DE2628381B2 - Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines n-leitenden Halbleiterkörpers - Google Patents
Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines n-leitenden HalbleiterkörpersInfo
- Publication number
- DE2628381B2 DE2628381B2 DE19762628381 DE2628381A DE2628381B2 DE 2628381 B2 DE2628381 B2 DE 2628381B2 DE 19762628381 DE19762628381 DE 19762628381 DE 2628381 A DE2628381 A DE 2628381A DE 2628381 B2 DE2628381 B2 DE 2628381B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor body
- electrolyte
- voltage source
- contact
- potential difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
- H01J9/125—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes of secondary emission electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/32—Secondary emission electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander
gegenüberliegenden Flächen eines η-leitenden Halb- (l"
leiterkörpers mit einer Elektrolysevorrichtung, die eine mit dem Elektrolyt in Kontakt stehende Katode, eine
Anode, die von einer ebenfalls mit dem Elektrolyt in Kontakt stehenden Fläche des in die Elektrolysevorrichtung
einsetzbaren Halbleiterkörpers gebildet ist, {>l
und eine Spannungsquelle zum Anlegen einer Potentialdifferenz zwischen Katode und Anode enthält.
Bei einer bekannten Vorrichtung dieser Art können auf der ebenen Fläche eines Halbleiterkörpers Vertiefungen
erzeugt werden. Eine Beeinflussung der speziellen geometrischen Form und eines bestimmten
Verlaufs der Vertiefungen ist jedoch bei der bekannten Vorrichtung nicht möglich. Insbesondere lassen sich
keine Vertiefungen mit geradlinigen Seitenwänden herstellen, sondern es entstehen stets kegelförmige
Mulden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs angegebenen Art so auszugestalten,
daß sie die Erzeugung von sehr kleinen Kanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen
eines η-leitenden Halbleiterkörpers ermöglicht, die sich mit geraden Seitenwänden durch den Halbleiterkörper
erstrecken.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß auf der anderen Fläche des Halbleiterkörpers
voneinander getrennte Löcher-Injektionsstellen angebracht sind, die miteinander und mit dem Pluspol der
Spannungsquelle verbunden sind, und daß die von der Spannungsquelle erzeugte Potentialdifferenz so eingestellt
ist, daß ihr Wert größer als der Wert ist, der in dem
Halbleiterkörper bei vorbestimmter Dicke und vorbestimmter schwacher Dotierung ein elektrisches Feld
erzeugt, das von der mit dem Elektrolyt in Kontakt stehenden Fläche aus bis zu einem Abstand von der
anderen Fläche reicht, der kleiner als die Diffusionslänge der Löcher in dem Halbleiterkörper ist.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung bildet sich nach Anlagen der Potentialdifferenz zwischen der mit
den Löcher-Injektionsstellen versehenen Fläche des Halbleiterkörpers und dem Elektrolyt an der Übergangsfläche
zwischen dem Elektrolyt und dem Halbleiterkörper eine Sperrschicht, die die Eigenschaften
von Schottky-Dioden besitzt, die sich ergibt, wenn ein Metall mit einem schwach dotierten Halbleiter in
Kontakt gebracht wird. Insbesondere läßt sich an dieser Sperrschicht eine für Schottky-Dioden typische Gleichrichtung
des Stroms beobachten. Wenn der Elektrolyt mit Hilfe einer zwischen die Katode und die mit den
Injektionsstellen versehene Fläche des Halbleiterkörpers angelegten Gleichspannung in Bezug auf den
Halbleiterkörper negativ vorgespannt wird, wird im Halbleiterkörper eine Raumladungszone erzeugt, die,
ausgehend von der mit dem Elektrolyt in Kontakt befindlichen Oberfläche des Halbleiterkörpers, in
dessen Inneres eindringt. Bei gegebener Dicke des Halbleiterkörpers und einer gegebenen angelegten
Spannung reicht diese Zone in einem Material mit einer ausreichend geringen Dichte an freien Ladungsträgern
bis in die Nähe der gegenüberliegenden Fläche und gegebenenfalls unmittelbar bis an diese Fläche. Dabei
entsteht ein senkrecht zu den Oberflächen des Halbleiterkörpers verlaufendes und in einen großen Teil
seiner Dicke hineinreichendes elektrisches Feld, so daß jedes von den Injektionsstellen injizierte Loch, gegebenenfalls
nach einer geringen anfänglichen Diffusion, einer geradlinigen Bahn, durch die Dicke des Halbleiterkörpers
hindurch folgt und an der mit dem Elektrolyt in Kontakt stehenden Fläche an einem Punkt austritt,
welcher auf dieser Fläche die Projektion der Injektionsstelle ist, die das Loch injiziert hat. An diesem Punkt
werden Moleküle des Materials des Halbleiterkörpers in Lösung gebracht. Da die Auflösung an den Punkten
erfolgt, an welchen Löcher austreten, ergibt sich eine Reproduktion des auf der anderen Fläche des
Halbleiterkörpers angebrachten Musters aus Löcher-Injektionsstellen.
