DE2021460A1

DE2021460A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen

Info

Publication number: DE2021460A1
Application number: DE19702021460
Authority: DE
Inventors: Verkuijlen Wilhelmus Gerardus; Theunissen Matthias Joh Joseph
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1969-05-07
Filing date: 1970-05-02
Publication date: 1970-11-12
Also published as: NL6907023A; US3677846A; FR2044772A1; FR2044772B1; GB1313167A

Description

■ : ._Λ.|_ PHN

Ing. (grad.) GONTHER M. DAVID va/Rj

Annis:Jti:lV.:^v--'-^S^L0LLAM?iNF;-^B
Akts. PHN- 4052

vom: 29· April 1970

"Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen".

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Anzahl Halbleiteranordnungen aus demselben plattenförmigen Halbleiterkörper, bei dem auf einer Seite eines aus Halbleitermaterial bestehenden plattenförmigen Substrats eine sich über eine Oberfläche dieses Substrats erstreckende Zone aus einem Halbleitermaterial gebildet wird, das wenigstens an der Grenzfläche mit dem unterliegenden Substrat in bezug auf seine Zusammensetzung und/oder Leitungseigenschaften von dem angrenzenden Subetratmaterial verschieden ist, wonach mit Hilfe eines selektiven elektrolytischen Aetzvorgangs das Substrat unter

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Beibehaltung der betreffenden Zone entfernt wird, welche Zone weiter in einzelne Plättchen aus Halbleitermaterial geteilt wird. Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung .

Es sind bereits verschiedene Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen bekannt, bei denen von einer Seite plattenförmiger, einkristalliner Halbleiterkörper mit z.B. einer Dicke in der Grössenordnung von 100 · 200 /um Material entfernt wird, damit einkristallines Halbleitermaterial sehr geringer Dicke, z.B. in der Grössenordnung von 10-20 /um, erhalten wird. Dabei können diese sehr dünnen Halbleiterscheiben noch in Plättchen geringerer Abmessungen geteilt werden die einzeln verwendet werden können.

Die Herabsetzung der Dicke einer Halbleiterscheibe kann auf bekannte Weise durch Schleif- und/oder Polierbearbeitungen ermielt werden. Dabei ergibt sich die Schwierigkeit, dass sogar bei sehr geringer Krümmung der Scheibe grosse Unterschiede in der Dicke der auf diese Weise behandelten Scheibe auftreten können. Ferner können durch die mechanischen Bearbeitungen Gitterstörungen in dem einkristallinen Material auftreten, die eich bei den angestrebten geringen Dicken sehr leicht von einer bis zu der anderen Seite des plattenförmigen Materials erstrecken können._

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Auch können chemische Aetzverfahren verwendet werden, aber auch in diesem Falle können sehr geringe Unterschiede in der Aetzbeschwindigkeit verhältnismässig grosse Dickenunterschiede herbeiführen, während bei einer gleichmässigen Aetzbehandlung zur Herabsetzung der Dicke verhältnismässAg geringe Dickenunterschiede in der ur-. sprünglichen Scheibe beim Abätzen auf* z.B. ein Zehntel der ursprünglichen Dicke eine Vergrösserung dieser relativen Dickenunterschiede, z.B. bis zu etwa dem Zehnfachen, zur Folge haben» Der Ausdruck "relativ" bezi«üt sich hier auf einen Vergleich mit der mittleren Dicke der Scheibe. Zum Erhalten einer gleichmässigen Dicke sind

Verfahren bekannt, bei denen auf einer ,Seite eines Substrats eine sich längs der Oberfläche erstreckende Zone gebildet wird, die wenigstens an der Grenzfläche mit dem unterliegenden Substrat aus einem Halbleitermaterial besteht, dessen elektrische Eigenschaften von denen des Substratmaterials verschieden sind, wonach mit Hilfe eines selektiven elektrolytischen Aetzvorgangs das Substrat unter Beibehaltung der betreffenden Zone entfernt wird. Eine derartige dünne Zone mit einer gleichmässigen Dicke lässt sich nämlich durch bekannte Verfahren herstellen. So ist es bo kannt, in einem Halbleiterkörper von einem gegebenen Leitungstyp durch Diffusion einer geeigneten Verunreinigung eine Zone gleichmässiger Dicke von entgegengesetztem Leitungstyp anzubringen und anschliessend mit Hilfe eines

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selektiven elektrolytischen Aetzvorgangs das unterliegende Material, das den ursprünglichen Leitungstyp des Körpers aufweist, zu entfernen.

