DE2621757A1 - Elektrischer kontakt fuer hohe temperaturen bei von dem peltier- effekt induzierter epitaxie aus der fluessigkeitsphase auf intermetallischen iii-v-galliumverbindungen - Google Patents

Elektrischer kontakt fuer hohe temperaturen bei von dem peltier- effekt induzierter epitaxie aus der fluessigkeitsphase auf intermetallischen iii-v-galliumverbindungen

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DE2621757A1 DE19762621757 DE2621757A DE2621757A1 DE 2621757 A1 DE2621757 A1 DE 2621757A1 DE 19762621757 DE19762621757 DE 19762621757 DE 2621757 A DE2621757 A DE 2621757A DE 2621757 A1 DE2621757 A1 DE 2621757A1
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B19/103—Current controlled or induced growth
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Description

Elektrischer Kontakt für hohe Temperaturen, bei von dem Peltier-Effekt induzierter Epitaxie aus der Flüssigkeits· phase auf intermetallischen III-V-Galliumverbindungen
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum epitaktischen Anwachsen aus der Flüssigkeitsphase aus einer Lösung auf einem Substrat in einem Lösung-Substrat-System, wobei örtliche Peltier-Kühlung oder -Erhitzung an der Grenzfläche zwischen der Lösung und dem Substrat angewandt wird· Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf die Weise, in der ein elektrischer Kontakt mit dem Substrat hergestellt wird, insbesondere in Systemen zum epitaktischen Anwachsen auf intermetallischen III-V-Galliumverbindungen.
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Wenn ein elektrischer Strom eine Feststoff-Flüssigkeit-Grenzfläche während des epitaktischen Anwachsens aus der Flüssigkeitsphase durchfliesst, wird Wärme an der Grenzfläche (in Abhängigkeit von der Richtung des Stromes) infolge einer unter der Bezeichnung "Peltier-Effekt" bekannten Erscheinung entweder erzeugt oder entzogen» Die erhaltene Temperaturänderung beeinflusst die Wachstumsgeschwindigkeit an der Grenzfläche. Dieser Peltier-Effekt wurde zum Modulieren der Wachstumsgeschwindigkeit und damit zum Modulieren der Verunreinigungsverteilung benutzt, während Stromimpulse zum Erzeugen von Wachstumsmarkierungen benutzt wurden, die durch Aetzen freigelegt v/erden können.
In einem Aufsatz mit dem Titel "Two New Applications of the Peltier Effect", Ioffe, 26 (2) Zhur.Tekh. Fiz., 478 (1956) wurde angegeben, dass Kristallwachstum unter isothermen Gleichgewichtsbedingungen zwischen den flüssigen und festen Phasen stattfinden konnte, wenn Peltier-Kühlung an der Grenzfläche verwendet wurde und Joulesche Wärme vernachlässigt werden "konnte. In einem anderen Aufsatz mit dem Titel "Some Aspects of Peltier-Heating at Liquid-Solid Interfeces in Germanium11, Pfann und Mitarbeiter, 2, J.Elect. 597 (1957) wurde angegeben, dass vermieden werden könnte, dass Joulesche Wärme die Peltier-Kühlung ausgleichen wird, indem eine
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Kombination von Wechselstrom und Gleichstrom verwendet wird, wobei der Anteil jedes dieser Ströme geändert wird, um einen Peltier-Effekt zu erhalten, wobei aber die gesamte Joulesche Wärme derselben konstant und daher im isothermen Gleichgewicht gehalten wird» In ,jüngerer Zeit ist in der US-PS 3 879 235 ©in vom Peltier-Effekt induziertes epitaktisches Anwachsen für ein InSb-System unter isothermen
Bedingungen beschrieben.
