DE1614861A1 - Feldeffekttransistor - Google Patents

Description

• "Feldeffekttraxisistor" Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Steilheit owie die Hochfrequenzeigenschaften eines Feldeffekttranistors zu verbessern. Zur Lösung.dieser Aufgabe wirdnach der Erfindung vorgeschlagen, daß bei einem Feldeffekttransietor die Halbleiterzone, in.der der Ladungstragertransport erfolgt, im Bereich der Steuerelektrode-eine Einschnürung aufweist. Die Einschnürung ist vorzugsweise auf einen Teil den der Steuerelektrode vorgelagerten Bereiche beschränkt. Der eingeschnürte Bereich wird vorzugsweise hochohmiger gemacht als der übrige Bereich der für der Ladungsträgertransport vorgesehenen Halbleitermone. Während der einge-3 chnÜrtg Bereich beispielsweise eine Leitfähigkeit von I bis to Ohmcm hat, wird der übrige Bereica der für den Ladungsträgertranaport vorgesehenen Zone vorzugsweise so niederohmig wie möglich iusgebildet. Die Erfindung wird im folgenden an Ausführ ungsbeispielen erläutert. Ztir Herstel Ititig eines Felde 11 ekttransistors itijo,li der Er -findung wird gemäß Figur 1- Jie eine Oberflächenseite einem; Halbleiterkörpers 1 vom -p-Leitungstyp mit einer maskierenden Schicht 21, bedi.*t, die beispielsweise aus Silizitimilioxyd oder aus. Siliziumnitrid besteht. Ir) die Schicht 2 werden zwei Difrii3iotisfenster (3,4) eingeätzt, durchdie zwei voneinander- getrennte Zonen- (5,6) -vom n-Leitungstyp in den Eialbleiterk(irper eindiffundiert werden. Um gemäß Figur 2 eine Verbindung 7 vom n-Leitungstyp zwischen diesen beiden Zonen 5 und 6 herzustellen, wird nach der Herstellung des Diffuslonsfensters 8 gemäß Figur 2 in den Halbleiterkörper nochmals eine n-Zone 9 eindirtundiert, welche sich bis zur gentrichelten Linie la erstreckt. Zur ErzielungAer gewünschten Einschnürung 11 darf die n-Zone 9 jedoch nicht so tief in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden wie die beiden n-Zenen 5 und,6-. Während diese beiden Zonen so niederohmig wie mÖglich_gemacht werden und beispielsweise eine Leitfähigkeit von o,ol,bis 0,001 Ohmcm-e-rhaiteni wird der Bereich 7 zwischen den beiden Zonen 5 und,6 wesentlich höherohmig gemacht, so daß er eine Leitfähigkeit von beispielsweise 1 bi.a la Ohmcm erhält. stellt werden. Zu diesem-Zweck wird das Diffusionsfenster der Figur 2 wieder durch'eine#Oxyds-chicht 12 geschlosseit und- durch. eine Of.fnung-,1- in dieser Oxydschicht# die Ii-Zone, lli als S-te-uerelektrode in -den HalblelterkÖrper ein-(äfTundiert. Die Öffnung 13 #wird seitlich so weit-herausgeführt, d aß die Steuerelektrode 14 -in dem Bereich -15 mit dem 11a11)leitergrtin-dkörpi#r 1. vom -1,eitungstyp Kontakt hat. Die Stetterelektrode lit, die- im Ausführungsbeispiel eine Streifenform besitzt, wird.so breit gemacht, daß sie gemäß den Figuren .3 und 4 breiter-als der eingeschnürte Bereich 7 ist. so daß-dereingeschnürte Bereich'auf einen Teil der Steuerelektrode beschränkt bleibt. Die Steuer-, elektrode darf sich jedoch nicht in diejenigen Bereiche der Zonen 5 und 6, erstrecken,-die die oben a.ngeä;eben-e hohe Leitfähigkeit vonbe-ispiel.aw,eise o,ol-bis o,ool,Ohmcmhaben, sondern nur in höhero hmige Bereiche die,ser Zonen, die seitlIch-an die DiffusionsVenster für die Zo nen 5 und 6 angz-enzen und infolge eines parallel zur-Halbleiterober-Stör:itellengradienten höherohmig.sind als die unmittelbar unter den Fenstern liegenden Bereiche. Den fertigen Feldef-fekttransistor zeigt die Figur-k. Dieser unterscheidet sich,von der Anordnung der Figur 3 dadurch" daß auf' den Halbleiterkörper noch die Quellelektrode 16 sowie die Zugelektrode-17 aufgebracht sind, die I . -# den durch die beiden Halbleiterzonen 5 und 6 sowie durch den dazwischen liegenden 13t#i-eieli 7 gebildeten Kanal flir den Ladungsträgertransport nichtsperrend kontaktieren. Die Kontaktierung der Steuerelektrode 14 erfolgt über den Halbleiterkärper auf der gegenüberliegenden Seite durch die am Halbleiterkörper angebrachte Elektrode 189 Der Feldeffekttrannistor der Figur 4 hat gegenüber bekannten Feldeffekttrannistoren den Vorteil, daß durch die Einschnürung den Ladungsträgerkamals vor allem die Steilheit der Anordnung wesentlich erhöht wird. Die Figur 5 zeigt ach . ließlich noch einen Feldeffekttransietor mit mehreren Steuerelektroden 149 denen Jeweils ein eingeschnürter Bereich 7 vorgelagert ist* Wie bei der Anordnung der Figur 4 sind die Bereiche 7 jewei la nur auf einen Teil der Steuerelektrode beschränkt. Die beiden Zonen 5 werden durch die gemeinsame'Elektrode 16 kontaktiertg während zur Kontaktierung der beiden Zonen 6 die Elektroden 17 vorgesellei, sind.

