DE1170081B - Method for manufacturing semiconductor components - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor components

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Description

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, insbesondere Transistoren, durch Einlegieren von Elektroden und Diffusion eines Aktivators aus der Legierungszone, bei dem in einen Halbleiterkörper auf der einen Seite mindestens zwei Elektroden in einem solchen Abstand voneinander einlegiert werden, daß die aus den Legierungszonen herausdiffundierten Zonen ineinander übergehen und eine einheitliche Diffusionszone bilden.Method of manufacturing semiconductor devices. The invention relates to a method for manufacturing semiconductor components, in particular transistors, by alloying electrodes and diffusion of an activator from the alloy zone, with at least two electrodes in a semiconductor body on one side be alloyed at such a distance from each other that those from the alloy zones outdiffused zones merge into one another and a uniform diffusion zone form.

Dieses bekannte Verfahren findet beispielsweise bei der Herstellung von Transistoren Anwendung, bei denen die Emitterzone des Transistors in einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Kollektorzone einlegiert und die Basiszone aus der Emitterzone eindiffundiert wird. Die durch Diffusion aus der Emitterzone hergestellte Basiszone wird dann durch eine nichtsperrende Elektrode kontaktiert, die auf der Emitterseite in den Halbleiterkörper einlegiert wird.This known method takes place, for example, during manufacture of transistors application, in which the emitter zone of the transistor in a semiconductor body of the conductivity type of the collector zone and the base zone from the emitter zone is diffused. The base zone produced by diffusion from the emitter zone is then contacted by a non-blocking electrode on the emitter side is alloyed into the semiconductor body.

Zum Herstellen eines niederohmigen Basisanschlusses wird der Halbleiterkörper eines solchen Transistors vor dem Legieren der Emitterzone mit einer Oberflächendiffusionsschicht auf der Emitterseite versehen, die den Zweck hat, den Bereich zwischen der Emitterelektrode und der Basiselektrode niederohmig zu machen.To produce a low-resistance base connection, the semiconductor body of such a transistor prior to alloying the emitter zone with a surface diffusion layer provided on the emitter side, which has the purpose of the area between the emitter electrode and to make the base electrode low-resistance.

Untersuchungen haben ergeben, daß eine solche Vordiffusion eingespart werden kann und sogar bessere Ergebnisse zu erzielen sind, wenn das Legieren und Diffundieren aus der Legierungszone wiederholt werden. Die Erfindung besteht deshalb darin, daß bei einem Verfahren der eingangs genannten Art nach dem Herstellen der Diffusionszone das Elektrodenmaterial in einem weiteren Prozeß durch diese Diffusionszone durchlegiert und aus der Legierungszone nochmals eine Diffusionszone herausdiffundiert wird.Investigations have shown that such a prediffusion saves can be and even better results are achieved when alloying and Diffusing out of the alloy zone can be repeated. The invention therefore exists that in a method of the type mentioned after the manufacture of the Diffusion zone the electrode material in a further process through this diffusion zone alloyed through and another diffusion zone diffused out of the alloy zone will.

Es empfiehlt sich, darauf zu achten, daß während des Legierungs- und Diffusionsprozesses keine Verarmung des Dotierungsmaterials in der Legierungsschmelze aufrtitt, welche beispielsweise durch Abdampfen oder chemische Reaktion entstehen kann. Eine solche Verarmung läßt sich beispielsweise dadurch verhindern, daß die Legierung bzw. Diffusion in einer Atmosphäre erfolgt, welche Dotierungsmaterial im dampfförmigen Zustand enthält.It is advisable to ensure that during the alloying and Diffusion process no depletion of the doping material in the alloy melt occurs, which are caused, for example, by evaporation or chemical reaction can. Such a depletion can be prevented, for example, that the Alloy or diffusion takes place in an atmosphere, which doping material contains in the vaporous state.

Ist der Halbleiterkörper beispielsweise vom ersten Leitungstyp, so kann eine Legierungszone ebenfalls vom ersten Leitungstyp sein und aus dieser Legierungszone eine Zone vom zweiten Leitungstyp herausdiffundiert werden. Anschließend wird die Legierungszone vom ersten Leitungstyp durch die Diffusionszone vom zweiten Leitungstyp durchlegiert und eine Zone vom zweiten Leitungstyp aus der durchlegierten Zone herausdiffundiert.If the semiconductor body is of the first conductivity type, for example, then so an alloy zone can also be of the first conductivity type and from this alloy zone a zone of the second conductivity type can be diffused out. Then the Alloy zone of the first conductivity type through the diffusion zone of the second conductivity type alloyed through and a zone of the second conductivity type diffuses out of the alloyed through zone.

