DE1093016B - Verfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern mittels Neuverteilung von Aktivatoren in einer Rekristallisationszone - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern mittels Neuverteilung von Aktivatoren in einer RekristallisationszoneInfo
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Description
DEUTSCHES
Für manche Zwecke ist es erwünscht, die sogenannte Erholungszeit von Halbleiteranordnungen möglichst
klein zu machen. Als Erholungszeit soll hier bei Dioden die Zeit bezeichnet werden, die vergeht, bis alle
Ladungsträger aus der Sperrschicht des Halbleiters entfernt sind, wenn eine in Durchlaßrichtung wirkende
Vorspannung abgeschaltet oder durch eine in Sperrrichtung wirkende Vorspannung ersetzt wird. Sie
wird im englischen Fachschrifttum als »recovery time«
bezeichnet und ist mit der sogenannten Abschaltzeit bei Schalttransistoren verwandt. Ergänzend hierzu sei
auf die USA.-Patentschrift 2 736 847 und die Zeitschrift »Proceedings of the IRE«, Oktober 1954,
S. 1506 bis 1508, verwiesen.
Eine möglichst kurze Erholungszeit spielt z. B. bei solchen Dioden eine Rolle, die bei elektronischen
Digitalrechengeräten verwendet werden. Für solche und ähnliche Zwecke wurden Halbleiteranordnungen
dadurch hergestellt, daß ein stark aktivierter Bereich bestimmten Leitungstyps in einem Halbleiterkörper
mit entgegengesetztem Leitungstyp erzeugt wurde. Dann haben die aktivierten Bereiche einen verhältnismäßig
niedrigen und der übrige Teil des Körpers einen demgegenüber verhältnismäßig hohen Widerstand.
Bekanntlich ist die Erholungszeit einer Halbleiteranordnung um so kürzer, je dünner in dem Kristallsystem
die Zone gemacht wird, die einen verhältnismäßig hohen elektrischen Widerstand hat. Man hat
daher versucht, nach Herstellung des pn-Übergangs die Dicke des Halbleiterkörpers durch Schleifen, Ätzen,
Läppen oder mehrere dieser Maßnahmen zu verkleinern und damit den Abstand zwischen der Außenfläche
des Halbleiterkörpers und dem pn-übergang so klein wie möglich zu machen. Auf diese Art erhält man
Halbleiteranordnungen mit einer Erholungszeit zwisehen 2 und 5 Mikrosekunden. Wird der Körper
außerordentlich dünn, etwa mit einer Dicke von 0,025 mm hergestellt, wird die Erholungszeit auf
1 Mikrosekunde heruntergedrückt. Derart dünne Körper sind aber überaus zerbrechlich. Dadurch entstehen
in der Fertigung schwer beherrschbare Schwierigkeiten.
Es ist ein Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in Halbleiterkörpern mittels Neuverteilung
von Donatoren und Akzeptoren im Rekristallisationsbereich eines sowohl Donatoren als auch Akzeptoren
unterschiedlicher Abscheidungskonstante enthaltenden Halbleiterkörpers bekannt, bei dem im Halbleiter der
Aktivator mit der kleineren Abscheidungskonstante überwiegt. Auf ein Verfahren dieser Art bezieht sich
die Erfindung, und zwar wird gemäß der Erfindung dieses Verfahren in der Weise durchgeführt, daß auf
eine Fläche des Halbleiterkörpers ein Metall, das nicht als Aktivator wirksam ist, bei einer Temperatur ober-Verfahren
zur Herstellung
von pn-übergängen in Halbleiterkörpern
mittels Neuverteilung von Aktivatoren
in einer Rekristallisationszone
von pn-übergängen in Halbleiterkörpern
mittels Neuverteilung von Aktivatoren
in einer Rekristallisationszone
Anmelder:
Hughes Aircraft Company,
Culver City, Calif. (V. St. A.)