t
Es war schon längst erwünscht, epitaktisches
Anwachsen von Halbleitermaterialien aus der Flüssigkeitsphase irgendwie direkt regeln zu können, damit die Zusammensetzung und die Kristallstruktur besser geregelt werden können. Vom Peltier-Effekt induzierte Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase ist daher von besonderer Bedeutung, weil Wärme der Feststoff—Flüssigkeit-Grenzfläche entzogen oder direkt zugeführt wird und weil die Geschwindigkeit der Entziehung oder Zuführung von Wärme durch den Peltier-Effekt dem Strom proportional ist und somit grundsätzlich leicht geregelt werden kann. Es ist jedoch ein grosses Problem, den Peltier-Strom dem Substrat zuzuführen oder zu entziehen, insbesondere wenn das Substrat aus einer intermetallischen III-V-Galliumverbindung besteht.
Normalerweise ist Peltier-Kühlung an der Feststoff -Flüssigkeit-Grenzfläche erwünscht, um epitaktisches Anwachsen aus der Flüssigkeitsphase unter theoretisch
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isothermen Bedingungen zu induzieren. An dem Kontakt tritt aber im allgemeinen Peltier-Erhitzung auf und jeder Kontaktwiderstand erzeugt auch Joulesche Wärme. Diese Wärme fliesst durch das Substrat zu der Feststoff-Flüssigkeit-Grenzfläche, an der sie die Neigung hat, die Peltier-Kühlung auszugleichen und das epitaktische Anwachsen zu unterdrücken. Offenbar ist es besonders erwünscht, den Kontaktwiderstand und die Peltier-Erhitzung am Kontakt möglichst herabzusetzen. Die Kontakt struktur wird-weiter durch die Temperaturbedingungen beschränkt, insbesondere im Falle von intermetallischen III-V-Galliumsystemen, wobei normale Epitaxie temperatur en 800 0C und manchmal sogar 10000C überschreiten. Ausserdem ist die Bewegung der Grenzflächen unter dem Peltier-Effekt nicht auf die gewünschte Feststoff-Flüssigkeit-Grenzfläche beschränkt und kann auch an einem Kontakt auftreten, abhängig von den dort gebildeten Grenzflächen. Oertliehe Flüssigkeitsphasen wurden beobachtet, die sich schnell von dem Kontakt durch das Substrat bewegen und die chemische, und kristalline Struktur am Kontakt sowie in dem Substrat und an der Wachstumsgrenzfläche ändern» Diese Probleme haben offenbar bisher jede Ausnutzung des Peltier-Effekts zum Induzieren epitaktischen Anwachsens aus der FlUssigkeitsphase auf intermetallischen III-V-Galliumverbindungen verhindert«
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Die Erfindung bezweckt, einen geeigneten elektrischen Kontakt mit Substraten aus einer intermetallischen III-V-Galliumverbindung herzustellen, so dass vom Peltier-Effekt induziertes epitaktisches Anwachsen aus der Flüssigkeitsphase auf solchen Substraten erhalten werden kann.
Weiter bezweckt die Erfindung, den Kontaktwider*- ■ stand mit solchen Substraten und die Peltier-Erhitzung an solchen Kontakten möglichst herabzusetzen»
Ausserdem bezweckt die Erfindung, solche Kontakte herzustellen, die bei Temperaturen von 8000C oder höher verwendet werden können.
Auch bezweckt die Erfindung, vom Peltier-Effekt induzierte Wanderung geschmolzener Galliumzonen zu vermeiden, die sich durch das Substrat bewegen, wenn Gallium an dem Kontakt verwendet wird.
Nach der Erfindung ist ein Verfahren, bei dem ein epitaktisches Anwachsen aus der Flüssigkeitsphase auf einem Feststoffsubstrat dadurch induziert oder geändert wird, dass ein elektrischer Strom durch die Flüssigkeit-Fest st off -Grenzfläche geschickt wird, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat aus einer intermetallischen III-V-Galliumverbindung ein elektrischer Kontakt dadurch hergestellt wird, dass eine nahezu flache Graphitoberfläche, mit der elektrischer Kontakt hergestellt werden kann, zu einer nahezu flachen reinen Oberfläche eines aus einer
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intermetallischen III-V-Galliumverbindung bestehenden Substrats gedrückt und zwischen diesen genannten flachen Oberflächen eine flüssige Galliumschicht angebracht wird, in dem Aluminium bis zu einer Konzentration von mehr als 5 Gew.# gelöst ist.
