DE1220403B - Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen

Info

Publication number
DE1220403B
DE1220403B DES89884A DES0089884A DE1220403B DE 1220403 B DE1220403 B DE 1220403B DE S89884 A DES89884 A DE S89884A DE S0089884 A DES0089884 A DE S0089884A DE 1220403 B DE1220403 B DE 1220403B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
compounds
heating zone
dopants
gaseous
aluminum oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES89884A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Chem Dr Julius Nickl
Dipl-Chem Dr Georg Eckert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES89884A priority Critical patent/DE1220403B/de
Publication of DE1220403B publication Critical patent/DE1220403B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/10Solid or liquid components, e.g. Verneuil method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem, insbesondere chrom-, eisen- oder titandotiertem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen nach dem sogenannten Verneuil-Verfahren, bei dem kontinuierlich oder absatzweise feinverteiltes Aluminiumoxidpulver, das gegebenenfalls erst in der Heizzone aus anderen, gegebenenfalls gelösten Aluminiumverbindungen und gegebenenfalls Dotierstoffverbindungen gebildet wird, mit der erhitzten bzw. geschmolzenen Kuppe eines Trägerkristalls in Berührung gebracht und durch auf die, Aufschmelzgeschwindigkeit .des Pulvers abgestelltes Herausbewegen des Trägerkristalls aus der Heizzone zum Abkühlen und Kristallisieren auf der Kuppe gebracht wird.
  • Das an sich bekannte Verneuil-Verfahren besteht darin, daß Aluminiumoxidpulver in feinverteilter Form auf die erhitzte bzw. geschmolzene Spitze eines Trägerkristalls aufgebracht wird. Das Schmelzen der Trägerkristallspitze wird gewöhnlich durch ein Knallgasgebläse bewirkt. Das feingepulverte Aluminiumoxid läßt man im allgemeinen von oben auf den Trägerkristall fallen, oder man bläst es von unten gegen. einen am Trägerkristall hängenden Schmelztropfen. Der Kristall wird entsprechend der Aufschmelzgeschwindigkeit des Aluminiumoxidpulvers aus der Heizzone herausbewegt und zum Abkühlen gebracht. Dabei kristallisiert das geschmolzene Material unter Beibehaltung der Orientierung und Fortführung der Einkristallstruktur des Trägerkörpers am Trägerkristall an.
  • Das herkömmliche Verneuil-Verfahren hat den Nachteil, da.ß die Aluminiumoxidteilchen, die man zuführt, sehr porös sind. Dadurch kann es vorkommen, daß in der Längsachse des Einkristalls eine Anhäufung von Poren auftritt. Für optische Zwecke, z. B. als Laserkristall, sind diese Kristalle ungeeignet. Ein weiterer Nachteil des Verfahrens besteht darin, daß. die Zuführung des Aluminiumoxidpulvers nicht vollkommen kontinuierlich eingestellt werden kann. Die Zufuhr des pulverförmigen Materials erfolgt in dem Fall, in dem das Material von oben auf die aufgeschmolzene Kuppe eines Keimkristalls auftrifft, im allgemeinen dadurch, daß mit Hilfe eines Vibrators od. dgi. der Vorratsbehälter für das AluminiumoxidpuIver in regelmäßigen kurzen Abständen angestoßen wird, wobei bei jedem Schlag eine Wolke von Aluminiumoxidpulver durch den Siebboden des Vorratsbehälters in den Verneurl-Schmelzofen fällt und in Form von Wolken auf die aufgeschmolzene KristalI-lmppe trifft. Dadurch entstehen wolkenartige Anhäufungen innerhalb des wachsenden Kristalls, die meist aus nicht völlig aufgeschmolzenen Aluminiumoxidkörnern bestehen.
  • Es ist auch bereits ein Verfahren bekannt, bei dem pulverförmige Nitrate, Karbonate od. dgl. als Ausgangsmaterial verwendet werden. Dabei treten die gleichen Nachteile auf. Ebenso ist es bereits bekannt, Aluminiumoxid in kolloidaler Lösung oder ein HaIogenid oder Zyanid des Aluminiums und gegebenenfalls der Dotierstoffe, eventuell auch in gelöster Form, zu verwenden. Doch wurde festgestellt, daß auch hierbei keine optisch einwandfreien Kristalle hergestellt werden können.
  • Auf Grund vorliegender Erfindung wird ein Verfahren angegeben, bei dem die angeführten Nachteile nicht auftreten und bei dem außerdem störungsfrei gewachsene Kristalle gebildet werden.