Nach anderen bekannten Verfahren wird eine derartige Zone dadurch gebildet, dass auf einer einkristallinen Halbleiterplatte eine epitaktische Schicht aus einem anderen Halbleitermaterial oder aus dem gleichen Halbleitermaterial, aber mit anderen Leitungseigenschaften» angebracht wird. Bei passender Wahl des Substrats und der epitaktischen Zone kann mit Hilfe eines selektiven elektrolytischen Aetzvorgangs das Material des Substrats entfernt werden, wobei de Aetzwirkung beim Erreichen der Grenzfläche mit der angebrachten Zone beendet wird. So ist es bekannt, einen Halbleiterkörper aus p-leitendem oder niederohmigen η-leitendem Halbleitermaterial, z.B. Germanium oder Silicium, mit einer darauf angebrachten epitaktischen Zone aus dem gleichen Halbleitermaterial, aber vom hochohmigen n-Leitungstyp, einer selektiven elektrolytischen Aetzbehandlung zu unterwerfen. Auch ist es bekannt, auf einem einkristallinen Germaniumkörper epitaktisch eine Zone aus einkristallinem Cadmiumsulfid anzubringen und durch einen selektiven elektrolytischen Aetzvorgang das Germanium zu entfernen. In all diesen Fällen kann eine sehr dünne Halbleiterscheibe gleichmässiger Dicke erhalten werden.

Um aus einer sehr dünnen Scheibe eine Vielzahl

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von Halbleiteranordnungen mit Halbiei terplattchen geringe-· rer lateraler Abmessungen herstellen zu können, muss die · Scheibe in einzelne Plättchen geteilt werden. Uebliche Verfahren, z.B. Kratzen und Brechen, sind für die obenbeschriebene Scheiben sehr geringer Dicke weniger geeignet.

Versuche, die zu der Erfindung geführt haben und bei denen eine Scheibe dünn gemacht und gleichzeitig in einzelne Plättchen geteilt wurde, haben ergeben, dass die Anwendung eines elektrolytischen AetζVerfahrens, bei dem das Abätzen örtlich beendet wird, wenn dort beim Erreichen der Nuten der elektrische Kontakt des von den Nuten umgebenen Halbleitermaterials mit dem am Halbleiterkörper angebrachten Anschluss unterbrochen wird, Dickenunterschiede in jedem gebildeten Plättchen herbeiführen kann. Der obenerwähnte Vorteil eines selektiven elektrolyt is chen Ae tz Vorgangs, der darin besteht, dass der Aetzvorgang an der Grenzfläche mit der angebrachten Zone beendet wird, trifft auch nicht zu, weil die betreffende Zonengrenze nicht erreicht wird, bevor die Plättchen dadurch elektrisch isoliert werden, dass beim Aetzvorgang die Nuten erreicht werden.

Das Verfahren der in der Einleitung erwähnten Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass vor dem elektrolytischen Aetzvorgang Nuten in der Zone angebracht werden, deren Tiefe geringer als die Dicke der

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Zone ist, so dass nach dem elektrolytischen Aetzvorgang· das Halbleitermaterial der Zone zusammenhängend bleibt und die Aufteilung in einzelne Plättchen durch einen chemischen Aetzvorgang von der Substratseite her erhalten wird. Mit dem selektiven elektrolytischen Aetzvorgang wird zunächst bis zu der Zonengrenze abgeätzt, wobei die Dicke des übrigbleibenden Materials durch die Dicke der Zone bestimmt wird. Dadurch, dass die Nuten die Zonengrenze nicht erreichen, kann der elektrolytische Abät·?- vorgang nicht vorzeitig durch die isolierende Wirkung dieser Nuten unterbrochen werden. Infolge der Tatsache, dass der chemische Aetzvorgang nicht von der Unterseite des Substrats, sondern erst von der Zonengrenze her durchgeführt wird, also nachdem die Dicke bereits sehr.gering geworden ist, wird die Möglichkeit des Auftretens merkli~ eher Aenderungen in der endgültigen Dicke des Halbleitermaterials durch die chemische Aetzbehandlung erheblich verringert, während Dickenänderungen im ursprünglichen Substrat durch die selektive elektrolytische Aetzbehand-^ lung beseitigt werden. Die Herabsetzung der Dicke der zu bildenden Plättchen infolge des chemischen Aetzvorgangs wird nicht durch das Erreichen des Bodens der untiefen Nuten und das dadurch herbeigeführte Zerfallen der ursprünglichen Scheibe beeinflusst. ■ Durch die Genauigkeit, mit der eine glöiehiaäs · sige, sehr geringe Dicke der unterschiedlichen Plättchen

