DE1184381B - Bistabile Schaltungsanordnung, enthaltend einen Transistor und einer Tunneldiode - Google Patents
Bistabile Schaltungsanordnung, enthaltend einen Transistor und einer TunneldiodeInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Deutsche Kl.: 21 al - 36/1»
Nummer: 1184 381
Aktenzeichen: R 29330 VIII a/21 al
Anmeldetag: 20. Dezember 1960
Auslegetag: 31. Dezember 1964
Die Erfindung betrifft eine bistabile Schaltungsanordnung
(Flip-Flop), die einen Transistor und eine Tunneldiode enthält.
Es sind Flip-Flops bekannt, die zwei Transistoren enthalten. Solche Schaltungen sind zwar relativ preiswert,
sie lassen jedoch hinsichtlich ihrer Stabilität und Arbeitsgeschwindigkeit zu wünschen übrig.
Es ist außerdem bekannt, daß man eine Tunneldiode, die bekanntlich eine etwa N-förmige Kennlinie
hat, so vorspannen kann, daß in einem bei niedrigen Spannungen liegenden Bereich positiven Widerstandes
und einem bei höheren Spannungen liegenden Teil positiven Widerstandes der Kennlinie je ein stabiler
Arbeitspunkt existiert. Solche bistabilen Schaltungen mit einer einzigen Tunneldiode arbeiten
zwar sehr schnell, sie besitzen jedoch den schwerwiegenden Nachteil, daß Eingangs- und Ausgangsklemme
zusammenfallen und daß die Signalfortpflanzungsrichtung nicht eindeutig festliegt.
Es ist ferner eine Schaltungsanordnung zum Durchschalten einer Wechselspannung oder von Impulsen
mit einer Halbleiterdiode mit negativem Widerstandsteil vorgeschlagen worden, die im Basis-Emitter-Kreis
eines Schichttransistors liegt. Die Diode ist über einen Widerstand derart vorgespannt,
daß sie zwei stabile Betnebszustände anzunehmen vermag, bei denen die Spannung an der Diode einen
relativ kleinen bzw. relativ großen Wert hat. Der Diode sind Steuerimpulse zuführbar, die sie abwechselnd
in den Zustand kleiner und den Zustand größerer Spannung schalten. Der Transistor wird dadurch
leitend oder gesperrt, so daß ein an seinem Eingangskreis liegendes Signal auf den Ausgangskreis
übertragen werden kann oder nicht. Die vorgeschlagene Schaltungsanordnung hat zwar zwei verschiedene
stabile Zustände, sie stellt jedoch einen Schalter dar. der einen Übertragungsweg durchzuschalten
oder zu unterbrechen gestattet.
Es sind ferner frei schwingende Multivibratoren bekannt, die zwei Tunneldioden enthalten. Diese
Schaltungsanordnungen sind relativ aufwendig, da die Tunneldiode ein verhältnismäßig teures Schaltungselement
darstellt.
Durch die Erfindung soll eine bistabile Schaltungsanordnung angegeben werden, die eine hohe Arbeitsgeschwindigkeit
hat, ferner die bei Transistorschaltungen störenden Drifteffekte vermeidet und nur
eine einzige teure Tunneldiode und im übrigen relativbillige Transistoren und gewöhnliche Dioden benötigt.
Eine bistabile Schaltungsanordnung, enthaltend einen Transistor mit einer Steuerelektrode, einer
Bistabile Schaltungsanordnung, enthaltend
einen Transistor und eine Tunneldiode
einen Transistor und eine Tunneldiode
Anmelder:
Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
München 23, Dunantstr. 6
Als Erfinder benannt:
Wilbur Albert Miller, Levittown, Pa.;
Jack Young Robertson,
Collingswood, N. J. (V. St. A.)
Wilbur Albert Miller, Levittown, Pa.;
Jack Young Robertson,
Collingswood, N. J. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 13. Januar 1960 (2248)
Ausgangselektrode und einer dritten Elektrode, eine zwischen die Steuerelektrode und die dritte Elektrode
des Transistors geschaltete Tunneldiode, eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Vorspannung
für die Tunneldiode, die stabile Arbeitspunkte in zwei verschiedenen Bereichen positiven Widerstandes
der Kennlinie der Tunneldiode ermöglicht, und eine Eingangsklemme zur Zuführung von Umschaltimpulsen,
ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Eingangsklemme und
einen Anschluß der Tunneldiode ein mit einem ersten Richtleiter in Reihe geschalteter erster Kondensator
und zwischen die Eingangsklemme und einen zweiten Anschluß der Tunneldiode ein mit
einem zweiten Richtleiter in Reihe geschalteter zweiter Kondensator geschaltet ist. :
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist eine Gleichstromkopplung zwischen der Ausgangselektrode
des Transistors und einem dem ersten Kondensator und dem ersten RicMeiter gemeinsamen
Schaltungspunkt vorgesehen. Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung enthält die Schaltungsanordnung
zur Erzeugung der Vorspannung für die Tunneldiode einen Kondensator.
