DE1152197B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen durch pyrolytisches Aufbringen von Halbleiterschichten auf eine Halbleiterunterlage - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen durch pyrolytisches Aufbringen von Halbleiterschichten auf eine Halbleiterunterlage

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1218067B (de) 1961-07-22 1966-06-02 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1236481B (de) 1962-02-02 1967-03-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der Gasphase
DE1237696B (de) 1962-05-29 1967-03-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1240997B (de) 1962-02-02 1967-05-24 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1279851B (de) * 1962-08-31 1968-10-10 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines eine Querschnittsverminderung aufweisenden Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen
DE1297080B (de) * 1964-02-21 1969-06-12 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen duenner Schichten aus metallischen und/oder halbleitenden Stoffen auf einem Traeger
DE1297085B (de) * 1964-01-10 1969-06-12 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
DE1297586B (de) * 1965-04-20 1969-06-19 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Verfahren zur Herstellung epitaktischer Halbleiterschichten mit Hilfe einer chemischen Transportreaktion
DE1639545B1 (de) * 1961-08-21 1969-09-04 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Zonen unterschiedlichen Leitungstyp

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1137807B (de) * 1961-06-09 1962-10-11 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
GB1010895A (en) * 1961-06-16 1965-11-24 Merck & Co Inc Semiconductor material
NL296876A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1962-08-23
US3447977A (en) * 1962-08-23 1969-06-03 Siemens Ag Method of producing semiconductor members
US3316130A (en) * 1963-05-07 1967-04-25 Gen Electric Epitaxial growth of semiconductor devices
DE1289829B (de) * 1963-05-09 1969-02-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Halbleiterschicht durch Abscheidung aus einem Reaktionsgas
DE1238105B (de) * 1963-07-17 1967-04-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von pn-UEbergaengen in Silizium
US3345209A (en) * 1964-04-02 1967-10-03 Ibm Growth control of disproportionation process
DE1544187A1 (de) * 1964-04-25 1971-03-04 Fujitsu Ltd Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen durch Abscheidung aus der Gasphase
DE1289832B (de) * 1964-08-21 1969-02-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Herstellung planer Oberflaechen von aus der Gasphase abgeschiedenen Halbleiterkristallschichten
GB1066911A (en) * 1965-01-01 1967-04-26 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor devices
DE1287047B (de) * 1965-02-18 1969-01-16 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
FR1447257A (fr) * 1965-05-25 1966-07-29 Centre Nat Rech Scient Procédé pour effectuer des dépôts de matériaux volatils par croissance cristalline sur des supports solides
DE1289830B (de) * 1965-08-05 1969-02-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden A B-Verbindungen
US3511702A (en) * 1965-08-20 1970-05-12 Motorola Inc Epitaxial growth process from an atmosphere composed of a hydrogen halide,semiconductor halide and hydrogen
JPS49108971A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1973-02-20 1974-10-16
JPS49121479A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1973-03-20 1974-11-20
JPS50120967A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1974-03-11 1975-09-22
US5302230A (en) * 1980-02-27 1994-04-12 Ricoh Company, Ltd. Heat treatment by light irradiation
GB2196019A (en) * 1986-10-07 1988-04-20 Cambridge Instr Ltd Metalorganic chemical vapour deposition

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865160C (de) * 1951-03-07 1953-01-29 Western Electric Co Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper
DE1063870B (de) * 1956-06-28 1959-08-20 Gustav Weissenberg Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2470305A (en) * 1944-04-19 1949-05-17 Int Alloys Ltd Process for the production and refining of aluminium
US2607675A (en) * 1948-09-06 1952-08-19 Int Alloys Ltd Distillation of metals
BE527032A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1953-03-19
US2898248A (en) * 1957-05-15 1959-08-04 Ibm Method of fabricating germanium bodies

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865160C (de) * 1951-03-07 1953-01-29 Western Electric Co Verfahren zur Erzeugung einer Germaniumschicht auf einem Germaniumkoerper
DE1063870B (de) * 1956-06-28 1959-08-20 Gustav Weissenberg Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1218067B (de) 1961-07-22 1966-06-02 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1639545B1 (de) * 1961-08-21 1969-09-04 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit Zonen unterschiedlichen Leitungstyp
DE1236481B (de) 1962-02-02 1967-03-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Abscheiden des Halbleiterstoffes aus der Gasphase
DE1240997B (de) 1962-02-02 1967-05-24 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1237696B (de) 1962-05-29 1967-03-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-Bauelementen mit einem einkristallinen Halbleiterkoerper
DE1279851B (de) * 1962-08-31 1968-10-10 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines eine Querschnittsverminderung aufweisenden Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen
DE1297085B (de) * 1964-01-10 1969-06-12 Siemens Ag Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
DE1297080B (de) * 1964-02-21 1969-06-12 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen duenner Schichten aus metallischen und/oder halbleitenden Stoffen auf einem Traeger
DE1297586B (de) * 1965-04-20 1969-06-19 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Verfahren zur Herstellung epitaktischer Halbleiterschichten mit Hilfe einer chemischen Transportreaktion

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NL268294A (cg-RX-API-DMAC10.html)
US3142596A (en) 1964-07-28
BE607735A (fr) 1961-12-18

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