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erhalten werden kann, eignet sich das Verfahren nach der Erfindung insbesondere zur Herstellung einer Anzahl einzelner Halbleiteranordnungen aus derselben Halbleiterscheibe mit Halbleiterstrukturen, die auf einer äusserst dünnen Halbleitermaterialzone aufgebaut sind, wobei Uebergänge zwischen Gebieten verschiedener Leitfähigkeit stype.-quer zu der Zone von einer zu der anderen Seite dieser Zone verlaufen. Solche Strukturen sind als "Flachland"-(fIpt land) Strukturen bekannt. Durch den geringen Flächeninhalt eines derartigen Uebergangs mit einer entsprechend geringen Kapazität eignen sich solche Halbleiteranordnungen für sehr hohe Frequenzen.

Nach einer bevorzugten AusfUhrungsform des erfindungsgemässen Verfahrens, bei der in der Zone örtliche Gebiete verschiedener Leitungstype gebildet werden, die in einiger Entfernung von der Grenze der Zone mit dem Substrat bleiben, wird der chemische Aetζvorgang solange fortgesetzt, bis das Material zwischen einem derartigen Gebiet und der erwähnten Grenze entfernt ist.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der beiliegenden Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Figuren 1 - 5 schematisch im Querschnitt ein Detail in auffolgenden Stufen der Herstellung von Halbleiteranordnungen, wobei von einem scheibenförmigen Substratkörper ausgegangen wird.

Es wird von¹ einem scheibenförmigen Halbleiter-

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körper 1 aus η-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 0,007 Cl .cm und mit einer Arsendotierung ausgegangen (siehe Fig. 1). Der Halbleiterkörper weist z.B. einen Durchmesser von 2 cm und eine Dicke von etwa 300 /tun auf < Der Körper 1 wird aus einem stabförmigen Silicium-Einkristall durch Sägen quer zur Längsrichtung dieses Kristalls erhalten, wonach die Oberfläche weiter auf die angegebene Dicke abgeschliffen wird. Dann wird der Körper 1 auf an sich bekannte Weise vorbehandelt, wobei eine Seite mit feinkörnigem Aluminiumoxyd poliert und mit gasförmigem HCl geätzt wird, das mit Wasserstoff gemischt ist. Die Scheibe wird bei der letzten Behandlung auf etwa 1100⁰C erhitzt. Diese Scheibe bildet das Substrat. für die anzubringende Zone 2 abweichender Leitfähigkeit. Die Zone 2 wird auf an sich bekannte Weise epitaktisch auf einer Seite des Körpers angebracht, wobei das Material der Zone aus η-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 0,5 - Λ .cm besteht. Die epitakti-

sehe Zone 2 kann z.B. dadurch erhalten werden, dass ein Gasgemisch von Siliciumtetrachlorid und Wasserstoff, dem eine geringe Menge an Antimonhydrid zugesetzt ist, am Siliciumkörper 1 entlang geführt wird, wobei dieser Körper mit einer Seite auf einem Träger angebracht und auf eine Temperatur von 1050⁰C erhitzt wird. Die epitaktisch^ Ablagerung wird während 10 Minuten fortgesetzt, wobei* eine Schichtdicke von 10 ,um erhalten wird.