409 760/331
3 4
Die Erfindung soll nun an Hand der Zeichnung dem Sperrpegel, und die Spannung an der Ausgangs-
näher erläutert werden. Es zeigt klemme 80 beträgt annähernd — Vc.
F i g. 1 ein Schaltbild einer bistabilen Schaltungs- Ein den Eingangsklemmen 90 zugeführter positiver
anordnung gemäß der Erfindung mit symmetrischer Stromimpuls 108 kann unter diesen Umständen die
Tastung, 5 hohe, durch die Spannung — Vc am Kollektor 46
Fig. 2 eine Kennlinie einer Tunneldiode, an erzeugte Sperrspannung an der Diode 92 nicht überHand derer die Arbeitsweise der in F i g. 1 dar- winden. Die andere Diode 98 ist jedoch nicht in
gestellten Schaltungsanordnung erläutert wird, und Sperrichtung vorgespannt und der Eingangsimpuls 1OS
Fig. 3 ein Schaltbild einer zweiten Ausführungs- kann sie zur Kathode 60 der Tunneldiode 12 durchform
der Erfindung. io laufen. Durch diesen Eingangsimpuls wird der die
Die in Fig. 1 dargestellte Ausführungsform der Tunneldiode 12 durchfließende Strom plötzlich her-
Erfindung ist ein Flip-Flop mit einem Eingang. Die abgesetzt.
Schaltung enthält einen PNP-Transistor 44 mit KoI- Die Amplitude des positiven Stromimpulses 108
lektor 46, Basis 48 und Emitter 50. Der Kollektor ist so bemessen, daß die Belastungsgerade so weit
46 ist über einen Widerstand 52 mit einem Pol — Vc 15 nach unten verschoben wird (Stellung 38 in F i g. 2),
einer Spannungsquelle verbunden. Der Emitter 50 daß kein Schnittpunkt mit dem bei höheren Spanliegt auf einem Bezugspotential, beispielsweise Masse. nungen liegenden Ast c-d positiven Widerstandes der
Die Anode 56 einer Tunneldiode 12 ist über einen Kennlinie mehr existiert. Der Arbeitspunkt der Tun-Widerstand
58 an eine Vorspannung + VB an- neldiodel2 springt daher in den Kennlinienbereich
geschlossen. Die Kathode 60 der Tunneldiode 12 20 a-b positiven Widerstandes, der bei niedrigen Span*
liegt über einen Widerstand 62 an einer Vorspannung nungen liegt, und der Arbeitspunkt stabilisiert sich
— F4. Die Betriebsspannungen können beispielsweise schließlich nach Abklingen des EiEgangsimpulses M
von nicht dargestellten Batterien geliefert werden. Schnittpunkt 22 der Kennlinie 10 mit der Belastungs-
Die Basis 48 des Transistors 44 ist an einen Ver- geraden 20 (»Niederspannungszustand«). Die Vorbindungspunkt
64 zwischen dem Widerstand 58 und 25 Spannungsschaltung für die Tunneldiode ist so beider Anode 56 der Tunneldiode 12 angeschlossen, messen, daß das Potential der Anode 56 unterhalb
Das Flip-Flop ist durch positive Impulse 108 des Massepotentials liegt, wenn die Tunneldiode 12
steuerbar, die seinen Emgangsklemmen 90 von einer im Niederspannungszustand arbeitet.