Das Abtragen des Halbleitermaterials
führt schließlich dazu, daß in dem Halbleiterkörper bis
zu den Injektionsstellen reichende Mikrokanäle entstehen.
Die Löcher-Injektionsstellen können dabei in beliebigem Muster auf der einen Fläche des Halbieiterkörpers
angebracht werden.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, daß in dem Halbleitermaterial die
elektrischen und kristallographischen Eigenschaften während des Bearbeitungsvorgangs vollständig erhalten
bleiben und daß keinerlei seitliche Materialabtragungen erfolgen, die zu einer Ausweitung der Kanäle
führen würden. Die gebohrten Löcher folgen vielmehr genau dem senkrecht zu den Oberflächen verlaufenden
elektrischen Feld im Kalbleiterkörper.
Der mit den Mikrokanälen versehene Halbleiterkörper, der sich bei Anwendung der erfindungsgemäßen
Vorrichtung schließlich ergibt, eignet sich insbesondere für die Anwendung in Elektronenvervielfachern, wie sie
beispielsweise in den französischen Paiintschriften 12 95 026 und 14 65 381 und in der DE-AS 15 39 755
beschrieben sind.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung beispielshalber erläutert. In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 und 2 schematische Schnittansichten von zwei Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtungen
und
F i g. 3 eine Draufsicht auf ein Detail der Vorrichtung
von Fig. 1.
Der Klarheit halber wurden bewußt auf den Figuren die Schraffierungen bestimmter Teile weggelassen.
F i g. 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform der Erfindung.
In dieser Figur ist mit 1 ein plattenförmiger
Halbleiterkörper bezeichnet, der auf seiner Rückseite mit einer elektrisch leitenden und durchscheinenden
Zinnoxidschicht 3 bedeckt ist. Mit dieser Schicht befindet sich eine optische Maske 40 in Kontakt, die auf
beliebige Weise erhalten wurde und von welcher ein Bruchstück in der Draufsicht von F i g. 3 gezeigt ist.
Diese Maske bildet ein Mosaik von Fenstern 2 im Abstand ρ von 50 Mikrometer, wobei diese Fenster in
einer 2000 Ä dicken Molybdänabscheidung auf der Schicht 3 gebildet sind; mit 4 sind die nach Anbringung
der Fenster verbleibenden undurchsichtigen Molybdänteile bezeichnet; in dem dargestellten Beispiel besitzen
die Fenster 2 die in F i g. 3 gezeigte Form von Quadraten.