Der Halbleiterkörper kann beispielsweise den Leitungstyp der Basiszone oder der Kollektorzone besitzen. Die auf der einen Seite in den Halbleiterkörper einlegierten Legierungszonen werden in bekannter Weise in einem solchen Abstand voneinander einlegiert; daß die aus diesen Legierungszonen herausdiffundierten Zonen ineinander übergehen.The semiconductor body can, for example, have the conductivity type of the base zone or the collector zone. On the one hand in the semiconductor body Alloyed alloy zones are in a known manner at such a distance alloyed from each other; that the zones diffused out of these alloy zones merge.

Im allgemeinen ist auf der einen Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Legierungspille vorzusehen, bei der der Leitungstyp der Legierungszone mit dem Leitungstyp der aus der Legierungszone herausdiffundierten Zone übereinstimmt. Diese Legierungszonen) und die aus ihnen herausdiffundierte Zone(n) können den ersten oder zweiten Leitungstyp aufweisen.In general, there is at least one side of the semiconductor body to provide an alloy pill in which the conductivity type of the alloy zone with corresponds to the conductivity type of the zone diffused out of the alloy zone. These alloy zones and the zone (s) diffused out of them can be the first or have the second type of conduction.

Die aus den Legierungszonen herausdiffundierten Zonen haben im allgemeinen den Leitungstyp der Basiszone. Die Tiefe der aus der. durchlegierten Zone herausdiffundierten Zone ist zwckmäßig geringer als die Tiefe der ersten Diffusionszone.The zones diffused out of the alloy zones generally have the line type of the base zone. The depth of the. through-alloyed zone diffused out Zone is suitably less than the depth of the first diffusion zone.

Bei einem speziellen Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung werden in einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Kollektorzone auf der einen Seite zwei Legierungszonen vom Leitungstyp der Basiszone einlegiert und aus diesen Legierungszonen Zonen vom Leitungstyp der Basiszone herausdiffundiert. Anschließend wird auf den metallischen Teil einer der beiden zur Herstellung der Legierungszonen auf den Halbleiterkörper aufgebrachten Legierungspillen Dotierungsmaterial vom ersten Leitungstyp aufgebracht. Daraufhin werden beide Legierungszonen durch die herausdiffundierten Zonen durchlegiert, und aus den durchlegierten Zonen werden Zonen vom Leitungstyp der Basiszone herausdiffundiert.In a special embodiment of the method according to the invention are in a semiconductor body of the conductivity type of the collector zone on the one hand Side two alloy zones of the conductivity type of the base zone alloyed in and from these Alloy zones zones of the conductivity type of the base zone diffused out. Afterward is applied to the metallic part of one of the two to produce the alloy zones on the semiconductor body applied alloy pills doping material from the first Line type applied. Thereupon both alloy zones are diffused out through the Zones through-alloyed, and the through-alloyed zones become zones of the conductivity type Base zone diffuses out.