Impulsquelle 88 zugeführt werden. Wenn das Potential an der Basis 48 unter das
Die eine der Klemmen 90 ist geerdet. Die Anode 30 Massepotential absinkt, beginnt der Transistor 44
56 der Tunneldiode 12 ist mit einem Anschluß eines Strom zu führen. In der Praxis wird die Spannung
nur in einer Richtung Strom führenden Schalt- an der Basis 48 so weit abgesenkt, daß der Tranelementes verbunden, das hier als Diode 92 dar- sistor44 im stark leitenden Zustand, beispielsweise
gestellt ist. Der andere Anschluß der Diode 92 ist der Sättigung, arbeitet; die Spannung an der Auserstens
über einen Kupplungskondensator 94 mit der 35 gangsklemme 80 erhöht sich dann annähernd auf
nicht geerdeten Eingangsklemme 90 und zweitens Massepotential. Der Transistors 44 stellt in gewisser
über einen Widerstand 96 mit dem Kollektor 46 des Hinsicht eine Stromquelle für die Tunneldiode 12
Transistors 44 verbunden. Die Kathode 60 der Tun- dar, da der Basisstrom die Tunneldiode 12 durchneldiode
12 ist an eine Klemme eines anderen Rieht- fließt. Die dadurch bewirkte Erhöhung des die Tmxleiters
98 angeschlossen. Der andere Anschluß des 40 neldiode 12 durchfließenden Stromes verschiebt den
zweiten Richtleiters 98 liegt an einem Verbindungs- Arbeitspunkt der Tunneldiode etwas längs der
punkt 100. Zwischen diesen Verbindungspunkt 100 Kennlinie 10 nach oben, beispielsweise bis zum
und die nicht geerdete Eingangsklemme 90 ist ein Punkt 32 (Fig. 2). Der Punkt 32 stellt also den
Kondensator 102 geschaltet. Ein dritter Richtleiter stabilen Arbeitspunkt der Diode 12 dar, wenn der
104 liegt zwischen dem Verbindungspunkt 100 und 45 Transistor-44 leitet.
Masse. Die Richtleiter 92, 98 und 104 können bei- Durch den Anstieg des Kollektorpotentials wird
spielsweise Kristalldioden sein. Die Dioden 92 und die in Sperrichtung wirkende Vorspannung an der
98 liegen in Flußrichtung zwischen der Impulsquelle Diode 92 weitgehend abgebaut, sie kann schließlich
88 und dem Transistor 44 und werden also durch sogar in Flußrichtung vorgespannt werden. Dei
den Eingangsklemmen 90 zugeführte positive Strom- 50 nächste positive Eingangsimpuls 108 beaufschlagt
impulse 108 in Flußrichtung beaufschlagt. Die beide Dioden 92, 98 in Flußriehtung. Die Kapazität
Anode 110 der Shunt-Diode 104 liegt an Masse, des Kondensators 94 ist jedoch größer, als die des
diese Diode dient zur Entladung des Kondensators Kondensators 102, so daß die Zeitkonstante des
102. Die Kapazität des Kondensators 94 wird größer, Kondensators 94. und des Widerstandes 62 gröB#·
beispielsweise doppelt so groß, als die Kapazität des 55 ist als die Zeitkonstante des Kondensators 102 'uncT" ~
Kondensators 102 gewählt. des Widerstandes 62. Das durch den Kondensator Si
Die Werte der Widerstände 58, 62 und der Vor- eingekoppelte positive Signal ist daher länger wirk-
spannungen — VA und + VB werden so bemessen, kam als das über den Kondensator 102 eingekuppelte
daß sich eine Arbeitsgerade 20 (Fig. 2) für die Signal. Der positive Eingangsimpuls an der Anode
Tunneldiode 12 ergibt, die die Diodenkennlinie 10 in 60 56 der Tunneldiode 12 erhöht den Stromfluß durch
den Punkten 22, 24, 26 schneidet. Die Schaltung die Diode 12, so daß die Belastungsgerade über den
wird ferner so bemessen, daß das Potential der Punkt b der Kennlinie 10 gehoben wird, z. B. in die
Anode 56 der Diode und damit der Basis 48 des Lage 36. Der Arbeitspunkt der Tunneldiode 12
Transistors gegenüber Masse etwas positiv ist, wenn springt dann in den Hochspannungszustand, etwa
sich der Arbeitspunkt der Diode im oberen Kenn- 65 den Schnittpunkt 34 der Belastungsgeraden 36 mit
linienbereich positiven Widerstandes (»Hochspau- dem Kennlinienast c-d positiven Widerstandes. Nach
nungszustand«) befindet. Unter diesen Voraussetzun- Abklingen des Impulsse nimmt die Belastungsgerade
gen liegt die Vorspannung des Transistors 44 unter wieder die Ruhelage 20 ein. Durch das Entladen des
Kondensators 94 kann ein geringfügiges Überschwingen unter den Punkt 24 eintreten, das sich jedoch
durch geeignete Wahl der Zeitkonstanten klein halten läßt.
Die Eingangsimpulse 108 werden also durch die Dioden 92, 98 geleitet.
