (de) * 1975-09-01 1979-02-15 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Einwindige Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen
US4184135A (en) * 1978-04-10 1980-01-15 Monsanto Company Breakapart single turn RF induction apparatus
US4458127A (en) * 1981-05-26 1984-07-03 Park-Ohio Industries, Inc. Inductor for annealing work hardened portions of structural beams
DE3143146A1 (de) * 1981-10-30 1983-05-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE3226713A1 (de) * 1982-07-16 1984-01-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen
DE3229461A1 (de) * 1982-08-06 1984-02-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes
US4549051A (en) * 1984-02-15 1985-10-22 Ness Richard A Induction heating device for nozzles of containers
JPS63291888A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体単結晶製造装置
DE3938937A1 (de) * 1989-11-24 1991-05-29 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur herstellung von siliciumstaeben mit hohem sauerstoffgehalt durch tiegelfreies zonenziehen, dadurch erhaeltliche siliciumstaebe und daraus hergestellte siliciumscheiben
US20110073591A1 (en) * 2008-07-17 2011-03-31 Seiichi Sawatsubashi Guide Chip Structure for High-Frequency Induction Heating Coil

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB829422A (en) * 1953-09-25 1960-03-02 Standard Telephones Cables Ltd Method and apparatus for producing semi-conductor materials of high purity

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL61586C (bs) * 1944-04-26
NL258961A (bs) * 1959-12-23
US3100250A (en) * 1961-04-07 1963-08-06 Herczog Andrew Zone melting apparatus
FR1358425A (fr) * 1963-01-22 1964-04-17 Traitements Electrolytiques & Perfectionnement au chalumeau à plasma haute fréquence

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB829422A (en) * 1953-09-25 1960-03-02 Standard Telephones Cables Ltd Method and apparatus for producing semi-conductor materials of high purity

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Publication number Publication date
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CH414553A (de) 1966-06-15
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US3342970A (en) 1967-09-19
SE302116B (bs) 1968-07-08

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