Der Halbleiterkörper 1, die Schicht 3 und die Maske 40 stellen insgesamt die Anode der Vorrichtung dar,
während 11 den Elektrolyt und 5 die Platinkatode bezeichnet. In der Zeichnung, in welcher der Klarheit
halber die Größenverhältnisse der einzelnen Teile nicht gewahrt wurden, bezeichnen 9 bzw. 10 den Behälter, in
welchem sich der Elektrolyt befindet, bzw. eine Verbindung, welche die Dichtigkeit zwischen diesem
Behälter und dem Halbleiterkörper 1 gewährleistet. Mit 12 ist die Gleichspannungsquelle der Vorrichtung
bezeichnet, 13 und 14 sind die Anschlüsse dieser Quelle an die Kathode und die Anode 3 der Vorrichtung 16 ist
ein Unterbrecher.
Die Anlegung einer Spannung Vo zwischen der Katode 5 und der Schicht 3 der vorstehenden
Anodenanordnung erzeugt durch Schließen des Unterbrechers 16 ein gleichmäßiges elektrisches Feld in dem
Halbleiterkörper 1, das senkrecht zu dessen Oberfläche verläuft. Eine intensive Belichtung von einigen Milliwatt
pro cm2 im sichtbaren Spektrum und im nahen Infrarot von Seite der Maske 4 (gewellte Pfeile rechts in der
Zeichnung) bewirkt infolge Fotoionisierung des Materials des Halbleiterkörpers die Injektion von Löchern
(Kreuze + Kreise). Diese Ladungsträger werden durch das elektrische Feld E von rechts nach links gezogen,
wie dies der Pfeil am Boden des Halbieiterkörpers 1 anzeigt Sie wandern auf die der die Maske tragenden
Seite gegenüberliegende Seite des Halbleiterkörpers in Richtung der kleinen Pfeile und treten an dieser Seite
aus, wo sie infolge Entfernung von Molekülen des Halbleitermaterials, wie vorstehend beschrieben, die
Ätzung des Halbleiterkörpers bewirken. In dem beschriebenen Beispiel bestand dieser Halbleiterkörper
aus Galliumarsenid mit 1012 negativen freien Ladungen
pro cm3 und mit einer Dicke von 200 Mikrometer. Die Spannung Vo betrug 20 Volt und das elektrische Feld
ΙΟ3 Volt/cm. Der Elektrolyt bestand aus einer basischen
Lösung von Kaliumchromat, Cr Ot K2. Die Ätzgeschwindigkeit
betrug unter diesen Bedingungen etwa ein Mikrometer pro Minute.
Bei ausreichender Belichtungsdauer durchqueren die erhaltenen Mikrokanäle den Halbleiterkörper von einer
Seite zur anderen, wie dies erforderlich ist, wenn diese Kanäle als Elektronenvervielfacher wirken sollen. Nach
seiner Abnahme kann der Halbleiterkörper dann in die elektronischen Geräte auf dem Fachmann bekannte
Weise eingebaut werden.
Bei begrenzter Belichtungsdauer erhält man blinde Kanäle, wie dies mit 15 in der Zeichnung angezeigt ist.
F i g. 2 zeigt als Beispiel eine schematische Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Erfindung. In
diesem Beispiel bestehen die Injektionsstellen für die Löcher in dem Halbleitermaterial aus ohmschen
Kontakten. Der Halbleiterkörper 1 ist auf seiner rechten Seite mit einer zusammenhängenden Schicht 6 aus
einem elektrisch isolierenden Material bedeckt, auf dem man in beliebiger bekannter Weise bestimmte Teile so
entfernt hat, daß sich ein Netz aus Bereichen 7 bildet, in welchen der Halbleiterkörper sichtbar ist. Diese
Bereiche werden ebenfalls auf beliebige bekannte Weise mit einem elektrisch leitenden Material ausgefüllt; man
erhält so auf dem Halbleiterkörper ein Gitter von ohmschen Kontakten 8. Eine als Elektrode dienende
Leiterschicht 30 wird schließlich sowohl auf die Schicht 6 als auch auf die Kontakte 8 aufgebracht. Diese Schicht
30 stellt dann den Anodenanschluß der Vorrichtung dar. Die Anlegung der Spannung von der Quelle 12 zwischen
den Elektroden 5 und 30 bewirkt den Einschuß von Löchern in den Halbleiterkörper, ausgehend von den
Kontakten 8. Diese Löcher werden unter den gleichen Bedingungen wie im vorstehenden Beispiel auf den
Elektrolyt zu durch das elektrische Feld transportiert.