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise im Detail an Hand der Zeichnung näher erläutert, die schematisch im Querschnitt eine Seitenansicht einer Vorrichtung darstellt, in der das Verfahren nach der Erfindung durchgeführt werden kann»
Epitaktische Schichten von dem nachstehend
beschriebenen Typ werden im allgemeinen in einer geregelten Atmosphäre, z.B» in Wasserstoff, innerhalb ein.es Quarzrohres gewachsen, das auf eine regelbare Umgebungstemperatur in einem Ofen erhitzt wird» Beim Betrieb befindet sich die in der Zeichnung dargestellte Vorrichtung in einer derartigen, geregelten Atmosphäre. Ein elektrischer Strom zum Erzeugen des Peltier—Effekts wird zwischen Elektroden 10, aus rostfreiem Stahl angelegt, die fest innerhalb GraphitblScke 12 bzw, 13 eingebettet sind und mit diesen Blöcken einen guten elektrischen Kontakt herstellen. Ein Schieber mit einer Ziehstange 15 hält die Graphitblocke in gegenseitiger Entfernung und isoliert sie elektrisch gegeneinander. Der Schieber 14 und Endplatten 16, 17 können z.B. aus Bornitrid bestehen. Die Endplatten 16,
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dienen nur .dazu, die Blöcke 12, 13 gegen relative Bewegung zu sichern. Eine LiJsung 18 in einem Hohlraum innerhalb des oberen Blocks 12 wird von einer Scheibe 19 getrennt, die in einem Hohlraum innerhalb des unteren Blocks 13 von dem Schieber i4 getragen wird. Der Schieber 14 kann nach links bewegt werden, derart, dass das Loch 20 mit den Hohlräumen fluchtet, damit die Lösung 18 mit der oberen Fläche der Scheibe 19 in Kontakt gebracht wird. Die Scheibe 19 ruht auf einer Zwischenschicht 21, deren Zusammensetzung nachstehend im Detail beschrieben wird und die auf einem Graphit sockel 22 ruht. Es sei bemerkt, dass die Dicke der Zwischenschicht 21 in der Praxis sehr klein ist und hier der Deutlichkeit halber übertrieben gross dargestellt ist. Ein elektrisch isolierender Kragen 23» der auch aus Bornitrid hergestellt sein kann, stützt die Scheibe und die Zwischenschicht in seitlicher Richtung ab, während ein innerer Ansatz am Kragen 23 auch die vertikale Bewegung der Scheibe beschränkt. Obgleich die Zwischenschicht beim Betrieb eine flüssige Schicht ist» wie aus der Zusammensetzung und der Betriebstemperatur hervorgehen wird, wird bemerkt, dass die Zwischenschicht 21 derart dünn ist, dass keine seitliche Sicherung gegen Abfliessen erforderlich ist. Der Kragen 23 wird zur Positionierung der Scheibe, zur Sicherung der Scheibe gegen vertikale Bewegung und zur Isolierung der Seiten der Scheibe verwendet,
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so dass ein elektrischer Kontakt mit der Zwischenschicht auf die untere Fläche der Scheibe und der Kontakt mit
der Lösung 18 nach Bewegung des Schiebers auf die obere
Fläche der Scheibe beschränkt ist. Der Graphitsockel 22
muss einen guten elektrischen Kontakt mit dem Graphitblock herstellen. Ein Graphitgewindestift Zk erleichtert die
Herstellung eines guten elektrischen Kontakts mit dem
