DE1172777B - Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen - Google Patents

Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen

Info

Publication number
DE1172777B
DE1172777B DEJ20423A DEJ0020423A DE1172777B DE 1172777 B DE1172777 B DE 1172777B DE J20423 A DEJ20423 A DE J20423A DE J0020423 A DEJ0020423 A DE J0020423A DE 1172777 B DE1172777 B DE 1172777B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
layers
junction
transition
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEJ20423A
Other languages
English (en)
Inventor
John Bernard Setchfield
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Publication of DE1172777B publication Critical patent/DE1172777B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer: 1 172 777
Aktenzeichen: J 20423 VIII c / 21g
Anmeldetag: 18. August 1961
Auslegetag: 25. Juni 1964
Die Erfindung bezieht sich.auf ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellen.
Angesichts der dauernd zunehmenden Betriebsfrequenzen zahlreicher Schaltungen und/oder Anlagen, in welchen Halbleiterbauelemente verwendet werden, ist es nötig, Halbleiterbauelemente so auszulegen und aufzubauen, daß sie imstande sind, bei immer höheren Frequenzen zu arbeiten.
Einer der Faktoren, welcher die höchste Frequenz bestimmt, bei welcher ein Halbleiterbauelement zufriedenstellend arbeitet, ist die Fläche des pn-Ubergangs oder der pn-Übergänge, wobei die Forderung dahin geht, die Fläche des Übergangs so klein wie möglich zu machen. Mit diesem Problem ist das weitere Problem verbunden, mit dem aktiven Teil oder den aktiven Teilen des Bauelementes einen geeigneten Kontakt herzustellen. Aufgabe der Erfindung ist es, die Größe der pn-Übergangsfläche oder der pn-Übergangsflächen leicht und genau zu steuern, und zwar bis hinunter zu außerordentlich kleinen Abmessungen, und gleichzeitig das leichte Herstellen von zufriedenstellenden Kontakten mit dem Bauelement zu erlauben.
Diese Aufgabe wird bei einem Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-übergang gelöst. Erfindungsgemäß wird ein solches Halbleiterbauelement so ausgebildet, daß auf einer Unterlage aus isolierendem Material oder eigenleitendem Halbleitermaterial zwei im Verhältnis zur Unterlage dünne nebeneinanderliegende Halbleiterschichten entgegengesetzten Leitungstyps so angeordnet sind, daß sie einen pn-übergang sehr kleiner Fläche bilden und daß die Halbleiterschichten bis an den pn-übergang mit Metallüberzügen zur Kontaktierung versehen sind.
Es ist zwar bereits ein Halbleiterbauelement bekannt, bei dem auf zwei Blöcken aus Isoliermaterial mit einer dazwischenliegenden Elektrode dünne Halbleiterschichten angeordnet sind, die durch Einwirkung des Materials der Elektrode teilweise zum anderen Leitungstyp umgewandelt sind. Abgesehen davon, daß diese Anordnung, insbesondere bei Temperaturänderungen, mechanisch instabil ist, handelt es sich hierbei nicht um pn-Übergänge möglichst kleiner Fläche. Außerdem werden bei der bekannten Anordnung auf die Halbleiterschichten keine Metallüberzüge aufgebracht.
Es ist weiter bekannt, Halbleiterkörper mit pnübergang mit einer Schutzschicht aus eigenleitendem Halbleitermaterial zu überziehen. Hierbei handelt es sich aber nicht um, im Verhältnis zur eigenleitenden Schicht, dünne Halbleiterschichten.
Halbleiterbauelement mit mindestens einem
pn-übergang und Verfahren zum Herstellen
Anmelder:
International Standard Electric Corporation,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Ciaessen, Patentanwalt,
Stuttgart 1, Rotebühlstr. 70
Als Erfinder benannt:
John Bernard Setchfield, London
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 30. August 1960 (29 818)
Schließlich ist es bekannt, ein Keramikplättchen mit eingebrannten Zuleitungen zu versehen und ein Halbleiterplättchen. auf der Keramikunterlage in Kontakt mit den Zuleitungen anzubringen.
Erst durch die Anordnung gemäß der Erfindung werden jedoch Halbleiterbauelemente erhalten, die sich für sehr hohe Frequenzen eignen, weil die Fläche des pn-Übergangs sehr klein gemacht werden kann, die Kontakte sich insbesondere für Hochfrequenz eignen und unerwünschte Verluste in der Halbleiterschicht dadurch ausgeschaltet werden, daß nur der Bereich in unmittelbarer Nähe des Übergangs dem Hochfrequenzfeld ausgesetzt ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben, in welcher
Fig. 1 bis 7 aufeinanderfolgende Stufen der Herstellung einer für den Betrieb bei Mikrowellenfrequenzen geeigneten Halbleitervorrichtung und
F i g. 8 und 9 Varianten einer nachgebildeten oder simulierten Spitzendiode zeigen.
Die Fig. 1 und 2 zeigen in Draufsicht bzw. in Seitenansicht eine Scheibe 1 aus hochohmigem eigenleitendem Halbleitermaterial, ζ. B. Silizium, auf deren einer Oberfläche zwei dünne nebeneinanderliegende, mit Fremdstoffen dotierte Schichten 2 und 3 entgegengesetzten Leitungstyps angeordnet sind.
Die Schichten 2 und 3 können auf der Scheibe 1 entweder durch Diffusion im Festzustand oder durch Niederschlag gebildet werden, wie z. B. durch epi-
409 627/286
taktisches Aufwachsen, wobei das gegenseitige Anliegen der beiden Schichten 2 und 3 einen pn-übergang 4 von Rechteckform bildet, welcher zwischen den beiden Schichten in der zur Oberfläche der Scheibe 1 senkrecht stehenden Zwischenschicht vorhanden ist. Dieser Überzug ruht auf einer nichtleitenden Unterlage, welche aus dem eigenleitenden Halbleitermaterial besteht.
Einzelne Einheiten etwa von der in der Fig. 3 gezeigten Art werden dadurch erhalten, daß man die diffundierte Scheibe in Streifen schneidet. Der Übergang Aa erstreckt sich über die ganze Breite des Streifens.
Um die Länge des Übergangs zu vermindern, werden Teile der Schichten im Bereich des Übergangs entfernt, beispielsweise durch Ätzung oder durch einen Ultraschallschneidvorgang. In der F i g. 4 sind die Schichten derart abgetragen, daß halbkreisförmige Aussparungen 1 α des Eigenhalbleiters auf jeder Seite des Übergangs 4 b entstehen, während in der F i g. 5 dreieckförmige Aussparungen Ib des Halbleiters frei liegen.
Nachdem man den durch Diffusion oder durch einen sonstigen Niederschlag aufgebrachten Schichten einer Diode die in den F i g. 3, 4 oder 5 gezeigte Form gegeben hat, werden diese Schichten mit einem Metall, z. B. Aluminium, bis zu einer nahe der Übergangsfläche liegenden Stelle überzogen, wie dies die F i g. 6 zeigt, in welcher ein Metallüberzug 5 auf den Schichten 2 und 3 bis zu einer Stelle aufgebracht ist, welche nahe der Übergangsfläche 4 b liegt.
Wie aus dem in der F i g. 7 gezeigten Schnitt hervorgeht, ist eine Silberschicht 6 an jedem Ende des Metallüberzuges 5 angebracht, und das so aufgebaute Halbleiterbauelement wird in einem zweiteiligen Metallröhrchen montiert, welches beispielsweise aus einer Nickel-Eisen-Legierung besteht und in der Mitte der Längsausdehnung eine Glasverbindung 8 aufweist. Die beiden Enden des Röhrchens 7 werden mit Lot 9 verschlossen und gleichzeitig ein Anschluß mit dem Halbleiterbauelement hergestellt, indem das Lot mit den Silberschichten 6 in Berührung steht.
Die dargelegte Konstruktion ergibt eine Kapsel oder Patrone, welche für den Einsatz in einem Hohlleiter geeignet ist.
Eine geeignete Anwendung für die vorstehend beschriebene Halbleiterdiode liegt in parametrischen Verstärkern vor, und insbesondere in solchen, in welchen der variable Parameter eine spannungsvariable Halbleiterkapazität ist.
Bei einer Diode mit spannungsabhängiger Kapazität ist die anerkannte Gütezahl für diese Anwendung die Grenzfrequenz fc, welche gegeben ist durch
3. dem Kontaktwiderstand,
4. dem Verlustfaktor, der sich aus der endlichen Leitfähigkeit des umgekehrt vorgespannten Übergangs ergibt
5. dem Verlustfaktor, der sich aus der direkt in das Hauptmaterial eingekoppelten Hochfrequenzenergie ergibt, welche den Übergang nicht durchschreitet,
6. dem Skin-Effekt, welcher bei den höheren Frequenzen, z. ß. Mikrowellenfrequenzen, vorhanden ist.
Außerdem ist auch bei Mikrowellenfrequenzen ein großer Wert von Cmin störend, da er zu einem großen kapazitiven Nebenschluß führt und im besten Falle noch schwierige Anpassungsprobleme mit sich bringt. Bei einer Flächendiode von der in der F i g. 7 gezeigten Art läßt sich eine rechteckige Übergangsfläche von beispielsweise 0,05 mm Breite und
ao 0,005 mm Tiefe, d. h. mit einer Fläche von 25 · 10 ~ä mm2 ohne Schwierigkeit erreichen. Dies entspricht einer Verminderung um ungefähr das Zehnfache gegenüber den kleinsten heute erzielbaren Übergangsflächen einer bekannten Form von Dioden mit spannungsabhängiger Kapazität, welche Druckkontakte zwischen einem in der Tiefe des Materials parallel zur Oberfläche geformten Übergang aufweist, und außerdem wird der Wert von Cmi„ entsprechend vermindert.
Weitere Vorteile der oben beschriebenen Diode sind
1. Steuerung der Herstellungsparameter in engen Grenzen;
2. es können mit einer Scheibe gleichzeitig mehrere Bauelemente hergestellt werden;
3. es lassen sich gute und dauerhafte niederohmige Kontakte mit der Diode leicht herstellen, und es sind keine Druckkontakte nötig;
4. Verminderung der Induktanz der Anschlüsse, da keine großen Elektroden verwendet werden;
5. Verminderung unerwünschter Verluste im Hauptkörper des Halbleitermaterials, da nur der Bereich in unmittelbarer Nähe des Übergangs dem HF-Feld ausgesetzt ist, während die übrigen Teile mit Metall bedeckt sind;
6. Verminderung des durch den Skin-Effekt hervorgerufenen Widerstandes wegen der unter 5
angegebenen Gründe.
50
2?ri?s
wo R$ der Serienwiderstand und C„„„ die Minimalkapazität der Diode ist.
Offensichtlich ist es erwünscht, die Werte von i?s und Cmin möglichst tief zu halten.
Rs ist umgekehrt proportional zur Übergangsfläche und Cmi„ direkt proportional zur Übergangsfläche, Der Wert Rs ist nicht ein einfacher, sondern zusammengesetzter Wert und abhängig von
1. dem Widerstand des Übergangs,
2. dem Ausbreitungswiderstand im Hauptmaterial der Diode,
Nachstehend werden nun weitere Möglichkeiten dargelegt. Es lassen sich Tunneldioden mit kleinen Flächen herstellen, indem man eine genügend hohe Fremdstoffkonzentration in den nebeneinander auf der Unterlage aus hochohmigem Eigenhalbleitermaterial befindlichen Oberflächenschichten erzeugt. In der Fig. 8 ergibt eine Zunge 10a mit n-Leitfähigkeit, welche einen Teil einer mit Fremdstoff dotierten Schicht 10 bildet, einen Übergang 11, welcher so klein ist wie ein Spitzenkontakt zwischen den Schichten 10 und 12, welche entgegengesetzte Leitfähigkeit aufweisen und auf einer Unterlage aus hochohmigem Eigenhalbleitermaterial liegen. Zum Herstellen der Zunge 10a wird eine Oxydmaske verwendet, bei welcher eine noch nicht mit den Schichten versehene Unterlage in einem Ofen in einer geeigneten Atmosphäre erwärmt wird, so daß an der Oberfläche eine Oxydschicht entsteht, welche nach-
her mit Ausnahme der Teile 13 entfernt wird, so daß eine Oxydmaske entsteht, welche die Zunge 10 a bestimmt. Nachdem die mit Fremdstoff dotierten Schichten auf der Unterlage aufgebracht worden sind, wird die Oxydmaske entfernt.