Culver City, Calif. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. G. Eichenberg
und Dipl.-Ing. H. Sauerland, Patentanwälte,
Düsseldorf, Cecilienallee 76
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 1. Oktober 1956
V. St. v. Amerika vom 1. Oktober 1956
Milton Becker, Melvin Cutler und John R. Gliessman,
Los Angeles, Calif. (V. St. Α.),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
halb der eutektischen Temperatur der Lösung des Halbleiters in dem Metall und unterhalb des Halbleiterschmelzpunktes
aufgeschmolzen und hierauf der in Lösung gegangene Teil des Halbleiters rekristallisiert
wird.
Unter der Abscheidungskonstante wird hier das Verhältnis des Aktivatorgehaltes im fest gewordenen
Kristall zum Aktivatorgehalt im geschmolzenen oder gelösten Kristall verstanden, wenn sich die Lösung
im Gleichgewichtszustand befunden hat und überdies die Mengen an Aktivatoren verschwindend klein sind.
Der wesentliche Vorzug des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß es gleichmäßige und
leicht reproduzierbare Erzeugnisse liefert, die Eigenschaften des Erzeugnisses, insbesondere die Dicke der
Bereiche hohen Widerstandes leicht zu beherrschen sind und die erzeugten Kristalloden eine besonders
niedrige Erholungszeit in obigem Sinne haben.
Besonders zweckmäßig ist es, Bor als Akzeptor mit relativ hoher und Antimon als Donator mit relativ
niedriger Abscheidungskonstante gleichzeitig anzuwenden. Als Metall, das auf den Halbleiterkörper aufgeschmolzen
wird, eignet sich reines Blei, vor allem aber reines Gold. Der Halbleiterkörper selbst besteht
am besten aus η-aktiviertem Germanium.
Das Verfahren nach der Erfindung liefert eine Halbleiteranordnung, in der der Bereich von großem
009 648/337
Widerstand dünn ist, der Halbleiterkörper aber gleichwohl eine beträchtliche Dicke behalten kann, denn der
Bereich hohen Widerstandes besteht aus der durch Rekristallisation entstandenen Grenzschicht. Macht man
diese Schicht dünn, so wird auch die Erholungszeit kurz.
Handelt es sich um die Herstellung einer Diode, so wird das Metall auf nur eine Außenfläche des Halbleiterkörpers
gebracht. Soll ein Transistor hergestellt werden, so geschieht das gleiche an zwei verschiedenen
Außenflächen des Körpers.
Ein Ausführungsbeispiel ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt
Fig. 1 schematisch einen Querschnitt durch einen Halbleiterkörper, der für die weiteren Verfahrensschnitte präpariert worden ist,
Fig. 2 ein Diagramm, in dem Germanium als Halbleiter die Abscheidungskonstante für verschiedene Aktivatoren
aufgetragen ist,
Fig. 3 einen Querschnitt durch die herzustellende Halbleiteranordnung unmittelbar vor dem Verschmelzen
und
Fig. 4 einen entsprechenden Querschnitt nach dem Verschmelzen.
Einfachheitshalber wird für das nachstehend beschriebeneAusführungsbeispiel
η-leitendes Germanium als Halbleiter angenommen. Doch kann der Halbleiter auch aus anderem Material bestehen und auch
p-leitend sein. Statt Germanium können beispielsweise Silizium, Germanium-Silizium-Legierungen, Indium-Antimonid,
Aluminium-Antimonid, Gallium-Antimonid, Indium-Arsenit, Aluminium-Arsenit, Gallium-Arsenit,
Bleisulfid, Bleitellurid, Bleiselenid, Cadmiumsulfid, Cadmiumtellurid, Cadmiumselenid und andere
Halbleiterkristalle verwendet werden.
Der in Fig. 1 dargestellte Halbleiterkristallkörper 11 enthält mindestens zwei Aktivatoren von bestimmter
Abscheidungskonstante. Für Germanium sind die Werte der Abscheidungskonstante einiger Aktivatoren
in Fig. 2 angegeben. Die im Schrifttum häufig mit k0
bezeichnete Konstante ist als Ordinate aufgetragen. Auf der Abszissenachse erscheinen verschiedene als
Aktivatoren verwendbare Elemente.