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel mit Hilfe der F i g. 1 und 2 näher erläutert werden. Die auf der einen Seite nach F i g. 1 in einen Halbleiterkörper 1 vom p-Leitungstyp einlegierten Legierungspillen 2 und 3 vom n-Leitungstyp werden zunächst am Halbleiterkörper nur anlegiert. Die genannten Legierungspillen bestehen beispielsweise aus Blei-Antimon. Nach dem Anlegieren wird auf eine der beiden Legierungspillen Aluminium 4 aufgebracht, und zwar im Ausführungsbeispiel auf die Legierungspille 2, wodurch diese ebenfalls wie der Halbleiterkörper 1 p-leitend wird. Danach werden beide Pillen 2 und 3 in den Halbleiterkörper 1 einlegiert und aus den Legierungszonen die im Bereich 5 ineinander übergehenden n-leitenden Diffusionszonen 6 und 7 herausdiffundiert. Anschließend wird die Temperatur so weit erhöht, daß durch einen erneuten Legierungsprozeß die aus den ersten Legierungszonen herausdiffundierten Zonen 6 und 7 durchlegiert werden und damit verschwinden. In F i g. 2 der beigefügten Zeichnung sind dann die in den nächsten Verfahrensschritten entstandenen Zonen eingezeichnet. Durch Halten der Temperatur entstehen die diffundierten Zonen 8 und 9 vom gleichen Leitungstyp wie die ursprünglichen Zonen 6 und 7. Die Diffusionszone 5 hat sich um den Bereich 12 erweitert. Beim Abkühlen des Halbleiterkörpers entstehen durch Rekristallisation die Zonen 10 und 11, wobei sich in die Rekristallisationszone 10 das auf die Pille 2 aufgebrachte Aluminium 4 eingebaut hat. Die Zone 10 wird also p-leitend, während die Zone 11 n-leitend bleibt.The invention is intended to be based on an exemplary embodiment with the aid of FIGS. 1 and 2 are explained in more detail. On the one hand according to FIG. 1 alloy pills 2 and 3 of the n-conductivity type alloyed into a semiconductor body 1 of the p-conductivity type are initially only alloyed to the semiconductor body. The alloy pills mentioned consist, for example, of lead-antimony. After the alloying, aluminum 4 is applied to one of the two alloy pills, specifically to the alloy pill 2 in the exemplary embodiment, as a result of which this, like the semiconductor body 1, also becomes p-conductive. The two pills 2 and 3 are then alloyed into the semiconductor body 1 and the n-conductive diffusion zones 6 and 7, which merge into one another in the region 5, are diffused out of the alloy zones. The temperature is then increased to such an extent that the zones 6 and 7 which have diffused out of the first alloy zones are completely alloyed through a new alloying process and thus disappear. In Fig. 2 of the accompanying drawing then shows the zones created in the next process steps. By maintaining the temperature, the diffused zones 8 and 9 of the same conductivity type as the original zones 6 and 7 are created. The diffusion zone 5 has expanded by the area 12. When the semiconductor body cools, the zones 10 and 11 are created by recrystallization, the aluminum 4 applied to the pill 2 having built into the recrystallization zone 10. Zone 10 therefore becomes p-conductive, while zone 11 remains n-conductive.

Bei dem nach diesem Verfahren hergestellten Transistor wird die Kollektorzone durch den eigentlichen Halbleiterkörper 1 gebildet. Die durch Diffusion nach dem Durchlegieren erzeugte n-leitende Zone 8 bildet die Basiszone und die Rekristallisationszone 10 die p-leitende Emitterzone. Die Kontaktierung der Basiszone 8 erfolgt über die durch die Bereiche 5 und 12 gebildete Brücke mit Hilfe der Legierungspille 3, deren Rekristallisationszone 11 den Leitungstyp der Basiszone hat.In the transistor manufactured by this method, the collector zone formed by the actual semiconductor body 1. The diffusion after the N-conductive zone 8 produced by alloying forms the base zone and the recrystallization zone 10 the p-conducting emitter zone. The base zone 8 is contacted via the by the areas 5 and 12 formed bridge with the help of the alloy pill 3, whose Recrystallization zone 11 has the conductivity type of the base zone.

Geht man statt von einem Grundkörper vom Leitungstyp der Kollektorzone von einem Grundkörper vom Leitungstyp der Basiszone aus und bringt auf der dem Emitter gegenüberliegenden Seite die Kollektorzone in den Halbleiterkörper ein, so läßt sich nach obigem Verfahren ein Drifttransistor herstellen, bei dem die Driftdotierung durch die Diffusion nach dem Durchlegieren hergestellt wird. Der niederohmige Basisanschluß wird auch bei dieser Anordnung durch die Diffusionsbrücke in Verbindung mit der Legierungspille erzielt.If one goes instead of a base body of the conduction type of the collector zone from a base body of the conductivity type of the base zone and brings on the emitter opposite side the collector zone in the semiconductor body, so lets Using the above method, a drift transistor can be produced in which the drift doping is produced by diffusion after alloying through. The low-resistance base connection is also in this arrangement by the diffusion bridge in connection with the Alloy pill scored.

Es ist selbstverständlich auch möglich, an Stelle einer einzigen Basispille - Pille 3 im oben beschriebenen Ausführungsbeispiel - mehrere Basispillen oder einen Basisring in den Halbleiterkörper 1 einzulegieren.It is of course also possible instead of a single basic pill - Pill 3 in the embodiment described above - several basic pills or one Alloy the base ring in the semiconductor body 1.

Claims (12)

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, insbesondere Transistoren, durch Einlegieren von Elektroden und Diffusion eines Aktivators aus der Legierungszone, bei dem in einen Halbleiterkörper auf der einen Seite mindestens zwei Elektroden in einem solchen Abstand voneinander einlegiert werden, daß die aus den Legierungszonen herausdiffundierten Zonen ineinander übergehen und eine einheitliche Diffusionszone bilden, dadurch gekennzeichn e t, daß nach dem Herstellen dieser Diffusionszone das Elektrodenmaterial in einem weiteren Prozeß durch diese Diffusionszone durchlegiert und dann aus der Legierungszone nochmals eine zweite Diffusionszone herausdiffundiert wird. Claims: 1. Method for manufacturing semiconductor components, especially transistors, by alloying electrodes and diffusing one Activator from the alloy zone, in which in a semiconductor body on the one hand Side at least two electrodes are alloyed at such a distance from each other that the zones diffused out of the alloy zones merge into one another and form a uniform diffusion zone, characterized in that after the production of this diffusion zone, the electrode material in a further process alloyed through through this diffusion zone and then out of the alloy zone again a second diffusion zone is diffused out. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, die eine Verarmung des Dotierungsmaterials in der Legierungsschmelze, welche beispielsweise durch Abdampfen oder chemische Reaktion auftritt, während des Legierungs- und Diffusionsprozesses verhindern. 2. The method according to claim 1, characterized in that means are provided which deplete the doping material in the alloy melt, which for example by evaporation or chemical Prevent reaction from occurring during the alloying and diffusion process. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Legieren und/oder die Diffusion in einer Atmosphäre erfolgen, die Dotierungsmaterial im dampfförmigen Zustand enthält. 3. Method according to claim 1, characterized in that the alloying and / or the Diffusion takes place in an atmosphere, the doping material in vaporous Condition contains. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem in einen Halbleiterkörper (1) vom ersten Leitungstyp eine Legierungszone vom ersten Leitungstyp einlegiert und aus dieser Legierungszone eine Zone vom zweiten Leitungstyp herausdiffundiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß dann die Legierungszone vom ersten Leitungstyp durch die Diffusionszone vom zweiten Leitungstyp durchlegiert und eine Zone vom zweiten Leitungstyp aus der durchlegierten Zone herausdiffundiert wird. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein in one Semiconductor body (1) of the first conductivity type, an alloy zone of the first conductivity type alloyed and a zone of the second conductivity type diffuses out of this alloy zone is, characterized in that then the alloy zone of the first conductivity type through-alloyed through the diffusion zone of the second conductivity type and a zone from second type of conduction is diffused out of the alloyed zone. 5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper den Leitungstyp der Basiszone aufweist. 5. Procedure according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor body has the conductivity type of the base zone. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper den Leitungstyp der Kollektorzone aufweist. 6. Method according to one of the preceding Claims, characterized in that the semiconductor body has the conductivity type of Has collector zone. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der einen Seite des Halbleiterkörpers mindestens eine Legierungspille vorgesehen ist, bei der der Leitungstyp der Legierungszone mit dem Leitungstyp der aus der Legierungszone herausdiffundierten Zone übereinstimmt. B. 7. The method according to any one of the preceding claims, characterized characterized in that at least one alloy pill on one side of the semiconductor body is provided in which the conduction type of the alloy zone with the conduction type of zone diffused out of the alloy zone. B. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die aus den Legierungszonen herausdiffundierten Zonen den Leitungstyp der Basiszone aufweisen. Procedure according to one of the preceding claims, characterized in that the alloy zones outdiffused zones have the conductivity type of the base zone. 9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Tiefe der aus der durchlegierten Zone herausdiffundierten Zone geringer ist als die Tiefe der ersten Diffusionszone(n). 9. Procedure according to one of the preceding claims, characterized in that the depth of the zone diffused out of the alloyed-through zone is less than the depth the first diffusion zone (s). 10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Kollektorzone auf der einen Seite zwei Legierungszonen vom Leitungstyp der Basiszone einlegiert werden, daß aus diesen Legierungszonen Zonen vom Leitungstyp der Basiszone herausdiffundiert werden, das auf den metallischen Teil einer der beiden zur Herstellung der Legierungszonen auf den Halbleiterkörper aufgebrachten Legierungspillen Dotierungsmaterial vom ersten Leitungstyp aufgebracht wird, daß anschließend beide Legierungszonen durch die aus diesen Zonen herausdiffundierten Zonen durchlegiert werden und daß schließlich aus den durchlegierten Zonen Zonen vom Leitungstyp der Basiszone herausdiffundiert werden. 10. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the collector zone in a semiconductor body of the conductivity type on one side two alloy zones of the conductivity type of the base zone are alloyed be that from these alloy zones zones of the conductivity type of the base zone diffuses out on the metallic part of one of the two to produce the alloy zones on the semiconductor body applied alloy pills doping material from the first Line type applied is that then both alloy zones be alloyed through by the zones diffused out of these zones and that finally, zones of the conductivity type of the base zone diffused out of the alloyed zones will. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf die eine Oberfläche eines Halbleiterkörpers (1) vom p-Leitungstyp zwei Legierungspillen (2, 3) aus Blei-Antimon aufgebracht und am Halbleiterkörper (1) anlegiert werden, daß anschließend auf eine der beiden Legierungspillen (2) Aluminium (4) aufgebracht wird, daß dann beide Legierungspillen (2, 3) in den Halbleiterkörper (1) einlegiert und aus den Legierungszonen Zonen (5, 6, 7) vom n-Leitungstyp herausdiffundiert werden, und daß dann die vom n-Leitungstyp durchlegiert und nochmals Legierungszonen durch die Diffusionszonen (6, 7) Diffusionszonen (8, 9) vom n-Leitungstyp aus den durchlegierten Zonen herausdiffundiert werden. 11. The method according to claim 10, characterized in that on one surface of a semiconductor body (1) of the p-conductivity type two alloy pills (2, 3) made of lead-antimony are applied and alloyed on the semiconductor body (1), that then on one of the two alloy pills (2) aluminum (4) is applied so that both alloy pills (2, 3) are alloyed into the semiconductor body (1) and zones (5, 6, 7) of the n-conductivity type are diffused out of the alloy zones, and then which are alloyed through by the n-conductivity type and alloy zones are again diffused out of the alloyed-through zones through the diffusion zones (6, 7) diffusion zones (8, 9) of the n-conductivity type. 12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in einen Halbleiterkörper vom Leitungstyp der Basiszone eine Legierungszone vom Leitungstyp der Emitterzone einlegiert wird, daß aus dieser Legierungszone eine Zone vom Leitungstyp der Basiszone herausdiffundiert wird, daß anschließend die Legierungszone durch diese Diffusionszone durchlegiert wird und daß schließlich aus der durchlegierten Zone eine Zone vom Leitungstyp der Basiszone herausdiffundiert wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1094 371, 1101624; britische Patentschrift Nr. 836 851; französische Patentschrift Nr. 1163 048.12. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that an alloy zone of the conductivity type of the emitter zone is alloyed into a semiconductor body of the conductivity type of the base zone, that a zone of the conductivity type of the base zone is diffused out of this alloy zone, that then the alloy zone is alloyed through this diffusion zone and that finally a zone of the conductivity type of the base zone is diffused out of the alloyed-through zone. Considered publications: German Auslegeschriften No. 1094 371, 1101 624; British Patent No. 836,851; French patent specification No. 1163 048.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1163048A (en) * 1955-09-02 1958-09-22 Gen Electric Co Ltd Differential diffusion of impurities in semiconductors
GB836851A (en) * 1956-09-26 1960-06-09 Gen Electric Improvements in semiconductor devices and methods of making same
DE1094371B (en) * 1955-07-21 1960-12-08 Philips Nv Process for the production of an alloy electrode on a semiconducting body made of germanium
DE1101624B (en) * 1958-06-27 1961-03-09 Ibm Deutschland Method for producing an alloy electrode on a semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1094371B (en) * 1955-07-21 1960-12-08 Philips Nv Process for the production of an alloy electrode on a semiconducting body made of germanium
FR1163048A (en) * 1955-09-02 1958-09-22 Gen Electric Co Ltd Differential diffusion of impurities in semiconductors
GB836851A (en) * 1956-09-26 1960-06-09 Gen Electric Improvements in semiconductor devices and methods of making same
DE1101624B (en) * 1958-06-27 1961-03-09 Ibm Deutschland Method for producing an alloy electrode on a semiconductor device

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