Nach Abklingen des zweiten positiven Eingangsimpulses ist der Transistor 44 gesperrt. Das Flip-Flop
schaltet also bei jedem positiven Eingangsimpuls 108 um. ίο
F i g. 3 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung, das im wesentlichen der in F i g. 1 dargestellten
Schaltungsanordnung entspricht, mit der Ausnahme, daß die im Eingang liegenden Kopplungskondensatoren
102, 102' gleiche Kapazitätswerte haben. Außerdem ist dem Vorspannungswiderstand
58 ein Kondensator 114 parallel geschaltet.
Wenn die Tunneldiode 12 im Hochspannungszustand arbeitet, liegt das Potential des Kollektors
46 nahe bei — Vc. Die Diode 92 ist daher stark in
Sperrichtung vorgespannt. Ein den Eingangsklemmen 90 zugeführter positiver Impuls kann unter diesen
Umständen die obere Diode 92 nicht in den leitenden Zustand aussteuern. Die untere Diode 98 wird
jedoch von dem Eingangsimpuls in den Flußbereich ausgesteuert. Der durch den Kondensator 102 eingekoppelte
Eingangsimpuls 108 verringert den Stromfluß durch die Tunneldiode 12 kurzzeitig stark, und
der Arbeitspunkt der Tunneldiode 12 springt in den Niederspannungszustand.
Der Überbrückungskondensator 114 im Vorspannungskreis bildet eine kleine Impedanz für die dem
Eingang 90 zugeführten Impulse 108. Man kann annehmen, daß ein Drittel des Ladestromes des Kondensators
102 nach oben (von der Kathode zur Anode) durch die Tunneldiode 12 fließt und daß
zwei Drittel des Ladestromes nach unten durch den Widerstand 62 fließen. Ferner fließen ein Drittel des
Ladestromes des oberen Kondensators 102' durch den Widerstand 58 und den Parallelkondensator 114
nach unten und zwei Drittel nach unten durch die Tunneldiode 12. Wenn beide Dioden 92, 98 leiten,
fließt durch die Tunneldiode 12 ein resultierender Strom in der Höhe eines Drittels des Ladestromes
nach unten. Dies ist dann der Fall, wenn ein Eingangsimpuls 108 zugeführt wird, während die Tunneldiode
12 im Niederspannungszustand arbeitet. Der resultierende, nach unten durch die Tunneldiode gerichtete
Strom reicht aus, um die Tunneldiode 12 in den Hochspannungszustand zu schalten.
Claims (3)
1. Bistabile Schaltungsanordnung, enthaltend einen Transistor mit einer Steuerelektrode, einer
Ausgangselektrode und einer dritten Elektrode, eine zwischen die Steuerelektrode und die dritte
Elektrode des Transistors geschaltete Tunneldiode, eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung
einer Vorspannung für die Tunneldiode, die stabile Arbeitspunkte in zwei verschiedenen Bereichen
positiven Widerstandes der Kennlinie der Tunneldiode ermöglicht, und eine Eingangsklemme zur Zuführung von Umschaltimpulsen,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Eingangsklemme (90) und einen Anschluß der Tunneldiode (12) ein mit einem ersten Richtleiter
(92) in Reihe geschalteter erster Kondensator (94, 102') und zwischen die Eingangsklemme und einen zweiten Anschluß der Tunneldiode
ein mit einem zweiten Richtleiter (98) in Reihe geschalteter zweiter Kondensator (102)
geschaltet ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Gleichstromkopplung
(96) zwischen der Ausgangselektrode (46) des Transistors (44) und einem dem ersten Kondensator
(94, 102') und dem ersten Richtleiter (92) gemeinsamen Schaltungspunkt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung
zur Erzeugung der Vorspannung für die Tunneldiode (12) einen Kondensator (114) enthält.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1131736;
»Electronics«, 27. 11. 1959, S. 64.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1131736;
»Electronics«, 27. 11. 1959, S. 64.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 760/331 12.64 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2248A US3359427A (en) | 1960-01-13 | 1960-01-13 | Bistable circuit with negative resistance diode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1184381B true DE1184381B (de) | 1964-12-31 |
Family
ID=21699899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DER29330A Pending DE1184381B (de) | 1960-01-13 | 1960-12-20 | Bistabile Schaltungsanordnung, enthaltend einen Transistor und einer Tunneldiode |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3359427A (de) |
CH (1) | CH392614A (de) |
DE (1) | DE1184381B (de) |
GB (1) | GB964898A (de) |
NL (1) | NL259994A (de) |
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-
0
- NL NL259994D patent/NL259994A/xx unknown
-
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- 1960-12-20 DE DER29330A patent/DE1184381B/de active Pending
- 1960-12-21 GB GB43969/60A patent/GB964898A/en not_active Expired
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---|---|
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NL259994A (de) |
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