Block 13 dadurch, dass wenigstens ein gewisser Druck auf den Sockel 22 ausgeübt wird. Ein Weg niedrigen Widerstands wird dadurch über den Stift 24 zu dem Block 13 gebildet. Viele andere Konstruktionen sind aber möglich, mit denen auch ein guter elektrischer Kontakt zwischen der Zwischenschicht 21 und dem Block-13 sichergestellt ist« Beim
Betrieb werden die Scheibe 19, die Zwischenschicht 21
und der Graphitsockel 22 zwischen dem Graphitgewindestift 2k und dem inneren Ansatz am Kragen 23 gegeneinander gedrückt. Um ein epitaktisches Anwachsen zu bewirken, wird die
Vorrichtung auf eine Umgebungstemperatur um die Sättigungs—' temperatur der Lösung 18 gebracht. Dann wird der Schieber nach links bewegt und wird bewirkt, da.ss ein Strom durch die erhaltene Flüssigkeit-Feststoff-Grenzfläche fliesst, dadurch, dass eine Spannung an die Elektroden 10, 11
angelegt wird. (Nicht dargestellte) Thermoelemente können zur Üeberwachung der Temperaturen an gewünschten Punkten in der Vorrichtung verwendet werden. Eine detailliertere
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Beschreibung dieses allgemeinen Vorgangs steht jenen Personen, denen die vom Peltier-Effekt induzierte Epitaxie noch nicht bekannt ist, in der US-PS 3 879 235 zur Verfügung.
Die Erfindung richtet sich insbesondere auf die Zwischenschicht 21 und ihre Zusammensetzung, wenn die Schicht 19 eine intermetallische III-V-Galliumverbindung ist. Der Ausdruck "intermetallische III-V-Galliumverbindung" soll GaAs, GaP, GaAsP, Ga1 Al As (0<x<i), Ga- Al P ( 0 < χ <-1 ) , Kombinationen dieser Verbindungen und andere intermetallische, Gallium und mindestens ein Element aus der Spalte V enthaltende Verbindungen umfassen. Auch soll dieser Ausdruck derartige Verbindungen umfassen, sogar wenn sie mit Elementen dotiert sind, die nicht aus den Gruppen III oder V gewählt sind, z.B. wenn sie mit einem Element aus der Gruppe IV, wie Silicium, dotiert sind.
Es wurde gefunden, dass, wenn das Substrat (die Scheibe 19) aus einem dieser Materialien hergestellt ist, die Zwischenschicht vorteilhafterweise aus Gallium bestehen kann, in dem Aluminium bis zu einer Konzentration von mehr als 5 Gew.^ gelöst ist. Diese Schicht ist flüssig bei Temperaturen oberhalb etwa 300C und kontaktiert daher physisch auf gleichmSssige Weise die untere Fläche der Scheibe 19 und die obere Fläche des GraphitsockeIs 22,
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welche Oberflächen eine entsprechende Oberflächenkonfiguration aufweisen müssen, die vorzugsweise, wie dargestellt, flach ist. Es wurde gefunden, dass, indem dem Gallium Aluminium, insbesondere bei Konzentrationen von 1 Gew.$ oder mehr, zugesetzt wird, die Benetzung des Graphits mit dieser Verbindung stark verbessert wird.
Ausserdem stellt sich heraus, dass das Aluminium die Benetzung der Zwischenschicht auf dem Substrat verbessert, gegebenenfalls weil das Aluminium mit Verunreinigungsmaterialien reagiert und diese Materialien somit entfernt, die die Benetzung stören. Es wurde aber gefunden, dass die Substratoberfläche, die mit der Zwischenschicht in Kontakt ist, rein sein muss. Es empfiehlt sich, dass die Substratoberfläche durch Aetzen gereinigt wird, bevor die Zwischenschicht angebracht wird.
