DE1152764B - Unipolartransistor mit einem steuernden pn-UEbergang - Google Patents

Unipolartransistor mit einem steuernden pn-UEbergang

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DE1152764B DES71158A DES0071158A DE1152764B DE 1152764 B DE1152764 B DE 1152764B DE S71158 A DES71158 A DE S71158A DE S0071158 A DES0071158 A DE S0071158A DE 1152764 B DE1152764 B DE 1152764B
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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 71158 Vmc/21g
ANMELDETAG: 7. NOVEMBER 1960
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT: 14. AUGUST 1963
Die Erfindung bezieht sich auf einen Unipolaroder Feldwirkungstransistor.
Im allgemeinen weisen Unipolar- oder Feldwirkungstransistoren einen Halbleiterkörper von einem Leitfähigkeitstyp auf, der mit ohmschen Zu- und Ableitungselektroden versehen ist. Zwischen die Zu- und Ableitungselektroden wird eine Spannung angelegt. Das durch die Spannung erzeugte Feld läßt Ladungsträger von der Zuleitungselektrode zur Ableitungselektrode fließen. Es können eine oder mehrere Zonen vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zwischen den Zu- und Ableitungselektroden vorgesehen sein, welche einen pn-übergang am Halbleiterkörper bilden. Der dem pn-übergang zunächst liegende Teil des Halbleiterkörpers wird gewöhnlich als der »Kanal« bezeichnet. Die wirksame Querschnittsfläche des Kanals ist durch Anlegen einer Gegenspannung an den pn-übergang steuerbar und verursacht, daß die Raumladungszone oder -schicht am pn-übergang sich ausdehnt oder in den Kanal hinein zusammenzieht. Hierdurch wird die wirksame Querschnittsfläche des Kanals beeinflußt. Durch eine solche Steuerung der effektiven Fläche des Kanals ist die Trägerströmung zwischen Zuleitungs- und Ableitungselektrode steuerbar. Ein zu verstärkendes Signal kann an diese Steuerzonen oder Torzonen angelegt werden, um auf diese Weise die effektive Querschnittsfläche der Kanalzone zu modulieren, wodurch die Trägerströmung in dem Körper gesteuert wird. Es erfolgt eine Verstärkung, da ein relativ kleines Signal praktisch die ganze den Kanal durchfließende Leistung steuert.
Ein Nachteil der bekannten Halbleiteranordnungen besteht darin, daß die effektive Länge des Kanals relativ groß ist. Infolgedessen versagt die Steuerung, wenn die Frequenz der Signalwelle am Eingang etwa vergleichbar der Triftzeit der Ladungsträger längs des Kanals ist.
Zweck der Erfindung ist es hauptsächlich, einen verbesserten Unipolartransistor zu schaffen, bei dem die Kanallänge etwa vergleichbar der Kanalbreite sein soll. Weiterhin sollen bei einem Unipolartransistor nach der Erfindung die Steuerzonen längs einer Korngrenze ausgebildet sein, die sich über den Kanal hinweg erstreckt.
Es sind bereits Vorschläge von Halbleiterbauelementen bekannt, welche Zonen vom η-Typ aufweisen, die durch Korngrenzen getrennt sind. Bei Germanium bilden die Korngrenzen gewöhnlich eine Zone vom p-Typ. Diese Zonen werden dabei offenbar in einer üblichen Art und Weise benutzt. Es handelt sich dabei um transistorartige Bauelemente, bei Unipolartransistor mit einem steuernden pn-übergang
Anmelder:
William Shockley,
LosAltos, Calif. (V. St. A.)
Vertreter: Dipl.-Ing. F. Werdermann, Patentanwalt, Hamburg 13, Innocentiastr. 30
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 18. November 1959 (Nr. 853 905)
William Shockley, Los Altos, Calif. (V. St. Α.), ist als Erfinder genannt worden
denen Ladungsträger in eine Basiszone emittiert und durch eine Kollektorzone aufgefangen werden.
Ferner ist ein Halbleiterbauelement bekannt, bei dem der Strompfad durch die Korngrenze hindurch verläuft und die Breite der Korngrenze durch Anlegen einer Spannung zwischen ihr und dem benachbarten Halbleitermaterial verändert wird. Auch hier handelt es sich um Germaniummaterial, bei dem die Korngrenze vom p-Typ ist. Der leitende Strompfad verläuft nicht durch den Körper des Halbleitermaterials, sondern entlang der Korngrenze.
Bei den bekannten Transistoren, bei denen Korngrenzenflächen verwendet sind, handelt es sich stets um bipolare Transistoren.
Die Erfindung bezieht sich auf einen Unipolartransistor mit einem steuernden pn-übergang. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, daß eine Korngrenzenfläche quer zu dem Strompfad zwischen den beiden ohmschen Elektroden angeordnet ist und daß die steuernde pn-Übergangsfläche sich längs eines Teiles der Korngrenzenflächen erstreckt. Dadurch wird die Eignung zum Betrieb bei besonders hohen Frequenzen, insbesondere Frequenzen, die vergleichbar sind zur Triftzeit der Ladungsträger längs des Kanals, wesentlich verbessert.
Die längs der Korngrenzenfläche sich erstreckenden Teile der pn-Ubergangsfläche können bei einem Unipolartransistor gemäß der Erfindung paarweise
309 667/222

