DE1078237B

DE1078237B - Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor

Info

Publication number: DE1078237B
Application number: DES58805A
Authority: DE
Inventors: Reona Ezaki
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1957-06-29
Filing date: 1958-06-30
Publication date: 1960-03-24

Description

Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, insbesondere einen Transistor, mit verhältnismäßig kleinem Basiswiderstand.
Bekanntlich hat jeder Transistor einen Basiswiderstand Rf von bestimmter Größenordnung. Dieser Widerstand stellt jedoch ein passives Element dar, das an der Verstärkung des Transistors nicht teilnimmt.
Eine der notwendigen Bedingungen für einen hochwertigen Transistor besteht darin, daß dieser Basiswiderstand möglichst klein gemacht wird.
Der Basiswiderstand eines Hochfrequenztransistors ist häufig deshalb hoch, weil die Basisbreite eines solchen Transistors möglichst klein sein soll.
Ein Hauptziel der Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung oder einen Transistor, dessen Basiswiderstand Rbs auch bei verhältnismäßig schmaler Basiszone verhältnismäßig gering ist.
Ein weiteres Ziel der Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, die infolge ihr.,pr kompakten Anordnung leicht eingefügt werden kann.
Dieses Ziel wird dadurch erreicht, daß bei einer Halbleiteranordnung, insbesondere einem Transistor, erfindungsgemäß der Halbleiterkörper zwei Zonen verschiedenen Leitfähigkeitstyps enthält, daß ohmsche Elektroden an den beiden Zonen angebracht sind, daß auf mindestens einem Teil des pn-Überganges eine dritte Halbleiterzone angebracht ist, an der sich eine nichtohmsche Elektrode befindet, und daß die Berührungsfläche zwischen der dritten und der zweiten Zone nicht gleich der Berührungsfläche zwischen der dritten und der ersten Zone ist. Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Halbleiteranordnung so ausgebildet, daß die Berührungsfläche zwischen der dritten Zone und der ersten oder zweiten Zone mit entgegengesetztem Leitungstyp die größere ist.
Um die Kapazität des Kollektors zu vermindern, verwendet man vorzugsweise ein abgestuftes pn-Stück. Eine beispielsweise Ausführungsform der Erfindung wird an Hand der Zeichnung beschrieben, in der Fig. 1 in großem Maßstab perspektivisch eine gemäß der Erfindung ausgebildete Halbleiteranordnung zeigt; F ig. 2 ist eine erläuternde Seitenansicht der in Fig. 1 dargestellten Halbleiteranordnung.
In den Zeichnungen sind eine p-Zone und eine n-Zone 1 und 2 eines Transistors dargestellt, die die verschiedenen Zonen eines gewachsenen pn-Stückes darstellen. An diesen Zonen sind Metallelektroden 3 und 4 befestigt.
Bei der Zone 5 handelt es sich um eine dünne, durch Diffusion, hergestellte n-Zone, die als Basiszone ausgebildet ist und deren größerer Teil unter Bildung eines pn-Überganges über der Zone 1 ausgebreitet ist, während der kleinere Teil der Zone 5 über der Zone 2 liegt.
Über der Zone 5 ist eine p-Zone 6 angebracht, die zusammen mit der Zone 5 einen pn-Übergang bildet. Am anderen Ende der Zone 6 ist ein Bleidraht 7 befestigt.
Die Elektroden 3, 4 und 7 bilden einen Emitter, eine Basis und einen Kollektor bzw. einen Kollektor, eine Basis und einen Emitter.
Die Erfindung wurde am Beispiel eines pnp-Transistors beschrieben, jedoch kann sie auch auf npn-Transistoren angewendet werden, indem man die obenerwähnte p-Zone 5 durch eine n-Zone ersetzt.
Experimentelle Messungen ergeben, daß der Basiswiderstand Rbs eines üblichen gewachsenen Transistors gewöhnlich 200 Ohm oder mehr beträgt, während ein gemäß der Erfindung ausgebildeter Transistor einem. Basiswiderstand von 100 Ohm und darunter hat, wenn man die gleiche Basisbreite voraussetzt wie bei einem üblichen Transistor.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: 1. Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper zwei Zonen verschiedenen Leitfähigkeitstyps enthält, daß ohmsche Elektroden an den beiden Zonen angebracht sind, daß auf mindestens einem Teil des pn-Überganges eine dritte Halbleiterzone angebracht ist, an der sich eine nichtohmsche Elektrode befindet, und daß die Berührungsfläche zwischen der dritten und der zweiten Zone nicht gleich der Berührungsfläche zwischen der dritten und der ersten Zone ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Berührungsfläche zwischen der dritten Zone und der ersten oder zweiten Zone mit entgegengesetztem Leitungstyp die größere ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentanmeldung G13110VIIIc/21g, (bekanntgemacht am 3. 2. 1955) ; USA.- Patentschrift Nr. 2 681993; belgische Patentschrift Nr. 527 336.