Vorstehend wurde die Herstellung von plättchenförmigen
Halbleiterkörpern beschrieben, die nach der Entnahme aus der Vorrichtung in die für sie bestimmten
elektronischen Geräte eingebaut werden. Die gleiche Vorrichtung ermöglicht unter Bedingungen, welche die
Injizierung und die Wanderung der Löcher, wie vorstehend beschrieben, gewährleisten, die Herstellung
von bereits in für die Herstellung dieser elektronischen Geräte bestimmte Bauteile eingebauten insbesondere
wenn diese Halbleiterkörper der Elektronenyervielfachung dienen sollen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen
zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines η-leitenden Halbleiterkörpers mit einer
Elektrolysevorrichtung, die eine mit dem Elektrolyt in Kontakt stehende Katode, eine Anode, die von
einer ebenfalls mit dem Elektrolyt in Kontakt stehenden Fläche des in die Elektrolysevorrichtung
einsetzbaren Halbleiterkörpers gebildet ist, und eine Spannungsquelle zum Anlegen einer Potentialdifferenz
zwischen Katode und Anode enthält, dadurch
gekennzeichnet, daß auf der anderen Fläche des Halbleiterkörpers (1) voneinander
getrennte Löcher-Injektionsstellen angebracht sind, die miteinander und mit dem Pluspol (14) der
Spannungsquelle (12) verbunden sind, und daß die von der Spannungsquelle (12) erzeugte Poteniialdiffercnz
so eingestellt ist, daß ihr Wert größer als der Wert ist, der in dem Halbleiterkörper (1) bei
vorbestimmter Dicke und vorbestimmter schwacher Dotierung ein elektrisches Feld erzeugt, das von der
mit dem Elektrolyt (11) in Kontakt stehenden Fläche aus bis zu einem Abstand von der anderen Fläche
reicht, der kleiner als die Diffusionslänge der Löcher in dem Halbleiterkörper (1) ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) photoelektrisch
ist, daß die andere Fläche des Halbleiterkörpers (t) mit einer elektrisch leitenden, durchscheinenden
Schicht (3) bedeckt ist, die mit einer undurchsichtigen Schicht überzogen ist, und daß die
Löcher-Injektionsstellen von Fenstern (2) in der weiteren Schicht gebildet sind, die für eine
Photonenstrahlung durchlässig sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher-Injektionsstellen aus
ohmschen Kontakten (8) bestehen, die durch elektrisch isolierende Teile (7) voneinander getrennt
sind und mit einer am Pluspol (14) der Spannungsquelle (12) angeschlossenen leitenden Elektrode (30)
in Kontakt stehen.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
(1) aus η-leitendem Galliumarsenid mit höchstens 1012 freien Ladungsträgern pro cm3
besteht, und daß der Elektrolyt (11) eine basische Lösung von Kaliumchromat ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) ein Plättchen
mit einer Dicke von 200 Mikrometer ist, und daß die von der Spannungsquelle (12) erzeugte Potentialdifferenz
