DE1237693B - Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung

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DE1237693B
DE1237693B DEM55822A DEM0055822A DE1237693B DE 1237693 B DE1237693 B DE 1237693B DE M55822 A DEM55822 A DE M55822A DE M0055822 A DEM0055822 A DE M0055822A DE 1237693 B DE1237693 B DE 1237693B
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Germany
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Withdrawn
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DEM55822A
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German (de)
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Inventor
John Trevor Law
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Motorola Solutions Inc
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Motorola Inc
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83—FETs having PN junction gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/24—
    • H10P14/2905—
    • H10P14/3411—
    • H10P14/3442—
    • H10P14/3444—

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US17397062A 1962-02-19 1962-02-19

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NL (1) NL288745A (Direct)

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FR1293699A (fr) * 1960-05-02 1962-05-18 Westinghouse Electric Corp Dispositif semi-conducteur

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FR1347395A (fr) 1963-12-27

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