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Dann werden durch planare Diffusionsverfahren Gebiete abweichenden Leitungstyps und/oder abweichender · Leitfähigkeit angebracht, die aber durch epitaktisches Material vom ursprünglichen Leitungstyp und der ursprünglichen Leitfähigkeit von der Grenze mit dem Substratkörper

1 getrennt bleiben. Z.B. können durch planare Bordiffusion auf an sich bekannte Weise p-leitende Gebiete 3» ^» 5 und 6 mit einer Dicke von etwa 3 /um angebracht werden. Nach dieser Diffusionsbehandlung wird die Oberfläche der epitaktischen Zone mit Oxyd, überzogen sein. Dieses Oxyd rührt teilweise von der angewandten aus Siliciumoxyd bestehenden Maskierung und teilweise von dem bei der Bordiffusion vorhandenen Sauerstoff her, z.B., in Form von Boroxyd oder von Sauerstoff oder Wasserdampf In der umgebenden Atmosphäre, wie dies an sich bei Planartechniken bekannt ist. Auch ist es bekannt, nach dem Durchführen der Diffusionsvorgänge die Öxydhaut zu entfernen und eine neue Oxydhaut durch oberflächliche Oxydation des Silicums zu bilden.

Ferner können noch auf an sich bekannte Weise Kontakte über Fenster und/oder kapazitiv steuernde Kontakte und leitende Streifen auf dem Oxyd angebracht werden (in den Figuren nicht dargestellt). Die p-leitenden Gebiete 3 und k und das zwischenliegende η-leitende Gebiet 10 !tonnen zum Aufbau eines Feldeffekttransistors mit isolierter Torelektrode benutzt werden (der z.B. auf der

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Oxydhaut über dem Gebiet 10 angebracht wird), während das p-leitende Gebiet 5 mit dem benachbarten η-leitenden Gebiet 11 zum Aufbau einer Diode verwendet werden kann. Um die Aufteilung in Plättchen zu ermöglichen, wird auf an sich bekannte Weise durch photographische Verfahren ein ätzbeständiges Maskierungsmuster 13» z»B.aus einem Photoreservierungsmaterial, gebildet, wobei an der Stelle der anzubringenden untiefen Nuten die Oberfläche der Oxydschicht 7 freigelegt wird. Dabei ist die in Flg. 1 dargestellte Stufe erreicht.

Dann wird die Oberfläche auf der Seite der Zone 2 einer chemischen Aetzbehandlung zur Bildung der Nuten 20 unterworfen (siehe Fig. 2), Vorher wird zum Entfernen unmaskierten Oxyds eine Aetsbehandlung mit einem Gemisch aus 1 Volumenteil konzentrierter Flussäure (48 Gew.% HF) und 6 Volumenteilen einer Lösung von Ammoniumfluorid in Wasser (hO Gew.# NH₂F) durchgeführt.

gur Aetzung der Nuten 20 in das Silicium wird eine Aetzflüssigkeit verwendet, die dadurch erhalten wird, dass 6 Volumenteile konzentrierter Flussäure mit einem zuvor hergestellten Gemisch aus 10 Volumenteilen konzentrierter Salpetersäure (65 Gew. ¹Ja) , 10 Volumenteiler Eisessig (98 Gew.^) und einer Menge Jod, die 0,05 g pro ml der konz@s& tarierten Salpetersäure entspricht, -gemischt wird. Der Körper wird während kurzer Zeit (etwa 8 Smltnnden.) in diesem Äetssbad behandelt,, wobei die Nufcesi 20 mit

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einer Tiefe von. etwa 2,5 /um gebildet werden. Der Boden dieser Nuten liegt dadurch noch in einem Abstand von etwa 7»5 /um von der Grenze der Zone 2 mit dem Substrat 1. Das ätzbeständige Maskierungsmuster kann dann erforderlichenfalls entfernt werden. Die erreichte Stufe ist schematisch in Fig. 2 dargestellt. - , Das Substrat 1 soll nun von der erhaltenen

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Struktur entfernt werden. Zu diesem Zweck wird das Ganze zunächst mit der Seite der epitaktischen Zone 2 und der darin angebrachten Nuten 20 auf einem aus einer Quarzglasplatte bestehenden Träger 30 mit Hilfe eines geeigneten ätzbeständigen und wasserabweisenden Kitts 31, z.B. Colofonium, festgeklebt. Die erreichte Stufe ist in Fig. 3 dargestellt.