  • Das Verfahren gemäß der Erfindung zur Herstellung von aus hochreinem, insbesondere chrom-, eisen-oder titandotiertem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen nach dem sogenannten Verneuil-Verfahren, bei dem kontinuierlich oder absatzweise feinverteiltes AIuminiumoxidpuIver, das gegebenenfalls erst in. der Heizzone aus anderen, gegebenenfalls gelösten Alnminiumverbindungen und gegebenenfalls Dotierstoff verbindungen gebildet wird, mit der erhitzten bzw. geschmolzenen Kuppe eines Trägerkristalls in Berührung gebracht und durch auf die AufschmeIzgeschwindigkeit des Pulvers abgestelltes Herausbewegen des Trägerkristalls aus der Heizzone zum Abkühlen und Kristallisieren auf der Kuppe veranlaßt wird, besteht darin, daß aluminiumorganische Verbindungen als Ausgangsmaterial verwendet werden und diese Verbindungen, gegebenenfalls kontinulerlieh oder absatzweise mit Dotierstoff, in gasförmigem, flüssigem oder in nichtwäßrigen Lösungsmitteln gelöstem Zustand der Heizzone zugeführt werden, wobei die Betriebsbedingungen derart eingestellt werden, da.ß die Verbindungen in der Heizzone zu Oxid umgesetzt werden. Es war zum Zeitpunkt der Erfindung zwar bereits bekannt, Einkristalle-aus der Gasphase herzustellen. Beispielsweise wurden bereits Einkristalle aus Wolfram durch Reduktion von Wolframhexachlorid mit Wasserstoff bzw. durch thermische Zersetzung von Wolframhexachlörid erzeugt. Außerdem.wurden Ein, kristalle, z. B. Urotropinkristalle, bereits aus der Dampfphase durch Sublimation gewonnen. Auch die Herstellung von Siliciumcarbidkristallen aus der dampfförmigen Nährphase im Sublimationsofen war bereits bekannt. Aber der gemäß der vorliegenden Erfindung angegebene Weg ist aus diesem Stand der Technik nicht herleitbar.
  • Das Verfahren - kann zur Herstellung von Saphiren herangezogen werden, wenn als Ausgangsstoff nur aluminiumorganische Verbindungen verwendet werden. Setzt man der aluminiumorganischen Verbindung Dotierstöffe zu, beispielsweise Chromverbindungen, so ist es möglich, dotierte Aluminiumoxideinkristalle, beispielsweise Rubine, mit einem Chromgehalt- bis .zu- einigen Prozent herzustellen. Ebenso können andere Dotierstoffe, wie beispielsweise Titan, Vanadium, Eisen usw., in das Aluminiumoxidkristallgitter eingebaut werden. Zweckmäßigerweise wird man für die Herstellung dotierter Kristalle bei Vexwe;dung. von -gasförmigen Aluminiumverbindungen , die Dotierstoffe ebenfalls in Form von gasförmigen Verbindungen, wie Halogeniden, Hydriden, Carbonylen, oder von mnetallorganischen Verbindungen od. dgl., zusetzen. Man kann dabei beispielsweise so verfahren, daß ein einziges Verdampfergefäß verwendet wird, in dem die Verbindung des Aluminiums und gleichzeitig die Verbindung des oder der Dotierstoffe enthalten sind. Dadurch wird eine horiidgene Dotierung auf einfachste Weise gewährleistet. Die gasförmige Verbindung der Dotierstoffe kann jedoch auch, gegebenenfalls mit Hilfe eines Trägergäses aus einem eigenen Verdampfergefäß dem Verneuil-Ofen zugeführt werden. Die Vereinigung der Aluminiumverbindung und der Verbindung bzw. Verbindungen des oder der Dotierstoffe erfolgt dann erst kurz vor dem Eintreten in die Heizzone oder in der Heizzone. Ferner ist es möglich, die Verbindungen der Dotierstoffe als Flüssigkeit in die Flamme bzw. den Gasstrom einzuführen. Werden die aluminiumorganischen Verbindungen in flüssiger. oder gelöster Form in die Heizzone eingeführt, ist es zweckmäßig, auch die Dotierstoffe oder Verbindungen der Dotierstoffe -in flüssiger oder gelöster Form zu verwenden; dabei können die Flüssigkeiten bzw. Lösungen der unterschiedlichen Verbindungen entweder im Gemisch oder getrennt der Heizzone zugeführt werden. Als Lösungsmittel für die metallorganischen Verbindungen sind vor allem organische Lösungsmittel wie Kohlenwasserstoffe geeignet.
