FR1223593A - Perfectionnements aux transistors à effet de champ pour réseaux à deux bornes à résistance différentielle négative - Google Patents

Perfectionnements aux transistors à effet de champ pour réseaux à deux bornes à résistance différentielle négative

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1156898B (de) * 1960-08-10 1963-11-07 Siemens Ag Unipolartransistor mit einem oder mehreren steuerbaren Strompfaden auf einer Halbleiterplatte und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1160544B (de) * 1959-08-29 1964-01-02 Intermetall Transistor mit einem als Kollektorzone dienenden Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps und einer zylinderfoermigen Erhebung auf der Oberflaeche und Verfahren zum Herstellen
DE1208414B (de) * 1959-12-14 1966-01-05 Westinghouse Electric Corp Betriebsschaltung eines Mehrfach-Halbleiterbauelements aus einer Halbleiterscheibe und mehreren Elektroden auf der einen Hauptoberflaeche und Ausbildung des Halbleiterbauelements

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1160544B (de) * 1959-08-29 1964-01-02 Intermetall Transistor mit einem als Kollektorzone dienenden Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps und einer zylinderfoermigen Erhebung auf der Oberflaeche und Verfahren zum Herstellen
DE1208414B (de) * 1959-12-14 1966-01-05 Westinghouse Electric Corp Betriebsschaltung eines Mehrfach-Halbleiterbauelements aus einer Halbleiterscheibe und mehreren Elektroden auf der einen Hauptoberflaeche und Ausbildung des Halbleiterbauelements
DE1156898B (de) * 1960-08-10 1963-11-07 Siemens Ag Unipolartransistor mit einem oder mehreren steuerbaren Strompfaden auf einer Halbleiterplatte und Verfahren zu seiner Herstellung

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