Claims (1)

  1. die nebeneinander so angeordnet werden, daß sie die richtige Ausrichtung haben. Wenn die Impfkristalle abgezogen werden, wird ein Kristall mit einer Grenzfläche gebildet.
    Eine besonders günstige Korngrenze für die Diffusion zur Erzeugung der beschriebenen Anordnungen ist eine sogenannte Kleinwinkel-Korngrenze, die aus einem Bereich oder einer Fläche von Kantenversetzungen zusammengesetzt ist, die sich durch sie
    symmetrisch zum Strompfad angeordnet sein. Ferner kann ein plattenförmiger Halbleiterkörper auf einer Oberflächenseite mehrere vorspringende Teile mit je einem Strompfad und je einer steuernden Ubergangsfläche aufweisen. Weiter können zwei pn-Ubergangsflächen an der Korngrenzenfläche mit einem spitzen Winkel zusammenstoßen.
    Ein besonders vorteilhaftes Verfahren zum Herstellen eines derartigen Unipolartransistors besteht
    darin, daß in einen Körper aus Halbleitermaterial ίο hindurch erstrecken. Die Kantenversetzungen können vom einen Leitfähigkeitstyp, der eine Korngrenzen- eine Vielzahl von einzelnen Atomebenen sein, so daß fläche aufweist, die sich durch ihn hindurch erstreckt, sie eine vergleichsweise kleine Störung innerhalb der dotierende Fremdstoffe vom entgegengesetzten Leit- an sich vollkommenen Kristallstruktur darstellen, fähigkeitstyp diffundiert werden, um eine Diffusions- Die Platte 21 mit der Korngrenze 11, die sich
    zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zu bil- 15 durch sie hindurch erstreckt, wird dann einem Diffuden, die sich an der Korngrenze tiefer in den Halb- sionsvorgang ausgesetzt, bei welchem Dotierungsleiterkörper hinein erstreckt. material, das einen entgegengesetzten Leitf ähigkeits-
    Die Erfindung ist an Hand der Zeichnungen bei- typ verursacht, in die Platte hineindiffundiert wird, spielsweise näher erläutert. wie in Fig. 3 B durch die über der Oberfläche der
    Fig. 1 zeigt einen Unipolartransistor mit Korn- 20 Platte vom η-Typ gebildete Schicht vom p-Typ angrenze gemäß der Erfindung; gedeutet wird. Bekanntlich erfolgt eine Diffusion in
    Fig. 2 ist eine schematische Querschnittsansicht Kristallen leichter längs Korngrenzen als durch die zur Erläuterung der Raumladungsschicht innerhalb übrige Masse des Kristalls hindurch. Es wird andes Kanals; genommen, daß dies infolge des schlechteren Zu-
    Fig. 3 zeigt die Arbeitsstufen bei der Herstellung 25 sammenhanges der Atome an einer Korngrenze der einer Anordnung entsprechend Fig. 1, und Fall ist. Ein gewisser Grad von Lockerheit des Zu-
    Fig. 4 zeigt einen Unipolartransistor mit mehreren sammenhanges bzw. des Zusammenpassens der Kanälen und die Arbeitsstufen zu seiner Herstellung Atome an der Korngrenze ergibt mehr Raum für die
    Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung weist einen Kör- Atome des diffundierenden Materials, so daß diese per aus Halbleitermaterial vom einen Leitfähigkeits- 30 sich an den Atomen vorbeibewegen können, welche typ, beispielsweise vom η-Typ, auf, der eine Korn- den eigentlichen Kristallaufbau bilden. Im Ergebnis grenzfläche 11 besitzt, die sich durch den Körper
    erstreckt. Es werden nun Diffusionszonen vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise vom
    p-Typ, an der Korngrenze gebildet; diese erstrecken 35
    sich an der Grenzfläche tiefer in den Körper hinein.
    Dadurch wird ein Kanal 12.gebildet, der relativ kurz
    ist, da die Torzonen längs einer scharfen Kante konvergieren. An dem einen Ende des Halbleiterkörpers
