DE1222018B - Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen - Google Patents
Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer PhasenInfo
- Publication number
- DE1222018B DE1222018B DED30873A DED0030873A DE1222018B DE 1222018 B DE1222018 B DE 1222018B DE D30873 A DED30873 A DE D30873A DE D0030873 A DED0030873 A DE D0030873A DE 1222018 B DE1222018 B DE 1222018B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- crystals
- intermetallic phases
- melting intermetallic
- obtaining crystals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Description
- Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen Intermetallische Phasen und Verbindungen zeichnen sich durch besondere physikalische Eigenschaften aus, die ihre Verwendung als Einzelkristalle, z. B. als Halbleiter in der Elektrotechnik oder als Ausgangswerkstoffe für die Herstellung von Preßsowie Verbundkörpern verschiedenster Art besonders vorteilhaft erscheinen lassen. So sind z. B. hexagonale MnBi-Teilchen wegen ihrer kristallographischen Anisotropie als Ausgangswerkstoff für Dauermagnete technisch besonders wichtig. Die Herstellung dieser Kristalle ist jedoch schwierig. So kann man aus einer Schmelze von etwa 50 Atomprozent Wismut und 50 Atomprozent Mangan entsprechend der stöchiometrischen Formel MnBi oder aus einer Schmelze ähnlicher Zusammensetzung nicht auch nur annähernd quantitativ diese Verbindung gewinnen, da die bei 446° C stattfindende Umsetzung (Mangankristalle+Schmelze .E MnBi-Kristalle) sehr reaktionsträge ist und nur recht unvollständig abläuft.
- Es wurde nun gefunden, daß man Kristalle inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen auf einfache Weise herstellen kann, wenn man erfindungsgemäß von einer Schmelze mit einer von der stöchiometrischen Zusammensetzung der zu erzeugenden Kristalle wesentlich abweichenden Zusammensetzung ausgeht, eine an sich bekannte örtliche Unterkühlung der Schmelze vornimmt, die gebildeten Kristalle aus der Schmelze entfernt und die Schmelze wieder auflegiert.
- Die Anwendung der örtlichen Unterkühlung einer Schmelze ist an sich von Salzschmelzen und aus der organischen Chemie her als fraktionierte Kristallisation bekannt. Doch ließ sich von diesem Anwendungsgebiet her nicht ohne weiteres folgern, daß sich diese Technik unter bestimmten Bedingungen auch zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen eignen würde.
- Im folgenden wird das Verfahren an dem Beispiel der Herstellung von hexagonalen MnBi-Kristallen näher beschrieben.
- Man geht von Zusammensetzungen mit vorzugsweise mehr als 80 Atomprozent Wismut (ungefähr 93 Gewichtsprozent Bi) aus, die bereits oberhalb 446° C völlig flüssig sind. Aus stückigen Metallen kann z. B. nach Zusammenschmelzen bei genügend hohen Temperaturen zur Auflösung des Mangans im flüssigen Wismut oder gegebenenfalls nach Zugabe gesondert erschmolzenen flüssigen Mangans zur Wismutschmelze eine flüssige Ausgangsphase mit etwa 93 Gewichtsprozent Bi erhalten werden, aus der unterhalb 446° C Kristalle der MnBi-Phase fraktioniert auskristallisiert werden. Zweckmäßig wird man die Schmelze auf einer Temperatur oberhalb der Liquiduskurve zwischen 446° C und 270° C halten und in diese einen oder mehrere Träger, Siebe oder Transportvorrichtungen einbringen, die gegenüber der Schmelze unterkühlt sind, jedoch Oberflächentemperaturen vorzugsweise nicht unter 270° C aufweisen. Entsprechend den Gesetzen des heterogenen Gleichgewichtes scheiden sich dann an diesen örtlich unterkühlten Stellen innerhalb der Schmelze praktisch reine MnBi-Kristalle ab, während sich die Schmelze gleichzeitig an Wismut anreichert. Beim kontinuierlichen Gewinnungsverfahren für diese MnBi-Kristalle entnimmt man die Kristalle aus der Schmelze und legiert die Schmelze aus einer Mangan-Wismut-Vorschmelze bis zu 7 Gewichtsprozent Mangan wieder auf. Zweckmäßig hat diese Vorschmelze etwa die Zusammensetzung der abzuscheidenden MnBi-Kristalle, so daß die Menge der der fraktionierten Kristallisation ausgesetzten Arbeitsschmelze über längere Zeite in etwa konstant bleibt.
- Man kann durch Anwendung aus der Verfahrenstechnik bekannter Verfahren, wie z. B. des Zentrifugierens oder des Scheidepressens die Trennung festflüssig weiter fördern. Die ferromagnetische MnBi-Phase kann aus der flüssigen Phase unter der Richtwirkung eines Magnetfeldes abgeschieden werden, falls die Abscheidungstemperatur unterhalb 340° C liegt.
- Das Verfahren kann auch bei intermetallischen Phasen angewendet werden, die zwar kongruent erstarren, aber einen sehr hohen Dampfdruck haben.