  • Der Dotierstoff kann gemäß einer Weiterbildung der Erfindung nur absatzweise gleichzeitig mit der aluminiumorganischen Verbindung zur Heizzone geführt werden, so daß Kristallschichten gebildet werden mit einer Folge, z. B. chromdotiert-, undotiert. Ebenso ist es möglich, unterschiedliche Dotierstoffe nacheinander in die Heizzone einzuführen; gegebenenfalls kann auch vor jedem Wechsel des Dotierstoffs die Aluminiumverbindung ohne Dotierstoff zur Heizzone geführt werden.
  • Die metallorganischen Aluminiumverbindungen oder auch die metallorganischen Verbindungen der Dotierstoffe können gebundenes Halogen enthalten, vorteilhafter jedoch sind reine Verbindungen, wie z. B. Aluminmmtriäthyl oder Aluminiumtriisobutyl. In diesem Fall entstehen als Nebenprodukte bei der Verbrennung nur Wasserdampf und Kohlendioxid.
  • Um das Einkristallwachstum nicht zu stören, muß' die Menge des auf die Schmelzkuppe auftreffenden Aluminiumoxids nicht zu groß eingestellt werden, d. h., es handelt .sich bei dem Verfahren gemäß der Erfindung um relativ kleine Mengen der gasförmigen Verbindungen. Aus diesem Grund ist es besonders zweckmäßig, um den Schwierigkeiten in der Handhabung kleiner Gasmengen.zu entgegen, die Verbindung oder Verbindungen des Aluminiums und gegebenenfalls auch die des oder der Dotierstoffe mit Hilfe eines Trägergases, wie z. B. Stickstoff, Wasserstoff oder Edelgas, zum Reaktionsraum zuzuführen. Dabei kann das Trägergas zugleich das Brennergas für den Brenner sein. Die Verbindungen können aber auch direkt in die Heizzone eingeleitet werden.
  • Als Trägerkörper -für die. Abscheidung des Aluminiumoxids kann, wie beim herkömmlichen Verneuil-Verfahren, ein Keramikkegel verwendet werden. Besonders. vorteilhaft ist es jedoch, wenn ein Trägerkörper aus hochreinem Aluminiumoxid verwendet wird; der Trägerkristall kann dabei die gleiche oder eine andere Dotierung besitzen, wie sie für den herzustellenden Kristall erwünscht ist bzw. kann auch undotiert sein. Am zweckmäßigsten ist es, einen Trägerkristall zu verwenden, der zuvor nach dem gleichen Verfahren hergestellt worden ist.
  • Zur näheren Erläuterung der Erfindung dienen zwei Ausführungsbeispiele, die im folgenden an Hand der F i g. 1 und 2 beschrieben werden. In den Beispielen werden die Verbindungen in Gasform der Heizzone zugeführt.
  • In einem Gefäß, das aus der Quarzglashaube 1 und der metallischen Grundplatte 2 besteht, ist der eigentliche Verneuil-Schmelzofen angeordnet, in dem die Umsetzung der organischen Aluminiumverbindung oder -verbindungen zu Aluminiumoxid und das Aufwachsen der Aluminiumoxidschichten auf die geschmolzene Kuppe eines Keimkristalls 3, der im Ausführungsbeispiel aus einkristallinem, chromdotiertem Aluminiumoxid besteht und nach -dem Verfahren gemäß der Erfindung zuvor- -hergestellt wurde, stattfindet. Der drehbar angeordnete Keimkristall 3 ist mittels der mit der Klemmschraube 5 versehenen. Halterung 6 mit dem Zahnstangenantrieb 7, 8 verbunden und kann durch eine in Richtung des Pfeiles 9 erfolgende Drehung der Schnecke 8 nach unten aus der Heizzone herausbewegt werden. Auf den Metallboden 2 des Reaktionsgefäßes ist zur Vermeidung von ausdampfenden Verunreinigungen eine Quarzplatte 10 gelegt. Die Zahnradstange 7 ist mittels der Durchführung 4 durch die Quarz- und die Metallplatte des Reaktionsgefäßes hindurchgeführt. Die Aufschmelzung der Kuppe des Keimkristalls 3 und die Erwärmung der Heizzone, der eigentlichen Reaktionszone, erfolgt in Ausführungsbeispiel mit Hilfe einer Knallgasflamme. Durch das Brennerrohr 11 wird, symbolisch durch den Pfeil 12 dargestellt, Sauerstoff zur Brenndüse geführt, Wasserstoff, symbolisiert durch den Pfeil 14, gelangt mittels@des. Rohres 13 zur Brenndüse. Aus einem durch den Thermostaten 15 auf konstanter Temperatur gehaltenen Verdampfergefäß 16 wird mittels eines Trägergases, z. B. Stickstoff, Wasserstoff od. dgl., durch den Pfeil 17 angedeutet, über die Rohrleitung 18 eine gasförmige, organische Aluminiumverbindung zur Brenndüse geführt. Aus einem zweiten Verdampfergefäß 20, welches durch den Thermostaten 19 auf konstanter Temperatur