Claims (1)

1. P a - t e n t a n 9-- -p z r ü c h e 1) Feldeffektt-rangistcyr.--tlc--i(Itir--cli# gekennzeichnet-,. daß dIV -Halbleiterzone, in der. der- Ladtingsträgelk#transport- erfolgt, im Bereich-der Steuerelektrod e --ei) » le Ein- scilnitrung --alti- 4 el -s t 2) Feld-ettekttransistor nach Anspruch 1,-..dadurch gekenn,- zeichnet. daß-die Einschn Urung auf einen-Teil den--der Steuerelektröde.vorgelagerten:-Bereichs beschränkt ist.- -Feldeffekttrauslator nacb,Anspruch 1 oder i, dadurch gekennzeichnet, daß der-eingeschnürte-Bereich hochohmiger ist als der-Übrige Bereich der für den Ladungsti-äge-rtraus- port vorgesehenen Halbleiterzons-. Feldeffekttrannistor nach einem der Ansprüche 1 bis dadurch gekennzeichnet, daß bei mehreren Steuerelektrodeh- vor jeder Steuerelektrode eino-EinschnÜrung vorgesehen..ist. Feldeffekttrannistor nach einem der-AnspTUr-he 1 bis,4,- dadurch gekehnzeichnet,-daß er-aus-einem HalbleiterkÖrper vom ersten-1,eitungstyp besteht', in den--auf einer Seite eine Zone vom zweiten Leitungstyp ei4gelasaeim, ist, -die- i Bereich der Steuerelektrodee.Ine Einschnürungaufneist. 6)-Fe-Ideffekttransistür n ach einem der Ansprüthe- 't bis-.5, dadurch W-Iietixizeichnet . daß er aus einem 11.alblei#1.-.i-ki3rper vom ersteri Leitungstyp besteht, in den auf leiner Se-iiie zwei voneinander- getreiinte Inneit vom Leitungstyp' eingelasern sind, die durch eine Zone- vom gleichen Leitungstyp miteinander verhunden #iiii,d.. deren Dicke zur Erzielung einer Eiii«3ciii,.iii-iing jetlo-ch Seringer Ist als die der beidei, angrerizenden Zonen,. 7) Feldefrekttransistor nach einem der Ansp-ri-che 1 bis 6, dmdurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode aus einer in die Zone für den Ladungsträgertratisport eingelassenen Halbleiterzone besteht, deren Leitungstyp dem der Zone fÜr den Ladungsträgertransport entgegengesetzt ist. 8) Feld-eftekttransistor nach AnsPruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die als Steuerelektrode vorgesehene Halbleiterzohe Derührung mit dem Grundkörper hat. 9) Verfahren zum Iterstälen eines Feldeffekttransistors nach einem der Ansprüche 1 bis ß,'dadurch gekennzeichnet, daß in einen flalbleiterköper vom ersten Leitungstyp-auf der einen Oberflächenseite zwei voneinander getrennte ,Halbleiterzonen vom zweiten Leitungstyp eindifrundiert werden, und daß in den Bereich zwischen diesen beiden Halbleiterzonen eine Halbleiterzone vom zweiten LeitUngs- typ rindiffundiert wir*4."" die, sich-nichl -«3o tief 1-D den Halbleiter-kÖrper erstverkt, -wie di-P;11(,-itten daiau angrenzen- det) Zonen vom gleichen Le- i -t un:,cZ#9 t v p 11,ud e-i,n,e V erhi li#(iti-lig -zwischen, diesen beiderl z'ariell