DE1170081B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von HalbleiterbauelementenInfo
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Family
ID=7550288
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| DE (1) | DE1170081B (forum.php) |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| FR1163048A (fr) * | 1955-09-02 | 1958-09-22 | Gen Electric Co Ltd | Diffusion différentielle d'impuretés dans les semi-conducteurs |
| GB836851A (en) * | 1956-09-26 | 1960-06-09 | Gen Electric | Improvements in semiconductor devices and methods of making same |
| DE1094371B (de) * | 1955-07-21 | 1960-12-08 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode auf einem aus Germanium bestehenden halbleitenden Koerper |
| DE1101624B (de) * | 1958-06-27 | 1961-03-09 | Ibm Deutschland | Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode an einer Halbleiteranordnung |
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1962
- 1962-03-24 DE DET21831A patent/DE1170081B/de active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1094371B (de) * | 1955-07-21 | 1960-12-08 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode auf einem aus Germanium bestehenden halbleitenden Koerper |
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| GB836851A (en) * | 1956-09-26 | 1960-06-09 | Gen Electric | Improvements in semiconductor devices and methods of making same |
| DE1101624B (de) * | 1958-06-27 | 1961-03-09 | Ibm Deutschland | Verfahren zur Herstellung einer Legierungselektrode an einer Halbleiteranordnung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1170081C2 (forum.php) | 1964-11-26 |
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