20 V beträgt.
20
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7520398A FR2315763A1 (fr) | 1975-06-27 | 1975-06-27 | Installation de realisation de micro-canaux dans un corps semi-conducteur, en particulier de micro-canaux multiplicateurs d'electrons |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2628381A1 DE2628381A1 (de) | 1976-12-30 |
DE2628381B2 true DE2628381B2 (de) | 1978-11-16 |
DE2628381C3 DE2628381C3 (de) | 1979-07-12 |
Family
ID=9157238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762628381 Granted DE2628381B2 (de) | 1975-06-27 | 1976-06-24 | Vorrichtung zum Bohren von Mikrokanälen zwischen zwei einander gegenüberliegenden Flächen eines n-leitenden Halbleiterkörpers |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS524785A (de) |
DE (1) | DE2628381B2 (de) |
FR (1) | FR2315763A1 (de) |
GB (1) | GB1530509A (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5488772A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Nec Corp | Local etching method for semiconductor device |
JPS5513960A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Mesa forming method |
US6387247B1 (en) | 1999-09-03 | 2002-05-14 | Shell Oil Company | Feed injection system for catalytic cracking process |
JPWO2002075800A1 (ja) * | 2001-03-19 | 2004-07-08 | 三菱電機株式会社 | 電気化学エッチング装置及びその方法並びにその製造物 |
JP4743102B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-08-10 | パナソニック電工株式会社 | 曲面の形成方法 |
US7749868B2 (en) | 2005-05-18 | 2010-07-06 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Process of forming a curved profile on a semiconductor substrate |
JP4862642B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2012-01-25 | パナソニック電工株式会社 | 曲面の形成方法 |
EP1881890A2 (de) | 2005-05-18 | 2008-01-30 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Verfahren zur herstellung einer optischen linse |
JP4586797B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP4586796B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP4586798B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-24 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP4862407B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2012-01-25 | パナソニック電工株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP5010253B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-08-29 | パナソニック株式会社 | 半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法 |
JP5010252B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-08-29 | パナソニック株式会社 | 半導体レンズの製造方法 |
JP5427062B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板のエッチング方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1975
- 1975-06-27 FR FR7520398A patent/FR2315763A1/fr active Granted
-
1976
- 1976-06-24 DE DE19762628381 patent/DE2628381B2/de active Granted
- 1976-06-24 GB GB2642276A patent/GB1530509A/en not_active Expired
- 1976-06-28 JP JP7630576A patent/JPS524785A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2315763B1 (de) | 1979-02-02 |
FR2315763A1 (fr) | 1977-01-21 |
DE2628381C3 (de) | 1979-07-12 |
DE2628381A1 (de) | 1976-12-30 |
JPS524785A (en) | 1977-01-14 |
GB1530509A (en) | 1978-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2628381C3 (de) | ||
DE1639152C3 (de) | Sonnenzellenbattene und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2036139A1 (de) | Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen | |
DE1080696B (de) | Transistor, insbesondere Unipolartransistor, mit einem ebenen Halbleiterkoerper und halbleitenden, zylindrischen Zaehnen auf dessen Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1092131B (de) | Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1045548B (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Halbleiterkristallgleichrichters mit negativen Widerstandseigenschaften, insbesondere zur Erzeugung von Schwingungen | |
DE1207015B (de) | Transistor, insbesondere Unipolartransistor mit einem plattenfoermigen Halbleiterkoerper eines Leitungstyps und Verfahren zum Herstellen | |
DE2712114C2 (de) | Schaltbare Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2917654A1 (de) | Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen | |
DE2249832C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Verdrahtungsschicht und Anwendung des Verfahrens zum Herstellen von Mehrschichtenverdrahtungen | |
DE2023219B2 (de) | Programmierbarer Halbleiter-Festwertspeicher | |
DE2631684A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur gewinnung von zink aus einer alkalischen zinkatloesung | |
DE1614300B2 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode | |
DE2550346A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrisch isolierenden bereiches in dem halbleiterkoerper eines halbleiterbauelements | |
DE2031082C2 (de) | Planares Halbleiterbauelement | |
DE2500235C2 (de) | Ein-PN-Übergang-Planartransistor | |
DE1021955B (de) | Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung | |
DE1293900B (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement | |
DE1614250C3 (de) | Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen | |
DE1212221B (de) | Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und zwei sperrfreien Basiselektroden | |
DE1614219A1 (de) | Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode | |
DE2357640B2 (de) | Kontaktierung eines planaren Gunn-Effekt-Halbleiterbauelementes | |
DE1564136C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE1489052C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2633038A1 (de) | Elektrolumineszierende vorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |