DE1160111B - Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone - Google Patents

Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone

Info

Publication number
DE1160111B
DE1160111B DEN18819A DEN0018819A DE1160111B DE 1160111 B DE1160111 B DE 1160111B DE N18819 A DEN18819 A DE N18819A DE N0018819 A DEN0018819 A DE N0018819A DE 1160111 B DE1160111 B DE 1160111B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
base
emitter
collector
contact electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN18819A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Pieter Johannes Wilhel Jochems
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1160111B publication Critical patent/DE1160111B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00Bipolar junction transistors [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DEN18819A 1959-08-29 1960-08-25 Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone Pending DE1160111B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE461538 1959-08-29
DEJ19044A DE1160544B (de) 1959-08-29 1960-11-21 Transistor mit einem als Kollektorzone dienenden Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps und einer zylinderfoermigen Erhebung auf der Oberflaeche und Verfahren zum Herstellen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1160111B true DE1160111B (de) 1963-12-27

Family

ID=25655249

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN18819A Pending DE1160111B (de) 1959-08-29 1960-08-25 Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone
DEJ19044A Pending DE1160544B (de) 1959-08-29 1960-11-21 Transistor mit einem als Kollektorzone dienenden Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps und einer zylinderfoermigen Erhebung auf der Oberflaeche und Verfahren zum Herstellen

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEJ19044A Pending DE1160544B (de) 1959-08-29 1960-11-21 Transistor mit einem als Kollektorzone dienenden Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps und einer zylinderfoermigen Erhebung auf der Oberflaeche und Verfahren zum Herstellen

Country Status (2)

Country Link
DE (2) DE1160111B (OSRAM)
NL (1) NL254896A (OSRAM)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1186637A (fr) * 1956-11-23 1959-08-28 Pye Ltd Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
FR1196023A (fr) * 1957-11-20 1959-11-20 Thomson Houston Comp Francaise Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2814853A (en) * 1956-06-14 1957-12-03 Power Equipment Company Manufacturing transistors
DE1080696B (de) * 1956-12-10 1960-04-28 Stanislas Teszner Transistor, insbesondere Unipolartransistor, mit einem ebenen Halbleiterkoerper und halbleitenden, zylindrischen Zaehnen auf dessen Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung
FR1223418A (fr) * 1959-01-07 1960-06-16 Dispositifs à semi-conducteur à deux bornes à résistance différentielle négative
FR1223593A (fr) * 1959-01-30 1960-06-17 Perfectionnements aux transistors à effet de champ pour réseaux à deux bornes à résistance différentielle négative

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1186637A (fr) * 1956-11-23 1959-08-28 Pye Ltd Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
FR1196023A (fr) * 1957-11-20 1959-11-20 Thomson Houston Comp Francaise Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés

Also Published As

Publication number Publication date
DE1160544B (de) 1964-01-02
NL254896A (OSRAM)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE977615C (de) Verfahren zur Herstellung eines fuer Signaluebertragungsvorrichtungen bestimmten Halbleiterelements
DE1282196B (de) Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge
DE1018557B (de) Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper
DE1151323B (de) Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper mit mindestens einer plateauartigen Erhoehung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1116321B (de) Verfahren zum Einlegieren der Emitterelektrode eines Transistors
DE1093484B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- oder npn-Leistungstransistoren
DE1414538A1 (de) Unterschiedliche Leitfaehigkeitszonen aufweisende Halbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1514335B1 (de) Flaechentransistor
DE1034272B (de) Unipolartransistor-Anordnung
DE1036394B (de) Verfahren zur Erzeugung einer pn-Verbindung in einem p-Typ-Koerper aus Silizium
DE1589543A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Weichlotkontaktierung
DE1160111B (de) Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone
DE1217502B (de) Unipolartransistor mit einer als duenne Oberflaechenschicht ausgebildeten stromfuehrenden Zone eines Leitungstyps und Verfahren zum Herstellen
DE1170082B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1112585B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
DE1262388B (de) Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet
DE1911335A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1060053B (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit einem mehrschichtigen Halbleiter mit verschiedenem Gehalt an Halogen und elektropositiven Zusaetzen in den einzelnen Schichten
DE1080695B (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektrodensystems mit einem halbleitenden Koerper und mindestens einer Legierungselektrode
AT227779B (de) Gekapselte Halbleiterdiode mit PN-Übergang
DE2457106A1 (de) Thyristor
DE2332574A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung
DE1489168C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter und Verfahren zu dessen Herstellung
CH406439A (de) Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper
AT234844B (de) Halbleiter-Bauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und vier Zonen abwechselnden Leitfähigkeitstyps