FR1196023A - Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés - Google Patents

Dispositifs à semi-conducteurs ou transistrons obtenus par alliage ternaire et ségrégations différentes des impuretés

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1160111B (de) * 1959-08-29 1963-12-27 Philips Nv Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1160111B (de) * 1959-08-29 1963-12-27 Philips Nv Diffusionstransistor mit einer diffundierten Basiszone

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