Die wichtigste Funktion des Aluminiums ist aber, zu verhindern, dass die Zwischenschicht einzelne Gallium— zonen in der Flüssigkeitsphase bildet, die sich durch . · das Substrat bewegen, wenn ein Strom angelegt wird. Wenn z»B. reines Gallium für die Zwischenschicht verwendet wird und ein Peltier-Strom die Schicht durchfliesst und eine Peltier-Kühlung an der Wachstumsgrenzflache bewirkt, hat dies auch die Bildung wandernder geschmolzener Zonen aus Gallium zur Folge, die an der Zwischenschicht anfangen. Bei dieser Erscheinung hat die geschmolzene Zone
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eine voreilende Grenzfläche, wo Peltier-Erhitzung die Feststofflache im Substrat löst, und eine nacheilende Grenzfläche, wo Peltier-Kühlung die geschmolzene Zone wieder erstarrte Ein Temperaturgradient besteht auch in der geschmolzenen Zone, was eine Wanderung gelöster Atome herbeiführt, wodurch sich der Prozess fortsetzen kann, ohne dass ein Gleichgewicht zwischen den Zusammensetzungen der flüssigen und festen Phasen erhalten wird. Infolgedessen bewegen sich schnell Zonen aus geschmolzenem Gallium durch ein Substrat aus z.B. GaAs. Es wurde jedoch gefunden, dass nur ein kleiner im Gallium gelöster Aluminiumanteil die Wanderung gelöster Atome (Arsen wenn das Substrat aus GaAs besteht) sehr stark herabsetzt oder sonst auf irgendeine Weise das Auftreten dieser Erscheinung verhindert, wodurch mit grossem Vorteil die Gallium-Aluminium-Legierung als Zwischenschicht verwendet werden kann. Weiter hat sich herausgestellt, dass diese zerstörende Erscheinung noch bei einer Aluminiumkonzentration von 50 Gew.$ auftreten kann, aber offenbar bei 56 Gew,% Aluminium nicht auftritt, wodurch die minimale Aluminiumkonzentration auf etwas mehr als 5 *Gew.$ effektiv beschränkt wird. Für die ·Aluminiumkonzentration konnte keine obere Grenze gefunden werden, selbstverständlich ausgenommen die durch die Löslichkeit von Aluminium und Gallium bedingte Grenze.
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Eine Aluminium schient kann neben einer Galliumoder einer Gallium-Aluminiumschicht angebracht werden, um zusätzliches Aluminium bei höheren Temperaturen anzubringen, wo die Löslichkeit von Aluminium in Gallium vergrössert wird· Es hat sich nicht als vorteilhaft erwiesen, auf diese Weise die Aluminiumkonzentration bis oberhalb der Konzentration zu erhöhen, die normalerweise in Gallium bei oder nahezu bei dem Schmelzpunkt von etwa 300C gelöst werden kann» Bei dieser Temperatur kann etwas mehr als 1 Gew.$ Aluminium in Gallium gelöst werden. Dies ist die bevorzugte Konzentration, weil Gallium leicht mit Aluminium dadurch gesättigt werden kann, dass einfach Aluminiumklumpen in flüssiges Gallium geworfen werden, bis sich kein Aluminium mehr löst. Die erhaltene Gallium-Aluminium-Legierung kann auf irgendwelche geeignete ¥eise in flüssiger oder fester Form auf dem Substrat angebracht und natürlich auch zur Bildung eines besseren Kontaktes zwischen mehr als einer einzelnen Scheibe (verschiedener Dicken und/oder verschiedener Zusammensetzungen aus intermetallischen III-V-Galliumverbindungen) und zwischen Scheiben, Sockeln oder Grapli.it st if ten verwendet werden. Z.B. kann diese Erfindung ebenso gut verwendet werden, wenn der Sockel 22 auch aus einer intermetallischen III-V-Galliumverbindung besteht, sogar wenn die Zusammensetzung von der der Scheibe 19 verschieden ist.
