FR1196023A - Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés - Google Patents

Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés

Info

Publication number
FR1196023A
FR1196023A FR1196023DA FR1196023A FR 1196023 A FR1196023 A FR 1196023A FR 1196023D A FR1196023D A FR 1196023DA FR 1196023 A FR1196023 A FR 1196023A
Authority
FR
France
Prior art keywords
transistrons
segregations
impurities
different
semiconductor devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Compagnie Francaise Thomson Houston SA
Original Assignee
Compagnie Francaise Thomson Houston SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Compagnie Francaise Thomson Houston SA filed Critical Compagnie Francaise Thomson Houston SA
Application granted granted Critical
Publication of FR1196023A publication Critical patent/FR1196023A/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
FR1196023D 1957-11-20 1957-11-20 Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés Expired FR1196023A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1196023T 1957-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR1196023A true FR1196023A (fr) 1959-11-20

Family

ID=9668983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1196023D Expired FR1196023A (fr) 1957-11-20 1957-11-20 Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR1196023A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160111B (de) * 1959-08-29 1963-12-27 Philips Nv Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160111B (de) * 1959-08-29 1963-12-27 Philips Nv Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR1175953A (fr) Amélioration dans la construction de dispositifs semi-conducteurs
FR1231408A (fr) Perfectionnements à des dispositifs réfrigérateurs thermoélectriques
FR1176057A (fr) Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
FR1210987A (fr) Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
BE595672A (fr) Dispositifs à semiconducteurs utilisant des films épitaxiaux
FR1237461A (fr) Production de bandes d'acier au silicium à double orientation
FR1196023A (fr) Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés
FR1225813A (fr) Dispositifs à semi-conducteurs
BE583030A (fr) Perfectionnements relatifs au refroidissement de dispositifs semi-conducteurs
FR1215340A (fr) Traitement de dispositifs semi-conducteurs
FR1301942A (fr) Dispositifs à semi-conducteur dits tecnetrons pour redressement commandé et limitation de forts courants électriques
FR1188498A (fr) Perfectionnements aux dispositifs à semi-conducteurs
FR1142434A (fr) Perfectionnement apporté au curseur des fermetures à curseur
FR1196024A (fr) Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage et variation de ségrégation
FR1214363A (fr) Dispositifs à amplificateur magnétique
FR1186637A (fr) Perfectionnements aux dispositifs semi-conducteurs
FR1211632A (fr) Perfectionnements à la coulée des métaux
FR1247542A (fr) Perfectionnements à l'affinage du grain de métaux par réduction de la grosseur degrain
FR1294731A (fr) Perfectionnements aux dispositifs thermo-électriques à semi-conducteurs
FR1165280A (fr) Manipulateur à billettes
FR1209962A (fr) Perfectionnements à la polymérisation des oléfines
FR1211934A (fr) Perfectionnements aux dispositifs conformateurs d'impulsions et aux lignes à retard
FR1294062A (fr) Perfectionnements aux dispositifs à semi-conducteurs
FR1308461A (fr) Perfectionnements aux dispositifs à semi-conducteurs
FR82555E (fr) Perfectionnements aux dispositifs à semiconducteurs