Als Variante zu den vorstehend beschriebenen Anordnungen ist es möglich, für eine Schicht ein Diffusionsverfahren und für die andere Schicht 'ein Legierungsverfahren zu verwenden. Diese Möglichkeit ist in der Fig. 9 veranschaulicht, in welcher >■> eine Schicht 14 mit η-Leitfähigkeit durch Diffusion auf der Oberfläche des hochohmigen Eigenhalbleitermaterials 15 (z. B. Silizium) erzeugt wird, während eine Schicht 16 mit p-Leitfähigkeit beispielsweise durch aufgedampftes und legiertes Aluminium und Bor erzeugt wird, und zwar mit einer solchen Form, daß ein Übergang 17 entsteht, welcher einen Spitzenkontakt nachbildet.
An Stelle der Verwendung einer Unterlage aus hochohmigem Eigenhalbleitermaterial, in dessen Oberfläche die nebeneinanderliegenden Schichten von Fremdstoffen entgegengesetzter Leitfähigkeit eindiffundiert werden, kann irgendein anderes geeignetes und praktisch nichtleitendes Material als Unterlage für die Schichten verwendet werden, welche dann durch irgendeinen geeigneten Vorgang aufgebracht werden.
So kann z. B. die Unterlage aus einem keramischen Stoff bestehen, wobei die nebeneinanderliegenden Schichten bei einer als Diode ausgebildeten Vorrichtung auf die Oberfläche der Unterlage gleichzeitig aus zwei getrennten Quellen mit dotiertem Silizium niedergeschlagen werden können, so daß die eine Quelle Halbleiterstoff mit p-Leitfähigkeit und die andere Quelle Halbleiterstoff mit η-Leitfähigkeit liefert.
Eine weitere Möglichkeit ist die Herstellung von Transistoren. Indem man drei nebeneinanderliegende Schichten auf der Oberfläche einer Unterlage aus hochohmigem Eigenhalbleiterstoff anbringt, und zwar beispielsweise eine Schicht mit p-Leitfähigkeit zwischen zwei Schichten mit η-Leitfähigkeit, wird ein npn-Transistor erhalten.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-übergang, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Unterlage aus isolierendem Material oder eigenleitendem Halbleitermaterial zwei im Verhältnis zur Unterlage dünne nebeneinanderliegende Halbleiterschichten entgegengesetzten Leitungstyps so angeordnet sind, daß sie einen pn-übergang sehr kleiner Fläche bilden, und daß die Halbleiterschichten bis an den pn-übergang mit Metallüberzügen zur Kontaktierung versehen sind.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus keramischem Material besteht.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an der Stelle des Übergangs die Länge des pn-Ubergangs kleiner als die Länge der Unterlage ist.
4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer nichtleitenden Unterlage zwei nebeneinanderliegende Halbleiterschichten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps derart erzeugt werden, daß sie längs ihrer Ränder zwecks Erzeugung eines pn-Übergangs zwischen diesen Rändern in Berührung stehen.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten durch Niederschlagen erzeugt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten durch eindiffundieren erzeugt werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 814 487, 969 465;
USA.-Patentschrif t Nr. 2 789 258.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 627/286 6.64 © Bundesdruckerei Berlia
DEJ20423A 1960-08-30 1961-08-18 Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen Pending DE1172777B (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB29818/60A GB983146A (en) 1960-08-30 1960-08-30 Semiconductor device
GB18743/61A GB974004A (en) 1960-08-30 1961-05-24 Improvements in or relating to semiconductor devices
GB8001/62A GB1005070A (en) 1960-08-30 1962-03-01 Improvements in or relating to semiconductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1172777B true DE1172777B (de) 1964-06-25