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VERSUCH I
Eine mit Si dotierte GaAs-Scheibe rait einer Dicke von 0,15" wurde in organischen Lösungsmitteln gereinigt und in KUO ·ΝΗοΟΗ:2Η20 während einer Minute geätzt«, Dann wurde eine Aluminiumschicht auf die unpolierte Seite der Scheibe mit einer Dicke von etwa 5000 A aufgedampft. Galliummetall wurde auf etwa 500C erhitzt und mit Aluminium gesättigt. Diese Legierung wurde dann auf die Aluminiumschicht aufgebracht und bildete ein Bad einer dünnen Flüssigkeit, Eine Graphitscheibe wurde dann gegen das Bad gedrückt und überschüssige GaAl-Legierung herausgetrieben·
Beim Betrieb löste sich bei hohen Temperaturen die Aluminiumschicht in der GaAl-Legierungsschicht, wodurch die GaAl-Schicht angereichert und eine einzige mit Al angereicherte GaAl-Schicht gebildet wurde· Der Kontaktwiderstand wurde bei nahezu 85O0C gemessen en betrug, ■wie gefunden wurde, weniger als 0,5ß über ein Gebiet
von 1,2 cm · Eine vom Peltier-Effekt induzierte Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase von Gallium-Aluminiumarsenid wurde mit Erfolg auf der anderen Seite der Scheibe in einer der in der Zeichnung dargestellten Vorrichtung ähnlichen Vorrichtung durchgeführt.
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VERSUCH II
Bei diesem Versuch xirurde die GaAs-Scheibe auf die obenbeschriebene Weise behandelt, ausgenommen, dass die Aluminiumschicht entfernt und die Galliumschicht mit Aluminium bei 30 bis 40°C gesättigt wurde. Der Kontaktwiderstand wurde wieder bei etwa 85O0C gemessen und betrug,
2 wie gefunden wurde, etwa 0,12 Ω. über ein Gebiet von 1,2 cm · Eine vom Peltier-Effekt induzierte Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase von Galliumarsenid wurde wieder mit Erfolg auf der anderen Seite der Scheibe in einer der in der Zeichnung dargestellten Vorrichtung ähnlichen Vorrichtung durchgeführt.
VERSUCH III
Bei diesem Versuch, wurde die Scheibe auf die im Versuch II beschriebene Wfeise behandelt, ausgenommen, dass die Aluminiumkonzentration im Gallium auf 5 Gew.$ herabgesetzt wurde. Nach vom Peltier-Effekt induzierter Epitaxie wurden Löcher in dem Substrat gefunden, wo die Zwischenschicht sich durch das Substrat bewegt hatte.
VERSUCH IV
Bei diesem Versuch wurde die Scheibe wieder auf die im Versuch II beschriebene Weise behandelt, ausgenommen, dass die Aluminiumkonzentration im Gallium nun 56 Gew.$ betrug. Eine vom Peltier-Effekt induzierte Epitaxie wurde dann mit Erfolg durchgeführt und im Substrat wurden keine Löcher gefunden.
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5.5.76. - 15 -
VERSUCH V
. Bel diesem Versuch war das Substrat eine mit Si dotierte GaP-Scheibe mit einer Dicke von Ο,14Μ· Die Zwischenschicht bestand aus Gallium, dem Aluminium bis zu einer Konzentration von 1,1 Gew,$ zugesetzt worden ware Bei 9000C wurde der Kontaktwiderstand gemessen und
betrug etwa 0,2 ii bis 0,5 Λ über ein Gebiet von 1,2 cm .
Eine vom Peltier-Effekt induzierte Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase wurde mit Erfolg auf der anderen Seite der Scheibe in einer der. in der Zeichnung dargestellten Vorrichtung ähnlichen Vorrichtung durchgeführt und im Substrat wurden keine Löcher gefunden.