gehalten wird, wird mit Hilfe eines Trägergases 31 eine gasförmige Chromverbindung, im Ausführungsbeispiel eine metallorganische Chromverbindung, über die Rohrleitung 21 zur Brenndüse geführt. Die Höhe der Dotierung des Aluminiumoxideinkristalls wird durch den Anteil der zugeführten Chromverbindung eingestellt, d. h. mit anderen Worten durch die in den beiden Verdampfergefäßen durch die Thermostaten 15 und 19 eingestellte Temperatur und der Trägergasmenge pro Zeiteinheit. Die Verdampfung der Aluminiumverbindung bzw. Verbindungen und der Verbindung des oder der Dotierstoffe kann auch aus einem einzigen Verdampfergefäß erfolgen. Über eine zusätzliche Leitung kann weiteres Trägergas in das Reaktionsgefäß eingeleitet werden. In der Flamme 22 erfolgt die Umwandlung der Aluminiumverbindung zu Aluminiumoxid. Die klamme wird @so eingestellt, daß sie etwa mit dem heißesten Teil auf die Kuppe des Keimkristalls auftrifft. Die Ableitung der Reaktionsabgase, symbolisch durch den Pfeil 24 dargestellt, erfolgt durch die öffnung 23 im Reaktionsgefäß.
  • Dadurch, daß aluminiumorganische Verbindungen, entweder in gas-, flüssiger oder gelöster Form als Ausgangsmaterial nach dem Verfahren gemäß der Erfindung für die Herstellung der Aluminiumoxideinkristalle verwendet werden, erzielt man porenfreie ]Kristalle, die keine heterogenen, nicht aufgeschmolzenen Teilchen enthalten. Die Zufuhr der Ausgangss.toffe erfolgt vollkommen gleichmäßig und kann optimal eingestellt werden. Die Kristalle sind von ungewöhnlicher optischer Klarheit und übertreffen die nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellten Aluminiumoxideinkristalle um ein Vielfaches.
  • Zur Erzeugung der notwendigen hohen Temperatur kann auch ein Plasma verwendet werden. In diesem Fall wird, wie an Hand der F i g. 2 erläutert, eine gasförmige Aluminiumverbindung, gegebenenfalls im Gemisch mit einer gasförmigen Verbindung eines Dotierstoffs oder mit mehreren gasförmigen Verbindungen, auch von unterschiedlichen Dotierstoffen, symbolisch durch den Pfeil 26 dargestellt, über das Rohr 27, das beispielsweise aus Quarz besteht, in das Reaktionsgefäß 25, das beispielsweise ebenfalls aus Quarz besteht, eingeleitet. Durch den Rohransatz 28 wird, symbolisiert durch den Pfeil 29, der für die Oxidbildung nötige Sauerstoff zugeführt. Der Keimkristall wird im Ausführungsbeispiel mit Hilfe der mit der Klemmschraube 5 versehenen Halterung 6 mit dem Zahnstangenantrieb 7, 8 verbunden und kann, nach Maßgabe des Kristallwachstums, durch eine in Richtung des Pfeiles 9 erfolgende Drehung der Schnecke 8 nach unten aus der Heizzone herausbewegt werden. Bei Verwendung des Plasmas ist es vorteilhaft, in einem Druckbereich zwischen 110 und 100 Torr zu arbeiten. Die zur Erzeugung des Plasmas notwendige Hochfrequenz wird im Beispiel durch die wassergekühlte Kupferspirale 30 zugeführt. Man arbeitet vorteilhafterweise im Gebiet von etwa 1 kHz bis zu einigen MHz, z. B. 10 MHz.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von aus hochreinem, insbesondere ehrom-, eisen- oder titandotiertem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen nach dem sogenannten Verneuil-Verfahren, bei dem kontinuierlich oder absatzweise feinverteiltes Aluminiumoxidpulver, das gegebenenfalls erst in der Heizzone aus anderen, gegebenenfalls gelösten Aluminiumverbindungen und gegebenenfalls Dotierstoffverbindungen gebildet wird, mit der erhitzten bzw. geschmolzenen Kuppe eines Trägerkristalls in Berührung gebracht und durch auf die Aufschmelzgeschwindigkeit des Pulvers abgestelltes Herausbewegen des Trägerkristalls aus der Heizzone zum Abkühlen und Kristallisieren auf der Kuppe veranlaßt wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß aluminiumorganische Verbindungen als Ausgangsmaterial verwendet werden und diese Verbindungen, gegebenenfalls kontinuierlich oder absatzweise mit Dotierstoff, in gasförmigem, flüssigem oder in nichtwäßrigem Lösungsmittel gelöstem Zustand der Heizzone zugeführt werden, wobei die Betriebsbedingungen derart eingestellt werden, daß die Verbindungen in der Heizzone zu Oxid umgesetzt werden..