Family

ID=27255103

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEJ20423A Pending DE1172777B (de) 1960-08-30 1961-08-18 Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen
DEJ21761A Pending DE1210085B (de) 1960-08-30 1962-05-12 Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halbleiterbauelementen
DEJ23252A Pending DE1208410B (de) 1960-08-30 1963-02-26 Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halbleiterbauelementen mit mindestens einem Tunneluebergang, insbesondere Tunneldioden

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEJ21761A Pending DE1210085B (de) 1960-08-30 1962-05-12 Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halbleiterbauelementen
DEJ23252A Pending DE1208410B (de) 1960-08-30 1963-02-26 Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halbleiterbauelementen mit mindestens einem Tunneluebergang, insbesondere Tunneldioden

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE629065A (de)
CH (2) CH397874A (de)
DE (3) DE1172777B (de)
FR (1) FR1298799A (de)
GB (3) GB983146A (de)
NL (2) NL268782A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3312881A (en) * 1963-11-08 1967-04-04 Ibm Transistor with limited area basecollector junction

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions
DE969465C (de) * 1953-07-28 1958-06-04 Siemens Ag Halbleiterelement mit scharfen p-n- oder p-n-p-UEbergaengen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2802159A (en) * 1953-10-20 1957-08-06 Hughes Aircraft Co Junction-type semiconductor devices
US2964830A (en) * 1957-01-31 1960-12-20 Westinghouse Electric Corp Silicon semiconductor devices
FR1217793A (fr) * 1958-12-09 1960-05-05 Perfectionnements à la fabrication des éléments semi-conducteurs
GB872531A (en) * 1959-03-24 1961-07-12 Ass Elect Ind Improvements relating to the production of transistors
FR1281763A (fr) * 1960-02-29 1962-01-12 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux procédés de fabrication des dispositifs à semi-conducteur

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE814487C (de) * 1948-06-26 1951-09-24 Western Electric Co Feste, leitende elektrische Vorrichtung unter Verwendung von Halbleiterschichten zur Steuerung elektrischer Energie
DE969465C (de) * 1953-07-28 1958-06-04 Siemens Ag Halbleiterelement mit scharfen p-n- oder p-n-p-UEbergaengen
US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions

Also Published As

Publication number Publication date
CH412116A (de) 1966-04-30
DE1208410B (de) 1966-01-05
DE1210085B (de) 1966-02-03
FR1298799A (fr) 1962-07-13
GB1005070A (en) 1965-09-22
NL268782A (de)
GB983146A (en) 1965-02-10
BE629065A (de)
CH397874A (de) 1965-08-31
GB974004A (en) 1964-11-04
NL289632A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE2940699A1 (de) Mosfet-anordnung, insbesondere leistungs-mosfet-anordnung
DE1282196B (de) Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DE2324780C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1639173C3 (de) Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung
DE1614300C3 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Gateelektrode
CH495633A (de) Halbleiteranordnung
DE2357376A1 (de) Mesa-thyristor und verfahren zum herstellen von mesa-thyristoren
DE1810322B2 (de) Bipolarer Transistor fur hohe Ströme und hohe Stromverstärkung
DE2628381B2 (de) Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines n-leitenden Halbleiterkörpers
DE2500235C2 (de) Ein-PN-Übergang-Planartransistor
DE2944069A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1614233B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE1764237C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE1764171A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE1949523C3 (de) Halbleiterbauelement mit einem Isolierschicht-Feldeffekttransistor
DE1489193C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2800363A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE2357640B2 (de) Kontaktierung eines planaren Gunn-Effekt-Halbleiterbauelementes
DE1172777B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen
DE2126303A1 (de) Eine isolierte Gate-Elektrode aufweisender Feldeffekt-Transistor mit veränderlicher Verstärkung
DE102016101652A1 (de) Optoelektronisches Bauelement mit Seitenkontakten
DE1813551C3 (de) Hochfrequenz-Planartransistor
DE1293899C2 (de) Planar- oder Mesatransistor und Verfahren zur Herstellung des Planartransistors