Anschliessend wird das Substrat 1 mit Hilfe

eines elektrolytischen Aetzvorgangs entfernt, wi· dies

deutschen Patentanmeldung P 16 96 092.2 in der/fcBfcöfe^^^. beschrieben wurde; für weitere Einzelheiten sei auf diese Offenlegungsschrift verwiesen. Zn der Nahe seines Randes wird das scheibenförmige Substrat 1 mit einem Platinkontakt verbunden, der mit der positiven Klemme einer Gleichspannungsquelle verbunden ist. Das Elektrolyt bad besteht aus verdünnter Flussäure', die durch Mischung von 1 Volumenteil konzentrierter Flussäure mit 10 Volumenteilen Wasser erhalten ist. Im Elektrolyten ist eine aus Platingaze bestehende Elektrode angebracht, die mit der negativen Klemme der Gleichepannungsquelle

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verbunden ist. Zwischen der Platinelektrode im Bad und dem Platinkontakt am Substrat 1 wird eine Spannung von 12 V angelegt.

Der scheibenförmige Körper mit der Glasplatte wird nun in senkrechter Lage, den Platinkontakt nach oben gerichtet, langsam in das Elektrolytbad getaucht, so dass das Abätzen des Substrats an den am weitesten vom Platin_ kontakt entfernten Teilen des Substrats anfängt.

Das scheibenförmige Substrat 1 wird nun von eier der epitaktischen Zone 2 gegenüber liegenden Seite her · mit einer Geschwindigkeit von etwa 2 /um/min abgeätzt. Dabei wird nubias niederohmige Silicium vom Substrat 1 entfernt. Sobald durch das Wegätzen des Substratmaterials der Elektrolyt mit der epitaktischen Zone 2 aus höher« ohmigem n-leitendem Material, also an der Grenze mit dem ursprünglichen Substratmaterial, in Berührung kommt, wird auf der Siliciumoberflache an dieser Stelle eine passivierende Haut gebildet, wobei das Abätzen des höher-ohmigen η-leitenden Materials der Zone 2 verhindert wird. Dabei ist die in Fig. k dargestellte Stufe erreicht, bei der die epitaktische Zone 2 ihre ursprüngliche Dicke von 10 /tun beibehalten hat (naturgemäse mit Ausnahme der unter den Nuten 20 liegenden Zonenteile).

Dann wird zur weiteren Herabsetzung der Dicke des Halbleitermaterials eine chemische Aetzbehandlung durchgeführt. Zu diesem Zweck wird eine langsam ätzende 00 98A6/13U

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Flüssigkeit ι deren Zusammensetzung durch Lösung von 200 mg KMnOr in 50 ml konzentrierter Flussäüre und 50 ml Eis-· essig erhalten werden kann, verwendet. Die Aetzgeschwindigkeit dieser Flüssigkeit beträgt 0,2 /um/min. Dabei wird die Zone 2 gleichmässig abgeätzt, wobei der Boden der Nuten 20 und die Diffusionsgebiete 3 t **»■ 5 und 6 erreicht werden. Die Zone 2 wird dabei durch die ursprünglich angebrachten Nuten 20 in einzelne Plättchen ^Q aus Halbleitermaterial aufgeteilt. Nach dem Erreichen des Bodens der Nuten 20 wird die Aetzbehandlung noch einige Minuten lang fortgesetzt, wobei die Plättchen 4θ eine Dicke von nur 2 /um erhalten haben. In diesen Plättchen sind sogenannte Flachlandstrukturen mit Gebieten verschiedenen Leitungstyps und/oder verschiedener Leitfähigkeit gebildet, welche Gebiete sich von einer flachen Seite eines derartigen Plättchens her zu der anderen Seite erstrecken und mit Uebergängen geringen Flächeninhalts, die quer zu den flachen Seiten eines derartigen Pläitchens stehen, aneinander grenzen. .