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gasförmigen Verbindungen mittels eines Trägergäses der Heizzone zugeführt werden.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Aluminiumalkyle als Ausgangsmaterial verwendet werden.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel Kohlenwa.sserstoffe verwendet werden. 5. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierstoffe in Form von metallorganischen Verbindungen oder in Form eines Carbonyls verwendet werden. 6. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die in Gasform vorliegenden Dotierstoffe getrennt von der Aluminiumverbindung mittels eines Trägergases der Heizzone zugeführt werden. 7. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die in flüssiger bzw. gelöster Form vorliegenden Dotierstoffe bzw. Verbindungen der Dotierstoüe im Gemisch mit der in flüssiger bzw. gelöster Form vorliegenden aluminiumorganischen Verbindung verwendet wird. B. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkristall verwendet wird, der zuvor nach dem gleichen Verfahren gewonnen wird. 9. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung der Heizzone bei Verwendung gasförmiger Verbindungen durch einen Plasmabrenner vorgenommen und derDruck in der Plasmaentladung zwischen 1/1o und 100 Torr gehalten wird. In Betracht gezogene Druckschriften: »Chemie-Ing.-Technik«, 28. Jahrgang, 1956, Nr.
  5. 5, S. 362, rechte Spalte, bis S. 363.
DES89884A 1964-03-06 1964-03-06 Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen Pending DE1220403B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES89884A DE1220403B (de) 1964-03-06 1964-03-06 Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES89884A DE1220403B (de) 1964-03-06 1964-03-06 Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1220403B true DE1220403B (de) 1966-07-07

Family

ID=7515407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES89884A Pending DE1220403B (de) 1964-03-06 1964-03-06 Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1220403B (de)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2915023C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Metallnitridpulver
EP1805353B1 (de) Verfahren zur herstellung von gan- oder algan-kristallen
DE1102117B (de) Verfahren zum Herstellen von reinstem Silicium
DE69508479T2 (de) Dünneroxydefilm mit Quarz-Kristall Struktur und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3304552A1 (de) Verfahren zur herstellung von lichtwellenleitern
DE1769322A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid-Whiskerkristallen
DE1220403B (de) Verfahren zur Herstellung von aus hochreinem Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen
DE3049829C2 (de) Verfahren zur Züchtung von Diamanten
DE1767394A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Mg-Al-Spinellkristallen mit stoechiometrischer Zusammensetzung fuer integrierte Schaltungen
DE1041254B (de) Mehrstufiges Reduktionsverfahren zur Herstellung hitzebestaendiger Metalle der IV., V. und VI. Gruppe des Periodischen Systems durch Reduktion ihrer Halogenide mit Alkalimetall in geschmolzenem Zustand unter einer reduzierenden Atmosphaere
DE1042553B (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit
DE1471446A1 (de) Verfahren zur Herstellung von aus Aluminiumoxid bestehenden Einkristallen
DE1519892A1 (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinen kristallinen,insbesondere einkristallinen Materialien
Motojima et al. Chemical Vapor Growth of Titanium Diboride Whisker
DE1152091B (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinem Bor
DE1467363A1 (de) Verfahren zur Herstellung von aus hochschmelzenden,temperaturbestaendigen Metalloxiden bestehenden Kristallen
DE1667709A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Galliumarsenid
DE1088923B (de) Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern
US3442719A (en) Method of growing a crystal or crystalline layer by means of a direct current arc discharge
US3524818A (en) Process for production of vaporous titanium tetrachloride containing exact amounts of aluminum trichloride
AT202980B (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium großer Reinheit
CH498654A (de) Verfahren zum Herstellen fadenförmiger Einkristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE2317797A1 (de) Verfahren zur herstellung von aiiibvverbindungen, insbesondere galliumphosphid
DE1771726C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Formkörpern aus mineralischen oder synthetischen kleinen Rohstoffteilchen, die bei Erhitzung an ihrer Oberfläche schmelzen
DE2252567C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Mangan aus Manganhalogeniden durch Reduktion mit schmelzflüssigem Aluminium