VERSUCH VI
Dieser Versuch war dem Versuch V gleich, ausgenommen, dass die 0,14" dicke GaP-Scheibe auf einer GaAs-Scheibe mit einer Dicke von 0,9^ " ruhte, die ihrerseits auf einer Graphitscheibe lag, die ihrerseits auf einem Graphitsockel ruhte. Zwischen der GaP-Scheibe wurde eine Zwischenschicht aus Gallium angebracht, dem Aluminium bis zu einer Konzentration von 1,28 Gew.<$> zugesetzt worden war. Eine GaAl-Zwischenschicht der gleichen Zusammensetzung wurde auch zwischen der GaAs-Scheibe und der Graphit scheibe und zwischen der Graphit scheibe und dem Graphit sockel angebracht. In einer in der Zeichnung dargestellten Vorrichtung ähnlichen Vorrichtung wurde vom Peltier-Effekt
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induzierte Epitaxie aus der Flüssigkeitsphase mit Erfolg auf der GaP-Scheibe durchgeführt. Der Gesamtkontaktwiderstand war etwa gleich dem im Versuch V und in keiner der Scheiben wurden Löcher gefunden.
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Claims (1)

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    PATENTANSPRÜCHE
    I0) Verfahren, bei dem ein epitaktisches Anwachsen aus der Flüssigkeitsphase auf einem Feststoffsubstrat dadurch induziert oder geändert wird, dass ein elektrischer Strom durch die Flüssigkeit-Feststoff-Grenzfläche geschickt wird, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat aus einer intermetallischen IIZ-V-Galliumverbindung ein elektrischer Kontakt dadurch hergestellt wird, dass eine nahezu flache Graphitoberfläche, mit der elektrischer Kontakt hergestellt werden kann, zu einer nahezu flachen reinen Oberfläche eines aus einer intermetallischen III-V-Galliumverbindung bestehenden Substrats gedrückt und zwischen den genannten flachen Oberflächen eine flüssige Ga11iumschicht angebracht wird, in der Aluminium bis zu einer Konzentration von mehr als 5 Gew,$ gelöst ist» 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass .die flüssige Galliumschicht mit Aluminium gesättigt wird.
    3 · Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus GaAs besteht· . *■'
    k. Verfahren nach Anspruch'3,"1^ dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat dotiert ist.
    5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus GaP besteht»!
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    PHA.2071L
    5.5.76. - 18 -
    6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet! dass das Substrat zwei oder mehr aufeinander gestapelte Scheiben enthält und zwischen diesen Scheiben eine flüssige Galliumschicht angebracht ist, in dem Aluminium bis zu einer Konzentration von mehr als 5 Gew,^ gelöst ist.
    7* Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheiben verschiedene Zusammensetzungen aufweisen, aber alle aus intermetallischen III-V-Galliumverbindungen bestehen«
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DE19762621757 1975-05-30 1976-05-15 Elektrischer kontakt fuer hohe temperaturen bei von dem peltier- effekt induzierter epitaxie aus der fluessigkeitsphase auf intermetallischen iii-v-galliumverbindungen Withdrawn DE2621757A1 (de)

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US05/582,164 US3993511A (en) 1975-05-30 1975-05-30 High temperature electrical contact for Peltier-induced liquid phase epitaxy on intermetallic III-V compounds of gallium

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Publication Number Publication Date
DE2621757A1 true DE2621757A1 (de) 1976-12-09

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DE19762621757 Withdrawn DE2621757A1 (de) 1975-05-30 1976-05-15 Elektrischer kontakt fuer hohe temperaturen bei von dem peltier- effekt induzierter epitaxie aus der fluessigkeitsphase auf intermetallischen iii-v-galliumverbindungen

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CA (1) CA1057171A (de)
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FR (1) FR2312288A1 (de)
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Also Published As

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JPS51147251A (en) 1976-12-17
FR2312288B1 (de) 1980-04-30
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