Die in Fig. 2 angegebenen Werte für die Abscheidunskonstante
wurden während des Wachstums von Germaniumkristallen in der Schmelze gemessen. Messungen
dieser Werte in Halbleiterkörpern bei den niedrigen Temperaturen, bei denen Halbleiteranordnungen
bei dem Verfahren nach der Erfindung hergestellt werden, sind, soweit bekannt, bisher nicht ausgeführt
worden. Es kann angenommen werden, daß die hier angegebenen Zahlenwerte mindestens einen verhältnismäßig
guten Anhalt für die bei niedrigen Temperaturen geltenden Werte geben.
Für das weitere sei angenommen, daß der Halbleiterkörper 11 nach Fig. 2 mit Bor und Antimon aktiviert
ist, und zwar mit Antimon im Überschuß, so daß er η-leitend ist. in dem angenommenen Beispiel besteht
zwischen den Abscheidungskonstanten der beiden als Akzeptor und Donator verwendeten Aktivatoren
Bor und Antimon ein beträchtlicher Unterschied. Diese Wahl ist getroffen, um die weitere Darstellung möglichst
deutlich zu machen. Für das Verfahren nach der Erfindung kommt es darauf grundsätzlich nicht an.
Notwendig ist nur, daß die Abscheidungskonstanten der gewählten Aktivatoren sich wesentlich voneinander
unterscheiden.
Auf den aktivierten Halbleiterkörpern wird gemäß
Fig. 3 eine Perle 12 aus einem Metall aufgebracht, das selbst keinen Aktivator darstellt, aber in flüssigem Zustand
den Halbleiter in sich löst. Die Art des Metalls ist jedoch nicht wesentlich. Alle in diesem Sinne neutralen
Metalle, die als Lösungsmetalle in der Halbleitertechnik schon verwendet werden, kommen in Betracht.
Dazu gehören Gold, Blei und Zinn. Wichtig ist jedoch, daß das gewählte Lösungsmetall in praktisch
reinem Zustand zur Anwendung kommt und keine Verunreinigungen enthält, die die elektrischen Eigenschaften
des Halbleiters in irgendeiner Weise beeinflüssen. Bei dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel wurde für die Metallperle 12 reines Gold
l>enutzt.
Nach dem Auflegen der Perle 12 auf den Halbleiterkörper 11 wird die Anordnung auf eine Temperatur
gebracht, die oberhalb der eutektischen Temperatur der aus dem Halbeiter 11 und dem Metall 12
bestehenden Lösung, jedoch unterhalb des Schmelzpunktes des Halbleiters 11 liegt. Das Aufbringen des
Metalls und das Erhitzen können auf beliebige Weise
ao geschehen, beispielsweise durch Niederschlagen von
Dampf im Vakuum auf den erhitzten Halbleiterkörper. Andere geeignete Methoden zum Aufbringen und Erhitzen
sind z. B. in der USA.-Patentschrift 2 736 847 angegeben.
as In Fig. 4 ist ein Schnitt durch die Anordnung nach
dem Verschmelzen schematisch wiedergegeben. Durch die Erhitzung auf eine Temperatur oberhalb der eutektischen
Temperatur der Lösung des Halbleiters im Metall und unterhalb des Schmelzpunktes des HaIbleiters
benetzt das Metall den Halbeiterkörper und löst oder schmilzt einen Teil davon. In diesem Zustand
bleibt die Anordnung, bis die Lösung wenigstens annähernd im Gleichgewicht ist. Danach wird das Ganze
nach einem gesteuerten Programm abgekühlt. Beim Abkühlen rekristallisiert die aufgelöste Halbleitermenge
zusammen mit einigen Atomen der darin von vornherein enthaltenen Aktivatoren auf dem fest gebliebenen
Teil des Körpers. So entsteht in dem Halbleiterkörper, der in Fig. 4 mit 13 bezeichnet ist, ein
rekristallisierter Bereich 15. Die in Fig. 4 verwendete Schraffur soll andeuten, daß der Bereich 15 einen dem
Leitungstyp des fest gebliebenen Teiles 13 des Halbleiters entgegengesetzten Leitungstyp erhalten hat.