- So können z. B. Kristalle der hexagonalen a-MnSb-Phase des NiAs-Typs, deren Homogenitätsbereich sich von etwa 41 bis 50 Atomprozent Sb erstreckt, deren Kristalle sich aber niemals aus einer Schmelze gleicher Zusammensetzung unmittelbar abscheiden lassen, hergestellt werden. Vorzugsweise wird man die Kristalle aus Ausgangsschmelzen mit etwa 55 bis 78 Atomprozent Sb abscheiden und die Schmelze wieder kontinuierlich oder diskontinuierlich auflegieren. . -
Claims (3)
- Patentansprüche: -1. Verfahren zur.-Gewinnung'-.von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen, dadurch gekennzeichnet, daß von einer Schmelze mit einer von der stöchiometrischen Zusammensetzung der zu erzeugenden Kristalle wesentlich abweichenden Zusammensetzung ausgegangen und eine an sich bekannte örtliche Unterkühlung der 'Schmelze vorgenommen wird, die gebildeten Kristalle aus der Schmelze entfernt werden und die Schmelze wieder auflegiert wird. .
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristalle von der Schmelze durch die Anwendung einer Zentrifugalbeschleunigung' abgetrennt werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ferromagnetische Kristalle aus der Schmelze mittels eines Magnetfeldes abgetrennt werden. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1008 490.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DED30873A DE1222018B (de) | 1959-06-16 | 1959-06-16 | Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DED30873A DE1222018B (de) | 1959-06-16 | 1959-06-16 | Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1222018B true DE1222018B (de) | 1966-08-04 |
Family
ID=7040682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DED30873A Pending DE1222018B (de) | 1959-06-16 | 1959-06-16 | Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1222018B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2606036A1 (fr) * | 1986-11-05 | 1988-05-06 | Pechiney | Procede d'obtention, par refroidissement d'alliages a l'etat fondu, de cristaux de composes intermetalliques, notamment, de monocristaux isoles |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1008490B (de) * | 1953-04-20 | 1957-05-16 | Ericsson Telefon Ab L M | Verfahren zum Entfernen von Ioeslichen Verunreinigungen aus einem schmelzbaren festen Stoff |
-
1959
- 1959-06-16 DE DED30873A patent/DE1222018B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1008490B (de) * | 1953-04-20 | 1957-05-16 | Ericsson Telefon Ab L M | Verfahren zum Entfernen von Ioeslichen Verunreinigungen aus einem schmelzbaren festen Stoff |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2606036A1 (fr) * | 1986-11-05 | 1988-05-06 | Pechiney | Procede d'obtention, par refroidissement d'alliages a l'etat fondu, de cristaux de composes intermetalliques, notamment, de monocristaux isoles |
EP0269532A1 (de) * | 1986-11-05 | 1988-06-01 | Pechiney | Verfahren zur Herstellung von Kristallen intermetallischer Verbindungen, insbesondere einzelner Einkristalle, durch Abkühlung von Legierungsschmelzen |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1154276B (de) | Verwendung von Silicium zur Herstellung von Halbleiterkoerpern | |
DE1197058B (de) | Verfahren zur Herstellung einkristalliner flacher Halbleiterkoerper | |
DE1558421B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Arsen hoechster Reinheit | |
DE1222018B (de) | Verfahren zur Gewinnung von Kristallen inkongruent schmelzender intermetallischer Phasen | |
DE1414631B2 (de) | Thermoelektrische anordnung mit einem mischkristall als thermoelementschenkel | |
DE1667604B1 (de) | Verfahren zur herstellung von kristallinem cadmiumtellurid | |
AT210479B (de) | Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkörpern | |
AT214901B (de) | Verfahren zur Herstellung von Silizium hohen Reinheitsgrades mit einem für Halbleiterkörper geeigneten Gehalt an Dotierelementen | |
DE2413447A1 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitern mit beta-wolframstruktur | |
DE1132340B (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektroden-material fuer halbleitende Vorrichtungen | |
DE1558421C (de) | Verfahren zum Herstellen von Arsen höchster Reinheit | |
DE1261842B (de) | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium | |
DE1226993B (de) | Verfahren zur Herstellung von Thalliumtellurid der Zusammensetzung Tl Te oder isomorpher Mischkristallverbindungen auf der Basis von Tl Te | |
AT220599B (de) | Verfahren zur Herstellung einer hochkonzentrierten Lösung von Zinnfluoborat bzw. von festem Zinnfluoborat daraus | |
AT229843B (de) | Verfahren zur Herstellung von Hexaborsilicid, SiB6 | |
AT213963B (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektrodenmaterial für halbleitende Vorrichtungen | |
DE1114941B (de) | Verfahren zur Herstellung eines mit Bor dotierten Bereiches von einkristallinen Halbleiterkoerpern | |
DE1544285C3 (de) | Verfahren zum Herstellen hochreiner Halbleiterstoffe vom A hoch III B hoch V-Typ. Ausscheidung aus: 1220390 | |
DE1533053B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von reinem Beryllium | |
DE1037481B (de) | Thermoelement, insbesondere fuer thermoelektrische Kuehlung, und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1182351B (de) | Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus einer halbleitenden Verbindung und Verfahren zu seinem Herstellen | |
DE1667604C (de) | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Cadmiumtellurid | |
DE1008714B (de) | Verfahren zum Reinigen eines chemischen Elementes von Verunreinigungen | |
AT210151B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallkörpern | |
CH196551A (de) | Verfahren zur Darstellung von rac. Lysergsäure-tyramid. |