    vom η-Typ ist eine geeignete ohmsche Zuleitungs- 40 einem Gegenstrom durch die Torzone hindurch beielektrode s angebracht, und an dem anderen Ende tragen. Jedoch zeigt der erfolgreiche Betrieb von des Körpers vom η-Typ ist eine ohmsche Ableitungselektrode d angebracht. An den Diffusionszonen vom
    p-Typ auf einander gegenüberliegenden Seiten der
    Anordnung sind ohmsche Steuerelektroden g ange- 45
    ordnet. Mit 13 sind pn-Übergangsflächen bezeichnet.
    Wie Fig. 2 zeigt, ist zwischen der Zuleitungselektrode und der Ableitungselektrode eine Spannungsquelle 16 angeordnet, um eine Trift von
    Ladungsträgern durch die Kanalzone 12 zu ver- 50 ähnlich derjenigen zu bilden, die in Fig. 2 dargestellt Ursachen. Das Eingangssignal wird an die Klemmen ist, und dann die Versetzungen, aus denen sich die 17 gelegt und dient zur Modulierung der Raum- Korngrenze zusammensetzt, sich aus der Arbeitszone ladungszone 18. An der Last 19, beispielsweise einem unter dem Einfluß einer mechanischen Beanspruchung Belastungswiderstand, wird ein Ausgangssignal ab- herausbewegen zu lassen. Auf diese Weise ist es genommen. Die Raumladungszonen erstrecken sich 55 möglich, eine Diffusionsanordnung herzustellen, welche im Bereich der Korngrenzfläche zueinander hin, und die Korngrenze für die bevorzugte Diffusion benutzt, die Kanallänge ist etwa der Kanalbreite vergleichbar.
    Eine Anordnung nach Fig. 1 und 2 läßt sich auf
    die in den Fig. 3 A bis 3 E veranschaulichte Art und
    Weise herstellen. Es wird eine Platte 21 aus Halb- 60
    leitermaterial vom η-Typ ausgewählt, die eine Korngrenzfläche 11 hat, welche sich durch sie hindurch
    erstreckt. Solche Platten 21 mit Korngrenzen können
    aus einem Kristall herausgeschnitten werden, bei dem
    die Korngrenzflächen als Kristallstörungen während 65
    des Ziehprozesses erzeugt werden. Kristalle mit Korngrenzen können aus einer Schmelze gezogen werden,
    indem ein Paar von Impfkristallen verwendet wird,
    dringt die Diffusion an den Korngrenzen tiefer in die Platte ein, wie es durch die Zacken 22 in Fig. 3 B angedeutet wird.
    Bei einer Kleinwinkel-Korngrenze der oben erörterten Art schreitet die Diffusion am leichtesten in Richtung der Kantenversetzungen fort. Die Versetzungen in der Kanalzone liegen senkrecht zur Richtung des elektrischen Stromes und können zu
    Dioden und Transistoren mit Versetzungen, daß auf Grund der Gegenwart einiger weniger Versetzungen kein größerer Gegeneffekt zu erwarten ist.
    Es wurde festgestellt, daß Korngrenzflächen, die aus weit voneinander entfernten Kantenversetzungen bestehen, dazu veranlaßt werden können, sich bei Anlegung mechanischer Beanspruchungen zu bewegen. So ist es möglich, eine Diffusionsanordnung
    aber sie nicht in dem arbeitenden Bereich oder Kanal beläßt, wenn die Anordnung anschließend fertiggestellt wird.
    Es werden dann Bereiche des Kristalls, die in Fig. 3 B gezeigt sind, in geeigneter Weise, beispielsweise durch einen Oxydbelag, maskiert. Die dargestellte Maske hat die Form von Bändern 23 (vgl. Fig. 3 C), die sich über den Kanal erstrecken.
    Sodann wird der Kristall in eine geeignete Ätzlösung gebracht, so daß das Material, wie in Fig. 3 D gezeigt, weggeätzt wird, um Halbleiterstücke vom η-Typ mit Steuerzonen vom p-Typ zu erzeugen. Ge-
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DE (1) DE1152764B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1278016B (de) * 1963-11-16 1968-09-19 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1614861A1 (de) * 1967-09-01 1970-02-26 Telefunken Patent Feldeffekttransistor