Dies hat folgende Ursache:
Der Halbleiterkörper möge in seiner ursprünglichen Form gemäß Fig. 1 den Akzeptor Bor in einer Konzentration
von 1015 Atomen/cm3 und den Donator Antimon in einer Konzentration von 1,5 · 101β Atomen/
cm3 enthalten. Bei der Bildung des Eutektikums z%visehen
dem als Lösungsmetall verwendeten Gold und dem Germanium des Halbleiters gehen die Atome des
Donators und des Akzeptors, die im gelösten Bereich des Halbleiterkörpers vorhanden sind, gleichfalls in
die eutektische Lösung. Während der nun folgenden Abkühlung des Halbleiters und der damit entstehenden
Ausscheidung der Halbleiteratome mit den Atomen der Aktivatoren gehen so gut wie sämtliche ursprünglich
in der Lösung befindlichen Boratome in den rekristallisierten Bereich, weil die Abscheidungskonstante
von Bor größer als 1 ist. Die Atome des Donators Antimon werden dagegen nicht sämtlich im rekristallisierten
Bereich ausgeschieden, da die Abscheidungskonstante des Antimons 0,001 beträgt. Vielmehr finden
sich im rekristallisierten Bereich nur 1,5 · 1013 Atome/cm3 von Antimon. Somit ist in dem rekristallisierten
Bereich ein Überschuß an Atomen des Akzeptors Bor vorhanden, der diesen Bereich p-leitend macht.
Nach Herstellung des rekristallisierten Bereiches 15 kann an die Schmelzperle 14 aus Gold eine Leitung
angeschlossen werden. Eine weitereLeitung kann
auf bekannte Weise an den Halbleiterkörper 13 angeschlossen werden. Schließlich wird die damit geschaffene
Halbleiterdiode in einem geeigneten Schutzgehäuse gekapselt. Messungen haben ergeben, daß die
Erholungszeit einer solchen Diode kleiner als ein Zehntel einer Mikrosekunde ist.
Die Herabsetzung der Erholungszeit beruht darauf, daß der rekristallisierte Bereich überaus dünn und
seine Dicke bei der Herstellung ohne Mühe genau zu beherrschen ist. Diese Schicht hat in der Diode den relativ
höchsten Widerstand. Der spezifische Widerstand beträgt etwa 5 Ohm-cm, während der Widerstand des
übrigen Teiles des Halbleiterkörpers die Größenordnung von 0,1 Ohm-cm hat.