Fig. 5 zeigt ein Plättchen, in dem das durch Diffusion von Bor gebildete p-leitende Gebiet 5 nur mit einem quer verlaufenden pn-Uebergang an das Gebiet 11 aus dem epitaktisch angebrachten η-leitenden Material mit der ursprünglichen Dotierung grenzt. Dabei ist eine Flachlandstruktur für eine zur Anwendung bei hohen Frequenzen geeignete Diode erhalten.
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Ein anderes Plättchen besteht aus den durch Bordiffusion gebildeten p-leitenden Gebieten 3 und k und dem zwischenliegenden Gebiet 10 aus n-leitendem Material, wie es ursprünglich epitaktisch angebracht worden «rar, Diese Flachlandstruktur eignet sich zum Apfbau eines Feldeffekttransistors mit isolierter Torelektrode, wobei die Gebiete

^w 3 und h die Quelle bzw. die Senke bilden und das Gebiet 10 das Torgebiet bildet. Auf einer oder beiden Seiten des Torgebietes soll dabei eine Isolierschicht mit darauf einer Torelektrode angebracht werden, oder wenigstens auf einer Seite zuvor bereits angebracht sein.

Die Plättchen kO werden nun vom Glasträger 30 durch Lösung des Kitts, z.B. in Trichloräthen, entfernt. Trotz der sehr geringen Dicke stellt sich heraus, dass die einzelnen Plättchen sich noch gut, z.B. mit einer fc Saugepipette, hantieren lassen, während sie Bearbeitungen, wie Wärme-Druckbinden (thermocompression bonding) gut aushalten können.

Die an Hand der Figuren beschriebene Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens kann auf verschiedene Weise abgewandelt werden. So können andere Flachlandstrukturen gebildet werden, z.B. statt einer pnp-Struktur für einen im Anreicherungsgebiet wirkenden ("enhandement-mode"J Feldeffekttransistor eine n⁺nn⁺~ Struktur für einen im Erschöpfungsgebiet wirkenden (."depletion-mode ")~Feldeffekttransistor.

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Statt einer epitaktischen Zone aus n-leitendem Silicium kann auch eine epitaktische Zone aus p-leitendem Silicium verwendet werden, vorausgesetzt! dass beim Anbringen der Zone durch Diffusion an der Grenzfläche zwischen dem niederohmigen η-leitenden Silicium des Substrat« und dem aufgebrachten p-leitenden Material eine hochohinige η-leitende Schicht gebildet wird, die eine genügende Dicke aufweist, um beim selektiven elektrolytischen Abätzen dee Substrats das epitaktisch angebrachte Material abzuschirmen«

Ferner kann grundsätzlich auch epitaktisch nleitendes Silicium auf einem p-leitenden Substrat angebracht werden»

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Claims

2 O 2 U 6 O

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Patentansprüche:

Verfahren zur Herstellung einer Anzahl Halb] r>:^:.~ teranordnungen aus demselben plattenförmigen Halbleiterkörper, bei dem auf einer Seite eines aus Halbleitermaterial bestehenden plattenförmigen Substrats eine sich über eine Oberfläche dieses Substrats erstreckende Zone aus

| einem Halbleitermaterial gebildet wird, das wenigstens

an der Grenzfläche mit dem unterliegenden Substrat in bezug auf seine Zusammensetzung und/oder Leitungseigenscha:' ten von dem angrenzenden Substratmaterial verschieden i^i wonach¹ mit Hilfe eines selektiven elektrolytischen Aetzvorgangs das Substrat unter Beibehaltung der betreffenden Zone entfernt wird, welche Zone weiter in einzelne Plättchen aus Halbleitermaterial geteilt wird, dadurch gekonnzeichnet, dass vor dem elektrolytischen Aetzvorgang Nuten in der Zone angebracht werden, deren Tiefe geringer als

* die Dicke der Zone ist, so dass nach dem elektrolytisches

AetzVorgang das Halbleitermaterial der Zone zusanunenhängei.i bleibt und die Aufteilung in einzelne Plättchen durch einen chemischen Aetzvorgang von der Substratseite her erhalten wird .
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in der Zoi;< Örtliche Gebiete verschiedenen Leitfähigkeitstyps gebiJ-det werden, die in einiger Entfernung von der Grenze , «.% sehen der Z on ^ und dem Substrat bleiben, dadurch gekennzeichnet, da = s der chemische .Aetzvorgang solange fortg··-

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setzt wird, bis das Material zwischen einem derartigen Gebiet und der erwähnton Grenze entfernt ist.

^r) . Halblei türanordnung, die durch Anwendung des Vt-rfahroriH.nach Anspruch I odor " ii^i^ge« ttvll . t i?t,

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