DE2413447A1

DE2413447A1 - Verfahren zur herstellung von supraleitern mit beta-wolframstruktur

Info

Publication number: DE2413447A1
Application number: DE2413447A
Authority: DE
Inventors: Christianus Antonius M Beijnen
Original assignee: STICHTING REACTOR CENTRUM
Current assignee: STICHTING REACTOR CENTRUM
Priority date: 1973-04-17
Filing date: 1974-03-20
Publication date: 1974-10-24
Also published as: DE2413447C2; FR2226766A1; GB1473341A; JPS5827604B2; FR2226766B1; NL7305400A; JPS5030492A; US3945859A

Description

Patentanwalts

Dr. Ing. H. Msoend
Dipl. Ing.H. Hauck- Γ.φΙ. Pbvs. W. Schmitz _ q lk\_?1 \£'fa

Dipl. Ing. E. GrMifs - Γ·: '-^! "9- W. Wehnert * ^{υι lv}

8Mü_ndun2_frA^^3e25 Anwaltsakte i-3O3O

Reactor Centrum Nederland (Stichting), im Haag, Niederlande.

"Verfahren zur Herstellung von Supraleitern mit A-WoIframs truktür"

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellen eines Supraleiters, der aus verschiedenen Materialien besteht. Aus der D.A.S. 1 234 939 ist bekannt, einen Supraleiter dadurch herzustellen, dass Vanadigpulver und V-Ga^-Pulver

gemäss der Reaktion: 13V + V₀Ga- >5V^Ga gemischt wird.

Ein Nachteil der Herstellung eines Supraleiters nach diesem Verfahren besteht darin, dass das Endprodukt porös wird. Ausserdem eignet sich dieses Verfahren nicht zur Herstellung drahtförmiger Supraleiter.

Nach der Erfindung lassen sich diese Nachteile dadurch beheben, dass in einem Stück Material eines Elementes oder einer Legierung eines Elementes der Gruppe V-B mindestens ein Element der Gruppe III, III-A, IV, IV-A oder eine Verbindung des Elementes der Gruppe V-B mit mindestens einem Element der anderen Gruppen oder ein Gemisch einer solchen Verbindung mit einem Element der Gruppen III, III-A, IV, IV-A des Periodischen Systems angebracht, das Ganze gewünschtenfalls auf einen kleineren Durchmesser verformt und darauf durch eine Wärmebehandlung eine supraleitende Schicht

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dieser Elemente gebildet wird, wobei die zweitgenannte Verbindung einen solchen Mangel an dem Element der Gruppe V-B aufweist, dass zur Bildung der supraleitenden Schicht Material aus dem zuerst genannten Stück Material benutzt wird.

Es ist möglich, dem eingeführten Material einen Beschleuniger zuzusetzen. Das eingeführte Material kann kompakt, pulverartig oder auch ein Gemisch aus Pulvern oder einem Pulver mit kompaktem Material sein. Das Verfahren nach der Erfindung ist besonders vorteilhaft, wenn das erste Stück Material Vanadig und das eingeführte Material V₃Ga₅ ist.

Bei der Bildung des V2Ga^ werden die pro V^Ga₅-Molekül erforderlichen 13 Vanadig-Atome von dem Stück Vanadig geliefert, so dass sich eine ununterbrochene V^Ga-Schicht bildet. Die Dicke dieser Schicht kann etwa 10 u betragen. Die Wärmebehandlung erfolgt bei etwa 600⁰C während 150 Stunden.

Andere Beispiele sind die Bildung von Nb₃Al, V₀Si, Nb₀Sn,

Nb₀ .,,-(Al_n T₁Ge_n -,-,)· Zur Bildung von Nb₀Al wird z.B. J,/b Q,/ό 01Z / ό

ein Stück kompaktes Aluminium in einem Nb-Mantel untergebracht. Bei der Bildung von V₀Si kann pulveriges Si in einem Vanadig-Mantel untergebracht werden, während auch pulveriges Si mit pulverigem VSi₃ einzuführen ist.

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Bei der Bildung von Nfcu _C_(A1-. .,.,Ge_{n o}_)kann in einem

JfOl U|/J UfZ/

Nb-Zylinder z.B. Aluminium und Germanium, beide als Pulver, oder Aluminium in kompakter Form und Germanium als Pulver untergebracht werden.

Es ist jedoch auch möglich NbAl₃~Pulver mit NbGe~-Pulver oder NbAl-j-Pulver und Germanium-Pulver oder kompaktes Aluminium mit NbGe₂~Pulver einzuführen.

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Claims

Anspruche 241344/

1. Verfahren zum Herstellen eines Supraleiters,

der aus verschiedenen Materialien besteht, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Stück Material eines Elementes oder einer Legierung eines Elementes der Gruppe V-B mindestens ein Element der Gruppe III, III-A, IV, IV-A oder eine Verbindung des Elementes der Gruppe V-B mit mindestens einem Element der anderen Gruppen oder ein Gemisch einer solchen Verbindung mit einem Element der Gruppen III, III-A, IV, IV-A des Periodischen Systems untergebracht, das Ganze gewünschtenfalls auf einen kleineren Durchmesser verformt und darauf durch eine Wärmebehandlung eine supraleitende Schicht dieser Elemente gebildet wird, wobei die zweitgenannte Verbindung einen solchen Mangel an dem Element der Gruppe V-B aufweist, dass zur Bildung der supraleitenden Schicht Material aus dem zuerst genannten Stück Material benutzt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dem eingeführten Material ein Beschleuniger zugesetzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das eingeführte Material pulverartig ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das eingeführte Material eine kompakte Form aufweist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass von dem Material mindestens eines der Elemente oder eine der Verbindungen pulverartig ist und mindestens eines der Elemente kompakt ausgebildet ist.

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6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Stück Material Vanadig und das eingeführte Material V₃Ga₅ ist. .

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der supraleitenden Schicht etwa 10 ^u beträgt.

8. Verfahren zur Herstellung eines ein- oder mehrdrähtigen Supraleiters, dadurch gekennzeichnet, dass in einem normal leitenden Stück Metall ein oder mehr Löcher vorgesehen werden, in denen durch ein Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche Material der Gruppe V-B mit einer Füllung eines Materials der Gruppen III, III-A, IV, IV-A untergebracht werden.

9. Supraleiter, der durch das Verfahren nach Anspruch 8 hergestellt ist.

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