Auf die beschriebene Weise lassen sich auch Transistören
herstellen. Dies kann dadurch geschehen, daß man die angegebenen Maßnahmen nicht nur auf einer
Seite des Halbleiterkörpers, sondern auf zwei einander gegenüberliegenden Seiten ausführt. Das so geschaffene
System wird dann in der bei Transistoren üblichen Weise gekapselt.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von pn-Übergängen in Halbleiterkörpern mittels Neuverteilung
von Donatoren und Akzeptoren im Rekristallisationsbereich eines sowohl Donatoren als Akzeptoren
unterschiedlicher Abscheidungskonstante enthaltenden Halbleiterkörpers, ζ. Β. aus Germanium,
Silizium, III-V-Verbindungen oder II-VI-Verbindungen,
wobei im Halbleiter der Aktivator mit der kleineren Abscheidungskonstante überwiegt,
dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Fläche des Halbleiterkörpers ein Metall, das nicht als Aktivator
wirksam ist, bei einer Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur der Lösung des Halbleiters
in dem Metall und unterhalb des Halbleiterschmelzpunktes aufgeschmolzen und der in Lösung
gegangene Teil des Halbleiters hierauf rekristallisiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die gleichzeitige Anwendung von Bor als
Akzeptor mit relativ hoher und Antimon als Donator mit relativ niedriger Abscheidungskonstante.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metall reines Blei oder
reines Gold verwendet wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für den
Halbleiter η-aktiviertes Germanium verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 894 293;
deutsche Auslegeschrift G 12494 VIII c/21g (bekanntgemacht
am 27. 9. 1956);
französische Patentschriften Nr. 1 065 523,
872;
872;
»Nachrichtentechnische Fachberichte«, Braunschweig, 1955, S. 31/32;
»Proceedings of the IRE«, 1953, S. 1728 bis 1731; »Physica«, 1954 (Bd. XX), S. 845 bis 854.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1260032B (de) * | 1962-05-14 | 1968-02-01 | Rca Corp | Verfahren zur Bildung einer gleichrichtenden Sperrschicht in einem Halbleiterscheibchen |
| DE1297235B (de) * | 1963-03-29 | 1969-06-12 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL259311A (de) * | 1959-12-21 | |||
| US3175934A (en) * | 1960-01-19 | 1965-03-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor switching element and process for producing the same |
| DE1154876B (de) * | 1960-08-04 | 1963-09-26 | Telefunken Patent | Transistor, insbesondere Schalttransistor, und Verfahren zu seinem Herstellen |
| US3207635A (en) * | 1961-04-19 | 1965-09-21 | Ibm | Tunnel diode and process therefor |
| NL297607A (de) * | 1962-09-07 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE894293C (de) * | 1951-06-29 | 1953-10-22 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial |
| FR1065523A (fr) * | 1951-11-16 | 1954-05-26 | Western Electric Co | Procédé pour le contrôle de la ségrégation de solutés dans la méthode de fusion par zones |
| FR1095872A (fr) * | 1953-01-16 | 1955-06-07 | Thomson Houston Comp Francaise | Nouveau procédé de fabrication des jonctions p.n. |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL82014C (de) * | 1949-11-30 | |||
| US2654059A (en) * | 1951-05-26 | 1953-09-29 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor signal translating device |
| US2784121A (en) * | 1952-11-20 | 1957-03-05 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductor bodies for translating devices |
| BE532474A (de) * | 1953-10-13 | |||
| NL106770C (de) * | 1956-04-25 | |||
| US2836523A (en) * | 1956-08-02 | 1958-05-27 | Bell Telephone Labor Inc | Manufacture of semiconductive devices |
-
0
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-
1956
- 1956-10-01 US US613102A patent/US3001894A/en not_active Expired - Lifetime
-
1957
- 1957-09-06 GB GB28258/57A patent/GB825674A/en not_active Expired
- 1957-09-11 FR FR1182597D patent/FR1182597A/fr not_active Expired
- 1957-09-16 CH CH5060357A patent/CH369214A/fr unknown
- 1957-09-20 DE DEH31176A patent/DE1093016B/de active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE894293C (de) * | 1951-06-29 | 1953-10-22 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial |
| FR1065523A (fr) * | 1951-11-16 | 1954-05-26 | Western Electric Co | Procédé pour le contrôle de la ségrégation de solutés dans la méthode de fusion par zones |
| FR1095872A (fr) * | 1953-01-16 | 1955-06-07 | Thomson Houston Comp Francaise | Nouveau procédé de fabrication des jonctions p.n. |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1260032B (de) * | 1962-05-14 | 1968-02-01 | Rca Corp | Verfahren zur Bildung einer gleichrichtenden Sperrschicht in einem Halbleiterscheibchen |
| DE1297235B (de) * | 1963-03-29 | 1969-06-12 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL107669C (de) | |
| FR1182597A (fr) | 1959-06-26 |
| GB825674A (en) | 1959-12-16 |
| US3001894A (en) | 1961-09-26 |
| BE560901A (de) | |
| NL221194A (de) | |
| CH369214A (fr) | 1963-05-15 |
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