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3196372A (en) * 1961-01-06 1965-07-20 Litton Systems Inc R. c. filter with capacitance produced by grain boundary semiconductor
NL290035A (de) * 1962-03-12
FR1376515A (fr) * 1963-05-14 1964-10-31 Comp Generale Electricite Dispositif de blocage-déblocage à fonctionnement symétrique
US3254280A (en) * 1963-05-29 1966-05-31 Westinghouse Electric Corp Silicon carbide unipolar transistor
US3332810A (en) * 1963-09-28 1967-07-25 Matsushita Electronics Corp Silicon rectifier device
US3388013A (en) * 1963-09-28 1968-06-11 Matsushita Electronics Corp Method of forming a p-n junction in a polycrystalline material
US3295030A (en) * 1963-12-18 1966-12-27 Signetics Corp Field effect transistor and method
US3430113A (en) * 1965-10-04 1969-02-25 Us Air Force Current modulated field effect transistor
US3398337A (en) * 1966-04-25 1968-08-20 John J. So Short-channel field-effect transistor having an impurity gradient in the channel incrasing from a midpoint to each end
US3651489A (en) * 1970-01-22 1972-03-21 Itt Secondary emission field effect charge storage system
US5557119A (en) * 1971-04-28 1996-09-17 Handotai Kenkyu Shinkokai Field effect transistor having unsaturated drain current characteristic
US5585654A (en) * 1971-04-28 1996-12-17 Handotai Kenkyu Shinkokai Field effect transistor having saturated drain current characteristic
JPS526076B1 (de) * 1971-04-28 1977-02-18
US3975752A (en) * 1973-04-04 1976-08-17 Harris Corporation Junction field effect transistor
JPS5133982A (ja) * 1974-09-18 1976-03-23 Nippon Electric Co Denryokuyodenkaikokatoranjisuta
JPS524753U (de) * 1975-06-24 1977-01-13
US4635084A (en) * 1984-06-08 1987-01-06 Eaton Corporation Split row power JFET

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2836878A (en) * 1952-04-25 1958-06-03 Int Standard Electric Corp Electric devices employing semiconductors
US2795742A (en) * 1952-12-12 1957-06-11 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive translating devices utilizing selected natural grain boundaries
US2813326A (en) * 1953-08-20 1957-11-19 Liebowitz Benjamin Transistors
US2904704A (en) * 1954-06-17 1959-09-15 Gen Electric Semiconductor devices
US2954307A (en) * 1957-03-18 1960-09-27 Shockley William Grain boundary semiconductor device and method
US2979427A (en) * 1957-03-18 1961-04-11 Shockley William Semiconductor device and method of making the same
US2869055A (en) * 1957-09-20 1959-01-13 Beckman Instruments Inc Field effect transistor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1278016B (de) * 1963-11-16 1968-09-19 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1614861A1 (de) * 1967-09-01 1970-02-26 Telefunken Patent Feldeffekttransistor

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US3126505A (en) 1964-03-24

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